ウエハ支持デバイス及びその製造方法
【課題】成膜の間にウエハの裏面に付着するパーティクルの数を減ずることができ、また、膜厚及び膜特性の均一性を改良することができる、サセプタの上面を提供する。
【解決手段】ウエハ支持デバイスは、ベース面と、ウエハを支持するための、ベース面から突出する、丸みのある先端を有する突起部とを含み、丸みのある先端が、全体に該丸みのある先端による点接触によってウエハの裏面が支持されるようになされたものであり、突起部が、上にウエハが配置されるベース面の領域において、実質的に一様に配置され、使用中で判定される突起部の数(N)及び高さ(H:単位μm)が、300mmウエハに対する領域ごとに所定の条件を満たす。
【解決手段】ウエハ支持デバイスは、ベース面と、ウエハを支持するための、ベース面から突出する、丸みのある先端を有する突起部とを含み、丸みのある先端が、全体に該丸みのある先端による点接触によってウエハの裏面が支持されるようになされたものであり、突起部が、上にウエハが配置されるベース面の領域において、実質的に一様に配置され、使用中で判定される突起部の数(N)及び高さ(H:単位μm)が、300mmウエハに対する領域ごとに所定の条件を満たす。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、概して、半導体処理チャンバに設置されるウエハ支持デバイスに関し、特に、ウエハを支持するための突起部を有するウエハ支持デバイスに関する。
【背景技術】
【0002】
ひとつの典型的な従来のサセプタは、図1Aに示されているように、平坦な表面を有する。ウエハ支持デバイス1が、典型的にヒータを含むサセプタのベースに取り付けられるよう構成されている。ウエハが、プラズマ励起CVD又はプラズマ励起ALDによって処理するために、ウエハ支持デバイスの上に配置される。図1Aに示されているように(上の図は平面図であり、下の図は線1A―1Aに沿った断面図である)、ウエハ支持デバイスは平坦な表面を有する。しかしながら、ウエハが平坦な表面に配置され、処理される場合、成膜のあと、ウエハの裏面に、パーティクルの発生と集積(accumulation)が典型的に観測される。さらに、処理のタイプによって、ウエハの裏面がウエハ支持デバイスの上面に貼り付くということがしばしば起こる。上記問題を解決するために、従来、二つのタイプのウエハ支持デバイスが開発された。図1B(上の図は平面図であり、下の図は線1B―1Bに沿った断面図である)は、連続的なベース(基準)面による分離された凸部3を有するエンボスタイプのウエハ支持デバイス2を示す。図1C(上の図は平面図であり、下の図は線1C―1Cに沿った断面図である)は、連続的なベース面による分離された凹部5を有するディンプルタイプのウエハ支持デバイス4を示す。図1Bに示されている凸部は、上から見ると方形であるが、円形の場合もある。同様に、図1Bに示されている凸部は、上から見ると円形であるが、方形の場合もある。
【0003】
成膜の間に、ウエハの裏面に発生し付着するパーティクルの数を減ずるために、ウエハの裏面とサセプタの上面との間の接触領域を減ずることが概して効果的である。しかしながら、エンボスタイプ又はディンプルタイプのウエハ支持デバイスが使用される場合でさえ、ウエハの裏面におけるパーティクルの発生と集積は、依然として問題である。さらに、ウエハ支持デバイスの凸部又は凹部はまた、膜厚及び膜特性の均一性に影響を及ぼす。
【0004】
従来技術に包含される問題及び解決策に係る検討はいずれも、単に、本発明の背景の説明の目的で本開示に含まれるものであり、該検討のいずれか又は全てが、本発明が成されたときに既知であったと認めるものと解釈されるべきではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2007−180246公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
従って、ひとつの態様において、本発明の目的は、成膜の間にウエハの裏面に付着するパーティクルの数を減ずることができ、また、膜厚及び膜特性の均一性を改良することができる、サセプタの上面を提供することである。パーティクルが、成膜の間にウエハ支持デバイスの上面と互いに接触するところのウエハの裏面に観測されることから、ある実施形態においては、ウエハの裏面とウエハ支持デバイスとの間の接触領域を減ずるために、ウエハ支持デバイスのベース面に丸い(丸みのある)先端を有する突起部が与えられ、それによって接触領域を減ずることができる。この場合、ウエハの裏面とウエハ支持デバイスの上面との間の接触点の数を減ずるために、突起部の数を減ずることが効果的であろう。しかしながら、突起部の数が少ない場合、処理のタイプによっては、ウエハは、接触点と接触点との間でわずかにたるみ、または変形されがちであり(例えわずかであっても)、それによってサセプタの上面と接触し、ウエハの裏面におけるパーティクルの発生と集積を増加させることになる。上記において、ウエハがわずかにたるみ変形した場合であっても、突起部の高さを増すことにより、ウエハの裏面とウエハ支持デバイスの上面との間の接触を抑制することが可能である。しかしながら、突起部の高さが増す場合、膜応力(ストレス)が悪くなりがちである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題に鑑みて、ある実施形態においては、丸みのある先端を有する突起部を使用して、突起部の数及び高さを制御パラメータとして使用することにより、ウエハ支持デバイスが設計され、それによってウエハの裏面におけるパーティクルの集積を著しく減ずることができ、膜応力及び膜厚の均一性などの膜特性を改良することができる。
【0008】
ある実施形態は、半導体処理装置に設置されるよう構成された、ウエハを支持するためのウエハ支持デバイスを提供するものであり、該ウエハ支持デバイスは、(i)ベース面と、(ii)ウエハを支持するための、ベース面から突出する、丸みのある先端を有する突起部とを含み、丸みのある先端が、全体に該丸みのある先端による点接触によってウエハの裏面が支持されるようになされたものであり、突起部が、上にウエハが配置されるベース面の領域において、実質的に一様に配置され、使用中で判定される突起部の数(N)及び高さ(H:単位μm)が、300mmウエハに対する領域毎(面積当たり)(per area for a 300-mm wafer)に以下の不等式を満たす。
【0009】
【数1】
【0010】
他の態様において、ある実施形態は、半導体処理装置に設置されるよう構成された、ウエハを支持するためのウエハ支持デバイスの製造方法を提供するものであり、この製造方法は、(I)ウエハ支持デバイスにベース面を与える工程と、(II)300mmウエハに関する領域ごとに以下の不等式を使用して突起部を設計する工程と、(III)設計された突起部を有するウエハ支持デバイスを製造する工程と、を含み、
【0011】
【数2】
式中、N及びHは各々、使用中に判定される突起部の数及び高さ(μm)であり、ウエハを支持するために、突起部がベース面から突出しており、丸みのある先端を有し、丸みのある先端が、全体に該丸みのある先端による点接触によってウエハの裏面が支持されるようになされたものであり、突起部が、上にウエハが配置されるベース面の領域において、実質的に一様に配置される。
【0012】
本開示において、本発明の態様及び従来技術を越えて得られる利点を簡単に説明するために、本発明の目的及び利点が説明された。当然ながら、そのような全ての目的又はすべての利点が、本発明の任意の特定の実施形態に従って、必ずしも達成されるものではないことが理解されるべきである。それ故に当業者は、例えば、本発明が、ここに教示又は示唆された他の目的又は他の利点を必ずしも達成することなく、ここに教示された一つの利点又は利点の集まりを達成又は最適化するように、具現化され実施され得ることを、認めるであろう。
【0013】
本発明のさらなる態様、特徴及び利点は、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【0014】
本発明のすでに述べた特徴及び他の特徴は、本発明を説明することを意図し、本発明を限定することを意図しない、好適な実施形態の図面を参照して、これから説明される。図面は説明のために大幅に単純化され、尺度も必ずしも一致しない。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】図1Aないし1Cは、従来のウエハ支持デバイスの概略図である。図1Aないし1Cの上の図は平面図であり、下の図は、各々、線1A−1A、線1B−1B、及び線1C−1Cに沿った断面図である。
【図2A】図2Aは、本発明のひとつの実施形態に従った、ウエハ支持デバイスの概略図である。上の図は上面図であり、中央の図は、ひとつの実施形態に従った線2A−2Aに沿った断面図であり、下の図は、他の実施形態に従った線2A−2Aに沿った断面図である。
【図2B】図2Bは、本発明の他の実施形態に従った、ウエハ支持デバイスの概略図である。上の図は上面図であり、中央の図は、ひとつの実施形態に従った線2B−2Bに沿った断面図であり、下の図は、他の実施形態に従った線2B−2Bに沿った断面図である。
【図2C】図2Cは、本発明のさらに他の実施形態に従った、ウエハ支持デバイスの概略図である。上の図は上面図であり、中央の図は、ひとつの実施形態に従った線2C−2Cに沿った断面図であり、下の図は、他の実施形態に従った線2C−2Cに沿った断面図である。
【図2D】図2Dは、本発明のさらなる他の実施形態に従った、ウエハ支持デバイスの概略図である。上の図は上面図であり、中央の図は、ひとつの実施形態に従った線2D−2Dに沿った断面図であり、下の図は、他の実施形態に従った線2D−2Dに沿った断面図である。
【図2E】図2Eは、本発明の別の実施形態に従った、ウエハ支持デバイスの概略図である。上の図は上面図であり、中央の図は、ひとつの実施形態に従った線2E−2Eに沿った断面図であり、下の図は、他の実施形態に従った線2E−2Eに沿った断面図である。
【図3】図3は、直径1mmの円柱状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のスクラッチ部分の欠陥レビューSEM(走査電子顕微鏡)画像である(比較例)。
【図4】図4は、本発明のひとつの実施形態に従った、直径2mmの球が埋め込まれた、頂部が球状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して、成膜したあとのウエハの裏面のスクラッチ部分の欠陥レビューSEM(走査電子顕微鏡)画像である。
【図5】図5は、本発明のひとつの実施形態に従った、直径2mmの球が埋め込まれた、頂部が球状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して、成膜したあとのウエハの裏面の円形の変形部分の欠陥レビューSEM(走査電子顕微鏡)画像である。
【図6】図6は、直径1mm、高さ30μmの円柱状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点(明るい点)はパーティクルの付着を示す(比較例)。
【図7】図7は、本発明のひとつの実施形態に従った、直径2mmの球が埋め込まれた、高さ50μm、頂部が球状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点はパーティクルの付着を示す。
【図8】図8は、本発明の実施形態に従った、膜応力と突起部の高さとの関係を示すグラフである。
【図9】図9は、本発明の実施形態に従った、ウエハの裏面のパーティクルの数と突起部の高さとの関係を示すグラフである。
【図10】図10は、本発明の実施形態に従った、膜応力及びパーティクルの数に関した、突起部の高さと突起部の数との関係を示すグラフである。
【図11】図11は、膜厚の均一性と突起部の高さとの関係を示すグラフである(参考例)。
【図12】図12は、膜応力と突起部の高さとの関係を示すグラフである(参考例)。
【図13】図13は、本発明のひとつの実施形態に従った、ウエハ支持デバイスを備えた半導体処理装置の概略図である。
【図14】図14は、直径2mmの球が埋め込まれた、高さ10μm、頂部が球状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点はパーティクルの付着を示す(比較例)。
【図15】図15は、直径2mmの球が埋め込まれた、高さ30μm、頂部が球状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点はパーティクルの付着を示す(比較例)。
【図16】図16は、直径2mmの球が埋め込まれた、高さ32μm、頂部が球状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点はパーティクルの付着を示す(比較例)。
【図17】図17は、本発明の実施形態に従った、突起部の高さH(μm)と突起部の数(N)との関係を示すグラフであり、グレーの領域が、膜特性とパーティクルの集積を著しく改良する範囲を表す。
【発明を実施するための形態】
【0016】
本開示において、「実質的に等しい」又は「実質的に均一」等は、例えば、10パーセント以下、5パーセント以下、1パーセント以下、またはそれらの任意の範囲にあるような違い(差)のように当業者に認識される違いに言及するものであり得る。本開示において、「点接触」は、少なくとも一方の表面が曲面を持ち理論的又は実質的に一点で最初に互いに接触する、二つの別々の物体の硬い(剛体の)表面に係るものであり得る。または、直径が約50μm以下、又は直径が約20μm以下の接触領域に係るものであり得る。本開示において、定義された意味はいずれも、ある実施形態においては、一般的又は習慣的な意味を必ずしも排除するものではない。条件及び/又は構造が指定されない本開示においては、当業者は、そのような条件及び/又は構造を、本開示を考慮し、通常の実験の問題として容易に提供し得る。また、本開示において、特定の実施形態に適用された数は、他の実施形態では少なくとも±50パーセントの範囲で修正することができ、実施形態において適用された範囲は、端点を含んでよく、または、除外してもよい。
【0017】
上述のように、ある実施形態では、ウエハを支持するための、半導体処理装置に設置されるよう構成されるウエハ支持デバイスは、(i)ベース面と、(ii)ウエハを支持するための、ベース面から突出する、丸みのある先端を有する突起部を含み、丸みのある先端が、全体として、該丸みのある先端による点接触によって、ウエハの裏面が支持されるようになされたものであり、突起部が、上にウエハが配置されるベース面の領域に実質的に一様に配置されている。使用中に判定される突起部の数(N)及び高さ(H:単位μm)は、300mmウエハに関する領域ごとに以下の不等式を満たす。
【0018】
【数3】
【0019】
図17は上記の関係を示すグラフであり、グレーの領域が膜の特性とパーティクルの集積を著しく改良する範囲を表す。ある実施形態では、Hは約50μm以下である。
【0020】
高さ(H)は、典型的に、ウエハ支持デバイスが使用中であるとき、すなわち、チャンバ内でウエハ支持デバイス上に配置されたウエハを処理している間の、ベース面の上面(基準面)から突起部の最高点(突起部の周囲にリセスがあるかどうかに関わらず)までの距離として定義される。ある実施形態において、セラミックの球又は合金の球が突起部を構成するために使用される場合、セラミックの球とベース面を含む材料との熱膨張の違いにより、突起部の高さは、ウエハ支持デバイスがウエハを処理するために、例えば400℃で使用される場合、処理の前の突起部の高さと比較して、例えば、約10μm減じられる。ある実施態様では、ウエハ支持デバイスが使用されていないときに、H’が突起部の高さとして定義される場合、不等式(−0.5N+50)<H’<65;5<N<100が充足される。ある実施形態において、セラミック又は合金の球が突起部を構成するために使用される場合、H=(H’−10μm)である。ある実施形態では、H’は少なくとも(−0.5N+52.3)であり、60μm以下である。突起部が、ウエハ支持デバイスの材料の表面を機械的に研磨することにより形成される場合、熱膨張の差の問題はないため、使用中の突起部の高さは、使用中でない場合と実質的に同一であり、すなわち、H=H’である。
【0021】
セラミック又は合金の球を使用して突起部を構成する場合、H(処理温度での使用中の高さ)は、H’(室温での使用中でない高さ)から、以下のように判定される。ウエハ支持デバイスが室温T0 からT1 まで加熱された場合、ベース面にある球を中に収容できる凹み(void)又はリセス(recess)の深さはAだけ増加する。
【0022】
【数4】
式中、CTE(M)は、ウエハ支持デバイスのベースの材料の線熱膨張係数であり、D(M)は、凹み又はリセスの直径である。
【0023】
同様に、球が室温T0 からT1 まで加熱された場合、球の直径はBだけ増加する。
【0024】
【数5】
式中、CTE(B)は、球の線熱膨張係数であり、D(B)は、球の直径である。従って、以下のようになる。
【0025】
【数6】
【0026】
例えば、球がサファイア(CTE(B)=7E-6)でできており、ベースの材料がアルミニウム合金6061(CTE(M)=23E-6)であり、球及び凹み又はリセスの直径が0.002m(D(B)=D(M)=0.002)であり、T1 が400(T1 =400℃、T0 =25℃)である場合、(A−B)の値は24.0E-6(m)と計算できる。
【0027】
ある実施形態において、Nは約20から約40までの整数である。ある実施形態では、Nは21以上であるが、60より少ない。形態に従って、ウエハ支持デバイスを使用して、TEOSから形成される酸化ケイ素膜などの膜は、安定した応力(stable stress)を有し(ウエハ間の膜応力の偏差は、例えば、約20MPa又は約10MPa以内に抑制することができる)、ウエハの裏面に付着するパーティクルの数は、300mmウエハについて面積当たり、約400以下又は約200以下まで減ずることができる。ある実施態様において、ウエハ支持デバイスは加熱要素又は個別の電極を含まず、または、電気的チャックに必要な、または電気的チャックとして機能するいかなる構造も有しない。ある実施形態では、ウエハ支持デバイスは、電気的チャックに必要な、または電気的チャックとして機能するいかなる構造を有することなく、加熱要素及び/又は個別の電極を含む。
【0028】
ある実施形態では、ウエハの裏面と突起部の丸みのある先端が互いに点接触によって接するため、それらの間の(成膜の前の)最初の接触領域は非常に小さく、例えば、ウエハの裏面の領域に対して、10-6%ないし10-3%(ある実施形態では、10-5%ないし10-4%)の範囲にある。
【0029】
ある実施形態では、ベース面のひとつの直径に沿った線上に並べられる突起部は実質的に等しい間隔で配列される。ある実施形態では、突起部はベース面に幾何学的配置において並べられ、突起部の各々が、突起部によって形成される同一(合同)の正方形又は同一(合同)の正三角形の頂点を構成する。あるいは、ある実施形態では、突起部は同心円状に配置される。あるいは、ある実施形態では、突起部はベース面に幾何学的配置で並べられ、各々の突起部が、突起部によって形成される同一(合同)の正六角形の各々の頂点を構成する。ある実施形態では、前述の任意の形態が、任意の組合せにおいて、単一のベース面に使用されうる。
【0030】
ある実施形態において、突起部はベース面に埋め込まれたセラミックの球から形成される。ある実施形態では、セラミックの球はサファイアでできている。ある実施形態では、セラミックの球はアルミナ、他の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化マグネシウム、炭化ケイ素のようなものからできている。ある実施形態では、突起部はドーム形セラミックの形態である。ある実施形態では、ステンレス鋼、アルミ合金、チタン合金のようなものが使用されてもよい。ある実施形態では、丸い先端は約1ミリないし約2ミリの半径を有する。ある実施形態では、セラミックの球は、約2ミリないし4ミリの直径を有する。
【0031】
ある実施形態では、突起部はベース面の材料と同じ材料でできている。ベース面は、アルミニウム、陽極酸化アルミニウム、アルミ合金のようなものでできていてよい。
【0032】
ある実施形態では、ベース面に、ウエハを支持するための突起部以外の突起部は与えられない。ある実施形態では、ベース面は、突起部以外に、段差、スペーサ、又はリムを有さず、クランプ機構を有しない。ある実施形態では、ウエハは突起部の上に、主に又は実質的に、重力によって(by gravity)取り付けられる。
【0033】
本発明の他の態様では、半導体処理装置が提供され、該半導体処理装置は、(I)真空にすることができる反応チャンバと、(II)任意の前述のウエハ支持デバイスと加熱ブロックとを含むサセプタであって、反応チャンバ内に設置されるサセプタと、(III)サセプタと平行に反応チャンバ内に設置されるシャワーヘッドと、を含む。ある実施形態では、ウエハ支持デバイスは、プラズマCVD装置又は熱CVD装置を含むCVD装置、プラズマALD装置又は熱ALD装置を含むALD装置、又はエッチング装置内で、サセプタとして使用することができる。ある実施形態では、半導体処理装置はさらに、RFパワー源を含み、サセプタ及びシャワーヘッドが、プラズマを発生させるために、それぞれ下部電極及び上部電極として機能する。
【0034】
本発明のさらなる他の態様では、ウエハを支持するためのウエハ支持デバイスであって、半導体処理装置内に設置されるよう構成されたウエハ支持デバイスの製造方法が提供され、該方法は、(a)ウエハ支持デバイスにベース面を与える工程と、(b)300mmウエハについて面積当たり、不等式:(−0.5N+40)≦H≦53;5≦N≦100を使用して突起部を設計する工程と、(c)設計された突起部を備えたウエハ支持デバイスを製造する工程と、を含み、上記の式中、N及びHは各々、使用中に判定される突起部の数及び高さ(μm)であり、突起部がベース面から突出しウエハを支持するための丸い先端を有し、丸い先端が、大部分において該丸い先端による点接触によって、ウエハの裏面が支持されるようになされたものであり、突起部が、上方にウエハが取り付けられるベース面の領域において実質的に一様に配置される、ことを特徴とする。
【0035】
ある実施形態において、不等式は、(−0.5N+X)<H<Y;5<N<100であり、式中、X=40.5、41、42、43、44又は45であり、及び、Y=47、48、49、50、51又は52であり、これらの任意の組合せである。ある実施形態では、Nは約20から約40までの整数である。ある実施形態では、Nは21以上であるが、60より小さい。
【0036】
本発明は、本発明を限定することを意図しない実施形態及び図面を参照して、詳細に説明されるであろう。
【0037】
図2Aは、本発明のひとつの実施形態に従ったウエハ支持デバイス10の概略図であり、上の図は上面図であり、中央の図は、ひとつの実施形態に従った線2A―2Aに沿った断面図であり、下の図は、他の実施形態に従った線2A―2Aに沿った断面図である。この実施形態では、突起部11、11’はベース面に渡って幾何学的配置で並べられ、突起部の各々が突起部によって形作られる同一の正方形の各々の頂点を構成する。ベース面の直径に沿った線(2A―2A)上に並んだ突起部11、11’は、実質的に同じ間隔で配列されている。突起部11はベース面に埋め込まれたセラミックの球であり、それに対して、突起部11’は、ベース面の材料と同じ材料で形成されている。セラミック球11はベース面にコーキング(かしめ)によって埋め込まれ得る。例えば、特開2007−180246公報(特許文献1)に開示されたかしめ方法を使用することができ、その開示全体が本明細書に組み込まれる。突起部11’は機械的に、例えば研磨することにより、形成することができる。図2Bに示されているウエハ支持デバイス12及び突起部13、13’は、図2Aの突起部11、11’の数が21個であるのに対し、図2Bの突起部13、13’の数が37個であることを除いては、図2Aに示されているものと同様のものである。
【0038】
図2Dに示されているウエハ支持デバイス16及び突起部17、17’は、図2Aの突起部11、11’の数が21個であるのに対し図2Dの突起部17、17’の数が22個であることと、突起部17、17’がベース面に渡って幾何学的配置で並べられ、突起部の各々が、突起部によって形作られる同一の正三角形の各々の頂点を構成していることを除いては、図2Aに示されているものと同様のものである。図2Dに示されている形態において、どの二つの隣り合う突起部の間の距離も等しく、それによって、たるみを生じさせることなく、より均一にウエハを支持することができる。
【0039】
図2Eに示されているウエハ支持デバイス18及び突起部19、19’は、突起部19、19’が同心円状に配置されていることを除いては、図2Aに示されているものと同様のものである(図2Eの突起部19、19’の数は21個であり、図2Aの突起部の数に等しい)。
【0040】
図2Cに示されているウエハ支持デバイス14及び突起部15、15’は、図2Aの突起部11、11’の数が21個であるのに対して図2Cの突起部15、15’の数が54個であり、及び、突起部15、15’がベース面に渡って幾何学的配置で並べられ、各々の突起部が突起部によって形作られる同一の正六角形の各々の頂点を構成することを除いては、図2Aに示されているものと同様のものである。また、ベース面の直径に沿った線上に並べられた突起部15、15’は等しい間隔で並べられておらず、二つの異なった間隔(交互に、長い間隔と短い間隔)で配列されている。
【0041】
図13は、本発明のひとつの実施形態に従ったウエハ支持デバイスを備えた半導体処理装置の概略図である。反応チャンバ111において、サセプタトッププレート(ウエハ支持デバイス)101は加熱要素を含み、それは上下移動可能である。シャワーヘッド102はウエハ支持デバイス101の上に平行に配置される。シャワーヘッド102及びウエハ支持デバイス101は、容量結合されそれぞれ上部電極及び下部電極として機能する。RFパワー源105がシャワーヘッド102にRFパワーを供給し、ウエハ支持デバイスは接地される。シャワーヘッド102へ、バルブ103を備えたライン108を経由して前駆物質が供給され、一方で反応物質又は他の反応ガスが、バルブ104を備えたライン109を経由して供給される。反応チャンバは排気システムを有する(図示せず)。
【0042】
実施例
(比較例1)
図13に示された半導体処理装置により、300mmウエハ上に、TEOSを使用して約350nmの厚みを有する酸化ケイ素膜が成膜された。半導体処理装置内に、17個の円柱状の突起部が同心円状に分布したウエハ支持デバイス(アルミ合金製)が設置され、円柱の直径は1.0mm、高さ(H’)は50μmであった(突起部が機械的に形成されていることから、使用中の高さ(H)は使用中でない高さ(H’)と同じものとして判定された)。成膜の後、ウエハの裏面が観察された。図3は、成膜の後の、ウエハの裏面のスクラッチ部分の欠陥レビューSEM(走査電子顕微鏡)画像である。図3に示されているように、大きなスクラッチ(そのうちのいくつかは長さが1mm以上であり幅が50μmないし100μmであった)の多くの領域が、概して、突起部の先端が位置していた領域に観察された。さらに、図6(成膜した後のウエハ表面検査システムによるウエハの裏面のパーティクルマップ、輝点はパーティクルの付着を示す)に示されているように、パーティクルの集積が観察され、0.2μm以上の直径を有する247のパーティクルが観察された。
【0043】
(実施例1)
図2Bに示されたウエハ支持デバイス(37個の突起部)であって、直径2mm、高さ(H’)50μm(H=38μm)のサファイアの球を使用したものが使用された。その他は比較例1と同じ方法によりウエハ上に成膜が行われた。アルミ合金の本体とサファイア球との熱膨張係数の違いのため、使用中の高さ(H)は、以下の式により計算されたように、使用中でないときの高さ(H’)より約12μm短くなると判定された。
【0044】
【数7】
【0045】
図4は、成膜の後の、ウエハの裏面のスクラッチ部分の欠陥レビューSEM(走査電子顕微鏡)画像である。図5は、成膜のあとのウエハの裏面の円形の変形部分の欠陥レビューSEM(走査電子顕微鏡)画像である。図4、5に示されているように、スクラッチ及び円形の変形部分は観察されたものの、それらは非常に小さく、直径約20μmないし約30μmの範囲内の小さい領域に限定されていた。さらに、図7(成膜した後のウエハ表面検査システムによるウエハの裏面のパーティクルマップ、輝点はパーティクルの付着を示す)に示されているように、比較例に比べ、パーティクルの集積が著しく少ないことが観測され、112の直径0.2μm以上のパーティクルが観察された。
【0046】
(実施例2)
直径2mmのサファイア球を使用した図2Aに図示のウエハ支持デバイス(21個の突起部)、及び、直径2mmのサファイア球を使用した図2Bに図示のウエハ支持デバイス(37個の突起部)が使用され、これらのウエハ支持デバイスの高さ(H’)が、図8に示されているように、変更され、膜の膜応力が測定された(アルミ合金の本体とサファイア球との熱膨張係数の違いのため、使用中の高さ(H)は使用中でないときの高さ(H’)より約12μm低くなると判定された)。そのほかは、実施例1と同じ方法で、ウエハ上に成膜が行われた。図8は、この実施形態に従った、膜応力と突起部の高さ(H’)との関係を示すグラフである。応力(ストレス)は7つの膜の平均であり、図2Aに示されたウエハ支持デバイスを使用して、高さ(H’)が40μm以下のときのデータが取得され、図2Bに示されたウエハ支持デバイスを使用して、高さ(H’)が40μmを上回るときのデータが取得された。図8に示されているように、突起部の高さ(H’)が約60μm又は約65μmより小さい(H<約48μm、または、H<53μm)場合、膜応力の偏差は10MPa以内に減少され得る。
【0047】
(実施例3)
直径2mmのサファイア球を使用した図2Aに図示のウエハ支持デバイス(21個の突起部)、及び、直径2mmのサファイア球を使用した図2Bに図示のウエハ支持デバイス(37個の突起部)が使用され、これらのウエハ支持デバイスの高さ(H’)が、図9に示されているように変更され、ウエハの裏面のパーティクルの数が測定された。そのほかは、実施例1と同じ方法で、ウエハ上に成膜が行われた。図9は、この実施形態に従った、ウエハの裏面のパーティクルの数と突起部の高さ(H’)との関係を示すグラフである。パーティクルの数は、三つのウエハの平均であった。図9に示されているように、図2A(21個の突起部)に示されている突起部の高さ(H’)が約40μmを下回る(H<約28μm)ことがない場合、直径0.2μm以上のパーティクルの数を約500未満に制御することができ、突起部(21個の突起部)の高さ(H’)が約40μmを上回る場合(H>約28μm)、直径0.2μm以上パーティクルの数を約300未満に制御することができ、それに対して、図2Bに示された突起部(37個の突起部)の高さ(H’)が30μmを上回る場合(H>約18μm)、直径0.2μm以上のパーティクルの数を300未満に制御することができた。図2Aに示された突起部(21個の突起部)及び図2Bに示された突起部(37個の突起部)の両方に関して、突起部の高さ(H’)が約50μm以上(H≧約38μm)の場合、パーティクルの数を約200未満に減少させることができるであろう。
【0048】
図14は、高さ(H’)10μm(H≒0μm)の球状の頂部の21個の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点はパーティクルの付着を示す(比較例として)。サファイアの球が使用された場合、使用中の高さ(H)は使用中でないときの高さ(H’)よりも約12μm短くなると判定され、従って、12μmの高さ(H’)はほぼ全面的な接触であると判定された。図15は、高さ(H’)30μm(H=18μm)の球状の頂部の21個の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点はパーティクルの付着を示す(比較例として)。図16は、高さ(H’)32μm(H=20μm)の球状の頂部の21個の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点はパーティクルの付着を示す(比較例として)。21個の突起部(サファイア球)を有するウエハ支持デバイスに関し、高さ(H’)が32μm以下(H≦20μm)の場合は、成膜の間、たるみによって、ウエハの裏面がウエハ支持デバイスのベース面に、突起部と突起部の間の領域において接触し(突起部の周りのパーティクルは少なかった)、それによってウエハの裏面におけるパーティクルの集積が増加した。
【0049】
(参考例1)
突起部の高さが変更されたことを除いては、比較例1と同じ方法でウエハ上に成膜が行われた。図11は、膜厚の均一性と突起部の高さとの関係を示すグラフである。図12は、膜応力と突起部の高さとの関係を示すグラフである。図11及び図12に示されているように、突起部の高さが約60μmを超えた場合、膜応力だけではなく膜厚の均一性も悪くなった。図12は図8に対応しており、従って、球状の頂部の突起部を有するウエハ支持デバイスが使用される場合はまた、突起部の高さが約60μmを上回るとき、膜厚の均一性が悪くなると考えられる。
【0050】
(突起部の数と高さとの関係)
実験を通じて、突起部ごとに平均して二つの直径0.2μm以上のパーティクルが発生し、ウエハの裏面に付着すると判定され得る。従って、突起部の数が約100以下である場合、パーティクルの数は約200以下になり得ると予想される。さらに、突起部の数が増加する場合、ウエハ支持デバイスを製造するコストもまた増加する。上記の点及び前述の実施例に鑑みて、図10は、本発明の実施形態に従って、膜応力及びパーティクルの数を著しく改良するための、突起部の高さ(H’)と突起部の数との関係を示すグラフである。図10において、「N/G」は、「不良」又は「基準を満たさない」ことを示し、「OK」は「基準を満たす」又は「十分」であることを示し、「Gray」は「基準を満たさない」と「基準を満たす」との間の範囲を示し、及び、「OK B/L」は「基準を満たす」ボーダーラインを示す。
【0051】
当業者は、本発明の思想から逸脱することなく、多数の様々な修正ができることを理解するであろう。それ故、本発明の形態は説明のためのものであり、本発明の範囲を限定することを意図しないものであることが、明確に理解されなければならない。
【技術分野】
【0001】
本発明は、概して、半導体処理チャンバに設置されるウエハ支持デバイスに関し、特に、ウエハを支持するための突起部を有するウエハ支持デバイスに関する。
【背景技術】
【0002】
ひとつの典型的な従来のサセプタは、図1Aに示されているように、平坦な表面を有する。ウエハ支持デバイス1が、典型的にヒータを含むサセプタのベースに取り付けられるよう構成されている。ウエハが、プラズマ励起CVD又はプラズマ励起ALDによって処理するために、ウエハ支持デバイスの上に配置される。図1Aに示されているように(上の図は平面図であり、下の図は線1A―1Aに沿った断面図である)、ウエハ支持デバイスは平坦な表面を有する。しかしながら、ウエハが平坦な表面に配置され、処理される場合、成膜のあと、ウエハの裏面に、パーティクルの発生と集積(accumulation)が典型的に観測される。さらに、処理のタイプによって、ウエハの裏面がウエハ支持デバイスの上面に貼り付くということがしばしば起こる。上記問題を解決するために、従来、二つのタイプのウエハ支持デバイスが開発された。図1B(上の図は平面図であり、下の図は線1B―1Bに沿った断面図である)は、連続的なベース(基準)面による分離された凸部3を有するエンボスタイプのウエハ支持デバイス2を示す。図1C(上の図は平面図であり、下の図は線1C―1Cに沿った断面図である)は、連続的なベース面による分離された凹部5を有するディンプルタイプのウエハ支持デバイス4を示す。図1Bに示されている凸部は、上から見ると方形であるが、円形の場合もある。同様に、図1Bに示されている凸部は、上から見ると円形であるが、方形の場合もある。
【0003】
成膜の間に、ウエハの裏面に発生し付着するパーティクルの数を減ずるために、ウエハの裏面とサセプタの上面との間の接触領域を減ずることが概して効果的である。しかしながら、エンボスタイプ又はディンプルタイプのウエハ支持デバイスが使用される場合でさえ、ウエハの裏面におけるパーティクルの発生と集積は、依然として問題である。さらに、ウエハ支持デバイスの凸部又は凹部はまた、膜厚及び膜特性の均一性に影響を及ぼす。
【0004】
従来技術に包含される問題及び解決策に係る検討はいずれも、単に、本発明の背景の説明の目的で本開示に含まれるものであり、該検討のいずれか又は全てが、本発明が成されたときに既知であったと認めるものと解釈されるべきではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2007−180246公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
従って、ひとつの態様において、本発明の目的は、成膜の間にウエハの裏面に付着するパーティクルの数を減ずることができ、また、膜厚及び膜特性の均一性を改良することができる、サセプタの上面を提供することである。パーティクルが、成膜の間にウエハ支持デバイスの上面と互いに接触するところのウエハの裏面に観測されることから、ある実施形態においては、ウエハの裏面とウエハ支持デバイスとの間の接触領域を減ずるために、ウエハ支持デバイスのベース面に丸い(丸みのある)先端を有する突起部が与えられ、それによって接触領域を減ずることができる。この場合、ウエハの裏面とウエハ支持デバイスの上面との間の接触点の数を減ずるために、突起部の数を減ずることが効果的であろう。しかしながら、突起部の数が少ない場合、処理のタイプによっては、ウエハは、接触点と接触点との間でわずかにたるみ、または変形されがちであり(例えわずかであっても)、それによってサセプタの上面と接触し、ウエハの裏面におけるパーティクルの発生と集積を増加させることになる。上記において、ウエハがわずかにたるみ変形した場合であっても、突起部の高さを増すことにより、ウエハの裏面とウエハ支持デバイスの上面との間の接触を抑制することが可能である。しかしながら、突起部の高さが増す場合、膜応力(ストレス)が悪くなりがちである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題に鑑みて、ある実施形態においては、丸みのある先端を有する突起部を使用して、突起部の数及び高さを制御パラメータとして使用することにより、ウエハ支持デバイスが設計され、それによってウエハの裏面におけるパーティクルの集積を著しく減ずることができ、膜応力及び膜厚の均一性などの膜特性を改良することができる。
【0008】
ある実施形態は、半導体処理装置に設置されるよう構成された、ウエハを支持するためのウエハ支持デバイスを提供するものであり、該ウエハ支持デバイスは、(i)ベース面と、(ii)ウエハを支持するための、ベース面から突出する、丸みのある先端を有する突起部とを含み、丸みのある先端が、全体に該丸みのある先端による点接触によってウエハの裏面が支持されるようになされたものであり、突起部が、上にウエハが配置されるベース面の領域において、実質的に一様に配置され、使用中で判定される突起部の数(N)及び高さ(H:単位μm)が、300mmウエハに対する領域毎(面積当たり)(per area for a 300-mm wafer)に以下の不等式を満たす。
【0009】
【数1】
【0010】
他の態様において、ある実施形態は、半導体処理装置に設置されるよう構成された、ウエハを支持するためのウエハ支持デバイスの製造方法を提供するものであり、この製造方法は、(I)ウエハ支持デバイスにベース面を与える工程と、(II)300mmウエハに関する領域ごとに以下の不等式を使用して突起部を設計する工程と、(III)設計された突起部を有するウエハ支持デバイスを製造する工程と、を含み、
【0011】
【数2】
式中、N及びHは各々、使用中に判定される突起部の数及び高さ(μm)であり、ウエハを支持するために、突起部がベース面から突出しており、丸みのある先端を有し、丸みのある先端が、全体に該丸みのある先端による点接触によってウエハの裏面が支持されるようになされたものであり、突起部が、上にウエハが配置されるベース面の領域において、実質的に一様に配置される。
【0012】
本開示において、本発明の態様及び従来技術を越えて得られる利点を簡単に説明するために、本発明の目的及び利点が説明された。当然ながら、そのような全ての目的又はすべての利点が、本発明の任意の特定の実施形態に従って、必ずしも達成されるものではないことが理解されるべきである。それ故に当業者は、例えば、本発明が、ここに教示又は示唆された他の目的又は他の利点を必ずしも達成することなく、ここに教示された一つの利点又は利点の集まりを達成又は最適化するように、具現化され実施され得ることを、認めるであろう。
【0013】
本発明のさらなる態様、特徴及び利点は、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【0014】
本発明のすでに述べた特徴及び他の特徴は、本発明を説明することを意図し、本発明を限定することを意図しない、好適な実施形態の図面を参照して、これから説明される。図面は説明のために大幅に単純化され、尺度も必ずしも一致しない。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】図1Aないし1Cは、従来のウエハ支持デバイスの概略図である。図1Aないし1Cの上の図は平面図であり、下の図は、各々、線1A−1A、線1B−1B、及び線1C−1Cに沿った断面図である。
【図2A】図2Aは、本発明のひとつの実施形態に従った、ウエハ支持デバイスの概略図である。上の図は上面図であり、中央の図は、ひとつの実施形態に従った線2A−2Aに沿った断面図であり、下の図は、他の実施形態に従った線2A−2Aに沿った断面図である。
【図2B】図2Bは、本発明の他の実施形態に従った、ウエハ支持デバイスの概略図である。上の図は上面図であり、中央の図は、ひとつの実施形態に従った線2B−2Bに沿った断面図であり、下の図は、他の実施形態に従った線2B−2Bに沿った断面図である。
【図2C】図2Cは、本発明のさらに他の実施形態に従った、ウエハ支持デバイスの概略図である。上の図は上面図であり、中央の図は、ひとつの実施形態に従った線2C−2Cに沿った断面図であり、下の図は、他の実施形態に従った線2C−2Cに沿った断面図である。
【図2D】図2Dは、本発明のさらなる他の実施形態に従った、ウエハ支持デバイスの概略図である。上の図は上面図であり、中央の図は、ひとつの実施形態に従った線2D−2Dに沿った断面図であり、下の図は、他の実施形態に従った線2D−2Dに沿った断面図である。
【図2E】図2Eは、本発明の別の実施形態に従った、ウエハ支持デバイスの概略図である。上の図は上面図であり、中央の図は、ひとつの実施形態に従った線2E−2Eに沿った断面図であり、下の図は、他の実施形態に従った線2E−2Eに沿った断面図である。
【図3】図3は、直径1mmの円柱状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のスクラッチ部分の欠陥レビューSEM(走査電子顕微鏡)画像である(比較例)。
【図4】図4は、本発明のひとつの実施形態に従った、直径2mmの球が埋め込まれた、頂部が球状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して、成膜したあとのウエハの裏面のスクラッチ部分の欠陥レビューSEM(走査電子顕微鏡)画像である。
【図5】図5は、本発明のひとつの実施形態に従った、直径2mmの球が埋め込まれた、頂部が球状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して、成膜したあとのウエハの裏面の円形の変形部分の欠陥レビューSEM(走査電子顕微鏡)画像である。
【図6】図6は、直径1mm、高さ30μmの円柱状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点(明るい点)はパーティクルの付着を示す(比較例)。
【図7】図7は、本発明のひとつの実施形態に従った、直径2mmの球が埋め込まれた、高さ50μm、頂部が球状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点はパーティクルの付着を示す。
【図8】図8は、本発明の実施形態に従った、膜応力と突起部の高さとの関係を示すグラフである。
【図9】図9は、本発明の実施形態に従った、ウエハの裏面のパーティクルの数と突起部の高さとの関係を示すグラフである。
【図10】図10は、本発明の実施形態に従った、膜応力及びパーティクルの数に関した、突起部の高さと突起部の数との関係を示すグラフである。
【図11】図11は、膜厚の均一性と突起部の高さとの関係を示すグラフである(参考例)。
【図12】図12は、膜応力と突起部の高さとの関係を示すグラフである(参考例)。
【図13】図13は、本発明のひとつの実施形態に従った、ウエハ支持デバイスを備えた半導体処理装置の概略図である。
【図14】図14は、直径2mmの球が埋め込まれた、高さ10μm、頂部が球状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点はパーティクルの付着を示す(比較例)。
【図15】図15は、直径2mmの球が埋め込まれた、高さ30μm、頂部が球状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点はパーティクルの付着を示す(比較例)。
【図16】図16は、直径2mmの球が埋め込まれた、高さ32μm、頂部が球状の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点はパーティクルの付着を示す(比較例)。
【図17】図17は、本発明の実施形態に従った、突起部の高さH(μm)と突起部の数(N)との関係を示すグラフであり、グレーの領域が、膜特性とパーティクルの集積を著しく改良する範囲を表す。
【発明を実施するための形態】
【0016】
本開示において、「実質的に等しい」又は「実質的に均一」等は、例えば、10パーセント以下、5パーセント以下、1パーセント以下、またはそれらの任意の範囲にあるような違い(差)のように当業者に認識される違いに言及するものであり得る。本開示において、「点接触」は、少なくとも一方の表面が曲面を持ち理論的又は実質的に一点で最初に互いに接触する、二つの別々の物体の硬い(剛体の)表面に係るものであり得る。または、直径が約50μm以下、又は直径が約20μm以下の接触領域に係るものであり得る。本開示において、定義された意味はいずれも、ある実施形態においては、一般的又は習慣的な意味を必ずしも排除するものではない。条件及び/又は構造が指定されない本開示においては、当業者は、そのような条件及び/又は構造を、本開示を考慮し、通常の実験の問題として容易に提供し得る。また、本開示において、特定の実施形態に適用された数は、他の実施形態では少なくとも±50パーセントの範囲で修正することができ、実施形態において適用された範囲は、端点を含んでよく、または、除外してもよい。
【0017】
上述のように、ある実施形態では、ウエハを支持するための、半導体処理装置に設置されるよう構成されるウエハ支持デバイスは、(i)ベース面と、(ii)ウエハを支持するための、ベース面から突出する、丸みのある先端を有する突起部を含み、丸みのある先端が、全体として、該丸みのある先端による点接触によって、ウエハの裏面が支持されるようになされたものであり、突起部が、上にウエハが配置されるベース面の領域に実質的に一様に配置されている。使用中に判定される突起部の数(N)及び高さ(H:単位μm)は、300mmウエハに関する領域ごとに以下の不等式を満たす。
【0018】
【数3】
【0019】
図17は上記の関係を示すグラフであり、グレーの領域が膜の特性とパーティクルの集積を著しく改良する範囲を表す。ある実施形態では、Hは約50μm以下である。
【0020】
高さ(H)は、典型的に、ウエハ支持デバイスが使用中であるとき、すなわち、チャンバ内でウエハ支持デバイス上に配置されたウエハを処理している間の、ベース面の上面(基準面)から突起部の最高点(突起部の周囲にリセスがあるかどうかに関わらず)までの距離として定義される。ある実施形態において、セラミックの球又は合金の球が突起部を構成するために使用される場合、セラミックの球とベース面を含む材料との熱膨張の違いにより、突起部の高さは、ウエハ支持デバイスがウエハを処理するために、例えば400℃で使用される場合、処理の前の突起部の高さと比較して、例えば、約10μm減じられる。ある実施態様では、ウエハ支持デバイスが使用されていないときに、H’が突起部の高さとして定義される場合、不等式(−0.5N+50)<H’<65;5<N<100が充足される。ある実施形態において、セラミック又は合金の球が突起部を構成するために使用される場合、H=(H’−10μm)である。ある実施形態では、H’は少なくとも(−0.5N+52.3)であり、60μm以下である。突起部が、ウエハ支持デバイスの材料の表面を機械的に研磨することにより形成される場合、熱膨張の差の問題はないため、使用中の突起部の高さは、使用中でない場合と実質的に同一であり、すなわち、H=H’である。
【0021】
セラミック又は合金の球を使用して突起部を構成する場合、H(処理温度での使用中の高さ)は、H’(室温での使用中でない高さ)から、以下のように判定される。ウエハ支持デバイスが室温T0 からT1 まで加熱された場合、ベース面にある球を中に収容できる凹み(void)又はリセス(recess)の深さはAだけ増加する。
【0022】
【数4】
式中、CTE(M)は、ウエハ支持デバイスのベースの材料の線熱膨張係数であり、D(M)は、凹み又はリセスの直径である。
【0023】
同様に、球が室温T0 からT1 まで加熱された場合、球の直径はBだけ増加する。
【0024】
【数5】
式中、CTE(B)は、球の線熱膨張係数であり、D(B)は、球の直径である。従って、以下のようになる。
【0025】
【数6】
【0026】
例えば、球がサファイア(CTE(B)=7E-6)でできており、ベースの材料がアルミニウム合金6061(CTE(M)=23E-6)であり、球及び凹み又はリセスの直径が0.002m(D(B)=D(M)=0.002)であり、T1 が400(T1 =400℃、T0 =25℃)である場合、(A−B)の値は24.0E-6(m)と計算できる。
【0027】
ある実施形態において、Nは約20から約40までの整数である。ある実施形態では、Nは21以上であるが、60より少ない。形態に従って、ウエハ支持デバイスを使用して、TEOSから形成される酸化ケイ素膜などの膜は、安定した応力(stable stress)を有し(ウエハ間の膜応力の偏差は、例えば、約20MPa又は約10MPa以内に抑制することができる)、ウエハの裏面に付着するパーティクルの数は、300mmウエハについて面積当たり、約400以下又は約200以下まで減ずることができる。ある実施態様において、ウエハ支持デバイスは加熱要素又は個別の電極を含まず、または、電気的チャックに必要な、または電気的チャックとして機能するいかなる構造も有しない。ある実施形態では、ウエハ支持デバイスは、電気的チャックに必要な、または電気的チャックとして機能するいかなる構造を有することなく、加熱要素及び/又は個別の電極を含む。
【0028】
ある実施形態では、ウエハの裏面と突起部の丸みのある先端が互いに点接触によって接するため、それらの間の(成膜の前の)最初の接触領域は非常に小さく、例えば、ウエハの裏面の領域に対して、10-6%ないし10-3%(ある実施形態では、10-5%ないし10-4%)の範囲にある。
【0029】
ある実施形態では、ベース面のひとつの直径に沿った線上に並べられる突起部は実質的に等しい間隔で配列される。ある実施形態では、突起部はベース面に幾何学的配置において並べられ、突起部の各々が、突起部によって形成される同一(合同)の正方形又は同一(合同)の正三角形の頂点を構成する。あるいは、ある実施形態では、突起部は同心円状に配置される。あるいは、ある実施形態では、突起部はベース面に幾何学的配置で並べられ、各々の突起部が、突起部によって形成される同一(合同)の正六角形の各々の頂点を構成する。ある実施形態では、前述の任意の形態が、任意の組合せにおいて、単一のベース面に使用されうる。
【0030】
ある実施形態において、突起部はベース面に埋め込まれたセラミックの球から形成される。ある実施形態では、セラミックの球はサファイアでできている。ある実施形態では、セラミックの球はアルミナ、他の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化マグネシウム、炭化ケイ素のようなものからできている。ある実施形態では、突起部はドーム形セラミックの形態である。ある実施形態では、ステンレス鋼、アルミ合金、チタン合金のようなものが使用されてもよい。ある実施形態では、丸い先端は約1ミリないし約2ミリの半径を有する。ある実施形態では、セラミックの球は、約2ミリないし4ミリの直径を有する。
【0031】
ある実施形態では、突起部はベース面の材料と同じ材料でできている。ベース面は、アルミニウム、陽極酸化アルミニウム、アルミ合金のようなものでできていてよい。
【0032】
ある実施形態では、ベース面に、ウエハを支持するための突起部以外の突起部は与えられない。ある実施形態では、ベース面は、突起部以外に、段差、スペーサ、又はリムを有さず、クランプ機構を有しない。ある実施形態では、ウエハは突起部の上に、主に又は実質的に、重力によって(by gravity)取り付けられる。
【0033】
本発明の他の態様では、半導体処理装置が提供され、該半導体処理装置は、(I)真空にすることができる反応チャンバと、(II)任意の前述のウエハ支持デバイスと加熱ブロックとを含むサセプタであって、反応チャンバ内に設置されるサセプタと、(III)サセプタと平行に反応チャンバ内に設置されるシャワーヘッドと、を含む。ある実施形態では、ウエハ支持デバイスは、プラズマCVD装置又は熱CVD装置を含むCVD装置、プラズマALD装置又は熱ALD装置を含むALD装置、又はエッチング装置内で、サセプタとして使用することができる。ある実施形態では、半導体処理装置はさらに、RFパワー源を含み、サセプタ及びシャワーヘッドが、プラズマを発生させるために、それぞれ下部電極及び上部電極として機能する。
【0034】
本発明のさらなる他の態様では、ウエハを支持するためのウエハ支持デバイスであって、半導体処理装置内に設置されるよう構成されたウエハ支持デバイスの製造方法が提供され、該方法は、(a)ウエハ支持デバイスにベース面を与える工程と、(b)300mmウエハについて面積当たり、不等式:(−0.5N+40)≦H≦53;5≦N≦100を使用して突起部を設計する工程と、(c)設計された突起部を備えたウエハ支持デバイスを製造する工程と、を含み、上記の式中、N及びHは各々、使用中に判定される突起部の数及び高さ(μm)であり、突起部がベース面から突出しウエハを支持するための丸い先端を有し、丸い先端が、大部分において該丸い先端による点接触によって、ウエハの裏面が支持されるようになされたものであり、突起部が、上方にウエハが取り付けられるベース面の領域において実質的に一様に配置される、ことを特徴とする。
【0035】
ある実施形態において、不等式は、(−0.5N+X)<H<Y;5<N<100であり、式中、X=40.5、41、42、43、44又は45であり、及び、Y=47、48、49、50、51又は52であり、これらの任意の組合せである。ある実施形態では、Nは約20から約40までの整数である。ある実施形態では、Nは21以上であるが、60より小さい。
【0036】
本発明は、本発明を限定することを意図しない実施形態及び図面を参照して、詳細に説明されるであろう。
【0037】
図2Aは、本発明のひとつの実施形態に従ったウエハ支持デバイス10の概略図であり、上の図は上面図であり、中央の図は、ひとつの実施形態に従った線2A―2Aに沿った断面図であり、下の図は、他の実施形態に従った線2A―2Aに沿った断面図である。この実施形態では、突起部11、11’はベース面に渡って幾何学的配置で並べられ、突起部の各々が突起部によって形作られる同一の正方形の各々の頂点を構成する。ベース面の直径に沿った線(2A―2A)上に並んだ突起部11、11’は、実質的に同じ間隔で配列されている。突起部11はベース面に埋め込まれたセラミックの球であり、それに対して、突起部11’は、ベース面の材料と同じ材料で形成されている。セラミック球11はベース面にコーキング(かしめ)によって埋め込まれ得る。例えば、特開2007−180246公報(特許文献1)に開示されたかしめ方法を使用することができ、その開示全体が本明細書に組み込まれる。突起部11’は機械的に、例えば研磨することにより、形成することができる。図2Bに示されているウエハ支持デバイス12及び突起部13、13’は、図2Aの突起部11、11’の数が21個であるのに対し、図2Bの突起部13、13’の数が37個であることを除いては、図2Aに示されているものと同様のものである。
【0038】
図2Dに示されているウエハ支持デバイス16及び突起部17、17’は、図2Aの突起部11、11’の数が21個であるのに対し図2Dの突起部17、17’の数が22個であることと、突起部17、17’がベース面に渡って幾何学的配置で並べられ、突起部の各々が、突起部によって形作られる同一の正三角形の各々の頂点を構成していることを除いては、図2Aに示されているものと同様のものである。図2Dに示されている形態において、どの二つの隣り合う突起部の間の距離も等しく、それによって、たるみを生じさせることなく、より均一にウエハを支持することができる。
【0039】
図2Eに示されているウエハ支持デバイス18及び突起部19、19’は、突起部19、19’が同心円状に配置されていることを除いては、図2Aに示されているものと同様のものである(図2Eの突起部19、19’の数は21個であり、図2Aの突起部の数に等しい)。
【0040】
図2Cに示されているウエハ支持デバイス14及び突起部15、15’は、図2Aの突起部11、11’の数が21個であるのに対して図2Cの突起部15、15’の数が54個であり、及び、突起部15、15’がベース面に渡って幾何学的配置で並べられ、各々の突起部が突起部によって形作られる同一の正六角形の各々の頂点を構成することを除いては、図2Aに示されているものと同様のものである。また、ベース面の直径に沿った線上に並べられた突起部15、15’は等しい間隔で並べられておらず、二つの異なった間隔(交互に、長い間隔と短い間隔)で配列されている。
【0041】
図13は、本発明のひとつの実施形態に従ったウエハ支持デバイスを備えた半導体処理装置の概略図である。反応チャンバ111において、サセプタトッププレート(ウエハ支持デバイス)101は加熱要素を含み、それは上下移動可能である。シャワーヘッド102はウエハ支持デバイス101の上に平行に配置される。シャワーヘッド102及びウエハ支持デバイス101は、容量結合されそれぞれ上部電極及び下部電極として機能する。RFパワー源105がシャワーヘッド102にRFパワーを供給し、ウエハ支持デバイスは接地される。シャワーヘッド102へ、バルブ103を備えたライン108を経由して前駆物質が供給され、一方で反応物質又は他の反応ガスが、バルブ104を備えたライン109を経由して供給される。反応チャンバは排気システムを有する(図示せず)。
【0042】
実施例
(比較例1)
図13に示された半導体処理装置により、300mmウエハ上に、TEOSを使用して約350nmの厚みを有する酸化ケイ素膜が成膜された。半導体処理装置内に、17個の円柱状の突起部が同心円状に分布したウエハ支持デバイス(アルミ合金製)が設置され、円柱の直径は1.0mm、高さ(H’)は50μmであった(突起部が機械的に形成されていることから、使用中の高さ(H)は使用中でない高さ(H’)と同じものとして判定された)。成膜の後、ウエハの裏面が観察された。図3は、成膜の後の、ウエハの裏面のスクラッチ部分の欠陥レビューSEM(走査電子顕微鏡)画像である。図3に示されているように、大きなスクラッチ(そのうちのいくつかは長さが1mm以上であり幅が50μmないし100μmであった)の多くの領域が、概して、突起部の先端が位置していた領域に観察された。さらに、図6(成膜した後のウエハ表面検査システムによるウエハの裏面のパーティクルマップ、輝点はパーティクルの付着を示す)に示されているように、パーティクルの集積が観察され、0.2μm以上の直径を有する247のパーティクルが観察された。
【0043】
(実施例1)
図2Bに示されたウエハ支持デバイス(37個の突起部)であって、直径2mm、高さ(H’)50μm(H=38μm)のサファイアの球を使用したものが使用された。その他は比較例1と同じ方法によりウエハ上に成膜が行われた。アルミ合金の本体とサファイア球との熱膨張係数の違いのため、使用中の高さ(H)は、以下の式により計算されたように、使用中でないときの高さ(H’)より約12μm短くなると判定された。
【0044】
【数7】
【0045】
図4は、成膜の後の、ウエハの裏面のスクラッチ部分の欠陥レビューSEM(走査電子顕微鏡)画像である。図5は、成膜のあとのウエハの裏面の円形の変形部分の欠陥レビューSEM(走査電子顕微鏡)画像である。図4、5に示されているように、スクラッチ及び円形の変形部分は観察されたものの、それらは非常に小さく、直径約20μmないし約30μmの範囲内の小さい領域に限定されていた。さらに、図7(成膜した後のウエハ表面検査システムによるウエハの裏面のパーティクルマップ、輝点はパーティクルの付着を示す)に示されているように、比較例に比べ、パーティクルの集積が著しく少ないことが観測され、112の直径0.2μm以上のパーティクルが観察された。
【0046】
(実施例2)
直径2mmのサファイア球を使用した図2Aに図示のウエハ支持デバイス(21個の突起部)、及び、直径2mmのサファイア球を使用した図2Bに図示のウエハ支持デバイス(37個の突起部)が使用され、これらのウエハ支持デバイスの高さ(H’)が、図8に示されているように、変更され、膜の膜応力が測定された(アルミ合金の本体とサファイア球との熱膨張係数の違いのため、使用中の高さ(H)は使用中でないときの高さ(H’)より約12μm低くなると判定された)。そのほかは、実施例1と同じ方法で、ウエハ上に成膜が行われた。図8は、この実施形態に従った、膜応力と突起部の高さ(H’)との関係を示すグラフである。応力(ストレス)は7つの膜の平均であり、図2Aに示されたウエハ支持デバイスを使用して、高さ(H’)が40μm以下のときのデータが取得され、図2Bに示されたウエハ支持デバイスを使用して、高さ(H’)が40μmを上回るときのデータが取得された。図8に示されているように、突起部の高さ(H’)が約60μm又は約65μmより小さい(H<約48μm、または、H<53μm)場合、膜応力の偏差は10MPa以内に減少され得る。
【0047】
(実施例3)
直径2mmのサファイア球を使用した図2Aに図示のウエハ支持デバイス(21個の突起部)、及び、直径2mmのサファイア球を使用した図2Bに図示のウエハ支持デバイス(37個の突起部)が使用され、これらのウエハ支持デバイスの高さ(H’)が、図9に示されているように変更され、ウエハの裏面のパーティクルの数が測定された。そのほかは、実施例1と同じ方法で、ウエハ上に成膜が行われた。図9は、この実施形態に従った、ウエハの裏面のパーティクルの数と突起部の高さ(H’)との関係を示すグラフである。パーティクルの数は、三つのウエハの平均であった。図9に示されているように、図2A(21個の突起部)に示されている突起部の高さ(H’)が約40μmを下回る(H<約28μm)ことがない場合、直径0.2μm以上のパーティクルの数を約500未満に制御することができ、突起部(21個の突起部)の高さ(H’)が約40μmを上回る場合(H>約28μm)、直径0.2μm以上パーティクルの数を約300未満に制御することができ、それに対して、図2Bに示された突起部(37個の突起部)の高さ(H’)が30μmを上回る場合(H>約18μm)、直径0.2μm以上のパーティクルの数を300未満に制御することができた。図2Aに示された突起部(21個の突起部)及び図2Bに示された突起部(37個の突起部)の両方に関して、突起部の高さ(H’)が約50μm以上(H≧約38μm)の場合、パーティクルの数を約200未満に減少させることができるであろう。
【0048】
図14は、高さ(H’)10μm(H≒0μm)の球状の頂部の21個の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点はパーティクルの付着を示す(比較例として)。サファイアの球が使用された場合、使用中の高さ(H)は使用中でないときの高さ(H’)よりも約12μm短くなると判定され、従って、12μmの高さ(H’)はほぼ全面的な接触であると判定された。図15は、高さ(H’)30μm(H=18μm)の球状の頂部の21個の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点はパーティクルの付着を示す(比較例として)。図16は、高さ(H’)32μm(H=20μm)の球状の頂部の21個の突起部を有するウエハ支持デバイスを使用して成膜したあとのウエハの裏面のパーティクルマップ(ウエハ表面検査システムによる)であり、輝点はパーティクルの付着を示す(比較例として)。21個の突起部(サファイア球)を有するウエハ支持デバイスに関し、高さ(H’)が32μm以下(H≦20μm)の場合は、成膜の間、たるみによって、ウエハの裏面がウエハ支持デバイスのベース面に、突起部と突起部の間の領域において接触し(突起部の周りのパーティクルは少なかった)、それによってウエハの裏面におけるパーティクルの集積が増加した。
【0049】
(参考例1)
突起部の高さが変更されたことを除いては、比較例1と同じ方法でウエハ上に成膜が行われた。図11は、膜厚の均一性と突起部の高さとの関係を示すグラフである。図12は、膜応力と突起部の高さとの関係を示すグラフである。図11及び図12に示されているように、突起部の高さが約60μmを超えた場合、膜応力だけではなく膜厚の均一性も悪くなった。図12は図8に対応しており、従って、球状の頂部の突起部を有するウエハ支持デバイスが使用される場合はまた、突起部の高さが約60μmを上回るとき、膜厚の均一性が悪くなると考えられる。
【0050】
(突起部の数と高さとの関係)
実験を通じて、突起部ごとに平均して二つの直径0.2μm以上のパーティクルが発生し、ウエハの裏面に付着すると判定され得る。従って、突起部の数が約100以下である場合、パーティクルの数は約200以下になり得ると予想される。さらに、突起部の数が増加する場合、ウエハ支持デバイスを製造するコストもまた増加する。上記の点及び前述の実施例に鑑みて、図10は、本発明の実施形態に従って、膜応力及びパーティクルの数を著しく改良するための、突起部の高さ(H’)と突起部の数との関係を示すグラフである。図10において、「N/G」は、「不良」又は「基準を満たさない」ことを示し、「OK」は「基準を満たす」又は「十分」であることを示し、「Gray」は「基準を満たさない」と「基準を満たす」との間の範囲を示し、及び、「OK B/L」は「基準を満たす」ボーダーラインを示す。
【0051】
当業者は、本発明の思想から逸脱することなく、多数の様々な修正ができることを理解するであろう。それ故、本発明の形態は説明のためのものであり、本発明の範囲を限定することを意図しないものであることが、明確に理解されなければならない。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ウエハを支持するための、半導体処理装置内に設置されるよう構成されたウエハ支持デバイスであって、
ベース面と、
ウエハを支持するための、前記ベース面から突き出た突起部であって、丸みのある先端を有する突起部と、を含み、
前記丸みのある先端が、全体に、該丸みのある先端による点接触によって、ウエハの裏面を支持するようになされたものであり、
前記突起部が、ウエハが上方に配置される前記ベース面の領域で一様に配置されたものであり、
使用中に判定される突起部の数(N)及び突起部の高さ(H[μm])が、300mmウエハに関する面積当たり、以下の式、
【数1】
を充足する、ことを特徴する、ウエハ支持デバイス。
【請求項2】
前記ベース面の直径に沿った線上に配置された前記突起部が、等しい間隔で配置されている、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項3】
前記突起部が前記ベース面に幾何学的配置で配置され、各々の突起部が、前記突起部によって形成される等しい正方形又は等しい正三角形の各々の頂点を構成する、請求項2に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項4】
前記突起部が同心円状に配置されている、請求項2に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項5】
前記突起部が前記ベース面に幾何学的配置で配置され、各々の突起部が、前記突起部によって形成される等しい正六角形の各々の頂点を構成する、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項6】
前記突起部が、前記ベース面に埋め込まれたセラミックの球から成る、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項7】
前記突起部が、ドーム形のセラミックから成る、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項8】
前記突起部がベース面の材料と同じ材料から成る、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項9】
前記丸みのある先端が1mmないし2mmの半径を有する、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項10】
前記セラミックの球がサファイア製である、請求項6に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項11】
前記セラミックの球が、2mmないし4mmの直径を有する、請求項6に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項12】
Nが20から40までの整数である、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項13】
Hが50μm以下である、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項14】
半導体処理装置であって、
真空にすることができる反応チャンバと、
前記反応チャンバの内部に設置される、請求項1のウエハ支持デバイスと加熱ブロックとを含むサセプタと、
前記反応チャンバの内部に前記サセプタと平行に設置されるシャワーヘッドと、を含む、半導体処理装置。
【請求項15】
さらに、RFパワー源を含み、
プラズマを生成するために、前記サセプタ及び前記シャワーヘッドがそれぞれ下部電極及び上部電極として働く、請求項14に記載された半導体処理装置。
【請求項16】
ウエハを支持するための、半導体処理装置内に設置されるよう構成されたウエハ支持デバイスを製造する方法であって、
ウエハ支持デバイスにベース面を与える工程と、
300mmウエハに関する面積当たり、以下の不等式を使用して、突起部を設計する工程と、
【数2】
前記設計された突起部を備えたウエハ支持デバイスを製造する工程と、を含み、
式中、N及びHは各々、使用中に判定される突起部の数及び突起部の高さ(μm)であり、
前記突起部が、ウエハを支持するために、前記ベース面から突き出し、丸みのある先端を有し、
前記丸みのある先端が、全体に、該丸みのある先端による点接触によって、ウエハの裏面を支持するようになされたものであり、
前記突起部が、ウエハが上方に配置される前記ベース面の領域で一様に配置されている、
ウエハ支持デバイスの製造方法。
【請求項17】
Hが50μm以下であり、Nが20から40までの整数である、請求項16に記載されたウエハ支持デバイスの製造方法。
【請求項1】
ウエハを支持するための、半導体処理装置内に設置されるよう構成されたウエハ支持デバイスであって、
ベース面と、
ウエハを支持するための、前記ベース面から突き出た突起部であって、丸みのある先端を有する突起部と、を含み、
前記丸みのある先端が、全体に、該丸みのある先端による点接触によって、ウエハの裏面を支持するようになされたものであり、
前記突起部が、ウエハが上方に配置される前記ベース面の領域で一様に配置されたものであり、
使用中に判定される突起部の数(N)及び突起部の高さ(H[μm])が、300mmウエハに関する面積当たり、以下の式、
【数1】
を充足する、ことを特徴する、ウエハ支持デバイス。
【請求項2】
前記ベース面の直径に沿った線上に配置された前記突起部が、等しい間隔で配置されている、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項3】
前記突起部が前記ベース面に幾何学的配置で配置され、各々の突起部が、前記突起部によって形成される等しい正方形又は等しい正三角形の各々の頂点を構成する、請求項2に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項4】
前記突起部が同心円状に配置されている、請求項2に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項5】
前記突起部が前記ベース面に幾何学的配置で配置され、各々の突起部が、前記突起部によって形成される等しい正六角形の各々の頂点を構成する、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項6】
前記突起部が、前記ベース面に埋め込まれたセラミックの球から成る、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項7】
前記突起部が、ドーム形のセラミックから成る、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項8】
前記突起部がベース面の材料と同じ材料から成る、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項9】
前記丸みのある先端が1mmないし2mmの半径を有する、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項10】
前記セラミックの球がサファイア製である、請求項6に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項11】
前記セラミックの球が、2mmないし4mmの直径を有する、請求項6に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項12】
Nが20から40までの整数である、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項13】
Hが50μm以下である、請求項1に記載されたウエハ支持デバイス。
【請求項14】
半導体処理装置であって、
真空にすることができる反応チャンバと、
前記反応チャンバの内部に設置される、請求項1のウエハ支持デバイスと加熱ブロックとを含むサセプタと、
前記反応チャンバの内部に前記サセプタと平行に設置されるシャワーヘッドと、を含む、半導体処理装置。
【請求項15】
さらに、RFパワー源を含み、
プラズマを生成するために、前記サセプタ及び前記シャワーヘッドがそれぞれ下部電極及び上部電極として働く、請求項14に記載された半導体処理装置。
【請求項16】
ウエハを支持するための、半導体処理装置内に設置されるよう構成されたウエハ支持デバイスを製造する方法であって、
ウエハ支持デバイスにベース面を与える工程と、
300mmウエハに関する面積当たり、以下の不等式を使用して、突起部を設計する工程と、
【数2】
前記設計された突起部を備えたウエハ支持デバイスを製造する工程と、を含み、
式中、N及びHは各々、使用中に判定される突起部の数及び突起部の高さ(μm)であり、
前記突起部が、ウエハを支持するために、前記ベース面から突き出し、丸みのある先端を有し、
前記丸みのある先端が、全体に、該丸みのある先端による点接触によって、ウエハの裏面を支持するようになされたものであり、
前記突起部が、ウエハが上方に配置される前記ベース面の領域で一様に配置されている、
ウエハ支持デバイスの製造方法。
【請求項17】
Hが50μm以下であり、Nが20から40までの整数である、請求項16に記載されたウエハ支持デバイスの製造方法。
【図11】
【図12】
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図12】
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【公開番号】特開2013−26620(P2013−26620A)
【公開日】平成25年2月4日(2013.2.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−153698(P2012−153698)
【出願日】平成24年7月9日(2012.7.9)
【出願人】(000227973)日本エー・エス・エム株式会社 (68)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年2月4日(2013.2.4)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年7月9日(2012.7.9)
【出願人】(000227973)日本エー・エス・エム株式会社 (68)
【Fターム(参考)】
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