【課題】縦型の熱処理炉内に混入するパーティクルを低減し、基板（ウエハ）へのパーティクル付着を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハボート３を縦型の熱処理炉２内に、当該熱処理炉の下方側に形成された炉口２０から搬入し、熱処理を行う装置において、前記ウエハボート３が前記熱処理炉２の下方側に位置しているときに、前記炉口２０を塞ぐ蓋体６１を設ける。この蓋体６１は前記炉口２０を塞ぐ位置と開く位置との間で移動自在に設けられており、蓋体６１が前記炉口２０を塞ぐ位置から外れているときに、当該蓋体６１の上面のパーティクルをクリーニングノズル７により吸引して除去する。このため、次に蓋体６１が炉口２０を塞いだ時に、熱処理炉２内に持ち込まれるパーティクル量を低減できるので、ウエハへのパーティクル付着を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】腐食性が極めて強い不活性ガスや水素及び酸素ガス等の高密度プラズマに完全な耐腐食性を有するとともに、水分を全く放出せず、しかも、安定した整流状態のガス放出が得られる無数のガス放出穴を有するＡｌ合金系材料のシャワープレートを提供すること。
【解決手段】Ａｌ合金系材料の薄板に、溝の深さが０．０２〜０．５ｍｍで、横巾が０．０２〜１０ｍｍで、長さが３〜３０ｍｍで、無数の溝と溝との間隔が０．１乃至２ｍｍの範囲内の角状溝を形成し、次いで、表面粗さが０．１ｓ以内のＡｌ_２Ｏ_３保護膜を生成させたシートを積層してシャワープレートを形成した。 （もっと読む）

【課題】成膜の間にウエハの裏面に付着するパーティクルの数を減ずることができ、また、膜厚及び膜特性の均一性を改良することができる、サセプタの上面を提供する。
【解決手段】ウエハ支持デバイスは、ベース面と、ウエハを支持するための、ベース面から突出する、丸みのある先端を有する突起部とを含み、丸みのある先端が、全体に該丸みのある先端による点接触によってウエハの裏面が支持されるようになされたものであり、突起部が、上にウエハが配置されるベース面の領域において、実質的に一様に配置され、使用中で判定される突起部の数（Ｎ）及び高さ（Ｈ：単位μｍ）が、３００ｍｍウエハに対する領域ごとに所定の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置及びパーティクルトラップにおいて、効果的にパーティクルを低減すること。
【解決手段】半導体基板Wを収容するチャンバ２と、チャンバ２内を減圧する減圧ポンプ７と、チャンバ２と減圧ポンプ７の間に設けられ、減圧ポンプ７の吸入流路Qを画定する管２３を備えたパーティクルトラップ２１とを有し、管２３の吸入側の開口端２３ｂを自由端にして、該開口端２３ｂの開放方向Dを調節自在にした半導体製造装置による。 （もっと読む）

【課題】高温処理においても、サセプタ変形を抑制することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】気化ユニット内部に堆積物が大量に蓄積する前に、気化ユニットを配管から取り外すこと無くその堆積物を外部へと排出させる。また、原料の分解によって発生した副生成物を除去してパ−ティクル（塵埃）の増加を防止し、配管やバルブ等のメンテナンス周期を延ばす。
【解決手段】気化ユニット内に堆積した生成物を除去して気化ユニットを洗浄する気化ユニットの洗浄方法において、生成物が堆積した気化ユニット内に第１の洗浄液を供給する第１の工程と、第１の洗浄液を気化ユニット内から排出しない状態で、気化ユニット内に第２の洗浄液を供給する第２の工程と、第１の洗浄液および第２の洗浄液を気化ユニットから排出する第３の工程と、を順に行う。 （もっと読む）

【課題】反跳したパーティクルの処理室内への侵入を防止することができる反射装置を提供する。
【解決手段】反射装置３６は、排気マニホールド１６の内部に配置され、ＴＭＰ１８に対向するように配置された円板状の第１の反射面部材４１と、該第１の反射面部材４１の周縁に配置され且つＴＭＰ１８の回転軸４３を指向するように面角度が設定された円環状の第２の反射面部材４２とから成る反射板３８を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＤＰ−ＣＶＤ装置（１）の処理室内に半導体基板（１００）を搬入し、半導体基板上に化学気相成長法により第１膜（例えば、酸化シリコン膜）を形成する。その後、リモートプラズマ装置（２０）内から、Ａｌを含有する材料よりなる配管であって、その内壁にコーティング材料層を有する配管（１０）を通して、処理室内にラジカル化されたガス（例えば、フッ素ラジカル）を導入することにより処理室の内壁に付着した第１膜（例えば、酸化シリコン膜）を除去（クリーニング）する。かかる方法によれば、コーティング材料層により、発塵を低減し、クリーニング効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜がアンテナに付着するのを抑制可能なプラズマ装置を提供する。
【解決手段】プラズマ装置は、アンテナ１を備える。アンテナ１は、絶縁管１ａと、導体１ｂと、伝熱材１ｃとを含む。絶縁管１ａは、略Ｕ字形状を有し、Ａｌ_２Ｏ_３からなる。導体１ｂは、略Ｕ字形状からなり、筒状部分１ｄを有する。筒状部分１ｄには、冷却水が流される。そして、導体１ｂは、絶縁管１ａ内に挿入される。伝熱材１ｃは、絶縁管１ａと導体１ｂとの間に充填される。そして、伝熱材１ｃは、シリコン樹脂からなる。 （もっと読む）

【課題】 シリコンカーバイト素子を構成しているエピタキシャル層の品質は、高性能素子を作るうえで重要であり、特に、電気的耐圧を下げるパーティクルを減らす事は、最重要事項である。
一方、エピタキシャル層製膜時、エピタキシャルを製膜する単結晶シリコンカーバイトウエファー以外の部分にもシリコンカーバイトが、多く析出し、それらがカーボン、金属、石英ガラス製の反応炉構成部材表面から剥離しガスの流れにより成長中のエピタキシャル層に混入しパーティクルが形成されていた。
特に、距離的に近いため、ウエファーが乗っているサセプターからのシリコンカーバイト析出物の剥離が問題であった。
【解決手段】 サセプター上にシリコンカーバイト板をパーティクル吸着板として取り付け、析出したシリコンカーバイトが、剥離しないようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置に損傷を与えることなく効率よくクリーニングする。
【解決手段】真空容器内で対向して設置された電極対の間に高周波電力を印加することで発生させたプラズマ放電によって基板上に薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、前記真空容器内に堆積した堆積物を除去するプラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法であって、クリーニングガス流量Ｑを所定値Ｑｎへ増加させ、高周波電力Ｐを所定値Ｐｎへ増加させ、キャリアガス流量Ｒを所定値Ｒｎへ減少させ、その際に、Ｑ，Ｒ，Ｐの内一つが変化するとき他の二つを一定にしておく期間を含んでプラズマ放電を行う放電工程と、Ｑ、Ｒ、Ｐがそれぞれ所定値Ｑｎ，Ｒｎ，Ｐｎの状態でクリーニングを行うクリーニング工程とを含むプラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】還元性雰囲気において好適に使用することのできるセラミックスヒーターを提供すること。
【解決手段】絶縁性セラミックス部材からなる基材の上に、順次、両端に端子部を有する導電性部材からなるヒーターパターン及び絶縁性セラミックス部材からなる被覆層を有し、前記端子部には前記絶縁性セラミックス部材からなる被覆層が存在せず、電源に連結するリード線が該端子部に接続されたセラミックスヒーター。前記ヒーターの端子部は導電性保護膜によって覆われており、該ヒーターの端子部と前記リード線が、伸展性を有する導電性材料からなるワッシャーを介して固着接続されてなる点が特徴である。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑制しつつ、開口部の閉口時の密閉性の低下を抑制することができる開閉ダンパー装置を提供する。
【解決手段】開閉ダンパー装置は、開口部２５２が形成された枠体２５０と、開口部２５２を開閉する弁体２６６と、枠体２５０の開口部２５２周辺に設けられ、弁体２６６が閉じられた場合、弁体２６６が密着するシール部材２５６と、枠体２５０に設けられた開閉軸２６２と、開閉軸２６２を中心として回転するように設けられ、弁体２６６を移動自在に支持する支持体と、弁体２６６の開閉軸２６２が設けられた側よりも反対側がシール部材２５６に近づくように弁体２６６を付勢する付勢部材２７２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ構成部品のような加工片の表面にテクスチャを設ける方法及びシステムを提供する。
【解決手段】本方法は、加工片をテクスチャ化チャンバへ供給するステップと、加工片の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させて該表面上に複数のフィーチャを形成させるステップとを含む。形成されたフィーチャは、一般的には凹み、突起、及びそれらの組合わせである。プロセスチャンバ内の汚染を減少させる方法も提供される。この方法は、１またはそれ以上のプロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させて該表面上に複数のフィーチャを形成させるステップと、１またはそれ以上のチャンバ構成部品をプロセスチャンバ内に位置決めするステップと、プロセスチャンバ内においてプロセスシーケンスを開始するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】膜上に付着し又は膜中に埋没したＳｉＣパーティクル等が低減されたＳｉＣエピタキシャル膜を作製することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＶＤ装置は、ウェハを水平に載置するウェハ載置部材と、該ウェハ載置部材に対向してその上方に配置する加熱部材と、該加熱部材の材料よりも膜材料の付着性が高い材料からなり、前記加熱部材と前記ウェハ載置部材との間に前記加熱部材に近接して配置して気相中から前記加熱部材へのガスの堆積を遮る遮蔽部材と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基体ホルダー外周面に残留したダストが円筒状補助基体と円筒状基体の端面間の隙間から飛散することを防ぐことができる真空処理方法を提供し、画像欠陥の原因となる電子写真感光体の球状突起を低減することにある。
【解決手段】真空処理方法であって、チャッキング部材の一部と円筒状補助基体の円筒状基体とは反対側の端面とが接触することによりチャッキング部材が円筒状補助基体を加圧し、円筒状補助基体が円筒状基体を押圧して両者の端面同士を密着させる工程と、円筒状基体と円筒状補助基体の端面同士が密着した状態で、搬送容器内を真空排気する排気工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスの供給側と処理容器側との差圧を小さくすることによりパーティクルの発生を抑制することが可能なガス供給装置である。
【解決手段】原料貯留槽６８内の原料ガスをキャリアガスを用いて処理容器４へ供給する原料ガス供給系を有するガス供給装置６０において、原料貯留槽内へキャリアガスを導入するキャリアガス通路７８と、原料貯留槽と処理容器とを連結してキャリアガスと原料ガスを流す原料ガス通路７０と、原料ガス通路に接続されて圧力調整ガスを供給する圧力調整ガス通路９２と、圧力調整ガスの処理容器への供給を始めると同時にキャリアガスにより原料貯留槽から原料ガスを処理容器内へ供給することを始める第１の工程を開始し、その後、圧力調整ガスの供給を停止する第２の工程を行うように開閉弁を制御する弁制御部１１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生及び拡散を抑制して反応室を開放する反応室開放方法、及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室１０１へガスを導入して昇圧し、反応室１０１と作業室１０２の圧力差が所定値以下になるときに排出弁１１２ｂと均圧弁１０７ｂを開き、反応室１０１からガスを排気しながら均圧路１０７ａを介して反応室１０１と作業室１０２を連通し、反応室１０１と作業室１０２の圧力を等しくしてから反応室１０１を開放する。 （もっと読む）

【課題】蛇腹配管の内部から剥がれた反応生成物の量を低減し、排気経路から反応室へのパーティクルの導入量を抑制可能なバレル型気相成長装置を提供する。
【解決手段】蛇腹配管より小径なスリーブを、上流側配管部のみの片持ち状態で蛇腹配管に挿入した。よって、蛇腹配管の領域で反応生成物が付着するのは、大半がガス排気管のスリーブの内周面となる。これにより、仮に装置振動などで蛇腹配管が変形しても、蛇腹配管から剥離するパーティクルの量は少なく、よって反応室へのパーティクルの導入量は従来装置に比べて減少する。その結果、半導体ウェーハに付着するパーティクル量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】既存の基板処理装置に対して新たな設備の導入負荷を少なくし、基板処理装置内壁に付着した厚い堆積膜の除去を行うことができる基板処理装置を得ること。
【解決手段】チャンバ１１と、チャンバ１１内で基板を保持するステージ１２と、基板に対する処理によってチャンバ１１内に付着した堆積物を除去するクリーニングガスを前記チャンバ内に供給するクリーニングガス供給系６０と、チャンバ１１内のガスをチャンバ１１の底壁に設けられたガス排出口１５から排出する排気系３０と、を備える基板処理装置１において、チャンバ１１内のガス排出口１５の周囲に溝１６を備える。 （もっと読む）