【課題】基板上に膜を堆積させるにあたって、寄生堆積物を抑制することができるシステムおよび方法の提供。
【解決手段】基板（２０）上に膜を堆積させるための堆積システム（１００）において、寄生堆積物を制御し、その型の堆積システムは、基板を収容するための反応室を画定し、および反応室の中のプロセスガス（Ｐ）および反応室と隣接する内部表面を含む。ガスバリア層が内部表面とプロセスガスの成分との間の接触を阻止するように、内部表面とプロセスガスの少なくとも一部との間にバッファガス（Ｂ）を流すことによってガスバリア層を形成して、そのような制御を与える。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜の抵抗率分布が均一であり、また遷移幅の狭い半導体エピタキシャルウエーハを、高品質かつ高生産性で製造し供給する事のできる半導体エピタキシャルウエーハの製造方法やそのような半導体エピタキシャルウエーハを提供する。
【解決手段】半導体エピタキシャルウエーハの製造方法であって、少なくとも、半導体ウエーハの裏面側にドーパント揮散防止用保護膜を形成し、その後該ドーパント揮散防止用保護膜全体を覆うように第１ポリシリコン膜を形成した後、前記半導体ウエーハを反応炉内に配置し、該反応炉内にエピタキシャル成長用ガスを導入することによって前記半導体ウエーハの表面側にエピタキシャル膜を形成することを特徴とする半導体エピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属を含む部材からの汚染が防止され、且つ、メンテナンス時における副生成物の除去が容易なシリコンウェーハの処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２０と、チャンバー２０に取り付けられ金属を含む材料からなる複数の部材とを備える。前記複数の部材のうち、副生成物の付着が相対的に多い排気配管４１及びイグゾーストキャップ４２にはＤＬＣコーティングが施され、副生成物の付着が相対的に少ない他の部材には石英コーティングが施されている。本発明によれば、副生成物の付着のしやすさに応じてコーティング材料を選択していることから、金属汚染を防止しつつ、メンテナンス時において副生成物を容易に除去することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ヘイズレベルが低く、かつエッジロールオフで表される平坦度に優れたエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスとしてジクロロシランを使用し、９００〜１１５０℃、望ましくはジクロロシランの供給律速領域（１０００〜１１５０℃）、より望ましくは１０００〜１０５０℃の温度範囲内でシリコンウェーハの表面にシリコン層をエピタキシャル成長させ、得られるエピタキシャルウェーハのヘイズレベルを０．０５０〜０．０８０ｐｐｍ（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製パーティクルカウンター（ＳＰ−１）によるＤＷＮモードでの測定値）とし、エッジロールオフを低い範囲内に維持する。ヘイズレベルが低いので、半導体デバイスの高集積化に対応することができ、また、エッジロールオフが低いのでデバイスの製造可能領域が広く、デバイス製造における高歩留りを維持できる。 （もっと読む）

【課題】
基板加熱ヒータの加熱領域の影響で、シャワープレートの温度が高い領域と低い領域が発生し、シャワープレートの外周部分の温度の低い領域（非加熱領域）においては、シャワープレート表面にフレーク状の安易に剥がれる生成物が形成され、被処理基板にコンタミネーションとして付着して、膜質や均一性の劣化が発生する。
【解決手段】
シャワープレートの基板保持部材に対向する領域より外側で、かつ、シャワーヘッドとシャワープレートとの接面の間に空間を配設し、シャワープレートの空間が配設された領域部分に反応室内と連通する複数の貫通孔を設け、貫通孔を通じてパージガスを導入する。
それにより、非加熱領域部のシャワープレート表面に存在する原料ガスをガス排出口側へ流し、さらに角部に淀み領域が発生しにくくすることができる。よって、シャワープレート表面に形成される生成物を減少し、被処理基板上での膜均一性及び膜の再現性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】拡散プラズマにより陽極内壁に付着、堆積した堆積物が剥落して陰極と陽極間を短絡することを防止することができる陽極壁多分割型プラズマ発生装置及びそれを用いたプラズマ処理装置を提供することである。
【解決手段】陰極２と陽極３の間で発生したプラズマＰが陰極２より前方に向けて放出され、拡散する際、拡散物質４１が電極筒体内壁に再結晶化して付着、堆積して、カーボンフレーク４０として剥落する。電極筒体内壁を縦横の溝３７、３８によってマトリクス状に多分割されている。多数の突部３５の堆積物分離作用により、拡散プラズマが陽極３に付着、堆積しても、堆積物が微細化され、大型乃至長尺状の堆積物が生じない。小片の突部３９から微細片としてのカーボンフレーク４０が剥落して、堆積物が剥落して陰極２と陽極３に跨って架橋することがなく、両極間の短絡現象の発生を防止することができる。 （もっと読む）

ガス分配アセンブリ用の装置および方法を提供する。一態様では、内側環状壁と、外壁と、上部表面と、底部表面とを有する環状リングと、上部表面内に形成された上部リセスと、内側環状壁内に形成された台座とを備えた、環状ボディと、ディスク形状のボディを貫通して形成された複数の第１のアパーチャを有するディスク形状のボディを備えた、上部リセス中に設置された上部プレートと、第１のアパーチャに整列し、ディスク形状のボディを貫通して形成された複数の第２のアパーチャを有するディスク形状のボディと、第２のアパーチャの間に、底部プレートを貫通して形成された複数の第３のアパーチャであって、底部プレートが、複数の第１のアパーチャおよび複数の第２のアパーチャを複数の第３のアパーチャから流体的に分離するために上部プレートに密閉するように連結される、複数の第３のアパーチャを備えた、台座上に設置された底部プレートと、を備えたガス分配アセンブリを提供する。
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【課題】熱処理用治具を洗浄した後に外部から熱処理用治具表面に付着する汚染物を可及的に低減できる熱処理用治具の清浄化方法を提供する。
【解決手段】熱処理炉内で用いる治具を酸系の薬液で酸洗浄する工程ａと、酸系の薬液で酸洗浄した前記治具を水洗・乾燥する工程ｂと、水洗・乾燥した前記治具の表面に酸化膜を形成する工程ｃと、還元性ガス雰囲気中で気相エッチングして前記酸化膜を除去する工程ｄとを有する清浄化方法。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェハ上への異物パーティクルの付着を抑制し、それによって表面欠陥の少ない高品質な化合物半導体エピタキシャルウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法は、化学気相成長法によるIII-Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法であって、複数枚の基板１を設置する成長室内において、同心円状に分割された加熱用ゾーンヒータ１１によって基板サセプタの内周側から外周側にかけて温度が高くなるような温度勾配を設け、前記成長室内で加熱された前記基板上にIII族原料、Ｖ族原料、ドーパント原料および希釈用ガスを供給してIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】障壁層１１０を形成した後に、パーティクル抑制処理を行う（ステップＳ１０６）。パーティクル抑制処理は、原料の供給を停止した後に、窒素ガスの供給を継続することにより行う。 （もっと読む）

チャンバ表面に残った残留フッ素をプラズマデバイスの使用も昇温もなしに除去する方法が開示される。開示する方法は、堆積プロセスの次の工程がより迅速に行われることを可能にしうる。 （もっと読む）

【課題】真空容器の内部に設置した内筒の内部電位に起因するパーティクルを低減するプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】金属製の真空チャンバ１１の内部に、表面をアルマイト処理したアルミニウムからなる内筒１５を有し、プラズマ拡散領域に基板を配置して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、内筒１５の下端部に、真空チャンバ１１と点接触する複数の突起部１５ａを設けると共に、突起部１５ａの先端部１５ｂのアルマイト被覆１６を剥離して、真空チャンバ１１と電気的に導通させた。 （もっと読む）

【課題】蓋付気相成長装置においてチャンバーの開閉に伴うチャンバー蓋の上下動に影響されることがない、被成膜物載置台上の塵埃除去を実現する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体４とチャンバー蓋６とから構成されたチャンバー１と、チャンバー１内に配置された基板トレイ載置台９と、チャンバー１の中心軸Ｏを回転軸として、基板トレイ載置台９を回転させる回転機構１１と、基板トレイ載置台９上の塵埃を除去する掃除手段２とを備えている。掃除手段２は、基板トレイ載置台９へ延びたアーム２２と、アーム２２の一方の端部に設けられた吸引ノズル２１と、中心軸Ｏと平行な第１の方向に延びた第１の回転軸シャフト部２５をチャンバー１外部に有し、第１の回転軸シャフト部２５を回転軸としてアーム２２を回転させることにより、吸引ノズル２１を上記チャンバーの外部から内部へ、及び外部から内部へ移動させる移動機構２３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】クリーニングを原因とする腐食を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室内に複数の原料を供給して基板の表面に膜を形成する膜形成工程と、前記処理室内にフッ素を含むクリーニングガスを供給して前記処理室内をクリーニングするクリーニング工程と、を有し、前記クリーニング工程は、前記処理室内を第１の温度で所定時間加熱する第１の加熱工程と、前記第１の温度から第２の温度まで昇温する昇温工程と、前記処理室内を前記第２の温度で所定時間加熱する第２の加熱工程と、を含み、前記第１の温度及び前記第２の温度は５００℃から７００℃のそれぞれ所定温度である。 （もっと読む）

【課題】パーティクルがＳｉＣ単結晶基板に到達することが抑制でき、高品質なＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】加熱容器９内に邪魔板を多段に配置する。このような構造とすれば、邪魔板を設けない場合もしくは一段のみの場合と比較して、原料ガス３の流動経路長が伸びる。このため、加熱した加熱容器９内において原料ガス３が高温に暴露される時間が長くなるようにできる。これにより、パーティクルが分解されて種結晶５の表面やＳｉＣ単結晶６の成長表面に辿り着かないようにできる。したがって、高品質なＳｉＣ単結晶６を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚および膜質の面内分布に優れた高品質な薄膜を歩留まり良く製膜可能なプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】製膜室Ｒ内において被処理基板２が基板ステージ１上に保持され、前記被処理基板２の被製膜面に向けてシャワーヘッド４から原料ガス８を分散供給した状態で前記原料ガス８のプラズマ５を発生させて前記プラズマ５により前記原料ガス８を分解して前記被製膜面に堆積させることで薄膜を製膜するプラズマＣＶＤ装置であって、前記シャワーヘッド４は、前記基板ステージ１と対向する面に設けられて前記被製膜面に向けて原料ガス８を分散供給するガス供給部１０と、前記基板ステージ１と対向する面の前記ガス供給部１０の外周部であって前記被処理基板の面内方向における前記被処理基板の外周端部位置よりも外方の位置に、前記基板ステージ１の方向に突出した遮蔽部７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成膜炉内のパーティクル数を抑制できる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜炉内に基板を配置し該基板上に成膜を行う成膜装置であって、該成膜炉と、該成膜炉に接続されたパージガス導入管と、該成膜炉に接続されたパージガス排気管と、該成膜炉内のパーティクル数を測定する測定手段と、該測定手段により測定されたパーティクル数が多いほど、該成膜前に該パージガス導入管から該成膜炉へ導入するパージガスの量を増加させる手段とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャンバの内壁に堆積するウォールデポの剥離を促進する気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０は、チャンバ３、複数のランプ４１、送風手段５、及び一対の第１開閉扉を備える。チャンバ３は、ウェーハ１が設置されるサセプタ２を内部に配置し、原料ガスＧを内部に導入する。チャンバ３は、サセプタ２の上方を覆う第１隔壁３１、及びサセプタ２の下方を覆う第２隔壁３２を有する。複数のランプ４１は、第１隔壁３１を介してウェーハ１及びサセプタ２を加熱する。送風手段５は、第１隔壁３１の上面に冷却用空気（冷却媒体）Ａを送風する。一対の第１開閉扉は、原料ガスＧが導入されて、サセプタ２を越える下流側の内部領域３ｎと対向する外部領域３ｍに冷却用空気Ａの送風を堰き止めることができる。 （もっと読む）

堆積ガスをプラズマ相へと転換し、真空チャンバ内で基板搬送方向に動いている基板上に薄膜をプラズマ相から堆積させるためのプラズマ堆積ソースが説明される。プラズマ堆積ソースは、真空チャンバ内に設置された多領域電極デバイスであって、動いている基板の反対側に配置された少なくとも１つのＲＦ電極を含む多領域電極デバイスと、ＲＦ電極にＲＦ電力を供給するＲＦ電力発生器とを含む。ＲＦ電極は、ＲＦ電極の一方の端部に配置された少なくとも１つのガス注入部およびＲＦ電極の反対側の端部に配置された少なくとも１つのガス排出部を有する。規格化されたプラズマ体積は、電極表面と反対側の基板位置との間に画定されるプラズマ体積を、電極長さで除算することによって与えられる。規格化されたプラズマ体積は、堆積ガスの欠乏長さに合わせて調節される。
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【課題】連通路に流すパージガスの流れを制御し、連通路の上壁面に堆積する副生成物を抑制し、半導体ウェーハ上のパーティクルの発生量を低減してＬＰＤの発生量を低減可能なエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの表面にエピタキシャル膜を成膜する反応ガスが反応室の供給口から供給される。反応ガスは、供給口に対向配置された排出口に向かって流される。一方、パージガスは、長さ方向が、この反応ガスの流れと略直交する方向に長い連通路に噴出される。このとき、連通路において、供給口側のパージガスの流量を排出口側のそれよりも多くする。 （もっと読む）