【課題】メンテナンス作業による装置の稼働停止時間を短縮することにより、装置の稼働率を向上する。
【解決手段】真空チャンバ１には、高周波電源に電気的に接続可能な複数のコネクタと、これらコネクタに接続可能な複数本の電極棒を有するアレイアンテナユニット３０と、が設けられている。この真空チャンバ１には、真空状態を維持したまま接続可能なアンテナ搬送チャンバ２００がゲートバルブ２０１を介して接続可能となっている。アレイアンテナユニット３０は、アンテナ搬送体７０Ａに保持されて真空チャンバ１からアンテナ搬送チャンバ２００に搬出され、また、新たなアレイアンテナユニット３０を保持したアンテナ搬送体７０Ｂが、アンテナ搬送チャンバ２００から真空チャンバ１内に搬入される。 （もっと読む）

【課題】 基板を降温させる際の放熱を促進させて基板処理の生産性を向上させたり、成膜時における処理室内での異物の発生を抑制して基板処理の品質を向上させたりする。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、処理室内に収容され、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、処理室内で基板保持体を下方側から支持する断熱部と、処理室内で基板の収容領域を囲うように設けられる加熱部と、加熱部を加熱する加熱部と、少なくとも処理室内の断熱部の収容領域に所定のガスを供給するガス供給系と、を備える。 （もっと読む）

【課題】面取り部の形状を再成形するとともに、裏面クラウンを完全に除去し、平坦性に優れた、パーティクルのほとんど無いエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】表裏の主面と該主面の外周の面取り部とからなるシリコン単結晶基板上にエピタキシャル層を成長させることによりエピタキシャルウェーハを製造する方法において、前記シリコン単結晶基板の前記裏面側の主面全面と前記裏面側の面取り部に裏面酸化膜を形成する工程と、該裏面酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の表面側の主面上に、４０μｍ以上の膜厚のエピタキシャル層を成長させる工程と、該エピタキシャル層表面に保護酸化膜を形成する工程と、該保護酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の面取り部を研削及び研磨する工程と、その後、前記保護酸化膜を除去して、仕上げの洗浄を行う工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】部品の洗浄効率を向上することができる半導体製造装置の洗浄装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の洗浄装置１には、半導体製造装置の部品に付着した付着物の表面の酸化物を除去する酸化物除去部３と、酸化物除去部３により表面の酸化物が除去された付着物を除去する付着物除去部２と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】成膜容器の圧力を測定するための圧力計に耐熱性を要求せず、かつ、設置面積を低減可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器１１内に保持されている基板に原料ガスを供給することによって、基板に膜を成膜する成膜装置において、成膜容器１１に原料ガスを供給する供給機構と、成膜容器１１からガスを排気する排気機構２５と、成膜容器１１から排気機構２５にガスが流れる排気流路５５の途中に設けられており、原料ガスを含む生成物を析出させることによって、原料ガスを捕捉するトラップ部３０と、成膜容器１１とトラップ部３０との間で排気流路５５に合流するように接続されており、排気流路５５にパージガスを供給するパージガス供給部５０と、パージガス供給部５０から排気流路５５にパージガスが流れるパージガス供給流路５２の途中に設けられた圧力計５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業の手間を低減させ、プラズマＣＶＤ装置の稼動率を向上させながらも、被処理体の膜厚のばらつきを抑制できるノズルを提供する。
【解決手段】被処理体１の表面に成膜処理を施すプラズマＣＶＤ装置に取り付けられ、被処理体１が配置された放電空間に放電ガスおよび成膜ガスを供給し、放電ガスを供給する放電ガス流路１４と成膜ガスを供給する成膜ガス流路１６とを各別に設け、放電ガス流路１４の下流側の端部に、放電ガスを吐出する放電ガス吐出口１５を設けるとともに、成膜ガス流路１６の下流側の端部に、放電ガス吐出口１５から吐出される放電ガスを挟み込み又は包囲する領域に成膜ガスを吐出する成膜ガス吐出口１７を設けてある。 （もっと読む）

【課題】処理室内部の部材の表面に形成される膜の膜剥がれが抑制されたプラズマプロセス装置を得ること。
【解決手段】処理室１と、処理室１内で被処理基板３を載置する第１電極４と、処理室１内で第１電極４と平行に向かい合う第２電極２と、第１電極４と第２電極２との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給手段８と、処理室１内の排気および調圧を行う排気手段と、前記処理空間に電力を供給して前記処理ガスのプラズマを発生させるための電圧を第２電極２に供給する電源７と、を備え、第１電極４は、被処理基板３を載置する側の面において、載置領域を除いた領域の少なくとも一部に掘り込み部４ａを備える。 （もっと読む）

【課題】低温下で、面間方向での膜厚均一性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して反応管２内をロード温度に加熱した後に反応管２内に半導体ウエハＷを収容する。次に、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して半導体ウエハＷを収容した反応管２内を成膜温度に加熱した後、処理ガス導入管１７から反応管２内に成膜用ガスを供給して半導体ウエハＷに薄膜を形成する。また、制御部１００は、ロード温度を成膜温度よりも高い温度に設定する。 （もっと読む）

【課題】液状の原料を確実に気化させることができ、配管や処理チャンバ内の汚染を防止して良好な表面処理を可能とする表面処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理物Ｓが配置される処理チャンバ２と、この処理チャンバに接続された気化器６とを備え、この気化器にその表面処理を行う表面処理装置において、前記気化器６から処理チャンバ内に通じ被処理物に至る経路に原料が衝突する加熱体５０を設け、加熱体は、所定の角度で傾斜させて処理チャンバ内に配置した反射板５１と、この反射板を所定の温度に加熱する加熱手段５２を有する。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、有機亜鉛化合物の自己分解や微量の水分との反応によるパーティクルの発生を効果的に抑制することができるとともに、効率よく高純度の有機亜鉛化合物を貯蔵し、あるいは搬送・供給することができる方法および供給装置を提供すること。
【解決手段】 有機亜鉛化合物の液体材料を処理対象とし、該液体材料が周期表第４族の金属または金属化合物と接液することによって、該液体材料中での不純物の発生を抑制することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、有機亜鉛化合物の自己分解や微量の水分との反応によるパーティクルの発生を効果的に抑制することができる有機亜鉛化合物の処理装置を提供すること。
【解決手段】 液体材料供出部２に繋がる流通管２ａの先端部２ｂが、液体材料の液層内に配設されるとともに、抑制処理部３に近接するように配設され、処理槽１０内において液体材料と抑制処理部３が接液し、該液体材料中での分解生成物を含む不純物の発生を抑制することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 吸着／反応した後の原料ガスの排出時間を短縮し、原料ガスの置換効率、原料ガスの利用効率を高めると共に、処理対象物以外に付着した薄膜の処理を容易にする真空成膜装置及び成膜方法の提供。
【解決手段】 原料ガスを反応室に供給し、反応室内に設けられた昇降自在の支持ステージ上に載置される処理対象物Ｓ上で原料ガスの反応により成膜する真空成膜装置１であって、真空成膜装置１の外壁で構成され、開閉自在の天板１１ａを備えた外チャンバー１１と、外チャンバー１１内の下方部分に設置され、開閉自在の天板１２ａを備えた反応室である内チャンバー１２との二重構造チャンバーにより構成されており、内チャンバー１２内に原料ガスを供給するガスノズル１５が処理対象物Ｓの表面に平行になるように内チャンバー１２内に設けられており、処理対象物Ｓ上で成膜されるように構成されている。この装置を用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】気相成長中のシャワープレートの平坦面への反応生成物の付着量を減少させる気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応炉内に導入された材料ガスを用いて基板に成膜処理を施す気相成長装置は、シャワーヘッドおよびシャワープレート２０を反応炉内に備える。シャワープレート２０は、反応炉内において基板に対向する平坦面２１と、平坦面２１から貫通形成された複数のプレート孔２２とを含む。平坦面２１上における複数のプレート孔２２同士の間には、複数の凹部２３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板に付着している異物（パーティクルやエッチング時の残渣等）をドライ洗浄により良好に除去することができる技術を提供する。
【解決手段】アッシング時の酸化によりウエハＷの表面に形成されたシリコン酸化膜８を、フッ化水素ガスによりエッチングすることで、ウエハＷに付着したパーティクルＰをシリコン酸化膜８ごと除去する。このフッ化水素によるエッチング時には、ウエハＷの向きを表面が下を向くように設定し、更にウエハＷを加熱して帯電させることにより、パーティクルＰに対して重力に加えて熱泳動力及び静電気力を作用させる。また、アッシング時のシリコン酸化膜８をエッチングした後、更に例えばオゾンガスによりウエハＷの表面を酸化し、次いでフッ化水素ガスによるエッチングを行う連続工程を１回あるいは２回以上実施することで、より一層確実にパーティクルＰを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】電極を縮みにくくし、パーティクルの発生を抑制して、処理される基板の品質を均一なものとすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を積層して収容する処理室と、前記処理室の外周に設けられ、前記基板が積層された高さ領域を加熱する加熱ユニットと、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気ユニットと、前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、を備え、前記電極は、金属からなる芯線と、該芯線により折曲可能であるように複数個が連結され、前記基板が積層された高さ領域に対応する位置に設けられた第一の管体と、前記芯線により折曲可能であるように複数個が連結され、前記基板が積層された高さ領域より低い位置に設けられた石英からなる第二の管体と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明により解決すべき課題は、反応生成物の堆積による電極板ガス分散孔の閉塞による、反応の均一性低下が起こらないプラズマ処理装置を提供することである。
【解決手段】本発明に関るプラズマ処理装置は、多数のガス分散孔が設けられたＲＦ印加電極板を有するプラズマ処理装置であり、前記、ＲＦ印加電極板ガス分散孔周囲に、それ以外の領域と較べ表面Ｒａが７０％以下とするか、１０μｍ〜２ｍｍの凹凸形状を設けた防塞領域を有することを特徴とし、この防塞領域はガス分散孔の外周と少なくとも一部を接し、ガス分散孔の中心から、ガス分散孔の孔径の２倍までの範囲に設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製膜室内で発生したパーティクルに起因した製膜室における内部リークの発生が防止され、良好な面内均一性を長期間、安定に実現可能な半導体膜製造装置および半導体膜製造方法を得ること。
【解決手段】製膜室５と、製膜室５の一側壁部に設けられて製膜室５へ基板２を搬入し且つ搬出するための搬入出ゲート１５と、搬入出ゲート１５を介して製膜室５と接続されて製膜室５へ基板２を搬入し且つ搬出するための減圧可能な搬送室２０と、一側壁部の搬送室２０側の側面における搬入出ゲート１５の周縁部の全周にシール材１１を挟んだ状態で搬入出ゲート１５を塞いで製膜室５を密閉可能な開閉自在のゲートバルブ１０と、搬入出ゲート１５に配置されて製膜室５内で発生したパーティクル８を捕捉するためのトラップ板９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して金属膜上に低温で成膜した場合に、金属膜と成膜した膜の密着性を改善する。
【解決手段】処理室２０１と、ガス供給口４２５、４３５を有するバッファ室４２３、４３３と、第１の処理ガスを前記処理室に供給する処理ガス供給系３１０と、第２の処理ガスをバッファ室４２３、４３３に供給可能な処理ガス供給系３２０、３３０と、高周波電源２７０と、プラズマ発生用電極４７１、４７２、４８１、４８２と、からなる処理炉２０２を使用して、表面に金属膜が形成された基板を、前記プラズマ発生用電極に高周波電力が印加されない状態で、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスに順次曝して前記金属膜の上に第１の膜を形成した後、該第１の膜が形成された前記基板を、前記第１の処理ガスおよび、前記電極に高周波電力が印加されることにより活性化された前記第２の処理ガスに交互に曝し、前記金属膜の上に第２の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電力における包絡線の波形のパルス周波数を高くし、かつ高いパワーにて低周波電力をプロセスチャンバーの電極に伝達させ、異常放電を抑制して従来と同様の速度により成膜するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ発生装置は、それぞれ異なった基本周波数の電力を出力する複数の交流電源と、前記交流電源各々の出力に設けられた複数の整合回路と、２つの電極が対向して設けられたプラズマ反応器の対向電極と、該対向電極のいずれか一方の電極と、前記整合回路各々との間に設けられ、それぞれ対応する前記交流電源の前記基本周波数を通過帯域の中心周波数とする複数のバンドパスフィルタとを有する。 （もっと読む）

【課題】反応生成物や分解物がノズル内壁に堆積するのを抑えるとともに、異物が処理室内に飛散するのを抑える。
【解決手段】
処理室と、加熱ユニットと、原料ガス供給ユニットと、原料ガスノズルと、排気ユニットと、少なくとも加熱ユニット、原料ガス供給ユニット、排気ユニットを制御する制御部と、を有し、原料ガスノズルは、処理室内の温度が原料ガスの熱分解温度よりも高い場合であっても内部で原料ガスが分解しないような処理室内の所定位置に配設され、制御部は、異なる流速で互いに混合させないよう処理室内に原料ガスを供給する処理を含むサイクルを所定回数実施させる。 （もっと読む）