【課題】 高温領域において、膜中の不純物濃度が極めて低く、膜厚均一性が良好な絶縁膜を形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気して所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し排気して所定元素含有層を酸化層に変化させる工程とを、その間に処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返して基板上に酸化膜を形成する工程を有し、所定元素含有層を形成する工程では、原料ガスを基板の側方に設けられたノズルを介して基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを基板に向けて供給することで、基板表面と平行方向に流れる原料ガスの流速を、処理容器内をパージする工程において基板表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくする。 （もっと読む）

本発明の特定の実施形態例は、透明な導電性コーティング（ＴＣＣ）としてグラフェンを使用することに関する。被覆しようとする表面を有する基材を供給する。自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）テンプレートを、被覆しようとする表面に配置する。前駆体分子を含む前駆体を供給する。ここで、前駆体分子は、多環式芳香族炭化水素（ＰＡＨ）及びディスコチック分子である。前駆体を溶解して溶液とする。この溶液を、上にＳＡＭテンプレートを配置した基材に適用する。前駆体分子をＳＡＭテンプレートに光化学的に付着させる。基材を少なくとも４５０℃まで加熱すると、グラフェン含有膜が形成される。有利なことに、グラフェン含有膜は基材に直接、例えばリフトオフ法を必要とせずに、形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器の天井壁内面を覆うように設けられたシャワー板を介して、不活性ガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気した状態で、処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して、基板上に薄膜を形成し、それを繰り返した後、シャワー板および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

プラズマを用いた、特には階層的に組織化された種類の、ナノ構造化薄層を製造するための方法、及び該方法を実施するための装置（３０；４０）について記載する。
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【課題】バッファ室と反応室を連通させる孔及び孔の近傍に膜が堆積することを抑制し、堆積した膜によるパーティクルの発生を防止し、基板の品質を低下させることなく処理可能なプラズマ基板処理装置を提供する。
【解決手段】筒状の反応容器２９と、該反応容器の内部に画成され複数の基板２を収納可能な反応室３２と、前記反応容器の内部に設けられたバッファ室３８と、前記反応容器の長手方向に沿って設けられ前記バッファ室に処理ガスを導入可能なガス導入部３４，３５とを具備し、前記バッファ室は前記ガス導入部から導入される処理ガスを前記反応室に供給する複数のガス供給孔４８，５３と、プラズマ発生用の電極５４，５５を収容する空間５９と、前記バッファ室の壁を貫通し前記反応室に開口する孔であって、前記反応容器の薬液洗浄時に用いる水抜き孔を少なくとも１つ有する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、強度が高く、かつプラズマダメージ耐性が高い低誘電率絶縁膜を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ構造を含む基本分子１の複数個を直鎖状に結合した直鎖状分子２，３，４と、この直鎖状分子２，３，４の複数個を、間にＳｉＯ構造を含むバインダー分子５を介在させて結合してなり、Ｓｉ原子、Ｏ原子、Ｃ原子、及びＨ原子を含む重合体からなる低誘電率絶縁膜であって、該膜のフーリエ変換赤外分光法により分析して得たスペクトルのピーク信号のうち、リニア型ＳｉＯ構造を示す信号、ネットワーク型ＳｉＯ構造を示す信号、及びケージ型ＳｉＯ構造を示す信号の３種の信号面積の総和を１００％としたとき、リニア型ＳｉＯ構造を示す信号の面積比が４９％以上であり、かつスペクトルのピーク信号のうち、Ｓｉ（ＣＨ_３）を示す信号量と、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２を示す信号量の総和を１００％としたとき、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２を示す信号量が６６％以上である。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの発生を停止した際の気化器内における液体原料の残留を抑制し、液体原料供給経路内の洗浄を容易に行うことが可能な気化器を提供する。
【解決手段】気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔは、液体原料を気化する気化室５１ｓ，５１ｂ，５１ｔと、気化室内を加熱するヒータ６１ｓ，６１ｂ，６１ｔと、液体原料を気化室内に噴霧させる噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔと、噴霧ノズル内へのキャリアガス、液体原料および溶媒の供給を制御するバルブと、を有し、該バルブは噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔに直結されている。 （もっと読む）

【課題】触媒線の長寿命化を可能とする触媒ＣＶＤ装置の運用方法、該装置を用いる触媒ＣＶＤ法による膜の形成方法、および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置を用いて膜を形成する際の触媒線の通電方法に着目し、触媒線への通電制御を、昇温開始時には定電流制御で行い、成膜時には定電力制御で行うことで触媒線の過加熱による劣化を防止して長寿命化を図る。更に、触媒線の過加熱による成膜時の基板の異常昇温も回避して膜質の異常を防止する。 （もっと読む）

【課題】電磁波を処理室へ導入するための誘電体を備えたマイクロ波プラズマ処理装置において成膜された薄膜の不純物濃度を低く抑え、良質な膜を得ることが可能なプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理室に基板を収納し、電磁波源から前記処理室の内部に露出している１または２以上の誘電体を透過させて前記処理室内に電磁波を供給し、前記処理室内にプラズマを励起させて基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記基板の処理に先立ち前記処理室の内部に露出する前記誘電体の表面を膜で被覆するプリコート工程を有する、プラズマ処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により良質な結晶性珪素膜を高い成膜レートで成膜する方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマＣＶＤ装置を用い、式Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋２（ここで、ｎは２以上の数を意味する）で表される珪素化合物を含む成膜ガスを前記マイクロ波により励起してプラズマを生成させ、該プラズマを用いてプラズマＣＶＤを行うことにより被処理体の表面に結晶性珪素膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に対し簡易な手法により均質な絶縁膜を高速に形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜形成装置１は、堆積部１０の電子ビーム蒸着源１２からハフニウム金属の原子線を照射して、基板７０のシリコン酸化膜７２上に液体状のハフニウム微粒子７３を堆積させて堆積状態とし、照射部２０のプラズマ源２２から窒素原子、活性窒素分子及び窒素イオンでなる活性粒子７４を照射することにより、表面に窒化ハフニウムシリケート膜７６を形成すると共にシリコン酸化膜７２をシリコン酸窒化膜７５に変化させ、基板７０を成膜状態とする。この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化膜中への窒素の導入を促し、酸化膜の誘電率や信頼性を向上させることが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された酸化膜４０１を第１の処理部により窒化する第１の工程と、窒化された酸化膜４０１ｎ上に第２の処理部によりシリコン酸化膜４０２を形成する第２の工程と、シリコン酸化膜４０２を第１の処理部により窒化４０２ｎする第３の工程と、を有し、第１の工程を実施した後、第２の工程と第３の工程とを１サイクルとし、このサイクルを所定回数実施する。 （もっと読む）

【課題】スループットを高く維持しつつリーク電流を抑制してリーク特性も高く維持することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体の表面とゲート電極との間に介在されるゲート絶縁層を形成する成膜方法において、シリコンを含む界面膜を所定の温度で形成する界面膜形成工程Ｓ１と、被処理体を冷却する冷却工程Ｓ２と、冷却された被処理体に対して界面膜形成工程の所定の温度より低い温度でゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程Ｓ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスが良好な金属酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハを収容した処理容器内に金属原子を含む原料を供給し排気する工程と、処理容器内に反応ガスを供給し排気する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことでウエハ上に金属膜を形成する工程（Ｓ５）と、処理容器内に酸化ガスを供給し排気することで金属膜を酸化させる工程（Ｓ６）と、を１セットとして、このセットを所定回数行う（Ｓ７）ことによりウエハ上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】同時に複数枚の基板をバッチ処理する場合において、基板間の処理の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内で複数の基板を保持する基板保持体と、処理室内へ所定の処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内からガスを排出するガス排出部と、を備え、基板保持体は、複数本の支柱と、支柱の長手方向に沿って配列するように複数設けられ、基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持される基板の外周を囲うリング形状のプレートと、を備え、プレートの表面には表面パターンが形成されており、複数のプレートのうち第１プレートに形成されている表面パターンと、複数のプレートのうち少なくとも第２プレートに形成されている表面パターンと、が異なる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器の天井壁に設けられた第３ノズル部および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】気化器内部の圧力を低く保ち、安定的に大流量の液体原料の気化動作を行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１原料ガス供給管１０２ｓ、第２原料ガス供給管１０２ｂ、及び第３原料ガス供給管１０２ｔには、圧力損失が小さい、大口径のゲートバルブ方式のメンテナンス用バルブＶｓ４、Ｖｂ４、Ｖｔ４がそれぞれ設けられている。メンテナンス用バルブＶｓ４、Ｖｂ４、Ｖｔ４の設置箇所には、ダイヤフラムバルブのようにバルブ内で流路が狭くなっていたり、バルブ内で流路が屈曲していたりする箇所はなく、実質的にバルブが設けられていない場合の第１原料ガス供給管１０２ｓ、第２原料ガス供給管１０２ｂ、及び第３原料ガス供給管１０２ｔと同等である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置内の気密性を保持するためのシール材が、処理装置内で発生したプラズマによって劣化するのを抑制する。
【解決手段】処理容器２の容器突出部２ａと蓋体３の蓋体突出部３ａとの接触面には、Ｏリング１０が環状に設けられている。容器突出部２ａには、Ｏリング１０の内側に形成された隙間１１に、不活性ガスを流入させるためのガス流入口１２が複数形成されている。ガス流入口１２から流入した不活性ガスは隙間１１内に充満しながら、処理容器２の内部に流入する。この隙間１１内に充満した不活性ガスの層によって、処理容器２内で発生したプラズマによるＯリング１０の劣化を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】トラップを起因とするパーティクルの逆拡散を防止する。
【解決手段】処理室２０１内を排気する排気装置２４０のガス排気管２３１に設けられた真空ポンプ２４６とトラップ２５０間に第一バルブ２５１を設け、トラップ２５０の二次側に第二バルブ２５２を設け、第一バルブ２５１の一次側とガス排気管２３１を接続するバイパス管２４２に第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を設ける。成膜時には第一バルブ２５１と第二バルブ２５２を開き、第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を閉じ、真空ポンプ２４６によって処理室２０１から排気されたガスの反応副生成物をトラップ２５０によってトラップする。クリーニング時には第一バルブ２５１と第二バルブ２５２を閉じ、第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を開き、真空ポンプ２４６によって処理室２０１から排気されたクリーニングガスをトラップ２５０を迂回して流す。 （もっと読む）

本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層（ＴＣＣ）としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス（例えば、Ｃ₂Ｈ₂、ＣＨ₄などといった）からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗（例えば、１５０オーム／スクウェア未満でかつドープされているときより低い）および高い透過係数（transmission value）（例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて）を示してもよい。
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