【課題】セラミックスからなる加熱部材の径方向中央部を径方向外側部よりも低い加熱温度に設定しても、高温加熱時に加熱部材が破損を起こすおそれのない加熱部材及び基板加熱装置を提供する。
【解決手段】被処理物を加熱する加熱面７を有し、セラミックスから形成された板状の基体３を備えた加熱部材において、前記基体３の径方向中央部１１に、常温状態で圧縮残留応力が作用していることを特徴とする。 （もっと読む）

ガスクラスターイオンビーム処理プロセスの適用により、集積回路の相互接続構造に使用される、銅の相互接続配線層の表面上で、層をキャップ化する、改良された集積相互接続、集積回路の構造を形成する方法ならびに機器である。銅の拡散が抑制され、電気泳動寿命が向上し、選択金属キャップ化技術の使用、およびそれに付随した問題が解消される。銅のキャップ化処理、清浄化処理、エッチング処理、および膜形成処理用の、ガスクラスターイオンビーム処理モジュールを含む、各種クラスターツール構成について示した。
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【課題】 ウエハの位置と、処理の進捗状況とを対応させて逐次表示し、装置が停止した場合にも、操作者にウエハの処理状況を正確に知らせて、良品を廃棄するのを防ぎ、歩留りを向上させることができる半導体製造装置及びそれにおける表示方法を提供する。
【解決手段】 装置内のウエハに固有のウエハNo. を付与し、各ウエハの位置を監視する位置情報監視手段２１と、ウエハ毎のプロセス進捗状況を監視するプロセス情報監視手段２４と、ウエハ毎の位置とプロセス進捗状況のデータを格納する状況テーブル２５を設け、表示処理手段２６が、状況テーブル２５を参照して、ウエハの位置を検出する各検出ポイントに対応する表示エリア９に、当該ウエハのプロセス進捗状況を表示する半導体製造装置及びそれにおける表示方法である。 （もっと読む）

【課題】 基板側方からガスを供給しつつ基板を挟んでガス供給側と反対側より排気するタイプの基板処理装置において、基板処理時における基板上の圧力分布を有効に制御して、基板処理の均一性を確保する。
【解決手段】 基板８は処理室１内でサセプタ（保持具）３によって保持される。ガス供給口１９、２０は、基板８の側方であって基板８よりも上方に設けられて、基板８よりも上方から基板８に対してガスを供給するように構成される。処理室１内を排気する排気口１６は、基板８を挟んでガス供給口１９、２０と反対側であって、基板８よりも下方に設けられる。基板８と対向する処理室１の上容器２６の上部内壁面２６ａが基板８に対して傾斜するよう構成されている。この上容器上部内壁面２６ａの傾斜は、基板８と対向する上容器上部内壁面２６ａとの対向距離がガス流の上流側から下流側に高くなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】混合基板の選択された領域上に、Ｓｉ含有膜を選択的に堆積するためのトリシランおよびハロゲン含有エッチャントソース（塩素など）を使用する化学気相成長方法を提供すること。
【解決手段】ドーパントソースは、ドープしたＳｉ含有膜を選択的に堆積させるために、トリシランおよびエッチャントソースと混合することもできる。この選択的堆積方法は、半導体製造などの様々な用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】比較的高濃度の置換型ドーパントを含むＳｉ含有膜を製造する方法は、トリシランおよびドーパント前駆体を用いる化学気相成長法を含む。２．４原子％以上の置換型炭素を含む結晶性シリコン膜を含む、極めて高濃度の置換型の取込みを得ることが可能である。置換的にドーピングされたＳｉ含有膜を、堆積中にエッチャントガスを導入することによって、混合基板の結晶性表面上に選択的に堆積することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 筒状支持体内の温度勾配を小さくしつつシール部材を保護すること。
【解決手段】 被処理基板１を搭載する板状基体３と、前記板状基体３を支持した筒状支持体４とを含み、該筒状支持体４はシール部材５を介して真空処理室６の壁部６ａに固定されており、前記筒状支持体４の内壁面４ａに接するように前記筒状支持体４に挿入されておりかつ冷却ガスＧ１の流路９ａを形成した構造体１０を有している。 （もっと読む）

【課題】被処理体を反り変形が生じないように中央部と周縁部をバランス良く迅速に冷却することができ、スループットの向上が図れる熱処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体を収容して熱処理を行う処理室と、該処理室から搬出された熱処理後の被処理体を収容して所定の温度以下に冷却する冷却室３とを備えた熱処理装置であって、前記冷却室３は被処理体を支持する支持部２８と、被処理体の下面に対向して被処理体を冷却する冷却板２９とを有し、該冷却板２９の上面が被処理体に対向する周縁部から中央部に向って漸次隆起して形成されている。 （もっと読む）

【課題】反応チャンバにおいて反応体メモリーを防止しながら、複数工程複数チャンバ化学気相堆積を行う方法を提供する。
【解決手段】第一気相堆積チャンバ２４において気相堆積を用いて基板５６上に半導体材料の層を堆積させる工程、次いで、堆積成長後及び前記チャンバ２４を開ける前に、前記第一堆積チャンバ中に残留している気相堆積原料ガスを減少させるために成長チャンバ２４から排気する工程を含む。第二堆積チャンバ２６から第一堆積チャンバ２４を分離して第一堆積チャンバ２４中に存在する反応体が第二堆積チャンバ２６における堆積に影響を及ぼさないようにしながら、また、成長停止効果を最小限に抑えるか又は排除する環境を維持しながら、基板５６を第二堆積チャンバ２６へと搬送する。搬送工程の後、異なる半導体材料の追加の層を、第二チャンバ２６において、気相堆積によって第一堆積層の上に堆積させる。 （もっと読む）

処理システム（１，１００）の処理チャンバーの中における、チャンバー洗浄工程間の時間を延長する方法である。パーティクル抑制膜（５０２，６０２，６０８，７０６）は、処理チャンバーの中のチャンバー部品（３００，５００，６００，７００）の上に形成され、基板処理の際の処理チャンバーの中のパーティクル形成を抑制する。少なくとも一の基板（４０，１１０）が処理チャンバー（１０，１０２）の中に導入され、製造工程が処理チャンバー（１０，１０２）の中で行われ、少なくとも一の基板（４０，１１０）が処理チャンバー（１０，１０２）から取り出される。パーティクル抑制膜（５０２，６０２，６０８）は、清浄なチャンバー部品（３００，５００，６００）の上に、またはチャンバー部品（３００，５００，６００，７００）の上に形成された堆積物（３０２，６０４）の上に堆積することができる。代替的に、パーティクル抑制膜（７０６）は、チャンバー部品（７００）の上の堆積物（７０２）の少なくとも一部を化学的に転換させることによって形成されても良い。パーティクル抑制膜（５０２，６０２，６０８，７０６）は、製造工程の後で、または複数の製造工程後の選択されたインターバルに形成されても良い。
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本発明の高抵抗シリコンウェーハの製造方法によれば、ＣＺ法により得られた、高抵抗で炭素を含有するシリコンウェーハを用いて、昇温操作（ランピング）による第１熱処理と、高温熱処理および中温熱処理とからなる第２熱処理とを組み合わせることにより、効率的に酸素ドナーの生成を抑制でき、デバイス製造の工程における熱処理後においても、高抵抗が維持でき、抵抗率の変動を抑制した高抵抗シリコンウェーハを得ることができる。さらに、この高抵抗シリコンウェーハを用いれば、優れたエピタキシャルウェーハおよびＳＯＩウェーハを製造できるので、高周波通信デバイスまたはアナログ、デジタル混載デバイス等、広い分野で適用することができる。
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