【課題】成膜工程において微細な粉末が発生し得る成膜装置において、成膜室外への粉末の漏れを抑制する成膜装置及び成膜室を提供する。
【解決手段】制御手段９によってベント後に成膜室２内を成膜室外と同じ大気圧に保ちながら弱く排気する。この状態で成膜された基板を取り出すために成膜室扉２ａを開けたときに成膜室内向きの気流が発生するので、前記扉を開ける際に、成膜室の内部に残留した微細な粉末が外に漂い出すことを抑止できる。 （もっと読む）

【課題】成膜室内壁を保護するライナ上にシリコン結晶が形成されるのを抑制する。
【解決手段】チャンバ１の頂部には、プロセスガス２５の供給部４が、内部には、半導体基板６を載置する回転式のサセプタ７と、チャンバ１の内壁を被覆する筒状のライナ２とがそれぞれ設けられている。ライナ２は、サセプタ７の配置される胴部３２と、供給部４の側にあって胴部３０より断面積の小さい頭部３１と、胴部３０と頭部３１をつなぐ段部３２とを有する。サセプタ７には、サセプタ本体３６上にドーナツ状円板３８が設けられており、ドーナツ状円板３８によりライナ２の段部３２の周囲をカバーしながら、プロセスガス２５を供給部４からチャンバ１内に流下させて、下方に配置されたサセプタ７上の半導体基板６に結晶膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマ処理装置において、窓部材の下面を覆うカバーの破損とパーティクルの発生を抑制でき、且つカバーを容易に着脱できるようにするとともに、ガス導入の設計自由度を高め得るカバー固定具を提供する。
【解決手段】誘電体カバー固定具１８は、第１の部分カバー１２Ａの一部及び第２の部分カバー１２Ｂの一部をそれぞれ支持する支持部１８ａと、基部１８ｂとを備えている。基部１８ｂの上部は、円筒状に突出した凸部１８ｂ１を有しており、この凸部１８ｂ１の周囲にはねじ山１８ｂ２が形成されている。基部１８ｂにおける凸部１８ｂ１の内部には、ガス導入路２１ｂに接続するガス導入路１０１が形成されている。ガス導入路１０１は、ガス流路の一部分を構成し、ガス導入路２１ｂと処理室５の内部とを連通させる。ガス孔１０１ａは基部１８ｂの底壁を貫通して設けられており、ガス導入路１０１の一部分を構成する。 （もっと読む）

【課題】２５０℃以上の高温の使用環境においてもパーティクルの飛散が少ない表面処理セラミックス部材の提供
【解決手段】 気孔率が１％以下のセラミックス焼結体基材の少なくとも一部に皮膜形成表面を有するセラミックス部材であって、セラミックス焼結体基材表面の凹部が酸化物皮膜によって選択的に被覆されている表面処理セラミックス部材。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体基板と対向する石英ガラス管内壁面に堆積物を付着し難くすることのできる気相成長方法の提供。
【解決手段】一端部に原料ガスの供給口を備え、他端部に反応ガスの排出口を備えた管状の反応容器を水平方向に設置し、該反応容器の内部に、半導体結晶基板を主表面が水平になるように配置し、前記反応容器の外周部に配置されたランプにより加熱しながら原料ガスを水平に一方向に流して前記半導体結晶基板の主表面に所望の半導体結晶を成長させる気相成長方法において、前記原料ガスの流速を１１８ｃｍ／秒以上とする。 （もっと読む）

【課題】配管内の微粉体が処理室の内部に進入し、飛散することを抑制することが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】処理対象物である基板１２を内部に保持する処理室１０と、上記処理室１０からガスを排気するため上記処理室１０に接続された排気部材すなわち排気ガス導入口１５および排気ガスライン１６と、処理室１０に配置された基板１２から上記排気部材までの排気経路に設置された、圧力損失発生部材１８と、を備える気相成長装置とする。前記圧力損失発生部材１８は多孔質材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】平行平板型の電極間においてプラズマの生成に消費される高周波による電界強度分布を制御するためのプラズマ処理装置用の電極の構造を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、内部にてウエハＷをプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかに接続され、処理容器１００の内部に高周波電力を出力する高周波電源１５０と、を有する。上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかは、板状の誘電体からなる基材１０５ａと、開口部を有し、基材１０５ａを覆う導電性カバー１０５ｂと、基材１０５ａとプラズマとの間に設けられた金属の第１の抵抗体１０５ｄと、を含む。 （もっと読む）

【課題】
薄膜シリコン太陽電池の微結晶シリコン膜及び多結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜等を製造するプラズマＣＶＤ装置の応用分野においては、発電効率と生産性の向上及び低コスト化を図るために、大面積基板を対象に高速、高品質のシリコン系膜の形成が可能なプラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いたシリコン系膜の製造法が求められている。
【解決手段】
一対の平行平板電極を備えたプラズマＣＶＤ装置において、一対の電極の一方に、複数の凹部を設け、かつ、複数の凸部又は平坦部を設け、該複数の凸部又は平坦部に原料ガスを噴出する複数の原料ガス噴出孔を配置し、該複数の凹部に希釈ガスを噴出する複数の希釈ガス噴出孔を配置させるという構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハンドリング時やデバイスプロセス時に基板の欠けや割れが発生し難い半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】エッジ部が面取りされた半導体基板１の少なくとも表面および表面側の前記エッジ部を覆うように保護層２を形成する保護層形成工程と、この保護層形成工程の後に、半導体基板１の表面に形成された保護層２の一部の領域を除去する工程とを含む。保護層２は、半導体基板１の裏面および裏面側のエッジ部も覆うように形成する。 （もっと読む）

【課題】反応室壁面への反応副生成物の被膜形成を抑え、ウェーハの汚染による歩留りの低下を抑えるとともに、反応室のメンテナンス頻度を低減させることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハｗが導入される反応室１１と、反応室１１にプロセスガスを供給するための第１のガス供給機構１２と、反応室１１よりガスを排出するためのガス排出機構１３と、反応室１１の内壁に設けられ、内管１５ａと外管１５ｂから構成される二重管構造を有するカバー１５と、内管１５ａと外管１５ｂとの間にパージガスを供給するための第２のガス供給機構１６と、カバー１５に設けられ、カバー１５内よりパージガスを排出するための開口部１５ｄと、ウェーハｗを保持するための支持部材１７と、ウェーハｗを所定の温度に加熱するためのヒータ２０ａ、２０ｂと、ウェーハｗを回転させるための回転駆動制御機構１９と、を備える装置とする。 （もっと読む）

【課題】供給系の配管閉塞が生じることなく、プロセスガスの安定供給が可能な薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を成膜するリアクター２９と、リアクター２９に第１プロセスガスを供給する第１供給経路Ｌ１０と、リアクター２９に第２プロセスガスを供給する第２供給経路Ｌ２０と、リアクター２９にクリーニングガスを供給する第３供給経路Ｌ３０と、を少なくとも備え、第２供給経路Ｌ２０と第３供給経路Ｌ３０とが合流する合流点Ｇが、リアクター２９の近傍に設けられるとともに、第２供給経路Ｌ２０及び第３供給経路Ｌ３０には、合流点Ｇの上流側に、経路を遮断する遮断手段２２，３２がそれぞれ設けられていることを特徴とする薄膜製造装置６０を選択する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバのコストを抑えつつ被処理体へのパーティクルの付着を防止可能な真空チャンバ、該真空チャンバを備える真空処理装置及び該真空チャンバの製造方法を提供する。
【解決手段】大型の真空処理装置１の真空チャンバ２は、処理空間Ｒを内部に形成する内殻部材５と、内殻部材５を包囲するように配置された外殻部材６とを備え、内殻部材５は、防錆材料で形成されており、外殻部材６は、安価な鋼材等で形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ガス管内部に堆積したシリコン化合物を、容易かつ確実に除去することができるエピタキシャルウェーハの製造装置を提供することにある。
【解決手段】エピタキシャル炉１０と、該エピタキシャル炉１０から排出された排ガス中に含まれる有害物質を除去するための排ガス処理手段２０と、前記エピタキシャル炉１０と前記排ガス処理手段２０とを連結し、前記排ガスが移動するための密閉空間をもつガス管３０とを具えるエピタキシャルウェーハの製造装置１であり、前記ガス管３０は、冷却された前記排ガスが液状化したシリコン化合物４０を回収するための少なくとも１つのシリコン化合物捕獲手段３１を具え、前記エピタキシャル炉１０及び排ガス処理手段２０からそれぞれ前記シリコン化合物捕獲手段３１へ向かって下方に連続的に傾斜してなることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の諸実施形態は、多層堆積する間中の欠陥を低減する方法を提示する。一実施形態では、この方法は、基板をプラズマの存在下で第１のガス混合物および不活性ガスに曝して、基板上に第１の材料の層を堆積するステップと、第１の材料の所望の厚さが得られたときに、プラズマを引き続き維持しつつ不活性ガスを流しながら、第１のガス混合物を終了させるステップと、基板をプラズマの存在下で、第１のガス混合物と共存できる不活性ガスおよび第２のガス混合物に曝して、第１の材料の層の上に第２の材料の層を同じ処理チャンバ内で堆積するステップとを含み、第１の材料の層と第２の材料の層は互いに異なる。
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【課題】回転浮上体の径方向の力と回転トルクとを同一の電磁石で制御することにより不要な外乱の発生を抑制することができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理を施す処理装置において、処理容器と、被処理体を支持する非磁性材料よりなる回転浮上体と、回転浮上体に所定の間隔で設けられた磁性材料よりなる複数の回転ＸＹ用吸着体と、回転浮上体に周方向に沿って設けられた磁性材料よりなる浮上用吸着体と、処理容器の外側に設けられて浮上用吸着体に垂直方向上方に向かう磁気吸引力を作用させて回転浮上体の傾きを調整する浮上用電磁石群と、処理容器の外側に設けられて回転ＸＹ用吸着体に磁気吸引力を作用させて浮上された回転浮上体を水平方向で位置調整しつつ回転させる回転ＸＹ用電磁石群と、ガスを供給するガス供給手段と、被処理体に処理を施す処理機構と、装置全体の動作を制御する装置制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマＡＬＤにより複数の被処理体に一括して成膜を行う際に膜中のＮａ濃度を安定して低くすることができる縦型成膜装置およびその使用方法を提供すること。
【解決手段】縦型成膜装置の使用方法は、第１の処理ガスおよび第２の処理ガスにより少なくとも処理容器の内壁をコーティングする工程と、第１の処理ガスおよび第２の処理ガスにより被処理体に膜を形成する成膜工程とを有する。コーティング工程は、処理容器内の温度を成膜の際の第１の温度よりも高い第２の温度に設定し、処理容器に対し、第１の処理ガスの導入と、第２の処理ガスの導入とをいずれもプラズマ化せずに交互的に行ってコーティングを行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器の天井壁に設けられた第３ノズル部を介してハロゲン系ガスに第２ガスの少なくとも一部を添加したガスを処理容器内に供給すると共に第１ノズル部を介してハロゲン系ガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】第１の反応ガスと第２の反応ガスとの混合を効果的に抑制することにより、回転テーブルの回転速度の増大を通してスループットの向上を図る。
【解決手段】本成膜装置は、回転テーブルの中心と外周上の異なる２つの点とをカバーするように延び第１及び第２の領域に分ける分離領域であり、第１分離ガスで分離領域を第１及び第２の領域より高圧に維持可能な分離領域；第１分離ガスの回転テーブルの中心から外周への流れを抑制して、分離領域を第１及び第２の領域より高圧に制御する圧力制御部；第１の領域にて回転テーブルへ第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部；第２の領域にて回転テーブルへ第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部；第１反応ガスと分離領域からの第１分離ガスとの両方を合流して第１の領域を通して排気する第１排気口；及び第２反応ガスと分離領域からの第１分離ガスとの両方を合流して第２の領域を通して排気する第２排気口を備える。 （もっと読む）

【課題】クラックや膜剥がれを強制除去し、反応管をパーティクルが発生しない状態にすることで基板の生産性を向上できる手法を提供する。
【解決手段】成膜された基板２を処理室３２から搬出した後、該処理室内の温度を成膜温度より高い温度へと昇温する工程と、昇温された前記処理室内の温度が一定温度に安定した後に該処理室にプラズマ励起により活性化された活性化ガス及び窒化剤の混合ガスを供給して、前記処理室内に付着しクラックや膜剥がれを起こしている膜を強制除去する工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】薄膜蒸着システム及び薄膜蒸着方法を提供する。
【解決手段】薄膜蒸着システムは、原料物質を提供する原料物質供給部２１０と、前記原料物質供給部に連結されて、前記原料物質供給部から原料物質を受け取って気化させる気化器２３１が設けられた原料ガス供給部２３０と、前記原料ガス供給部に連結されて、気化された原料物質を受け取って被処理物上に薄膜を蒸着する薄膜蒸着装置１００と、一端が前記気化器に連結されて、前記気化器の内部を排気する気化器排気ユニット３００と、前記気化器排気ユニットに連結されるように設けられて、前記気化器排気ユニットの圧力を調節することによって、前記気化器の内部に供給された原料物質の流速を制御する圧力調節部３５０と、を含む。 （もっと読む）