ｐ型化合物半導体層の形成方法が開示される。この方法は、反応チェンバ内にロードされた基板を第１の温度に上昇させるステップを含む。次いで、反応チェンバ内に、III族元素のソースガス、ｐ型不純物のソースガス、及び水素を含有する窒素のソースガスを供給し、ｐ型化合物半導体層を成長させる。また、ｐ型化合物半導体層の成長が完了した後、III族元素のソースガス及びｐ型不純物のソースガスの供給を中断し、基板の温度を第２の温度に冷却させる。その後、第２の温度で水素を含有する窒素のソースガスの供給を中断及び排出し、冷却ガスで常温まで冷却させる。これにより、基板の温度を冷却させる過程で、ｐ型化合物半導体層に含まれたｐ型不純物に水素が結合することを防ぐことができる。
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【課題】Ｓｉナノワイヤバッファ層を備えたシリコン上に化合物半導体層を提供する。
【解決手段】この方法では、絶縁体層１０４は、先端が露出したＳｉナノワイヤ１０６と共に、Ｓｉ基板１０２に覆い被さって形成される。化合物半導体１１０は、Ｓｉナノワイヤの先端１０８に選択的に堆積される。横方向エピタキシャル拡散（ＬＥＯ）プロセスにより、絶縁体に覆い被さる化合物半導体層を形成するために、化合物半導体がコーティングされたＳｉナノワイヤの先端から、化合物半導体が成長する。通常、Ｓｉ基板に覆い被さる絶縁体層は、熱軟化性絶縁体（ＴＳＩ）、二酸化ケイ素、またはＳｉｘＮｙ（ｘ≦３およびｙ≦４）である。化合物半導体は、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＮ、またはＳｉＣでもよい。 （もっと読む）

【課題】六方晶窒化ホウ素単結晶膜を有する半導体積層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体積層構造は、ＳｉＣ単結晶基板と、その基板の表面に形成されたグラファイト層と、そのグラファイト層上に形成された六方晶窒化ホウ素単結晶膜とを備える。また、この半導体積層構造は、ＳｉＣ単結晶基板の所定の面の、少なくとも最表面のＳｉを蒸発させて、前記ＳｉＣ単結晶基板とグラファイト層との積層を形成する工程と、前記グラファイト層上に六方晶窒化ホウ素単結晶膜をヘテロエピタキシャル成長させる工程とを有する製造方法により製造することができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。好ましい実施形態では、これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。
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【課題】製造コストの低廉化を図ることができるとともに、原料ガスの種類等に変更があっても均一流を確実に得ることができるガス供給用ノズル及びこれを備えた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ガス導入口４Ａ及びガス導出口４Ｂを有し、ガス導入口４Ａからガス導出口４Ｂに向かって幅方向寸法が漸次大きくなる第２ガス供給路４Ｄを形成してなるガス供給用のノズル部４であって、ノズル部４のガス供給方向途中部には、ガス供給路のガス流を堰き止めるような障壁部７が配設されている。 （もっと読む）

【課題】ドナーをドープしたｎ型窒化物半導体の異常成長を防止し、窒化物半導体素子の製造歩留りを改善する。
【解決手段】有機金属化合物気相成長法によってｎ型窒化物半導体を基板上に層状に形成する工程を含んでいる窒化物半導体素子の製造方法において、前記基板上に窒素原料を連続的に供給しつつ３族原料とドナー原料とを交互に供給して前記ｎ型窒化物半導体を形成する。好ましい実施形態では、３族原料とドナー原料とを交互に供給する際のドナー原料の流量を、当該流量をその０．５倍から２倍まで変化させたときのｎ型窒化物半導体の抵抗率の変化幅が０．０１Ω・ｃｍ未満となる流量に設定する。 （もっと読む）

窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法が記載されている。III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い半導体単結晶基板を安価に得ることができる半導体単結晶基板の製造方法及び高性能な半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】下地基板１の表面１Ａ上に無機粒子２を配置して形成されたエピタキシャル成長マスクの開口部に露出された下地基板表面から３−５族窒化物半導体層３のエピタキシャル成長を開始し、該マスク表面に沿ってそのエピタキシャル成長を進行させ、最終的にはエピタキシャル層が該マスクを全て埋め込み、その表面が平坦となるまでエピタキシャル成長させる。該エピタキシャル結晶成長は、３−５族窒化物半導体層３の下地基板１の表面に平行な断面の面積が下地基板１の表面から成長する過程で一旦徐々に縮小され次に徐々に拡大されるように行われ、これにより３−５族窒化物半導体層３の成長途中で成長領域が一旦徐々に絞られることにより、結晶品質の良好な３−５族窒化物半導体層３が得られる。 （もっと読む）

【課題】Ｇａの収率を向上することができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびその方法により得られるＧａＮ結晶を提供する。
【解決手段】基板６を設置するためのサセプタ７の一主面２と、サセプタ７の一主面２と間隔をあけて対向している対向面３と、サセプタ７の一主面２と対抗面３との間の空間を仕切る側面４と、で取り囲まれた成長室１にアンモニアガスを導入するとともにＩＩＩ族塩化物ガスの噴出口８からＩＩＩ族塩化物ガスを導入することによってサセプタ７の一主面２上に設置された基板６上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる際に、サセプタ７の一主面２の面積をＳｃｍ²とし、サセプタ７の一主面２とＩＩＩ族塩化物ガスの噴出口８との距離をＬｃｍとし、成長室１に導入されるガスの標準状態での総量をＶｃｍ³／ｓとしたとき、Ｓ／Ｌ／Ｖの値を０．１ｓ／ｃｍ²以上としてＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 積層構造を構成する各薄膜層の品質を向上させることができる化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２上に各薄膜層を、該各薄膜層に応じた専用の第１，第２気相成長室６ａ，６ｂ内で、順次、結晶成長させることにより、第１，第２気相成長室６ａ，６ｂにおいて、その各気相成長室６ａ，６ｂで用いられる原材料ガスに関係したもの（付着物、堆積物等を含む）以外は存在しないようにし、第１，第２薄膜層のための原料ガス等が想定外の反応を起こして、第２薄膜層の品質が低下することを防止する。また、そのシリコン基板２の搬送空間３５を、酸化を抑制する窒素雰囲気又は真空中として、そのシリコン基板２の搬送時に、そのとき最外層となっている第１薄膜層において酸化物が生成されることを抑制する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長層との格子定数がマッチでき、歪みや欠陥の少ないIII-Ｖ族窒化物系デバイスを製造できるIII-Ｖ族窒化物系半導体基板、及びこの基板を安価に再現性良く製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉドープＧａＮ層１１上にＳｉドープＡｌＧａＮ層１２を形成し、ＡｌＧａＮ層１２の表面及びＧａＮ層１１の裏面を平坦に研磨して複合自立基板１０とする。 （もっと読む）

本発明は、シリコン表面上にニトリド半導体素子の層構造を製造する方法に関し、該方法は以下の：シリコン表面を有する基板を提供し；アルミニウム含有のニトリド核形成層を基板のシリコン表面上に堆積させ、場合によりアルミニウム含有のニトリドバッファ層をニトリド核形成層上に堆積させ、マスキング層をニトリド核形成層又は存在する場合には第一のニトリドバッファ層上に堆積させ、かつガリウム含有の第一のニトリド半導体層をマスキング層上に堆積させる工程から成る。
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ＡｌＧａＩｎＮシステムにおける化合物及びアロイに基づいてレーザー及び白色光を生成する発光ダイオードのための非極性エピタキシャルヘテロ構造体を成長させる方法が、一般式のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）に表現される一つまたは多重のヘテロ構造体層の気相蒸着段階を含み、ここで（a）‐ランガサイト（Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４）基板を使用してＡ^３Ｎ構造体を成長させる段階が、ヘテロ構造体において欠陥密度及び機械的ストレスを減少させる目的に適用される。
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【課題】ｐ型半導体層の特性を良好にすると共に活性層の劣化を抑制できる、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子を作製する方法において、貫通転位密度１×１０^７ｃｍ^−２以下の領域を有しており導電性を示す窒化ガリウム基板１１上に、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０．０１≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１）からなる半導体層を含んでおり３２５ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲にピーク波長を有するように活性層１７を形成する。この後に、摂氏８００度以上摂氏９５０度以下の範囲内にある成膜温度でｐ型Ａｌ_ＺＧａ_１−ＺＮ（０＜Ｚ≦１）膜２３を活性層１７上に成長する。 （もっと読む）

【課題】基板面内で結晶の反りに起因する結晶の方位のばらつきが存在するような場合でも、発光波長のばらつきが小さくなるようなIII−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びに発光波長の基板面内均一性に優れたIII−Ｖ族窒化物系発光素子を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族窒化物系半導体結晶からなる半導体基板であって、基板の表面はアズグロウンであり、基板の裏面は平坦に研磨され、かつ結晶のＣ軸が基板の表面に対して略垂直ないし所定の角度だけ傾斜している。このIII−Ｖ族窒化物系半導体基板上に、III−Ｖ族窒化物系半導体結晶からなるエピタキシャル層を形成してIII−Ｖ族窒化物系発光素子とする。 （もっと読む）

放射生成に適している活性領域（３）を含んでおりかつラテラルな主延在方向を有している半導体層列（２）を備えた光電式半導体チップ（１）であって、前記半導体層列は基板（４）に配置されており、該基板は側面（１７）を有しており、該側面は前記主延在方向に関して斜めに形成されている側面領域（１８）および／または空所（２１）を有しておりかつ半導体チップは放射透過性でかつ導電性のコンタクト層（５）を有しているという半導体チップが提供される。
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【課題】凹凸を有する基板の凸部からの結晶の成長と凹部からの結晶の成長とが交差することを防止して、表面の転位密度が低い半導体部材を得る。
【解決手段】この製造方法は、凹部１０ｒ及び凸部１０ｐを有する基板１０を準備する準備工程と、凸部１０ｐの上に第１半導体１１を成長させる第１成長工程と、第１半導体１１から少なくとも横方向に第２半導体１３を成長させる第２成長工程とを含む。凹部１０ｒの底面から凸部１０ｐの上面までの距離ｇは、凹部１０ｒの幅ａと等しいかそれより大きい。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する窒化物系化合物半導体素子を再現性及び均一性良く作製する方法を提供する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体素子用ウェハー２２０は、窒化物系化合物半導体からなる基板２０１の上に、少なくとも一部にＡｌを含む窒化物系化合物半導体からなるｎ型クラッド層、窒化物系化合物半導体からなる活性層及び少なくとも一部にＡｌを含む窒化物系化合物半導体からなるｐ型クラッド層が積層されてなる。ここで、用いる基板は、上面側に実質的に凸状に反っており、上面を球面で近似した時の曲率半径が１５ｍ以上３０ｍ以下であり、上面の一側端から他側端までの最短距離が５０ｍｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】 従来の窒化物半導体膜製造技術では、ＳｉＯ₂層によって構成されたマスクパターンを用いた選択成長技術が開発されている。しかし、ＳｉＯ₂層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ₂は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体構造は、第１の基板と、第１の基板上に成長し、同一材料からなる凹部及び凸部が形成された第１の窒化物半導体膜と、を有する第２の基板と、凹部及び凸部のうち、少なくとも凸部上面から形成された第２の窒化物半導体膜とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸を有する基板の凸部からの結晶の成長と凹部からの結晶の成長とが交差することを防止して、表面の転位密度が低い半導体部材を得る。
【解決手段】この製造方法は、凹部３０ｒ及び凸部３０ｐを有する基板３０を準備する準備工程と、凸部３０ｐから少なくとも横方向に第１半導体３１を成長させる第１成長工程と、第１半導体３１の上に第２半導体３２を成長させて第２半導体３２からなるファセットを形成する第２成長工程と、ファセットから少なくとも横方向に第３半導体３３を成長させる第３成長工程とを含む。 （もっと読む）