【課題】ゲルマニウムを含む薄膜の成膜後にゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する際の前記汚染を防止する。
【解決手段】被処理体Ｗを保持具２５に保持させて反応容器２内に搬入し成膜を行う熱処理装置１の運転方法において、反応容器２内に処理ガスを供給すると共に反応容器２内を加熱して被処理体Ｗにゲルマニウムを含む薄膜を成膜する工程と、反応容器２内に被処理体Ｗが搬入されていない状態でクリーニングガスを供給して前記反応容器２内に成膜されたゲルマニウムを含む薄膜を除去する工程と、酸化ガスと水素ガスとを反応容器２内に供給すると共に加熱して活性化されたガスにより反応容器２内に存在するゲルマニウムを除去する工程と、その後に反応容器２内に被処理体Ｗを搬入して処理ガスを供給すると共に加熱して被処理体Ｗにゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】被処理物が落電等で損傷するのを防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】電極３１にて処理ガスをプラズマ化する。この処理ガスを被処理物９に接触させる。処理容器１０が閉状態のときは、押さえ具２７が支持部２１及び被処理物９上に載り、引っ掛け部２７ａが係止部２６から離れる。このとき、押さえ具２７は、支持部２１と被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。支持部２１は、押さえ具２７と、絶縁保持部と、絶縁性の連結部材２５と、被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。したがって、支持部２１及び押さえ具２７は、電気的に浮いている。ひいては、被処理物９が電気的に浮いた状態（電気的フロート）になっている。 （もっと読む）

【課題】処理ガスをプラズマ励起させるための放電電極の変質を防止または抑制し、放電電極の寿命向上を図ることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を収容する反応管２０３を外部から囲うように配置された加熱手段と、加熱手段の内側に設けられ、処理ガスをプラズマ励起させる一対の電極２６９と、一対の電極間に接続された結合コイル３１１と、一対の電極２６９と結合コイル３１１とを気密に収容し、その内部が不活性ガス雰囲気に設定された保護容器２７５と、結合コイル３１１と誘導結合されるように保護容器２７５の外側に配置され、高周波電力が印加される誘導コイル３１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】高々３００℃程度の低温処理を前提とされたアルミナ膜を形成する原子層成長装置において、装置内部に堆積する堆積物によるパーティクルの発生が容易に抑制できるようにする。
【解決手段】装置本体１０１に、成膜対象の基板が配置される成膜室１０２を備える。成膜室１０２の内部には、基板が載置される基板台１０３が設けられ、基板台１０３は、基板を加熱するための加熱機構１０４を内蔵している。また、装置本体１０１には、成膜室１０２に原料ガスを導入するためのガス導入口１０５、成膜室１０２に酸素ガスを導入するためのガス導入口１０６を備える。加えて、装置本体１０１は、成膜室１０２の内部にエッチングガスを導入するためのエッチングガス導入口１０７を備え、成膜室１０２の内壁に形成された堆積阻止膜１１２を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生に起因する被処理体へのダメージを抑制しつつ，好適なプラズマ処理を行う。
【解決手段】半導体ウエハＷにプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室１０１と，半導体ウエハＷを，プラズマ処理室１０１内に配置するための載置台１０２と，該プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させるためのマイクロ波発生装置１０８とを少なくとも含むプラズマ処理装置１００において，マイクロ波発生装置１０８に，断続的なエネルギー供給可能なもの使用している。 （もっと読む）

【課題】高々３００℃程度の低温処理を前提とされたアルミナ膜を形成する原子層成長装置において、装置内部に堆積する堆積物の発生が抑制できるようにする。
【解決手段】成膜室１０２の上部には、高周波発生源１０８が設けられ、また、高周波発生源１０８には、高周波電力を供給するための高周波電力供給部１０９が接続されている。また、ガス導入口１０５には、成膜室１０２にアルミニウムの原料ガスを供給するための原料ガス供給部１５１が接続している。また、ガス導入口１０６には、成膜室１０２に酸素ガスを供給する酸化ガス供給部１６１が接続している。また、有機樹脂から構成されて成膜室１０２の内壁に形成された堆積阻止膜１１１を備える。 （もっと読む）

プラズマ反応処理を用いたフルオロカーボン層の形成方法は、マイクロ波出力及びRFバイアスを印加する工程を有する。前記マイクロ波出力及びRFバイアスは、20mTorr〜60mTorrの範囲の圧力下で印加される。
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【課題】結晶粒径が大きく、均一な結晶性半導体膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜上に接して結晶性半導体膜を形成する第１の工程と、前記第１の工程よりも核生成頻度が低い条件により結晶性半導体膜を成長させる第２の工程と、により結晶性半導体膜を作製する。第２の工程は、第１の工程よりも半導体材料ガスの流量比が小さい条件で行う。これにより、結晶粒径が大きく、均一性の高い結晶性半導体膜を得ることができ、結晶性半導体膜の下地膜に対するプラズマダメージを従来よりも低減することができる。 （もっと読む）

【課題】効率的に薄膜形成装置を洗浄することができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】まず、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、装置内部に付着した付着物を除去する。次に、反応管２に酸素ラジカルを供給して装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程を実行する。続いて、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程を実行する。そして、この酸化工程と酸化物除去工程とを複数回繰り返す。これにより、効率的に薄膜形成装置１が洗浄される。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープシリコンゲルマニウム膜を成膜する場合、ゲルマニウム原料の使用量を抑制すると共に金属膜との結合力を強くし、生産性を向上することが可能となる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する搬入工程Ｓ１４と、処理室内にシリコン原子含有ガスとボロン原子含有ガスとゲルマニウム原子含有ガスを供給して、基板上に第一膜を成膜する第一成膜工程Ｓ２２と、処理室内にシリコン原子含有ガスとボロン原子含有ガスを供給して、第一膜上に第二膜を成膜する第二成膜工程Ｓ２４と、基板を処理室内から搬出する搬出工程Ｓ３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】装置の大幅な改造をせず汎用的な真空チャンバを用いて、プラズマＣＶＤ法によりダイヤモンドライクカーボン膜の高速成膜を安定して行う方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法で基材上にダイヤモンドライクカーボン膜を形成する方法であって、基材に印加する電圧をバイポーラＤＣパルス電圧とすると共に、チャンバ内に供給するガスとしてトルエン含有ガスを用い、かつ、チャンバ内のガスの全圧を４Ｐａ以上７Ｐａ以下にしてダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 優れたＱｂｄ特性とＲｄ特性を兼ね備えた良質な酸化珪素膜を形成する方法を提供し、もって信頼性の高い半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ウエハＷをプラズマ処理装置に搬入し、ウエハＷのシリコン層５０１の表面をプラズマ酸化処理してシリコン層５０１の上に膜厚Ｔ_１で酸化珪素膜５０３を形成する。次に、酸化珪素膜５０３が形成されたウエハＷを熱酸化処理装置に移送し、酸化珪素膜５０３に対して熱酸化処理を実施することにより、目標膜厚Ｔ_２で酸化珪素膜５０５が形成される。 （もっと読む）

【課題】 処理室内のドライクリーニング直後の薄膜形成工程における成膜速度の低下を抑制しつつ、処理室内の金属汚染や石英部材の破損を抑制すると共に、装置稼働率を向上させる。
【解決手段】 第１の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとして、フッ素ガスを単独で、もしくは不活性ガスで希釈されたフッ素ガスを単独で供給し、処理室内に堆積した薄膜を熱化学反応により除去する工程と、第２の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとして、フッ素ガスを単独で、もしくは不活性ガスで希釈されたフッ素ガスを単独で供給し、薄膜の除去後に処理室内に残留した付着物を熱化学反応により取り除く工程と、を有し、第２の温度を第１の温度と同等の温度とする。 （もっと読む）

【課題】高い結晶性をもった物を製造することが可能なドライプロセス装置を提供する。
【解決手段】基板保持部１０ａに保持された基板１４の温度を所望の温度に保つ温度調整器と、前記基板保持部１０ａとターゲット保持部１０ｂとにそれぞれ配置された高周波電極１１ａ、１１ｂと、両電極の陰陽を切り替える陰陽切替器と、前記チャンバー内の気体を外部の排出するあたりその排気速度を調整する排気調整器と、前記チャンバー内へ供給する気体の供給速度を調整する給気調整器と、この給気調整器を介して前記チャンバーに供給する気体の種類を変更する気体切替器とからなり、前記基板保持部１０ａに保持された基板１４に対しスパッタリング法、イオン注入法、ＣＶＤ法等の異なった複数のドライプロセスを選択して連続実行する。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスノズルの交換の時期を延長させ、成膜ガスノズル交換に要していた時間をなくし、反応炉のダウンタイムを短縮する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００を反応炉３１内に搬入するステップと、少なくとも一つの成膜ガスノズル４０より反応炉３１内に成膜ガスを供給して基板２００上に薄膜を成膜するステップと、成膜後の基板２００を反応炉３１内から搬出するステップと、成膜ガスノズル４０内にクリーニングガスを供給して成膜ガスノズル４０内に堆積した生成膜を除去する第１のクリーニングステップと、反応炉３１内に成膜ガスノズル４０とは異なるクリーニングガス供給口４６よりクリーニングガスを供給して反応炉３１内に堆積した生成膜を除去する第２のクリーニングステップとを有し、第１のクリーニングステップを第２のクリーニングステップよりも先行して行う。 （もっと読む）

【解決手段】Ｃ_p−Ｏ−Ｃ_q（但し、ｐ、ｑは炭素数を表わし、２≦ｐ≦６、２≦ｑ≦６であり、各炭素鎖には酸素原子と共役する不飽和結合を含まない）結合を含有する炭素数４〜８の直鎖状又は分岐状の酸素含有炭化水素鎖で結合された２個以上のケイ素原子を含有し、かつ該２個以上のケイ素原子はいずれも１個以上の水素原子又は炭素数１〜４のアルコキシ基を有するプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜形成用有機シラン化合物。
【効果】従来、疎水性を向上させようとした場合には成膜速度に犠牲を払ってきたが、本発明のプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜形成用有機シラン化合物によれば、膜の疎水性と誘電率特性を確保した上で、成膜速度の低下を抑制することができる。
また、本発明のプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法を多層配線絶縁膜の成長方法として利用することにより、配線信号遅延の少ない半導体集積回路を安定して製造することができる。 （もっと読む）

閉ドリフトイオン源の電気絶縁アノード電極に電子を供給するステップを含む、基板の表面を改質するプロセスが、提供される。アノード電極は、正のアノード電極帯電バイアスを有するが、閉ドリフトイオン源の他の構成要素は、電気的に接地され、または電気的浮動電圧を保持する。電子は、イオン形成を誘導する閉ドリフト磁場と交差する。アノード汚染は、ガスの存在下で電極帯電バイアスを負に切り替えることによって防止され、プラズマが、アノード電極の近傍に生成され、アノード電極から汚染堆積物を浄化する。次に、電極帯電バイアスは、反復電子源の存在下で正に戻され、反復イオン形成を誘導し、基板の表面を再び改質する。このプロセスによって基板の表面を改質する装置が、提供される。
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【課題】シートフィルムなどの担持体に形成された薄膜材料を基板に転写することで基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、薄膜形成のために必要な真空度が得られ、しかもメンテナンス性に優れた装置を提供する。
【解決手段】上側ブロックと下側ブロックとの間で、薄膜を形成されたシートフィルムと基板とを挟み込んで薄膜を基板に転写させる薄膜形成装置である。上側ブロックを装着される上板１１と下側ブロックを装着される底板１９とが、アングル１０１により組まれたフレーム１０により結合される。その側面の開口部に、パネル状の前板１３、側板１４および裏板１６がシール部材１３８、１４８および１６８を介して取り付けられて処理チャンバ１が構成される。 （もっと読む）

【課題】副生成物の付着を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハを収容する処理室と、ウエハを加熱するヒータと、処理室の下部を形成するインレットフランジ１０と、インレットフランジ１０の第一ポート１２に設置されたガス供給管、棒状電極と、インレットフランジ１０の第二ポート１３に設置されたガス排気管と、を備えている基板処理装置において、インレットフランジ１０に金属成形ヒータ２０を設け、第一ポート１２および第二ポート１３にカートリッジヒータ３０を設ける。金属成形ヒータ２０およびカートリッジヒータ３０により、インレットフランジ１０、第一ポート１２周辺および第二ポート１３周辺を加熱することができるので、副生成物の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】回転軸金属が受ける腐食ガスの影響を低減させる。
【解決手段】ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内でウエハ２００を支持するボート２１７と、処理室２０１を閉塞するシールキャップ２１９と、ボート２１７を回転させる回転軸２５５と、処理室２０１内に腐食性ガスを供給する腐食性ガス供給ノズル２３０ａと、処理室２０１内に非腐食性ガスを供給する非腐食性ガス供給ノズル２３０ｂとを備えた基板処理装置において、腐食性ガス供給ノズル２３０ａのガス噴出口および非腐食性ガス供給ノズル２３０ｂのガス噴出口と対向しつつ回転軸２５５を覆う軸保護具３０１をシールキャップ２１９上に設け、軸保護具３０１には非腐食性ガス供給ノズル２３０ｂのガス噴出口と対向する部分に開口部３０２を開設する。 （もっと読む）