【課題】 開度可変弁への反応副生成物の付着を抑制して内部リークを抑制することができると共にダウンタイムを軽減することができる処理方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】 ガス供給系６及び真空排気系８が接続された処理容器２に被処理体ｗを収容して所定の温度、圧力及びガス雰囲気で成膜処理を行う処理方法において、前記真空排気系８に、開閉及び圧力制御が可能な開度可変弁２０を設けると共に、該開度可変弁２０よりも上流に不活性ガスを導入して圧力制御を行うバラスト制御部２１を設け、前記開度可変弁２０を全開状態とし、前記バラスト制御部２１により不活性ガスの導入流量を制御して成膜処理時の圧力制御を行う。 （もっと読む）

【課題】 大面積の基板に均一厚さ且つ均質な薄膜を成膜できる表面波励起プラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】 表面波励起プラズマＣＶＤ装置１００は、材料ガス導入システム１０と放電ガス導入システム３０を備え、表面波励起プラズマＰにより材料ガスＧ１を乖離して基板Ｓに成膜する。材料ガスＧ１は、分岐点Ｑ１で複数に分岐されたガス導入管１２，２２，２３を通ってシャワーヘッド１５ａ，２４ａ，２７ａからチャンバー１内に導入される。ガス導入管１２，２２，２３を通る材料ガスＧ１の流量を、それぞれニードルバルブ１２ａ，２２ａ，２３ａで調節することにより、シャワーヘッド１５ａ，２４ａ，２７ａからチャンバー１内へ導入する量を等しくし、チャンバ１内の材料ガスの濃度分布を均一化する。 （もっと読む）

【課題】
ＴＭＡの様に大気中に漏洩すると発火するガスで、水や炭酸ガス（ＣＯ2 ）等の様に酸素を含む物質では消火できない原料を用いた基板処理装置に於いて、安全に原料を保管できると共に発火時には速やかに消火を可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】
酸素と混合することで発火又は爆発する原料を、基板が収納された処理室内に供給し、基板に所望の処理を行う基板処理装置であって、前記原料を収納する原料タンク３０を気密に収納する収納体３１と、該収納体に接続され、該収納体に常時不活性ガスを供給するガス供給手段３６と、前記収納体内での発火又は爆発を検知する検知手段４６，４７，４８，４９と、前記不活性ガスの供給量を制御する制御手段５２とを備え、該制御手段は、前記検知手段が発火又は爆発を検知した際に不活性ガスの供給量を増大させる。
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【課題】プラズマをバッファ室内にとどめた状態で、プラズマ密度を上げることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ２００を収容する反応管２０３と、前記反応管２０３内に処理ガスを供給するガス供給手段のノズル２３３と、前記ノズル２３３により供給された処理ガスをプラズマ励起させるための一対の電極２６９と２７０と、環状の磁性体に所定方向に所定回数だけ巻き付けられ、前記一対の電極２６９と２７０の内いずれか一方を高周波電源２７３と接続する第一のコイル２０ａと、前記環状の磁性体に前記所定方向とは逆方向に前記所定回数だけ巻き付けられ、前記一対の電極２６９と２７０の内いずれか他方を接地させる第二のコイル２０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】 結晶欠陥の少ない大口径の炭化珪素単結晶を安定性よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】 炭化珪素基板上に形成された薄膜結晶を種として成長させるようにした。好ましくは、薄膜結晶が単結晶エピタキシャル成長層であると良い。 （もっと読む）

本発明は、概して、選択エピタキシャル成長プロセスを用いて半導体基板上に歪シリコンゲルマニウム層（strained-SiGe-layer）又は緩和シリコンゲルマニウム層（relaxed-SiGe-layer）又は傾斜シリコンゲルマニウム層（graed-SiGe-layer）を成長させる方法及び手段に関する。特に、本発明は、600℃よりも低い温度でハロゲルマン前駆体物質及びシラン前駆体物質を用いてSiGe層をエピタキシャリーに成長させる方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台の貫通孔に対する基板保持ピンの位置調整を容易に行うことを可能にする。
【解決手段】 ピン設置用のピンアーム（基板保持ピン設置台）２８２は、処理室を構成する下側容器２１１の底面２１２に取り付けられる。リフトピン（基板保持ピン）２６６は、ピンアーム２８２の貫通孔２１７ａと対応する係合孔２６２に立設され、ピンアーム２８２の取付部２８５は、下側容器２１１の底面２１２へ取り付けられる。リフトピン２６６は、サセプタ（基板載置台）２１７の下降にともなって貫通孔２１７ａから突き出してウェハ（基板）２００を保持し、サセプタ２１７の上昇にともなって貫通孔２１７ａから引っ込んでウェハ２００をサセプタ２１７に載置する。このリフトピン２６６の貫通孔２１７ａに対する位置調整を容易に行えるように、ピンアーム２８２の底面２１２への取付部２８５を、サセプタ２１７と下側容器２１１の底面２１２との間に挟まれる空間Ｓ_inの外側の空間Ｓ_outに取り付ける。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理を組み合わせることにより、半球状の結晶粒のサイズを小さく制御することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜方法において、成膜ガスにより前記被処理体の表面に結晶核９２を形成して該結晶核９２を成長させることにより半球状の結晶粒６が表面に形成された結晶粒薄膜９４を形成する結晶粒薄膜形成工程と、前記結晶粒薄膜９４の表面を酸化することにより酸化膜９６を形成する酸化膜形成工程と、前記酸化膜９６をエッチングにより除去するエッチング工程と、を有する。このように、エッチング処理を組み合わせることにより、ＨＳＧシリコン結晶粒における半球状の結晶粒６のサイズを小さく制御する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの製造において好適に使用可能な、より選択性の高い（プラズマエネルギーが比較的に低い）プラズマを与えることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置を、被処理体にプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室と、該プラズマ処理のためのマイクロ波を案内するスロット電極と、該プラズマを着火させるためのプラズマ源とで構成する。 （もっと読む）

プロセシング中にウエハを加熱するための装置及び方法。該装置は、プロセシング領域を画定するプロセシング管を内部に収容するプロセスチャンバを有する。プロセシング管は第１及び第２の壁を有し、両者の間に中空キャビティ即ち通路が画定される。第２の壁には複数の孔即ち出口が形成され、中空キャビティとプロセシング領域とを連通させている。該装置は、プロセシング管に隣接した位置に複数の抵抗性加熱要素も有する。抵抗性加熱要素から放出される熱エネルギーが中空キャビティを通して流れるガスを加熱するように構成される。中空キャビティを通して流れるガスは、前記複数の孔を通して中空キャビティから流出し、対流の効果を利用してプロセシング管に配置されたウエハの温度を変化させる。
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所望のワイヤ径（ｄ）を有する半導体ナノワイヤ群（１０）を製作する方法は、少なくとも１つの予め製作された半導体ナノワイヤは所望のワイヤ径（ｄ）よりも大きいワイヤ径（ｄ’）を有する、予め製作された半導体ナノワイヤ群（１０’）を提供する工程と、少なくとも１つの予め製作されたナノワイヤ（１０’）のワイヤ径をエッチングによって小さくする工程とを備え、このエッチングは少なくとも１つの予め製作されたナノワイヤ（１０’）によって吸収される光によって誘起され、この少なくとも１つの予め製作されたナノワイヤが所望のワイヤ径（ｄ）に達したときに、この少なくとも１つの予め製作されたナノワイヤの吸収がかなり小さくなるように、この光のスペクトルが選択される。電子デバイス（１００）は、所望のワイヤ径（ｄ）を有するナノワイヤ群（１０）を備えてもよい。装置（２９）は本発明による方法を実行するのに使用され得る。
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窒化ゲート誘電体層を形成するための方法及び装置。この方法は、電子温度スパイクを減少するために、滑らかに変化する変調のＲＦ電源により処理チャンバー内に窒素含有プラズマを発生することを含む。電源が滑らかに変化する変調のものであるときには、方形波変調のものに比して、電界効果トランジスタのチャンネル移動度及びゲート漏洩電流の結果が改善される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒ＣＶＤ，高密度バイアス触媒ＣＶＤ，バイアス減圧ＣＶＤ，バイアス常圧ＣＶＤを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器１に原料ガスを供給し、真空容器１中に配置された基板１０と電極３ａとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板１０上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 （もっと読む）