【課題】反応炉内に分解付着物が生成しないような構造とすることにより基板上への異物の付着を抑制し、分解付着物の再蒸発によるエピタキシャル薄膜の劣化を抑制でき、かつ反応炉内の分解付着物を取り除くためのメンテナンス回数を削減可能な構造の化合物半導体エピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】基板１３を収容した反応炉１１内に、Ｖ族元素を含む原料を供給して、基板１３上に気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャル成長装置１０において、Ｖ族元素を含む原料が分解し、反応炉１１内でその分解付着物が付着する付着部分１７の上流側に水素ラジカルを過剰に含むガスを流すための水素ラジカル供給手段３６を接続した。 （もっと読む）

【課題】送出原料ガスに混ざるミストの供給を抑え、パーティクルが発生し難い液体原料気化用の気化器ユニットおよびこれを含むガス輸送路そして半導体処理システムを提供する。
【解決手段】気化器１を原料ガス輸送配管の一部とし、これに接続された加熱装置とともに配管型の気化器ユニット１０を構成する。気化室４は、外側に加熱部材２１ｂを有する配管２１ａの入口側端部に霧化部５を配設することで形成し、気化室４の出口にサイクロン流生成部材３２を配設してサイクロン流を生成することで加熱効率を向上させ残留ミストの発生を防止する。これにより気化器ユニット１０を小型化して反応炉周辺での占有面積を低減し、反応炉から１ｍ以下の近傍において気化器ユニット１０を配置可能とする。 （もっと読む）

【課題】
目詰まりがし難く、ガス供給系、ガス排気系におけるフィルタ部分の分解清掃あるいは交換をするメンテナンス期間の延長を図ることができる筒形フィルタを有する流体輸送管，これを用いた流体輸送路および半導体製造装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、筒形フィルタと管端部とが接続される部分に流体輸送管を流れる流体を通過させない領域を設けるものであって、筒形フィルタの底部側面と流体輸送管の内壁面との間にミスト、フレーク、パーティクル、その他のゴミ、不純物等をトラップするトラップ領域を流体を通過させない領域として形成して、筒形フィルタが輸送流体のサイクロン流を受けるものである。 （もっと読む）

【課題】
ゴミ、不純物等がバルブ弁に滞留し難く、これの分解清掃をするメンテナンス期間の延長を図ることができるバルブ又は原料ガスの再凝縮によるバルブでのフレークあるいはパーティクルの発生を抑止することができるバルブおよびこれを用いた半導体製造装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、バルブの入力ポートに供給される流体をサイクロン流に変えるサイクロン流生成部材を入力ポートに設けられあるいは入力ポートと弁部材との間に設けることで、開閉動作をする弁部材にサイクロン流を供給する。凹凸部分が多い弁部分が開閉されるバルブでのゴミ、不純物等の付着をサイクロン流により防止し、かつ、サイクロン流でバルブの内部の清掃を行うことができ、さらにはサイクロン流により弁部材によるバルブ開閉時の動的圧力変化を低減できる。 （もっと読む）

【課題】電極上の付着物に加え、電極の外周近傍に設けられた部材上の付着物を速やかに除去することができる成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】カソード電極１１およびアノード電極１２の間に第１の条件でプラズマが発生させられる。次に、第１の条件と異なる第２の条件でプラズマが発生させられる。第２の条件は、第１の条件に比して、カソード電極１１およびアノード電極１２の間において外周方向へプラズマを拡げる条件である。 （もっと読む）

【課題】生産性や製造コスト面に優れ、かつ、高スループットを実現することができるとともに、薄膜太陽電池としての変換効率の低下を防ぐことができる薄膜太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】成膜室１１と、仕込・取出室と、基板脱着室と、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持するキャリアと、を備え、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出可能に構成され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行うことができる薄膜太陽電池製造装置であって、成膜室内に付着している副生成物に対して窒素ガスを噴射可能な複数の窒素ガス噴射機構１７０を有する供給管１５１と、供給管に窒素ガスを供給する窒素ガス供給源１５８と、が設けられ、窒素ガス噴射機構には、供給管に対して回転しながら窒素ガスを噴射する噴射口が形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化膜形成工程、酸化膜除去工程などを省略して製造コストを抑制しつつ、エピタキシャル層表面への欠陥（ピット）発生を低減したエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程と、エピタキシャルウェーハの主面を研磨する研磨工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法であって、エピタキシャル層形成工程後、研磨工程を行う直前まで、ウェーハを液体中で保管する保管工程を更に含むことを特徴とする、エピタキシャルウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】処理室内を撮影することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室１４を構成したプロセスチューブ１３と、処理室１４内を加熱するヒータユニット４０と、処理室１４を閉塞するシールキャップ２５と、シールキャップ２５に支承された回転軸３０と、回転軸３０に立設されたボート３１とを備えている熱処理装置において、シールキャップ２５の周辺部に透明な石英によって形成された保護管７０を立設し、保護管７０内に内視鏡８０を下端部の開口から挿入し、カメラ９０をシールキャップ２５下面以下において内視鏡８０に光学的に連結する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの副生成物生成がなく、電極周辺部材のなどの形状やガスの流れに起因した処理ムラが生じることがない大気開放型のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】第１および第２電極と、ガス供給路と、ガス供給路に設けられガスの流れを均一化する多孔質誘導体３とを備え、第１および第２電極により電界を形成すると共にガス供給路から均一化したガスを供給してプラズマ生成領域にプラズマ９を生成し、被処理基材１０を処理する。 （もっと読む）

【課題】
薄膜シリコン太陽電池の微結晶シリコン膜及び多結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜等を製造するプラズマＣＶＤ装置の応用分野においては、生産性向上及び低コスト化を図るために、大面積基板を対象に高速、高品質のシリコン系膜の形成が可能なプラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いたシリコン系膜の製造法が求められている。特に、パウダーの発生を抑制可能なプラズマＣＶＤ技術が強く求められている。
【解決手段】
ガス噴出孔を有する電極の表面に、原料ガスのみを噴出する複数の原料ガス噴出孔と希釈ガスのみを噴出する複数の希釈ガス噴出孔を配置するとともに、該希釈ガス噴出孔を該噴出方向が基板表面の法線方向以外に向くように設置させるということを特徴とする。原料ガスのプラズマ化と希釈ガスのプラズマ化を空間的に分離し、かつ、それらを接触させて、混合させることが可能となる。これにより、高品質・高速の製膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、剥がれた反応生成物が基板または基板上の化合物半導体層上に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】有機金属気相成長法によってＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を基板４０上に順次積層してなる化合物半導体層を形成する際に、反応容器内に、その結晶成長面が上を向くように前記基板４０を取り付け、該基板４０の上方であって結晶成長面と対向する側に複数の溝６３とともにアルミナ粒子を用いたブラスト処理により溝６３よりも微細な凹部が形成された保護部材６０を取り付け、反応容器の内部に原料ガスの供給を行う。 （もっと読む）

【課題】反応室の内部に設けられる石英製の部材の損傷を防止しつつ、石英製の部材から剥がれた反応生成物が被形成体に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】本実施形態の発光素子の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法を用いて基板上にIII族窒化物半導体層を形成するものである。そして、本実施形態の発光素子の製造方法は、第１組目のウェハ群の製造工程（Ｓ１０１）、清掃工程（Ｓ１０２）、第２組目のウェハ群の製造工程（Ｓ１０３）、及びチップ化工程（Ｓ１０４）を含んで構成されている。ここで、第１組目のウェハ群の製造工程において、ＭＯＣＶＤ装置の反応室に設けられる保護部材に反応生成物が付着する。そして、清掃工程において、ブラスト処理を用いて保護部材に付着する反応生成物の除去を行う。これにより、保護部材の受ける損傷を抑制しつつ、第２組目のウェハ群の製造工程において、ウェハへの反応生成物の混入が抑制される。 （もっと読む）

【課題】バッファ室と反応室を連通させる孔及び孔の近傍に膜が堆積することを抑制し、堆積した膜によるパーティクルの発生を防止し、基板の品質を低下させることなく処理可能なプラズマ基板処理装置を提供する。
【解決手段】筒状の反応容器２９と、該反応容器の内部に画成され複数の基板２を収納可能な反応室３２と、前記反応容器の内部に設けられたバッファ室３８と、前記反応容器の長手方向に沿って設けられ前記バッファ室に処理ガスを導入可能なガス導入部３４，３５とを具備し、前記バッファ室は前記ガス導入部から導入される処理ガスを前記反応室に供給する複数のガス供給孔４８，５３と、プラズマ発生用の電極５４，５５を収容する空間５９と、前記バッファ室の壁を貫通し前記反応室に開口する孔であって、前記反応容器の薬液洗浄時に用いる水抜き孔を少なくとも１つ有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体および化合物半導体などを製造する装置内で高い耐プラズマ性を要求される部品に好適なフッ化物焼結体を提供する。
【解決手段】MgF₂を１〜５wt.％含有するCaF₂−MgF₂焼結体からなり、該焼結体の嵩密度が３．００g/cm³以上の緻密な構造を有している。 （もっと読む）

【課題】デポ膜の剥がれを防止し、生産性向上させることができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基反応炉１０内に基板１２を保持するサセプタ１４が設けられ、導入部１８から、原料ガスを反応炉１０内に導入することにより基板１２上にＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）膜をＭＯＣＶＤ法によってエピタキシャル成長させる気相成長装置において、基板１２と対向するように反応炉１０の内壁に取り付けられている天板３０（防着板）の基板１２側の表面に、ＧａＮ膜とＡｌＮ膜が交互に積層された多層膜３２を形成する。 （もっと読む）

半導体、光電地、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイおよび微小電気機械システムのプラズマによって補助された製造のために、およびチャンバの清浄化のために、Ｆ_２またはＣＯＦ_２がエッチング剤として適用される。１５ＭＨｚ以上の周波数を有するマイクロ波を提供するプラズマエミッターがプラズマを非常に有効に提供することが見出された。 （もっと読む）

【課題】成膜装置のメンテナンスのための作業負荷を軽減する。
【解決手段】減圧可能な反応室４と反応室の内部に設けられている電極面２Ａを有する電極部２と加熱冷却面６２Ａを有する加熱冷却ヘッド６２とを備える成膜装置であって、加熱冷却ヘッドが、加熱冷却面をある空間を挟んで電極２に対抗させる位置と、加熱冷却面を直接的又は間接的にその電極の電極面に当接させる位置との間を移動可能である。加熱冷却ヘッドは、電極部を冷却し、電極部に堆積した成膜付着物３を剥離させる。 （もっと読む）

【課題】使用済みスチームを拡散させることなく効率よく回収することができる半導体製造装置の洗浄装置を提供する。
【解決手段】純水スチーム生成容器１２と、スチーム供給管１７及びスチーム回収管１８からなる洗浄ノズル１６を有する半導体製造装置の洗浄装置１０のスチーム供給管１７の先端部に、スチーム供給口１９から噴射され、洗浄対象物３０に衝突した使用済み純水スチームが、スチーム供給管１７の先端部の外形表面に沿った流れを形成するような凸状の湾曲面１７ａが形成される。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラム弁体と弁座との接触をなくし、メタルタッチの繰返しによる接触部の摩耗を防止すること。
【解決手段】
パージガス流路上に設けられ、パージガス流量を制御するパージガスマスフローコントローラ５０Ａと、プロセスガス供給流路のプロセスガス供給弁の入口側と排気ダクトとを連通する排気流路と、排気流路がプロセスガス供給流路から分岐する流路分岐点７９Ａと、排気流路上に設けられた排気弁と、を有し、パージガス流路は、プロセスガス供給流路上で流路分岐点からプロセスガス供給弁の入口側の間に連通すること、プロセスガス供給弁の弁体と弁座とが密閉しない状態のときに、プロセスガスが排気弁を通って排気ダクトへ流れるように制御する。 （もっと読む）

キャリア体上に材料を蒸着するための製造装置、および当該製造装置と共に使用される電極。製造装置はチャンバを画定するハウジングを備える。ハウジングは、気体をチャンバ内に導入するための入口、および気体をチャンバから排出するための出口を画定する。少なくとも１つの電極がハウジングを貫通して配設され、該電極は少なくとも部分的にハウジング内に配設される。電極は外面を有する。外面は、ソケットと接触するように適合されたコンタクト領域を有する。電極のコンタクト領域上には、電極とソケットとの間の導電性を維持するためのコンタクト領域コーティングが配設される。コンタクト領域コーティングは、室温下で少なくとも７×１０^６ジーメンス／メートルの導電率を有し、ニッケルより大きい耐摩耗性（測定単位：ｍｍ^３／Ｎ・ｍ）を有する。
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