【課題】 反応容器の中の不純物量の変動に影響されずに、休止後の再稼動時であっても、生産性を低下させない堆積膜形成方法を提供することにある。更に、特性バラツキを低減した堆積膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 減圧可能な真空処理容器を用いて堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記堆積膜の形成を休止し（Ｓ５２１）、前記真空処理容器の中の不純物の量がほぼ飽和するまで前記真空処理容器を大気開放する（Ｓ５２２）。その後、ほぼ飽和した不純物の量に対応して予め定めた堆積膜形成条件（通常とは異なる堆積膜形成条件）を、再稼働時の堆積膜形成条件とする（Ｓ５３２）。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉウエハなどの基板にＳｉ、ＳｉＧｅなどの半導体膜を選択成長にて成膜する際の、膜形状を平坦化させる。
【解決手段】絶縁体面間に半導体面が露出された第一基板の対向面に絶縁体面が露出された第二基板を配置した状態で反応室内へ搬送する第一工程と、前記反応室内を加熱するとともに前記反応室内へ少なくともシリコン含有ガスと該シリコン含有ガスとは異なる塩素含有ガスとを供給して、少なくとも前記第一基板の半導体面に選択的に平坦な表面を有するシリコン含有膜を形成する第二工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】等方性酸化を複数枚の基板が積層して配置された装置にて実施する場合に、基板配置場所により水素濃度が異なり酸化膜厚が大きく変動するのを抑制し、高品質な半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内に搬入する工程と、処理室４内を加熱するとともに圧力を大気圧よりも低くした状態で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して半導体ウエハ１を酸化処理する工程と、複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内より搬出する工程とを有し、酸化処理する工程では、水素含有ガスを、複数枚の半導体ウエハ１が垂直方向に積層されて配列される基板配列領域に対応する領域の半導体ウエハ１が配列される方向における複数箇所から供給することで、酸素含有ガスと水素含有ガスとを基板配列領域に対応する領域の複数箇所で反応させて反応種を生成し、酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制することができるシリコン膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン膜の形成方法は、第１成膜工程と、エッチング工程と、第２成膜工程とを備えている。第１成膜工程では、被処理体の溝を埋め込むようにシリコン膜を成膜する。エッチング工程では、第１成膜工程で成膜されたシリコン膜をエッチングして前記溝の開口部を広げる。第２成膜工程では、エッチング工程で開口部が広げられた溝にシリコン膜を埋め込むように成膜する。これにより、表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ステップ搬送の停止期間中に非成膜ゾーンで発生する張力上昇とそれに伴う応力集中を防止できるステッピングロール方式の薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】帯状の可撓性基板１に機能性薄膜を積層形成するための薄膜形成装置で、成膜ユニット５，６，７，８を含む成膜ゾーンＺ１，Ｚ２と、成膜ゾーンの上流側および下流側に配設された第１および第２搬送制御ロール１６，２６と、搬送の停止期間中に各成膜ユニットに密閉空間を画成すべく各成膜ユニットに併設された遮蔽手段５３，５４，６３，６４，７３，７４，８３，８４と、搬送中に基板の張力を制御する第１張力制御手段１６，１７，１８，１９と、成膜ゾーンの下流側に隣接した非成膜ゾーンＺ３，Ｚ４とを備え、搬送の停止期間中に、遮蔽手段が基板を挟んで閉じた状態で、非成膜ゾーンにおける基板の張力を制御する第２張力制御手段３，４を備えた。 （もっと読む）

【課題】信頼性が損なわれるのを防止しつつ、電気的特性の良好な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、化学気相堆積法により、シリコンと酸素と炭素とを含む絶縁膜４２を形成する工程と、絶縁膜を形成する工程の後、３５０℃以下の温度で加熱しながら絶縁膜に対して紫外線キュアを行う工程と、紫外線キュアを行う工程の後、絶縁膜に対してヘリウムプラズマ処理を行う工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜を形成することが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器１４内で被処理体Ｗの表面に不純物含有のシリコン膜を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスを該シラン系ガスが被処理体の表面に吸着するような状態で供給する第１のガス供給工程と処理容器内へ不純物含有ガスを供給する第２のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で不純物含有のシリコン膜を形成する。これにより、比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワーを印加して成膜した窒化珪素膜から離脱する水素を適正に制御する半導体素子の窒化珪素膜、窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜４１と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアス窒化珪素膜３１と基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアス窒化珪素膜３２とを積層して構成すると共に、アンバイアス窒化珪素膜３２を膜４１に接する側に配置する。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワーを印加して成膜した窒化珪素膜の膜応力の変化を抑制する半導体素子の窒化珪素膜、窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアスＳｉＮ膜３１を、基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアスＳｉＮ膜３２ａとアンバイアスＳｉＮ膜３２ｂとの間に挟み込む構造とする。 （もっと読む）

【課題】各基板の中心付近への処理ガスの供給を促進させ、処理速度を増大させ、基板処理の面内均一性を向上させる。
【解決手段】複数の基板２００を水平姿勢で所定の間隔で多段に積層して収容する処理室２０１と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系２２２ａ，２２２ｂと、を有し、処理ガス供給系は、基板の上表面に対してそれぞれ垂直に処理ガスを供給するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜装置において、膜の膜特性や成膜速度の向上と、クリーニングによる損傷の低減との両有用性を選択自在に取得する。
【解決手段】真空チャンバ１０を有するプラズマＣＶＤ成膜装置１において、真空チャンバ１０内において平行して対向配置される高周波電極５および対向電極６を有する平行平板電極と、高周波電極５に高周波電圧を印加する高周波電源２と、高周波電源２と高周波電極５との間に直列接続されるブロッキングコンデンサＣ２を含むマッチングボックス３と、マッチングボックス３と高周波電極５との間に、平行平板電極に並列接続する低周波フィルタ回路７を備える。低周波フィルタ回路７は、高周波電源側からマッチングボックスを介して高周波電極に印加される高周波電力について、高周波電極と接地点との直流的な接続関係を可変として、高周波電極の直流電圧を調整する。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスに一酸化窒素ガスを添加して処理室内のドライクリーニングを行う際、その取り扱いを容易にし、制御性よくクリーニングの性能を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理容器２０１と、該処理容器内にフッ素原子を含むガスと一酸化窒素ガスとを事前に混合させて供給する第１のクリーニングガス供給系２３２ｈと、第１のクリーニングガス供給系とは別に設けられ、処理容器内にフッ素原子を含むガスを供給する第２のクリーニングガス供給系２３２ｅと、を有する基板処理装置として、前記第１のクリーニングガスと、前記第２のクリーニングガスと、を処理容器２０１内で混合してドライクリーニングを行う。 （もっと読む）

【課題】基板温度が低温の場合でも酸化レートを高速化して、低温での酸化を可能とするとともに、厚膜酸化を可能とするプラズマ酸化方法および装置を提供する。
【解決手段】酸素を含むプロセスガスで酸素含有プラズマを生成し、ステージ１８上に設置された基板１６に対して、トランス結合バイアス電源からバイアス電圧を印加し、前記基板１６のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐに対して、Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘの関係を満たすように前記バイアス電位を制御することによって前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板１６に照射するプラズマ処理装置１０により前記基板１６をプラズマ酸化する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層の堆積中、パーティクル生成を最小限化する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ前駆体と、分解温度がゲルマンより高いＧｅ前駆体とを含む雰囲気中に基板を設けるステップ、および最終Ｇｅ含有量が約０．１５より大きくかつパーティクル密度が約０．３パーティクル／ｃｍ^２より小さいＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層を前記基板上に堆積するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜への付着性が高く、低誘電率膜中への銅の拡散を効果的に防止できるバリア膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、成膜装置１００の処理容器１内に、絶縁膜が設けられたウエハＷを配置する工程と、処理容器１内にＴＥＯＳなどのシリコン原子を含む化合物のガスと水蒸気などのＯＨ基供与性ガスを供給し、絶縁膜の表面にＳｉ−ＯＨ基を形成させる表面改質工程と、処理容器１内にマンガン含有材料を含む成膜ガスを供給し、ＣＶＤ法によりＳｉ−ＯＨ基が形成された絶縁膜の表面にマンガン含有膜を成膜する成膜工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜対象のシリコン基板の表面上に自然酸化膜が形成されている場合であっても、基板上にホウ素含有アモルファスシリコン膜を形成する際の成長遅れ時間を短縮させ、基板処理の生産性を向上させる。
【解決手段】反応室２０１内に基板２００を搬入する搬入工程と、前記反応室内にシリコン含有ガスのみを供給し前記基板上にシード層を形成する第１の成膜工程と、引き続き、前記反応室内にシリコン含有ガスとホウ素含有ガスとを供給し前記シード層上にホウ素含有アモルファスシリコン膜を形成する第２の成膜工程と、前記反応室内から前記基板を搬出する搬出工程と、を有する基板処理方法とする。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れた薄膜トランジスタを提供する。また半導体装置の作製において有
用な半導体薄膜を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を
形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製
する。また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を剥離層として用いた半導体装置を作製する。また、
プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／
ｃｍ^３で含む半導体膜をゲッタリングサイトとして用いた半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】 熱酸化膜と同等以上の膜質を有するシリコン酸化膜を形成できるプラズマ酸化処理方法を提供する。
【解決手段】 処理容器１内を排気装置２４により減圧排気しながら、ガス供給装置１８の不活性ガス供給源１９ａおよびオゾンガス供給源１９ｂから、不活性ガスおよびＯ_２とＯ_３との合計に対するＯ_３の体積比率が５０％以上であるオゾンガスを所定の流量でガス導入部１５を介して処理容器１内に導入する。マイクロ波発生装置３９で発生させた所定周波数例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を、平面アンテナ３１から透過板２８を経て処理容器１に放射し、不活性ガスおよびオゾンガスをプラズマ化する。このマイクロ波励起プラズマによりウエハＷ表面にシリコン酸化膜を形成する。プラズマ酸化処理の間、載置台２に高周波電源４４から所定の周波数およびパワーの高周波電力を供給してもよい。 （もっと読む）

【課題】従来の薄膜形成装置に比べて、薄膜を均一に形成することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給されて、基板に薄膜を形成するための減圧した成膜空間を形成する成膜容器と、原料ガスおよび反応ガスを前記成膜容器に供給するガス供給ユニットと、を有する。ガス供給ユニットは、原料ガスおよび反応ガスの導入口から前記成膜空間に向けて流れるガス流路を屈曲させる少なくとも１つの衝立板が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 原料の反応性を高め、効率的に酸化亜鉛薄膜を成膜することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも有機原料ガスと酸素源ガスとを含む成膜ガスを、反応容器１６０の側面に配列されたシャワーヘッド１５０から個別に供給し、有機金属気相堆積成長法により、反応容器１６０に載置された基板Ｓ上に酸化亜鉛薄膜を成膜する成膜方法において、酸素源ガスとしてオゾンガスを用い、かつ、有機原料の分解を促進する水素ガスを前記成膜ガスに添加するとともに、オゾンガスと水素ガスとを異なるガス導入孔から反応容器内に供給する。 （もっと読む）