【課題】処理室内および排気ラインへの反応生成物の堆積を抑制でき、かつ、塩化水素ガスによる腐食を抑制できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室２０１で基板に対して膜を形成する第一ステップと、前記第一ステップ後に、前記処理室２０１の外部から前記処理室２０１の内部へ大気を取り込み、前記処理室２０１の内部および前記処理室２０１に接続された排気ラインの内部に付着した付着物と前記大気中に含まれる水分とを反応させて、少なくとも塩化水素ガスを発生させるとともに、前記塩化水素ガスを前記排気ラインから排気する第二ステップとを有し、前記第二ステップは、前記処理室２０１の前記塩化水素ガスの濃度値が設定濃度値以下になるまで維持される。 （もっと読む）

【課題】反応ガスがライナ等の基板周囲の部材に接触することを防止し、反応生成物が付着するのを防ぐことができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１内に反応ガス２６を供給する反応ガス供給部１４と、チャンバ１内に不活性ガス２５を供給する不活性ガス供給部４と、チャンバ１内に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２内に設けられ、半導体基板６が載置されるサセプタ７とを有する。ライナ２は、反応ガス２６の流路となる頭部３１と、サセプタ７を内部に配置する胴部３０とが、スリット３８を介して配置されており、スリット３８から不活性ガス２５が流下するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】成膜処理する基板の歩留まりを向上できる技術を提供する。
【解決手段】ガス供給ノズル２３２１ａのクリーニング工程において、ガス供給ノズル２３２１ａからはエッチングガスＥＧが放出されるが、ガス供給ノズル２３２１ａとは別のガス供給ノズル２３２１ｂから希釈ガスを放出している。この結果、インナーチューブ２３０内の処理室２０１内へ放出されたエッチングガスＥＧが処理室２０１内に配置されたウェハ２００へ到達することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】高品質な成膜を維持するために必要となるチャンバー内の清掃の頻度を低減し、稼動率を向上したＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ装置１００は、チャンバー１と、チャンバー１内に原料ガスを供給するための原料ガス供給装置２と、廃棄ガスをチャンバー１内から排出するための廃棄ガス処理装置１２とを備える。チャンバー１に設置された加熱ステージ６は、基板５を保持するための機構を有し、その周囲に、加熱ステージ６を原料ガス及び廃棄ガスによる腐食あるいは廃棄ガス中の反応生成物の付着を防止するためのヒーターカバー１０が設置されている。ヒーターカバー１０にはシールガスを噴出する複数のガス噴出口１６が設けられ、ヒーターカバー１０の表面と廃棄ガスとの間に、原料ガスと反応しない不活性ガスの層、シールガス層を、基板５の外周から３０ｍｍ以内の範囲にわたり作り、ヒーターカバー１０への付着物の量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にＳｉＣＮ膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記窒化ガスと前記炭化水素ガスとをそれぞれ一定の供給期間でパルス状に供給する供給工程と供給を停止する停止工程とよりなる１サイクルを複数回繰り返し実行してプラズマを用いることなく前記薄膜を形成する。これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】熱分解やガスの反応による生成物質が処理室周辺に付着する事を抑制可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置２０２は、複数のサセプタ（被誘導加熱体）２１８と該サセプタ上に載置された複数のウェハ２００を有し、サセプタ２１８からの輻射熱によりウェハ２００を加熱処理する、インナーチューブ２３０から形成される処理室２０１と、インナーチューブ２３０の外側に設けられ、インナーチューブ２３０と間隙ＳＰを成して囲うアウターチューブ２０５と、間隙ＳＰに配置されるガス供給ノズル２３２１と、アウターチューブ２０５の外側に設けられ、サセプタ２１８を誘導加熱する誘導加熱装置と、を備え、インナーチューブ２３０には、処理室２０１に配置されるウェハ２００の周縁側方に開口部ＦＨが設けられている。また、ガス供給ノズル２３２１には、開口部ＦＨおよびウェハ２００に向けてガスを吹き出す吹出し口が設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理容器内壁の腐食の問題が生じ難い処理装置を提供すること。また、耐プラズマ性および耐腐食ガス性に優れた、処理装置に用いられる耐食性部材およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を収容する処理容器と、処理容器内の被処理基板に処理を施す処理機構とを具備する処理装置であって、処理容器は、基材と、その内壁に溶射により形成された周期律表第３ａ族素化合物を含む膜とを具備し、その溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜の表面が研磨されている。 （もっと読む）

【課題】成膜材料のマスクパターンへの付着を低減し、大型の被処理基板の成膜にも好適な光ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】処理室と、該処理室内に設けられ、被処理体を載置するための基板載置部と、載置された前記被処理体の表面にＶＵＶ光を照射するためのＶＵＶ光源を備えた光ＣＶＤ装置であって、前記処理室の内部に、更に、前記被処理体の表面に接触して配置されるマスクを設け、このマスクの本体２０１には、梁２０２と共に、成膜用ガスの付着を抑制する温度（１００℃）に前記マスクを保持するための熱線２０３が一体に設けられ、又は、フレーム２０５にも前記マスクの温度を当該温度に保持するための熱線や加熱配管が一定に形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、より大型な基板に膜厚均一性に優れた高品質薄膜を形成できるプラズマＣＶＤ装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反応容器内に、直線形状又は中央で折り返した形状の誘導結合型電極を配置したプラズマＣＶＤ装置であって、前記誘導結合型電極の両端部にそれぞれ高周波電力の給電部と接地部とを設け、前記給電部と接地部の間又は前記給電部及び接地部と折り返し部との間に半波長若しくはその自然数倍の定在波が立つように高周波電力を供給する構成とし、かつ、前記誘導結合型電極の電極径を変化させるか、給電部から接地部までの少なくとも一部の電極径を１０ｍｍ以下とするか、又は電極を誘電体で被覆したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ反応生成物の生成を抑制できるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】反応室１に原料ガスを導入するガス導入管６と、成膜を施すべき基板１０を支持する基板ホルダーと、基板１０を加熱する加熱装置４と、反応室内のガスを排気ガスとして系外に排気するガス排気管７とを備えるＣＶＤ装置において、排気ガスが接触する壁部２に対し、加熱装置４又は加熱装置４により加熱された部材からの輻射熱を反射する熱反射面８を設置したＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】 処理室内に供給したガスの処理室外の間隙への進入を抑制する。
【解決手段】 反応管の内部に設けられ基板を処理する処理室と、反応管の内部に設けられ処理室を囲い基板を加熱する被誘導体と、反応管の内部に設けられ被誘導体を囲う断熱体と、反応管の外部に設けられ少なくとも被誘導体を誘導加熱する誘導体と、処理室内に第１ガスを供給する第１ガス供給部と、被誘導体と断熱体との間に設けられる第１間隙に第２ガスを供給する第２ガス供給部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】膜応力の制御が可能なシリコン元素を有する薄膜の作製方法を提供することを目的の一とする。さらに、このシリコン元素を有する薄膜の作製方法を用いて、歩留まりを向上させることができるトランジスタの作製方法を提供することである。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置内の反応室の内壁を加熱して、反応室内壁に吸着している不純物を放出させる。次いで、反応室の内壁を加熱し続けしながらフッ素化合物ガスを用いたプラズマまたは反応室内の排気によって、反応室内壁に吸着している不純物および反応室内に残留している不純物を除去した後、反応室の内壁を加熱し続けしながらシリコン元素を有する薄膜を形成する。また、前記シリコン元素を有する薄膜を用いてトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】ガスガイドプレートが貫通穴を有していても、薄膜の結晶性に対する影響が抑えられ、かつ、他の部品に反応生成物が堆積することを抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＯＣＶＤ装置１００は、反応ガスを供給して基板の被成膜面を成膜する成膜装置であって、基板２を保持する基板保持台３と、基板保持台３に対向して配置され、基板２の被成膜面に対向する位置に貫通穴７を有するガスガイドプレート６と、基板保持台３とガスガイドプレート６との間に反応ガス８ａを流す反応ガス配管８とを備えている。ガスガイドプレート６における基板２に対向する側において、貫通穴７にガス流の下流側で接する下流側端部１３は、上流側で接する上流側端部１２よりも、基板２の被成膜面との最短距離が長い。このため、反応ガス８ａが、貫通穴７を通じて吹き出すことが抑制される。 （もっと読む）

【課題】 ホモエピタキシャル成長による成膜中における薄膜上への副生成物の落下量が減少して半導体ウエハの品質が向上する成膜装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置１は、上面に炭化ケイ素基板２が載置されるサセプタ３と、これらの炭化ケイ素基板２およびサセプタ３を収容する反応容器４と、を備え、前記炭化ケイ素基板２上に薄膜をホモエピタキシャル成長させる成膜装置１である。サセプタ３の上面および反応容器４の内面の少なくともいずれかに、単結晶または多結晶の３Ｃ−ＳｉＣからなる第１のライナー７と第２のライナー８を設けている。 （もっと読む）

【課題】装置内に堆積した膜が剥離して異物として基板に付着することを防止するスパッタリング装置及びそのメンテナンス方法を得ること。
【解決手段】チャンバ４と、基板１をチャンバ４内で保持する基板保持具２と、チャンバ４内に設置されたシリコン製のターゲット３と、基板保持具２に基板１が設置された状態で、アルゴンガス７と窒素ガス９との混合ガスをチャンバ４内に導入しつつターゲット３と基板保持具２との間に電圧を印加して、基板１上に窒化シリコン膜を成膜する第１の処理と、チャンバ４内に基板１が収容されていない状態で、アルゴンガス７をチャンバ４内に導入しつつ、ターゲット３と基板保持具２との間に電圧を印加して、チャンバ４の内壁面にシリコン膜を成膜する第２の処理とを実行する制御部４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】貫通穴を目詰まりさせることなく、ガス供給電極の表面に粗面化することができ、また、貫通穴を加工する際に、穴の位置がずれたり、ドリルが破損したりすることがなく、これにより、成膜を行う際に、電極の表面に堆積した成膜物が電極から剥離して基板に付着することを抑制でき、また、安定したガス供給を行なうことができ、高品質な膜を形成することができるガス供給電極の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマの生成領域に対面する側の供給面の表面粗さを上げる粗面化工程と、粗面化工程の後に、供給面とは反対側の裏面から穴あけ加工を行なって、複数の貫通穴を形成する穴加工工程とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】長孔を有する炭素部品の長孔内部に被膜を形成することにより、酸化性、分解性ガスの雰囲気中でも消耗することなく使用できる炭素部品を提供し、特に孔内部からのパーティクルの発生を防止する。
【解決手段】内部に孔１１を有し、その外面１３がセラミック被膜で覆われた炭素部品１００であって、孔１１が二枚の板状の炭素体１９を重ね合わせて形成され、板材２１は少なくとも一方の炭素体１９の重ね合わせ面２３に形成された溝と、この溝に対向する他方の炭素体１９の重ね合わせ部とにより形成されており、溝を含む孔１１の内面全域がセラミック被膜で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】成膜室内の部材へのダメージを抑制しつつ、クリーニング速度の均一性を向上させることのできるプラズマＣＶＤ装置の提供。
【解決手段】不活性ガスを含む第１のクリーニングガスを成膜室６の外部でプラズマ励起させて第１供給口９から成膜室内に供給する第１供給手段１，２と、フッ素を含むガスが含まれる第２のクリーニングガスをプラズマ励起させずに第２供給口１１から成膜室内に供給する第２供給手段３と、を備え、第１供給口と第２供給口とが成膜室６内の異なる位置に形成されているプラズマＣＶＤ装置とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造を安定して効率よく行うため、処理室内壁の堆積物の状態やプラズマ内部をリアルタイムでモニタを行い、常時管理しながら処理する方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室の内壁状態やプラズマの内部状態を把握するために、プラズマ処理室の内壁にプローブ基盤２１９を配置し、このプローブ基盤２１９にパルス化したバイアス電力を掛け、コンデンサ２２２の電圧変化を解析することにより、処理室内壁状態とプラズマ内部状態をリアルタイムでモニタし、そのデータ値からプラズマ処理装置を制御することにより、効率の良い処理を行い、且つ処理室内のプラズマを直接管理して、安定した半導体装置の製造を行う。 （もっと読む）

【課題】貫通穴を目詰まりさせることなく、ガス供給電極の表面に粗面化することができ、また、貫通穴を加工する際に、穴の位置がずれたり、ドリルが破損したりすることがなく、これにより、成膜を行う際に、電極の表面に堆積した成膜物が電極から剥離して基板に付着することを抑制でき、また、安定したガス供給を行なうことができ、高品質な膜を形成することができるガス供給電極の製造方法を提供する。
【解決手段】穴あけ加工を行なって、前記複数の貫通穴を形成する穴加工工程と、
前記穴加工工程の後に、プラズマの生成領域に対面する側の供給面に、プラズマ溶射処理によって、溶射膜を形成する溶射工程とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）