【課題】反跳したパーティクルの処理室内への侵入を防止することができる反射装置を提供する。
【解決手段】反射装置３６は、排気マニホールド１６の内部に配置され、ＴＭＰ１８に対向するように配置された円板状の第１の反射面部材４１と、該第１の反射面部材４１の周縁に配置され且つＴＭＰ１８の回転軸４３を指向するように面角度が設定された円環状の第２の反射面部材４２とから成る反射板３８を備える。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハとサセプタ表面上に形成されたポリシリコン膜とが融着することによって、ウェーハ裏面に深いキズが生じてしまうことを抑制でき、さらに気相エッチングによるクリーニングに用いられる塩化水素ガスに取り込まれた汚染物質の影響を低減することができるエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 エピタキシャル成長装置の反応容器内を、塩化水素を含むガスで気相エッチングしてクリーニングした後に、さらに前記反応容器内のサセプタの温度を４００℃以上８００℃以下にしてシランを含むガスを前記反応容器内に流通することを特徴とするエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ元素を含む原料が目的とする結晶に取り込まれることなく副生物となるのを抑え、結晶中のＳｉ濃度を安定に制御することができる、第１３族窒化物結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１３族元素、窒素元素およびＳｉ元素を含む原料を用いて、Ｓｉ取込効率１０％以上で結晶成長を行うことにより、Ｓｉ元素を含有する第１３族窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】プロセスガスから発生する材料層を基板ウェハ上に堆積するための装置および方法を提供する。
【解決手段】プロセスガスから発生する材料層を基板ウェハ上に堆積するための装置は、上方ドームと下方ドームと側壁とによって画定されるリアクタチャンバと、材料層の堆積の際に基板ウェハを保持するためのサセプタと、サセプタを取囲む予熱リングと、ライナーとを備え、その上に、予熱リングが、均一幅の隙間が予熱リングとサセプタとの間に存在するように中央位置に支持され、さらにライナーと予熱リングとの間に作用するスペーサを備え、当該スペーサは、予熱リングを中央位置に保ち、かつ予熱リングとライナーとの間に距離Δを発生する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生室を構成するシリコンを含む構成部材に起因するパーティクルが被処理基板に付着することを防止することのできるプラズマ処理装置のクリーニング方法及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含む構成部材を有し、処理ガスを励起させてプラズマを生成するプラズマ生成室３０と、隔壁部材４０を介してプラズマ生成室に連通するプラズマ処理室２０と、プラズマ生成室の誘電体窓１３の外側に配設された平面状の高周波アンテナ１４０とを具備したプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、プラズマ生成室内で水素ガスを含む処理ガスをプラズマ励起し発生した水素ラジカルを隔壁部材を介してプラズマ処理室に導入し被処理基板に作用させてプラズマ処理を施し、被処理基板を搬出した後、プラズマ生成室内に四フッ化炭素ガスを導入してプラズマ生成室内に堆積したシリコン系の堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】製造されるエピタキシャルウェーハのパーティクルレベルの悪化を十分に抑制しながら、汚染レベルを低減し、低コストで安定して製造を行うことができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】リフトピン５を通過させるためのリフトピン貫通孔６を有するサセプタ３のウェーハ載置面上に、原料ガスを供給することによってポリシリコン膜を成長させる工程と、前記ウェーハ載置面上にポリシリコン膜が形成されたサセプタ上にウェーハＷを載置し、原料ガスを供給しながら前記ウェーハＷ上にエピタキシャル層を気相成長させる工程と、を有するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記ポリシリコン膜成長中に、少なくとも１回以上前記リフトピン５とサセプタ３を相対的に上下動させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】新たな不純物を発生させることなく、製膜室の内部にダメージを生じさせずにクリーニング処理時に残留した反応生成物の影響を除外し、良好な物性の薄膜を製造することができる薄膜製造装置を得ること。
【解決手段】製膜室１１と、ステージ１２と、製膜室１１内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、被膜の形成によって製膜室１１内に付着した堆積物と反応して反応生成物を生成するクリーニングガスを製膜室１１内に供給するクリーニングガス供給手段と、反応生成物の構成元素と反応して気体を生成する元素を含む反応生成物除去ガスを製膜室１１内に供給する反応生成物除去ガス供給手段と、ステージ１２に対向して配置されるシャワーヘッド１４と、反応生成物および反応生成物除去ガスを解離可能なエネルギを有する光を放射する光源１９ａ〜１９ｃと、を備え、光源１９ａ〜１９ｃは堆積物が付着する製膜室１１内の領域が照射されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】 基板の裏面への異物の付着及び基板の横滑りを抑制する。
【解決手段】 基板を処理する処理室内に設けられ、基板を支持する基板支持部は、基板の縁側を下方から支持する凸領域と、凸領域により支持された基板に接触しないように凸部の内側に設けられた凹領域と、凹領域に設けられ、凸領域よりも低く形成された補助凸領域と、を上面に有し、凹領域内に連通し、基板と、基板支持部との間の気体を凹領域側から逃す流路を有する。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制し、発生するパーティクルが膜に混入することを防ぎ、均一で高品質な薄膜を形成できるプラズマＣＶＤ装置および方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に、メインロール６と、プラズマ発生電極７とを備え、長尺基材を前記メインロールの表面に沿わせて搬送しながら前記長尺基材の表面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、前記メインロールと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を囲むように、前記成膜空間を挟んで前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側に、前記長尺基材の幅方向に延在する少なくとも１枚ずつの側壁８を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側のいずれか一方の側壁に、前記長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列９を１列以上備えるプラズマＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】 シャワープレートの熱膨張による反りと温度上昇を防止し、シャワープレート上での生成物の成長を抑制して、被処理基板上に品質の安定した化合物半導体結晶を成膜できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 シャワーヘッドを保護するためのシャワープレートを備えた気相成長装置であって、シャワープレートは、複数のプレート孔を有する中央プレートと、中央プレートを保持する周辺プレートからなり、中央プレートの端面と、中央プレートの端面と向かい合う周辺プレートの側面との間に空間部を設け、空間部は中央プレートの熱膨張による伸長以上の空間を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
電極の開口部にプラズマを形成するプラズマ処理において、開口部のプラズマの正確な発光スペクトルが測定可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】
内部を減圧に保持する真空排気装置を備えた真空容器内に、カソード電極と、該カソード電極に対向して配置された被成膜基板と、前記基板を保持する基板保持機構とを備え、前記カソード電極は前記被成膜基板側に開口したプラズマ保持部を持ち、該プラズマ保持部は前記被処理基板側の空間から気体を排気する排気機構を有しているプラズマ処理装置であって、前記カソード電極側面から少なくとも1つの前記プラズマ保持部を見通せる覗き孔と、該覗き孔からプラズマ光を集光するためのレンズと、集光した光を取り出す光ファイバと、取り出した光を分光して解析する分光器ユニットを備えたプラズマ処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置などの微細加工装置における異物の発生を抑制して、被加工材料である試料の汚染を抑制する技術を提供する。
【解決手段】処理室１０３内に付着した微粒子１０９と壁の間に吸着用分子を付着させ、吸着用分子の吸着力により前記微粒子１０９の剥離を抑制し、半導体基板１０８に付着する異物としての微粒子１０９を低減する。この吸着用分子として、沸点が−９℃以上の物質、例えばイソプロパノール、ｎ−プロパノール、エタノール、メタノール、四塩化炭素、ハイドロフルオロエーテル、ブタノール、二硫化炭素、塩化ベンゼン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ベンゼン、アセトン、等を用い、該吸着用分子の分圧を、真空室１０３を構成する壁と汚染物質である微粒子１０９との接触部に近接した隙間部に前記吸着用分子が吸着するのに適した圧力に保つ。 （もっと読む）

【課題】表面処理された基板上に膜を成膜する際に膜が変質せず、表面処理の際にパーティクルが発生せず、また、予め基板表面の終端状態を調整するための工程数を削減できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器６０内に搬入されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器６０内に密着促進剤ガスを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含まない雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】表面処理時では被処理物以外の箇所に副生成物が堆積することを抑制し、クリーニング処理時では堆積した副生成物が効率的に除去される表面処理装置を提供する。
【解決手段】筐体部１０内に設けられる円筒状の試料保持台１２上の基板１８に対して表面処理に利用される原料流体が供給される際には、試料保持台１２の側方周囲に設けられる隔壁１４は、試料保持台１２の側面を覆う位置に移動し、基板１８に対して筐体部１０内のクリーニング処理に利用されるクリーニング流体が供給される際には、隔壁１４は、試料保持台１２の側面が露出する位置に移動する表面処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】気相成長時に原料ガス流量は大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な整流板を有する気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態の気相成長装置は、複数のガス導入部、及びこれら複数のガス導入部の下方に位置するガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタとを具える。また、前記反応管の、前記複数のガス導入部及び前記ガス反応部間に設けられた整流板と、前記反応管の、前記複数のガス導入部それぞれに接続されてなる複数のガス導入菅と、前記反応管の外部において、前記複数のガス導入管それぞれに供給すべきガスを切り替えるための切替装置と、を具える。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの利用効率及び置換効率を高めると共に、処理対象物以外に付着した薄膜の処理を容易にする真空成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】複数の原料ガスを交互にパルス的に反応室に供給し、昇降自在の支持ステージ上に載置される処理対象物Ｓ上に成膜する真空成膜装置１であって、開閉自在の天板１１ａを備えた外チャンバー１１と、外チャンバー１１内の下方部分に設置され、開閉自在の天板１２ａを備えた内チャンバー１２との二重構造チャンバーにより構成されており、内チャンバー１２内に原料ガスを供給するガスノズル１５が処理対象物Ｓの表面に対して平行になるように内チャンバー１２内に設けられており、内チャンバー１２内のガスの排出径路に、成膜に寄与しなかった原料ガスを導入するトラップが設けられており、その下流側に真空成膜装置１内の圧力を調整するための圧力調整用バルブ及び排気系が設けられている。 （もっと読む）

【課題】反跳したパーティクルの処理室内への侵入を防止することができる反射装置を提供する。
【解決手段】反射装置３６は、排気マニホールド１６の内部に配置され、ＴＭＰ１８に対向するように配置された円板状の第１の反射面部材４１と、該第１の反射面部材４１の周縁に配置され且つＴＭＰ１８の回転軸４３を指向するように面角度が設定された円環状の第２の反射面部材４２とから成る反射板３８を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素に含まれる炭素成分及び珪素成分を精度よく除去可能な炭化珪素除去装置、及び炭化珪素の除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化珪素が付着した炭化珪素形成装置の部材を収容する処理チャンバー内に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる珪素成分を除去する第１のステップと、処理チャンバー内に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる炭素成分を除去する第２のステップと、を含み、第１のステップと、第２のステップと、を交互に行なう。 （もっと読む）

【課題】天井断熱材のクラックの発生を少なくし、天井断熱材の破損、落下のおそれを低減することができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び天井断熱材を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する反応容器の外側に設けられたヒータ２０６を有する。このヒータ２０６は、環状の側壁断熱材１２と、側壁断熱材１２に載置される天井断熱材１６と、側壁断熱材１２の内側に設けられる発熱体１４とを有する。ヒータ２０６の天井断熱材１６には、応力緩和部が天井断熱材１６の中心側から周縁側に向かって複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】石英欠片の飛沫を防止して、高品質な窒化膜を形成することができるプラズマ窒化装置用石英天板を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、プラズマ窒化装置用石英天板が提供される。プラズマ窒化装置用石英天板は、プラズマ窒化装置の真空反応室内にプラズマを発生させるアンテナと前記真空反応室内のプラズマ領域との間に配置されて前記真空反応室の天板として用いられる。プラズマ窒化装置用石英天板は、石英を用いて板状に形成された主板部と、前記主板部の表面のうち少なくともプラズマ雰囲気に接する面を前記石英よりも緻密な膜で形成した緻密膜と、を備えている。そして、前記緻密膜は、前記主板部上に膜生成を行うことによって形成された膜である。 （もっと読む）