【課題】反応生成物や分解物がノズル内壁に堆積するのを抑えるとともに、異物が処理室内に飛散するのを抑える。
【解決手段】
処理室と、加熱ユニットと、原料ガス供給ユニットと、原料ガスノズルと、排気ユニットと、少なくとも加熱ユニット、原料ガス供給ユニット、排気ユニットを制御する制御部と、を有し、原料ガスノズルは、処理室内の温度が原料ガスの熱分解温度よりも高い場合であっても内部で原料ガスが分解しないような処理室内の所定位置に配設され、制御部は、異なる流速で互いに混合させないよう処理室内に原料ガスを供給する処理を含むサイクルを所定回数実施させる。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に棚状に積載された複数の基板に対して成膜ガスを供給して成膜処理を行うにあたり、パーティクルの発生や基板と基板保持具との張り付きを抑えることのできる縦型熱処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの各々の収納位置毎に、ウエハＷの周方向に互いに離間した位置において当該ウエハＷの周縁部を下方側から各々支持する複数の主保持部３３ａと、これら主保持部３３ａに対してウエハＷの周方向に離れた位置に設けられ、各々の主保持部３３ａに支持されるウエハＷの周縁部に対して前記傾斜軸方向において下方側から臨む位置に配置された補助保持部３３ｂと、を設けて、このウエハボート１１が１回転する度に、ウエハＷの姿勢が各々の主保持部３３ａで支持される姿勢と主保持部３３ａの少なくとも１つ及び補助保持部３３ｂにより支持される姿勢との間で変わるようにする。 （もっと読む）

【課題】 熱のみによって励起したクリーニングガスを用い、処理室内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を高速に除去する。
【解決手段】 処理室内に処理ガスを供給して基板上に高誘電率膜を形成する処理を行った後の処理室内にＢＣｌ_３、ＨＣｌ、Ｃｌ_２、ＳｉＣｌ_４、ＨＢｒ、ＢＢｒ_３、ＳｉＢｒ_４、およびＢｒ_２からなる群から選択される一種以上のガスを含むハロゲン系ガスと酸素系ガスとを供給する工程と、処理室内を真空排気する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、処理室内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を除去して処理室内をクリーニングする工程を有し、ハロゲン系ガスと酸素系ガスとを供給する工程では、ハロゲン系ガスおよび酸素系ガスに対する酸素系ガスの濃度を７％未満とする。 （もっと読む）

【課題】耐蝕性の高い材料で作製され、真空容器内に配置されるインナーが真空容器内でずれたり破損したりするのを低減することが可能な原子層（分子層）成膜装置を提供する。
【解決手段】容器内に配置され基板が載置される回転テーブルと、回転テーブルに対して第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、回転テーブルに対して第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部とを含む成膜空間を画成する、容器を構成する材料よりも耐食性に優れる材料で作製される区画部材が容器内に設けられる成膜装置が開示される。この成膜装置は、成膜空間の圧力を測定する圧力測定部と、成膜空間の外側の空間の圧力を測定する圧力測定部と、を備え、これらの測定を通して、成膜空間の外側の空間の圧力が成膜空間の圧力よりも僅かに高い圧力に維持される。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によって、耐熱衝撃性が高く、緻密質な窒化アルミニウム膜を成膜する窒化アルミニウム膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム原子（Ａｌ）を含むガスおよび窒素原子（Ｎ）を含むガスに、酸素原子（Ｏ）を含むガスを混合し、窒化アルミニウム膜によって被覆されるべき被処理物に向けて供給する。 （もっと読む）

【課題】被処理体を載置する載置台の電極にバイアス用の高周波電力を供給する方式のプラズマ処理装置において、プラズマ電位の振動を抑制し、安定なプラズマを生成させると共に、金属製の対向電極のスパッタリングによるコンタミネーションの発生を防止する。
【解決手段】蓋部材２７の内周側には、拡張突出部６０が形成されている。拡張突出部６０は、プラズマ生成空間Ｓに臨んで形成されており、載置台５の電極７に対してプラズマ生成空間Ｓを隔てて対をなす対向電極として機能する主要部分である。バイアス用電極面積に対する対向電極表面積の比（対向電極表面積／バイアス用電極面積）は、１以上５以下の範囲内が好ましい。 （もっと読む）

【課題】成膜時に半導体ウエハの内周部の温度分布をより均一化することができるとともに、可動部材上への膜の成長を防止することができる支持台を提供する。
【解決手段】成膜時にウエハ７０が載置される支持台であって、載置部材４０と可動部材３０を備えている。載置部材４０は、ウエハ７０が載置されるときに、ウエハ７０の裏面の外周部を支持する第１支持面４４を備えている。可動部材３０は、ウエハ７０を搬送するときに、ウエハ７０の裏面の外周部を支持する第２支持面３４を備えている。第２支持面３４は、第１支持面４４の内周端４４ａよりも外周側に位置している。可動部材３０は、上部位置と下部位置との間を移動可能である。第１支持面４４に支持されたウエハ７０を平面視したときに、可動部材３０全体がウエハ７０と重なる範囲内に位置する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを発生させずに、微細な素子間への埋め込みを行う窒化珪素膜形成装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に窒化珪素膜を形成する際、窒化珪素膜を形成するための原料ガス（ＳｉＨ₄等）を供給し、当該原料ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて窒化珪素膜を成膜する成膜工程を実施し、成膜工程の後、希ガスのみを供給し、基板へバイアスを印加し、希ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて窒化珪素膜をバイアススパッタするスパッタ工程を実施すると共に、成膜工程及びスパッタ工程を交互に実施する。 （もっと読む）

【課題】移載室内のエア滞留発生を抑制して、移載室内における確実なエアフロー形成を実現する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、基板を保持した状態で処理室内に対して搬入出される基板保持体と、未処理基板を基板保持体に保持させるチャージ動作および処理済基板を基板保持体から取り出すディスチャージ動作が行われる移載室と、移載室内にクリーンエアを吹き出すクリーンユニットと、を備えた基板処理装置において、クリーンユニットを、平面多角形状に構成された移載室内における角部に配設する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において稼働率の低下とメンテナンス費用アップの原因となる処理室や排気経路への反応副生成物の堆積を防止する。
【解決手段】処理室２内に設けられ複数の基板４が載置されて回転する支持部より上方に設けられ、第一のガスを供給する第一ガス供給部１０と、前記支持部より上方に設けられ、第二のガスを供給する第二ガス供給部１１と、前記支持部と第一および第二ガス供給部１０，１１との間の空間に、前記第一および第二のガスを分離する不活性ガスを供給する不活性ガス供給部１６，１７，１８と、前記支持部の下方の処理室２の底壁との間に設けられ、仕切り板１９ａ，１９ｂによって気密に区画された少なくとも二つの排気空間２１と、該排気空間のそれぞれに設けられた排気孔２２，２３と、を有する基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】
２フローリアクタにおいて排気間に再び材料ガス流への中間反応ガスの巻き込みを防止し半導体素子の製造歩留まりを高める気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、基板を担持して、これを加熱および回転するサセプタと、基板へ向かう材料ガス噴出口を有し、材料ガス噴出口から基板上に沿って材料ガスの層流を供給する材料ガスノズルと、基板へ向かう押さえガス噴出口を有し、押さえガス噴出口から押さえガスを、基板の法線方向から所定角度範囲で且つ基板の面積より広い面積で、押さえガス流として基板上に供給する押さえガス噴出器と、を備え、材料ガス噴出口および押さえガス噴出口から離れた材料ガスノズルの上方に離間して配置され且つ、押さえガス噴出口および材料ガス噴出口の間隙へ向かう遮断ガスを噴出する遮断ガス噴出口を有する遮断ガスノズルを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の構成を複雑化させることなく、モフォロジーの良好な膜を形成可能で、かつ成膜装置の稼働効率を向上可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜原料堆積チャンバー１７内において、半導体基板２８の表面に、成膜原料を溶媒中に溶解させることで形成される液状の成膜原料液を供給し、成膜原料液に含まれる溶媒を液体から気体に相変化させることにより、溶媒中に溶解している成膜原料を半導体基板２８の表面に堆積させ、その後、成膜原料堆積チャンバー１７とは異なる反応チャンバー１８内において、加熱或いは反応試薬の添加により、半導体基板２８の表面に形成された成膜原料を反応させることで、半導体基板２８の表面に膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】
２フローリアクタにおいて排気間に再び材料ガス流への中間反応ガスの巻き込みを防止し半導体素子の製造歩留まりを高める気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、基板を担持して、これを加熱および回転するサセプタと、基板へ向かう材料ガス噴出口を有し、材料ガス噴出口から基板上に沿って材料ガスの層流を供給する材料ガスノズルと、基板へ向かう押さえガス噴出口を有し、押さえガス噴出口から押さえガスを、基板の法線方向から所定角度範囲で且つ基板の面積より広い面積で、押さえガス流として基板上に供給する押さえガス噴出器と、を備え、材料ガスノズルに接触し且つ押さえガス噴出口の外縁部へ向かう遮断ガスの層流を噴出する遮断ガス噴出口を有する遮断ガスノズルを有する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板へスパッタ法によりバッファ層を形成し、その後ＭＯＣＶＤ法によりIII族窒化物系化合物半導体層を形成するIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法において、III族窒化物系化合物半導体層に異常成長部が発生することを抑制する。
【解決手段】バッファ層の形成されたサファイア基板をスパッタ装置から取り出してバッファ層表面の電荷を中和し、その後そのサファイア基板をＭＯＣＶＤ装置にセットしてIII族窒化物系化合物半導体層を形成する。バッファ層表面の電荷を中和するのにはイオナイザーを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないようにする。
【解決手段】 耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内の温度を第１の温度とし、反応管内にクリーニングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物を除去する工程と、付着物除去後の反応管内の温度を第１の温度以上の第２の温度とし、反応管内にクリーニングガスを供給して、反応管内壁の表面に残留した残留物を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板を裏面側から支持装置により水平に支持するにあたり、当該基板と支持装置との接触による基板の裏面における傷の生成やパーティクルの発生を抑えること。
【解決手段】支持体本体３１上に形成された複数の凹部４１内に、磁性体からなる芯材４２ａと、この芯材４２ａの外周側を覆う被覆材４２ｂと、を備えた転動体４２を転動自在に収納し、これら転動体４２の上面によりウエハＷを裏面側から水平に支持すると共に、凹部４１の下方側に位置規制機構４３を設ける。そして、各々の位置規制機構４３について、支持体本体３１上に載置されるウエハＷが水平方向に移動する場合、当該ウエハＷの動きに倣って位置規制機構４３の引きつける力に抗して転動体４２が転動し、支持体本体３１上にウエハＷが載置されていない時には位置規制機構４３の上方側に転動体４２が戻るように構成する。 （もっと読む）

【課題】効率的に微粒子を捕集することが可能な捕集装置を提供する。また、微粒子を効率よく回収することが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】光源装置と、光源装置に接続され、光源装置で発光した光を伝搬する光ファイバと、該光ファイバで光が照射された観察対象物を撮像する撮像部と、電源装置に接続され、電圧が印加される電極針とを有する微粒子捕集装置である。なお、光ファイバ、撮像部、及び電極針は被覆材に覆われている。また、電極及び微粒子捕集装置の一部を有する処理室と、処理室に接続される電源装置、ガス供給源及び排気装置とを有し、微粒子捕集装置は、光源装置と、光源装置に接続され、光源装置で発光した光を伝搬する光ファイバと、該光ファイバで光が照射された観察対象物を撮像する撮像部と、電源装置に接続され、電圧が印加される電極針とを有する真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】処理室内壁に付着する微小異物を低減して生産性を向上する。
【解決手段】内部にコーティングを施した真空処理室と、前記真空処理室内に配置され被処理材を前記真空処理室内に保持する載置電極１０２と、多孔板を有し前記真空処理室内に処理ガスを分散して供給するガス供給系１０４と、前記真空処理室内を真空排気する排気手段１０５を備え、前記真空処理室内に高周波電力を供給して、プラズマを生成し前記載置電極上に載置された被処理材にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記コーティング膜は耐プラズマ性の材料を含む膜であり、該膜のスパッタ物に前記コーティング膜を形成する物質が吸収する波長のレーザ光を照射するレーザ光源１２３を備えた。 （もっと読む）

【課題】真空ポンプの停止によるチャンバーへの逆流を防止すると共に復旧が容易であることを兼ね備えた逆流防止システム及び該逆流防止システムを備えた真空ポンプを提供する。
【解決手段】インバータ回路１３に流れる電流値が一時的な過負荷状態であることをタイミングｔ１でコンパレータ１７若しくはコンパレータ２７のいずれかが検出したときにゲートバルブ３の閉止信号が例えばｔ１からｔ２に至るまでの１秒間だけパルスとして送信され、ゲートバルブ３はｔ１から閉止動作を開始する。過負荷状態は一時的なものであり、すぐに収束したような場合には真空ポンプ５はそのまま停止せずに継続して動作する。しかしながら、ゲートバルブ３は閉止指令を受けてほぼ１秒後には完全に閉止しているため、センターにおいて監視員が真空ポンプの運転が継続されていることを確認した後、ｔ３においてゲートバルブ３の開指令を送信する。 （もっと読む）

【課題】高い寸法精度で製造することができ、かつパーティクル・ダストの排出を抑制することができるガスノズルを提供する。
【解決手段】ガスノズル４は、ガスが流れる貫通孔１２，１４を備えた本体１３を有する。本体１３は、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面に複数の環状の段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃを有し、ガスが流れる方向における各段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃの上流よりも下流において、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面が、より中心側に位置している。 （もっと読む）