【課題】駆動電圧を上昇させることなく、ｎ型コンタクト層の結晶性の高品質化により発光出力を上昇させ、且つ構造の簡略化によりスループットの向上でコストを下げる半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型コンタクト層１０の第１層として、ｎ型不純物濃度が２×１０¹⁹cm^-3以上の高キャリア濃度ｎ型半導体層１を形成し、その上に、ｎ型コンタクト層１０の第２層として、ｎ型不純物濃度が２×１０¹⁷cm^-3以下の低キャリア濃度ｎ型半導体層７を、成長時のＶ／III比が１５００以下、成長温度が１１５０℃以上で形成する。 （もっと読む）

遠隔プラズマ増強化学気相成長法によってIII族金属窒化膜を成長させるための方法および装置が説明されている。この方法は、基板と、バッファ層を含む基板とからなる群より選択されるオブジェクトを成長チャンバにおいて約400℃〜約750℃の範囲の温度に加熱する工程、成長チャンバから離れて配置された窒素プラズマで活性化中性窒素種を産生する工程、および活性化中性窒素種を成長チャンバに転送する工程を含む。反応混合物が成長チャンバで形成され、この反応混合物は、III族金属窒化膜を形成するために窒素種と反応可能なIII族金属の一種を含有し、膜がデバイス用途に適合する条件下で、III族金属窒化物の膜が加熱されたオブジェクト上に形成される。1.6原子％未満の酸素濃度を示すIII族金属窒化膜も説明されている。

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【課題】 サファイヤ基板への結晶成長の核となる部分を、より簡便な方法によって提供すること。
【解決手段】サファイヤ基板１の主面上に凹凸パターン５を形成して窒化物半導体単結晶４のエピタキシャル成長用基板を製造する方法において、サファイヤ基板１の主面に研磨工程を行って該主面の平坦度をＲａ＝１ｎｍ以下にした後、該研磨工程で用いた砥粒よりも粒径の大きな砥粒２を用いて、該サファイヤ基板１の主面全体に深さ１μｍ未満の直線、曲線、同心円等の形状を有するヘアライン状の凹凸パターン５を形成することを特徴とする、エピタキシャル成長用基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 サファイヤ基板への結晶成長の核となる部分を、より簡便な方法によって提供すること。
【解決手段】サファイヤ基板１の主面上に凹凸パターン３を形成して窒化物半導体単結晶４のエピタキシャル成長用基板を製造する方法において、該サファイヤ基板１の主面に研磨を行って該主面の平坦度をＲａ＝１ｎｍ以下にした後、該サファイヤ基板１の主面にパルスレーザ２を集光照射して、該集光照射箇所に形成されるドットからなる凹凸パターン３を、該サファイヤ基板１の主面全体に形成することを特徴とする、エピタキシャル成長用基板の製造方法である。 （もっと読む）

基板１２を反応管１１内に載置する工程の後、３族元素を含む第１の材料ガスを反応管内の基板上に供給する工程と、窒素元素を含む第２の材料ガスを反応管内の基板上に供給する工程と、を交互に行うことにより、窒化物半導体結晶を基板上に直接堆積する窒化物半導体の結晶成長方法である。第１の材料ガスに含まれる３族元素のモル数に対する第２の材料ガスに含まれる窒素元素のモル数の比は２００以上である。
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【課題】 紫外や青色の発光ダイオードや半導体レーザなどとして実現され、サファイア基板上に、格子定数の差を緩和するためのバッファ層を介して、窒化ガリウム系化合物半導体層を積層して成る半導体素子において、結晶性を向上させる。
【解決手段】 サファイア基板１上にバッファ層２が気相成長され、その上にｎ型ドーパントとしてＳｉを含むＡｌ_０．５Ｇａ_０．５Ｎから成るｎ型窒化ガリウム化合物半導体層３、Ａｌ_０．６Ｇａ_０．４Ｎから成る発光層４、ｐ型の電気伝導を示すドーパントＭｇを含むＡｌ_０．６Ｇａ_０．４Ｎから成るｐ型窒化ガリウム化合物半導体層５が順次気相成長されて成る半導体発光素子１０において、前記バッファ層２をＡｌＮとＧａＮとが交互に積層された複数のペア層から形成する。したがって、積層に伴う格子欠陥によるクラックがＡｌＮ層に生じ、それ以上に伸びてゆくことを抑えることができ、貫通転移を減少することができる。 （もっと読む）

【課題】 下地基板の上にマスクを設けその上にＧａＮをＨＶＰＥ成長させマスク端部から立ち上がるファセットを維持しながら成長させると、マスクの部分は欠陥集合領域Ｈとなりファセット成長した部分は単結晶低転位領域となるが、欠陥集合領域Ｈが多結晶だったり方位が傾斜した単結晶だったりする。クラックの生じない自立ＧａＮ基板を製造する方法を提供すること。
【解決手段】
初め低温で成長させマスク上に多結晶微粒子を生成し高温でエピタキシャル成長させ露出部だけに窒化ガリウム薄膜が成長するようにし、マスクの端から傾斜して伸びるファセットを充分に広くなるようにし、ファセットから方位反転した爪状の突起がマスクの上方へ伸びるようにする。突起が伸び合体し、その上に成長する部分は方位反転結晶の欠陥集合領域Ｈとなる。熱膨張率異方性の違いがなくクラックが発生しない基板を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】 複雑な工程を必要としない、また、転位を低減するために厚い膜を形成する必要のない窒化物半導体の転位低減方法を提供する。
【解決手段】 オフ角度αが0.5°以上の微傾斜基板１を用い、その上に、分子線エピタキシャル成長（MBE）法、有機金属気相成長（MOCVD）法、ハイドライド気相成長（HVPE）法などを用いてバッファ層となる窒化物半導体膜２を成長させ、その上に窒化物半導体膜３を成長させる。オフ角度αをある程度大きくして、成長する薄膜の表面に多原子層高さのマクロステップが形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される窒化物半導体層の表面におけるピット状の結晶欠陥を低減することができ、基板表面の全面にわたって低欠陥の、高品質な窒化物半導体層を得ることができる窒化物半導体層の成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）基板の上に、第１の結晶質窒化物半導体層を形成する工程と、（ｂ）該第１の結晶質窒化物半導体層上に、窒化物半導体バッファ層を形成する工程と、（ｃ）得られた窒化物半導体バッファ層を除去するとともに、第２の結晶質窒化物半導体層を形成する工程とを含む窒化物半導体層の成長方法。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作方法を提供する。
【解決手段】
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いる非極性窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）膜ならびに非極性ＩｎＧａＮを含んだデバイス構造物の製作のための方法。本方法は、非極性ＩｎＧａＮ／ＧａＮ紫色および近紫外発光ダイオードおよびレーザ・ダイオードを製作するために用いられる。 （もっと読む）

本発明は、サファイヤ基板上にＳｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層を形成する第１段階と、Ｓｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層の上にＧａＮ成分を含む窒化膜を形成する第２段階と、を含むことを特徴とするＧａＮ系窒化膜の形成方法に関する。
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本発明による、高光抽出光素子を作製する方法の一実施形態は、基板の上にリフトオフ層を成長するステップと、リフトオフ層の上にエピタキシャル半導体デバイス構造を成長し、リフトオフ層がデバイス構造と基板との間に挟まれるステップとを含む。エピタキシャル半導体構造は、バイアスに応答して発光するように適合されたエミッタを備える。デバイス構造、リフトオフ層、および基板は、サブマウントにフリップチップ方式で取り付けられ、エピタキシャル半導体デバイス構造は、サブマウントとリフトオフ層との間に挟まれる。リフトオフ層が除去され、基板がデバイス構造から分離される。光化学エッチングやレーザ光によるリフトオフ層の照射による除去などの、様々な除去方法を用いることができる。
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炭化珪素ベースのバイポーラデバイスにおいて、積層欠陥核生成を減らし、そして順方向電圧（Ｖｆ）ドリフトを低下させるための基板とエピタキシャル層とを作製する方法を開示している。本発明方法は、炭化珪素基板の表面を非選択性エッチングして、表面損傷及び表面下損傷の両方を除去する工程；その後で、選択性エッチングによって同じ表面をエッチングし、それによって、その後に終端する傾向があるか又は該基板表面上でその次のエピタキシャル層成長中に貫通欠陥として伝播する傾向がある該基板表面に達している少なくともいくらかのベーサルプレーン転位からエッチング生成構造を発生させる工程、そして、その後に、二回エッチングされた表面上に炭化珪素の第一エピタキシャル層を成長させる工程を含む。
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