【課題】 被処理体が熱伸縮しても面内温度の均一性を高く維持しつつパーティクルの発生を抑制することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施す熱処理装置４において、前記被処理体を収容可能になされた処理容器６と、前記被処理体を加熱する加熱手段２６と、前記処理容器内へ所定のガスを供給するガス供給手段１０と、前記処理容器内の雰囲気を排気する排気手段１８と、前記被処理体を支持する支持手段３６とを備え、前記支持手段は、前記被処理体の裏面の周辺部と接触して支持する少なくとも３本の支持ピン部４６を有すと共に、前記支持ピン部の先端の接触面の面積は、０．０７〜０．６４ｍｍ^２ の範囲内に設定されている。 （もっと読む）

処理システム（１，１００）の処理チャンバーの中における、チャンバー洗浄工程間の時間を延長する方法である。パーティクル抑制膜（５０２，６０２，６０８，７０６）は、処理チャンバーの中のチャンバー部品（３００，５００，６００，７００）の上に形成され、基板処理の際の処理チャンバーの中のパーティクル形成を抑制する。少なくとも一の基板（４０，１１０）が処理チャンバー（１０，１０２）の中に導入され、製造工程が処理チャンバー（１０，１０２）の中で行われ、少なくとも一の基板（４０，１１０）が処理チャンバー（１０，１０２）から取り出される。パーティクル抑制膜（５０２，６０２，６０８）は、清浄なチャンバー部品（３００，５００，６００）の上に、またはチャンバー部品（３００，５００，６００，７００）の上に形成された堆積物（３０２，６０４）の上に堆積することができる。代替的に、パーティクル抑制膜（７０６）は、チャンバー部品（７００）の上の堆積物（７０２）の少なくとも一部を化学的に転換させることによって形成されても良い。パーティクル抑制膜（５０２，６０２，６０８，７０６）は、製造工程の後で、または複数の製造工程後の選択されたインターバルに形成されても良い。
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ウエハ間の均一性が改善され、粒子汚染が減少した可変エッチング耐性ＡＲＣ（ＴＥＲＡ）層のための改善された蒸着プロセスを提供する方法および装置が含まれる。より詳しくは、処理チャンバを調整してＴＥＲＡ層の蒸着時にチャンバの中で発生する汚染物質粒子の数を減らしてウエハ間の均一性を改善する。装置は、上部電極、少なくとも一つのＲＦ源、基材ホルダと、複数の前駆体およびプロセスガスを供給するためのシャワーヘッドとを有するチャンバを備える。
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ガスを流し、基板に膜を堆積させる処理室と、処理室に配置され、基板を加熱するランプユニットと、ランプユニット囲う第１の囲い体と、第１の囲い体を囲う第２の囲い体と、ランプユニットと第１の囲い体との間の第１の空間、および第１の囲い体と第２の囲い体との間の第２の空間に、冷却媒体をそれぞれ流通させる冷媒流通装置とを備える。 （もっと読む）

プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリは、シャワーヘッド電極に取り付けられた熱制御板、および熱制御板に取り付けられた上板を備える。少なくとも１つの熱ブリッジが、熱制御板の対向する両表面と上板との間に提供されて、熱制御板と上板との間の電気的および熱的な伝導を可能にする。熱ブリッジと上板との間の潤滑材料は、天板と熱制御板との間の熱膨張の違いに起因する、対向する金属表面の摩損を最小限にする。熱制御板によって支持されたヒータは、温度制御された天板と連携して、シャワーヘッド電極を所望の温度に維持する。
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【解決手段】半導体材料処理装置におけるイットリアでコーティングされたセラミック部品は、基板と、その基板の上に少なくとも１つのイットリア含有コーティングとを含む。その部品は、セラミック材料の素地となり得るセラミック基板に第１イットリア含有コーティングを適用して製造される。そのコーティングされた素地は、焼結される。第１イットリア含有コーティングは、焼結により付着したイットリアのパーティクルを除去するように処理される。別の実施形態では、第２イットリア含有コーティングは、第１イットリア含有コーティングの上にサーマルスプレーされ、そのパーティクルを覆う。
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基板保持具を構成する支柱や基板載置部などの影響による基板上の膜厚不均一部分
を無くし、基板の膜厚均一性を向上する。
基板処理装置は、ボート（基板保持具）に保持された複数のウェハ（基板）を処理室に収容し、加熱された処理室に処理ガスを供給して、ウェハを成膜処理する。ボートは、略垂直に設けられた少なくとも３本の支柱１５と、支柱に多段に設けられて複数のウェハを所定の間隔で略水平に載置する複数のウェハ支持部１６（基板載置部）と、支柱１５に設置され、ウェハ支持部１６に支持されるウェハに対して所定の間隔で略水平に設けられる複数のリング状プレート１３とを有する。 （もっと読む）

基板装入工程または／および基板引出工程時に、反応室内からパーティクルを有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
ウェハ（２００）を反応室（２０１）に装入する工程または／およびウェハ（２００）を引き出す工程では、ウェハ（２００）を処理する工程における排気流量よりも大きな排気流量にて反応室（２０１）内を排気する。前記ウェハ（２００）を装入する工程または／およびウェハ（２００）を引き出す工程では、前記反応室（２０１）内に不活性ガスを導入しつつ排気することが好ましい。
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バッチ式プロセスシステムのプロセスチャンバにおけるシステム構成要素の状態をモニタリングするための方法及びシステムが提供されている。この方法は、システム構成要素を光源からの光に露出させることと、システム構成要素の状態を決定するためにシステム構成要素との光の相互作用をモニタリングすることとを有している。この方法は、チャンバクリーニングプロセス、チャンバコンディショニングプロセス、基板エッチングプロセス及び基板フィルム形成プロセスを含み得るプロセスの間のシステム構成要素からの光の透過並びに／もしくは光の反射を検出することができる。システム構成要素は、プロセスチューブ、シールド、リング、バッフル及びライナーのようなシステムの消耗する部分であり得て、保護コーティングをさらに有することができる。
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反応炉１内で基板１０に成膜を行う工程と、成膜後の基板１０を反応炉１よりアンロード後、反応炉１内に１０基板がない状態で反応炉１内を強制冷却する工程とを有する半導体装置の製造方法を提供する。反応炉１内に付着した堆積膜の応力を自然空冷時よりも増大させて積極的に熱応力を発生させ、堆積膜に自然空冷時以上の強制的な亀裂を発生させる。亀裂の発生により飛散した微細パーティクルは大気圧状態での炉内パージにより強制的に、また効率的に反応炉外に排出される。 （もっと読む）

基材と該基材上に設けられた耐腐食性コーティングとを含む物品が提供される。基材は、一般にアルミナから本質的になり、耐腐食性コーティングは、基材と耐腐食性コーティングの間に介在層、例えば、高温処理プロセスにより提供される反応生成物を与えることなく基材と直接接触するように設けられる。耐腐食性コーティングは、一般に希土類酸化物から本質的になり、約１５ＭＰａ以上の付着強度を有する。特定の実施態様によれば、本物品は、半導体ウェハを処理するための半導体処理装置（１０）で利用及び実装されるセラミック部材（１８、２０）である。
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保護層（２０８）が、原子層堆積（ＡＬＤ）又は化学気相成長（ＣＶＤ）リアクタ１００の表面上に形成される。ＡＬＤ又はＣＶＤのリアクタ（１００）のための反応スペース（２００）を明確にする部分は、反応スペース表面（２１０）上の反応性部位（２１０）を不活性化する化学物質（２０６）を用いてインサイチュ又はエクスサイチュで処理され得る。前処理ステップ（５０２）は、処理ステップ（５０４）の前に、存在する反応性部位（２１０）を最大限にすることができる。吸着した処理反応物（２０８）によって反応性部位（２１０）が不活性化されると、後のプロセシング時に反応物ガス（２１４）は、これらの処理された表面上の反応性又は堆積を低減した。従って、パージステップ（３１０，３１４）が非常に短縮され、そしてより多くの数のラン（run）が、リアクタの壁上に蓄積した堆積を除去するためのクリーニングステップの間に実施され得る。

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本発明は、附室アセンブリと連通している流路を有するハウジングを有する熱処理プロセスチャンバを提供する。この附室アセンブリは、第１の溝を持つ外側リングと、第２の溝を持つ内側リングとを含む。この第１の溝は外側リングの軸線方向に内向きの表面内に形成されている。第１の溝は半径方向に外向きの方向と軸線方向に内向きの方向とに開いている一部分を有する。第２の溝は軸線方向に内向きの方向に開き、および、内側リングの軸線方向に外向きの表面内に形成されている。第１の溝と第２の溝は、これらが軸線方向に互いに重ね合わされた関係にある時に通路を形成する。第１の溝は半径方向に外側に開いた端部を形成し、および、第２の溝はその通路の軸線方向に内向きの端部を形成する。通路は流路と連通し、これによって温度調整媒質の通過を可能にする。
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【課題】 処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止することができる枚葉式の処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器３２内にて載置台３８上に載置された被処理体Ｗに対して所定の処理を施す枚葉式の処理装置において、前記載置台を浮上させる浮上用磁石機構６０と、前記載置台の周縁部に設けた羽根部材４４と、前記羽根部材に対して不活性ガスを噴射させて前記載置台に回転力を付与する回転用ガス噴射手段６４とを備えるように構成する。これにより、処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止する。 （もっと読む）