【課題】従来の窒化物半導体膜製造技術では、ＳｉＯ_２層によって構成されたマスクパターンを用いた選択成長技術が開発されている。しかし、ＳｉＯ_２層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ_２は窒化物半導体膜に悪影響をもたらす。窒化物半導体発光素子の発光効率の低下や、個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下及び、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下を改善する窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体構造は、窒化物半導体膜が成長する成長面が単一部材からなる基板と、前記成長面上に形成された前記窒化物半導体膜１２２とを有し、前記基板の成長面には凹凸部１１３が無秩序に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時に結晶中に取り込まれる不純物量を低減して、Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体を品質よく製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、組成式Ａｌ_ＡＧａ_ＢＩｎ_ＣＮで表され、Ａ＋Ｂ＋Ｃ＝１．０，Ｂ≧０，Ｃ≧０，０．５≦Ａ≦１．０である関係を満足するＡｌＧａＩｎＮ層１３が形成されたIII族窒化物半導体を製造する方法であって、反応炉１内に設置したダミー基板上に、組成式Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮで表され、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０であり、かつＹ≦Ｂ、Ｚ≦Ｃである関係を満足するダミー層を１１００℃以上の温度で形成する準備処理工程と、反応炉内からダミー基板を取り出し、ダミー基板とは異なる基板１１を反応炉１内に設置し、該基板１１上に、組成式Ａｌ_ＡＧａ_ＢＩｎ_ＣＮで表される前記ＡｌＧａＩｎＮ層を形成する第一製造工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶材料としてＡｌＧａＩｎＮを用いた発光層の内部量子効率の向上を図れる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光層６における障壁層６ｂとしての第１の窒化物半導体層が、成長時に第１の不純物であるＳｉが濃度Ａ（例えば、５×１０¹⁶ｃｍ^-3）で意図的に添加されたＡｌ_aＧａ_bＩｎ_(1-a-b)Ｎ層（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１、１−ａ−ｂ＞０）からなるとともに、井戸層６ａとしての第２の窒化物半導体層が、成長時に第２の不純物であるＳｉが濃度Ｂ（０≦Ｂ＜Ａ）で意図的に添加され第１の窒化物半導体層よりもＡｌの組成の小さなＡｌ_cＧａ_dＩｎ_(1-c-d)Ｎ層（０＜ｃ＜１、０＜ｄ＜１、１−ｃ−ｄ＞０）からなり、第１の窒化物半導体層の意図的に添加しない酸素の濃度が第２の窒化物半導体層の意図的に添加しない酸素の濃度よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性層でのクラック発生が抑制され、かつ、転位密度の低減等の結晶性の向上を図りつつ、窒化物半導体の厚膜化に伴う反りも抑制された、製造効率に優れたバッファ構造を備えた窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_aＧａ_1-aＮ（０．９≦ａ≦１．０）単結晶層３１および厚さ１０〜３０ｎｍのＡｌ_bＧａ_1-bＮ（０≦ｂ≦０．１）単結晶層３２が交互に繰り返し積層された第１の多層バッファ領域３と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_cＧａ_1-cＮ（０．９≦ｃ≦１．０）単結晶層４１および厚さ２００〜５００ｎｍのＡｌ_dＧａ_1-dＮ（０≦ｄ≦０．１）単結晶層４２が交互に繰り返し積層された第２の多層バッファ領域４と、ＧａＮ単結晶層５と、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）単結晶層６とを備えた構成の窒化物半導体エピタキシャル基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長時の面内温度分布を均一にして、混晶比やキャリア濃度において均一なエピタキシャル結晶膜を成長させることができる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】表面側に凹又は凸の反りをもつ窒化物半導体基板１であって、裏面３側を平面５に置いたとき、前記平面５と接触していない部分であって前記平面５から前記裏面３までの高さが所定値以上の部分における前記裏面３の平均粗さを、前記平面５と接触している部分を含む前記平面５から前記裏面３までの高さが前記所定値未満の部分における前記裏面３の平均粗さより大きくする。このように、窒化物半導体基板１が平面５と接触していない部分の表面粗さを大きくすれば、その部分の窒化物半導体基板１はより多くの輻射熱を受けて温度が高くなるので、基板面内温度の均一性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオード（ＬＤ）などのデバイスを製造するための基板の前処理のための装置および方法に関する。本発明の一実施形態は、酸化アルミニウム含有基板の面をアンモニア（ＮＨ_３）およびハロゲンガスを含む前処理ガス混合物に暴露することにより酸化アルミニウム含有基板を前処理することを含む。
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【課題】光出力を向上させられる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】
本発明は基板の上部にパターンを形成し、パターンが形成された基板の上部に発光構造物を形成した後、基板を発光構造物から離脱させ離脱された発光構造物面に前記基板の上部に形成されたパターンに対応するパターンを形成することにより、素子の光出力を向上させられる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄処理の効率化して洗浄ガスの供給量を減らし、経済性に優れたドライ洗浄装置用反応炉を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体製造装置における汚染部品を洗浄する装置であって、洗浄ガス導入管１６とガス排出管２０を有する反応室８と、反応室８内で汚染部品２２を支持する支持手段４と、汚染部品２２を反応室８内で高温に保持するための遮熱部材７ａ，７ｂと、反応室８内を加熱する加熱手段３とを備え、前記洗浄ガス導入管１６を反応室８内の下部に配置した。これにより、反応室８内の下部から供給された洗浄ガスは、加熱装置３で加熱されて上部へ移動するので、汚染部品２２の汚染物と効率的に反応させることができ、効率的に汚染部品２２を洗浄することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の全表面にわたって均一な厚みを有しかつ品質の安定したＳｉ₃Ｎ₄へテロエピタキシャルバッファ層を容易にかつ安価に作製する作成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のＲＦ（高周波）高輝度（ＨＢ）放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりＳｉ₃Ｎ₄単結晶膜をエピタキシャル成長させること。 （もっと読む）

本発明は、ＵＶＬＥＤ装置及びその製造方法を提供する。この装置は、基板（１）上に下から上への順で設けられたＡｌＮ核層（２、３）、真性ＡｌＧａＮエピタキシャル層（４）、ｎ−型ＡｌＧａＮバリア層（５）、活性領域（６）、第１のｐ−型ＡｌＧａＮバリア層（７）、第２のｐ−型ＡｌＧａＮバリア層（８）、及びｐ−型ＧａＮキャップ層（９）を含備える。ｐ−型ＧａＮキャップ層には、発生した光を発するためのウインド領域（１０、Ｗ、Ａ）をエッチングしている。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、被形成体を保持するのに用いられる治具の耐久性を向上させる。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いてＩＩＩ族窒化物半導体の層を化合物半導体基板の被形成面に形成するＭＯＣＶＤ装置において、化合物半導体基板を保持する基板保持体３０を、ＳｉＣで形成された本体部３１と、Ｓｉ₃Ｎ₄で形成され、本体部の外周面の少なくとも一部を覆うように設けられる被覆部３２とで構成し、被形成面が外側を向くように化合物半導体基板を凹部３０ｂに取り付け、基板保持体３０をＭＯＣＶＤ装置の反応容器内に回転可能に取り付け、反応容器内にＩＩＩ族窒化物半導体の原料ガスを供給してＩＩＩ族窒化物半導体の層を形成する。 （もっと読む）

【課題】大面積で均一な低転位密度窒化ガリウムおよびその製造プロセスを提供する。
【解決手段】１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（Ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ＩＩ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを混在させた結晶において少なくとも表面において極性Ａの単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを持つ部分が混在する結晶において、一方の極性Ｂの部分をエッチングして表面部分を除去し、あるいは除去せずそのままに極性Ｂの上を異種物質(マスク）Ｍで被覆し、さらに同じ結晶の成長を行い極性Ａの結晶によって表面を覆うようにする。 （もっと読む）

【課題】垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板の表面に凹凸パターンを形成し、バッファ層、第１のｎ型窒化ガリウム層１５０ａ、第１のＡｌＧａＮ層２００ａ、前記第１のＡｌＧａＮ層２００ａの接合界面に２次元電子ガス層が形成されるように、ＧａＮ層２１０を形成し、前記ＧａＮ層２１０の接合界面に２次元電子ガス層が形成されるように、第２のＡｌＧａＮ層２００ｂを形成し、第２のｎ型窒化ガリウム層１５０ｂを形成し、前記サファイア基板を除去し、凹凸パターンの表面を有するバッファ層を露出し、前記露出されたバッファ層と前記第１のｎ型窒化ガリウム層１５０ａの表面を共にエッチングし、前記第１窒化ガリウム層１５０ａの表面が凹凸パターンを有するようにパターニングし、前記第１のｎ型窒化ガリウム層１５０ａの凹凸パターンの表面に複数の突起部１９０ａ、１９０ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体素子において、アニーリングや基板の加工を必要としないで、ホール濃度が１０^１８ｃｍ^-3以上ある低抵抗のｐ型窒化物半導体層を可能にする。
【解決手段】基板上にＣ面を成長面とする第１の窒化物半導体層を形成し、前記第１の窒化物半導体表面に凹凸を形成する。次に、前記第１の窒化物半導体層上に前記凹凸に接する形で、ｐ型の第２の窒化物半導体層を形成する。前記凹凸の側壁直上に位置する前記第２の窒化物半導体層は、ｐ型キャリア濃度が１×１０^１８／ｃｍ^３以上となる。 （もっと読む）

【課題】基板上に化合物半導体層を平坦でかつ不純物分布が均一になるように成長させることができるIII−Ｖ族窒化物系半導体基板を提供する。
【解決手段】自立したIII−Ｖ族窒化物系半導体基板の表面の任意の位置においてフォトルミネッセンスを測定してそのバンド端ピークの発光強度をＮ１とし、前記測定位置に対応する同一基板上の裏面側のバンド端ピークの発光強度をＮ２としたときに、その強度比α＝Ｎ_１／Ｎ_２が０．０１≦α≦０．９８となるときに良品歩留のIII−Ｖ族窒化物系半導体基板とする。 （もっと読む）

【課題】非極性ＩＩＩ族窒化物層を有する多層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に複数の核形成層を形成する工程と、該核形成層上に非極性ＩＩＩ族窒化物層を形成する工程とを備え、複数の核形成層がそれぞれ独立して下記式（Ｉ）で表される窒化物から選択される。


上記式において、ＡとＢは異なっており、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、ＩＮ又はＴｌから選択され、且つ０≦ｘ≦１である。該複数の核形成層によって、応力の緩和、格子不整合（ｍｉｓｍａｔｃｈ）の減少、転位延長の阻止、転位密度の低減に有利になるため、表面が平坦で且つ結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】（０００１）ジャストでなくて（０００１）からずれた結晶方位を有するオフ角のＧａＮ単結晶自立基板を低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】オフ角の（１１１）ＧａＡｓウエハを下地基板として、その上にＧａＮを気相成長させると下地基板と同じオフ角で同じ方向に傾斜しているＧａＮ結晶が成長する。また、オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、オフ角度を有するＧａＮ自立基板を作製してもよい。０．１゜〜２５゜のオフ角をもつＧａＮ結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体素子をレーザリフトオフにより歩留まり良く得る。
【解決手段】青色ＬＥＤ１０００は、導電性の支持基板２００に、複数の金属の積層から成る導電層２２２、はんだ層（ソルダ層）５０、複数の金属の積層から成る導電層１２２、ｐコンタクト電極１２１、主としてｐ型のIII族窒化物系化合物半導体層の単層又は複層であるｐ型層１２、発光領域Ｌ、主としてｎ型のIII族窒化物系化合物半導体層の単層又は複層であるｎ型層１１、ｎコンタクト電極１３０の積層構造を有する。絶縁性保護膜４０で覆われたエピタキシャル層の外周側面は、ｎコンタクト電極１３０を形成された上側から、支持基板側２００側である下側に向って広がるような、傾き（順テーパ）を形成している。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減がはかられた化合物半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１０は、ＩＩＩ族窒化物で構成され、化合物半導体基板１０の表面の表面層１２に、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物が含まれるときに、化合物半導体基板１０とその上に形成されるエピタキシャル層１４との間の界面のＳｉが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減される。 （もっと読む）