【課題】基板処理室のクリーニング処理を行う間も搬送装置に仕事をさせることで、搬送装置が本来有するスループットを発揮させ、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる基板交換方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理室と、ロードロック室と、２つの搬送部材により基板を基板処理室及びロードロック室に搬入出可能な搬送装置とを備えた基板処理装置において、第１の基板処理室で処理する基板の交換を行う際、第１の基板Ｗ１を第１の搬送部材により第１の基板処理室から搬出する第１の搬出工程Ｓ１を行った後、第２の基板Ｗ３を第２の搬送部材により第１の基板処理室へ搬入する第１の搬入工程Ｓ４を行う前に、第２の基板Ｗ３を第２の搬送部材により第１のロードロック室から搬出する第２の搬出工程Ｓ２と、第１の基板Ｗ１を第１の搬送部材により第１のロードロック室へ搬入する第２の搬入工程Ｓ３とを行う。 （もっと読む）

【課題】処理基板上への異物の付着を抑制できる熱処理装置を提供する。反応副生成物の反応室壁面への付着を抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板移載機２６に備えられたガス吹出し部３４は、基板支持具３０に向かって、ウエハ積載方向と平行方向にガスを噴射する。排気処理装置３８は、基板支持具３０をガス吹出し部３４とで挟むように配置され、ガス吹出し部３４から噴射された気体及びこの気体によって吹き飛ばされた異物を回収し、排気できるように構成されている。異物の除去は、ガス吹出し部３４が移動することで、基板支持具３０の異物が蓄積した個所に接近させ、異物に対し正確に位置制御してガスを噴射することによって行われる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置１は、半導体基板に成膜処理を行うものであって、半導体基板への成膜処理が行われる本体部２と、出し入れ口を介して本体部２に搬入され若しくは出し入れ口を１８介して本体部２から搬出される半導体基板が待機する待機エリアを有する基板ロード／アンロード部３と、出し入れ口１８を開閉する開閉機構１６と、本体部２の気圧を検出する第１センサ２６と、基板ロード／アンロード部３の気圧を検出する第２センサ２９と、第１センサ２６および第２センサ２９からの情報に基づいて、開閉機構１６を制御する制御部２４とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制することができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】反応管２内や各種の治具等に窒化珪素が堆積すると、反応管２内を所定の圧力および温度に設定し、処理ガス導入管１７から所定量のクリーニングガスとしてのＮＦ_３、および、Ｈ_２を反応管２内に供給するとともに、希釈ガスとしての所定量のＮ_２を反応管２内に供給する。供給されたクリーニングガスは反応管２内で加熱され、クリーニングガス中のフッ素ガスが活性化、すなわち、反応性を有するフリーな原子を多数有した状態になって、反応管２から頂部３、排気口４を介して排気管５に供給される。これにより、熱処理装置１の内部に付着した窒化珪素が除去される。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法により、ウェハに対する微細パーティクルの発生及び／又は付着を低減させることを目的とする。
【解決手段】反応炉を昇温する工程と、前記昇温された反応炉内に１又は複数のウェハを搬入する工程と、該ウェハを熱処理する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記ウェハの搬入に際して、前記ウェハの搬入方向前方に遮熱板を配置し、該遮熱板とともにウェハを前記反応炉へ搬入することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板抵抗率によらず基板上に形成されたエピタキシャル層の厚さを測定することができる手段および上記手段により製品ウェーハのエピタキシャル層厚を保証することによって高品質なエピタキシャルウェーハを提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハをエピタキシャル成長工程に付すことにより、該半導体ウェーハの表面にエピタキシャル層を形成することを含むエピタキシャルウェーハの製造工程におけるエピタキシャル層の膜厚測定方法。エピタキシャル成長工程前に半導体ウェーハの厚みＡを測定すること、エピタキシャル成長工程後に得られたエピタキシャルウェーハの厚みＢを測定すること、前記厚みＢと厚みＡとの差分（Ｂ−Ａ）として、エピタキシャル層の厚みを算出することを含む。前記厚みＡおよび厚みＢを、非接触変位測定計により測定する。 （もっと読む）

【課題】周期表１４族元素の多結晶体を高速で得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】周期表１４族元素の多結晶体の製造方法であって、所定の電極１１，１２を備えた反応容器１０中に導入された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態を形成する超臨界形成工程と、超臨界形成工程で形成された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態において電極１１，１２間に印加することによりプラズマ放電を発生させ周期表１４族元素の多結晶体を生成させるプラズマ放電工程と、を有する周期表１４族元素の多結晶体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】裏面デポの膜厚測定を可能とする方法の提供。
【解決手段】ＦＴＩＲ法によってシリコンウェーハにおける０．３μｍ以下の膜厚変化を測定するための膜厚測定方法であって、膜厚変化を測定する面Ｓ２に測定用の補助膜Ａを成膜する補助膜形成工程Ｓ０１と、補助膜Ａの膜厚を測定する補助膜厚測定工程Ｓ０２と、膜厚変化後に膜厚変化Ｔｒａを測定する測定工程Ｓ０４と、測定工程Ｓ０４の結果および補助膜厚測定工程Ｓ０２の結果から膜厚変化Ｔｒを算出する算出工程Ｓ０５とを有する。 （もっと読む）

【課題】サセプタ上において滑ることを防止し、ウェーハの周縁部がサセプタの表面に接触することを防止して割れを回避する。
【解決手段】シリコンウェーハは、気相成長装置のサセプタ２０に載せた状態でサセプタ２０が回転するときウェーハ周縁部１１の一部がサセプタ２０の表面に接触しないような反りを付ける。気相成長装置のサセプタ２０にシリコンウェーハ１０を載せて回転しながらシリコンウェーハ１０の主面にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル基板の製造方法では、サセプタ２０に載せた状態でサセプタ２０が回転するときシリコンウェーハ１０の周縁部１１の一部がサセプタ２０の表面に接触しないような反りをシリコンウェーハ１０に付ける。 （もっと読む）

【課題】機械的強度をより高めることのできる酸化イットリウム材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置用部材である静電チャック２０の基体２２は、酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₃）と、炭化珪素（ＳｉＣ）と、ＲＥ（希土類元素）とＳｉとＯとＮとを含む化合物と、を少なくとも含む酸化イットリウム材料により構成されている。この酸化イットリウム材料は、ＲＥ（希土類元素）とＳｉとＯとＮとを含む化合物として、ＲＥをＬａ，ＹなどとするＲＥ₈Ｓｉ₄Ｎ₄Ｏ₁₄を含んでいる。このＲＥ₈Ｓｉ₄Ｎ₄Ｏ₁₄は、原料の主成分であるＹ₂Ｏ₃や原料として添加したＳｉ₃Ｎ₄などから焼結過程で生成した化合物である。酸化イットリウムに含まれるＳｉＣやこの化合物により機械的強度や体積抵抗率が向上する。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を有する光電変換装置を、生産性を向上させて製造する方法を提供する。
【解決手段】減圧環境とされる製膜室内に設置された基板を加熱手段によって加熱した状態にし、前記製膜室内に原料ガスを供給し、前記基板に対向して配置された放電電極に対して給電することにより前記基板へ結晶質シリコンからなるｎ層を製膜するｎ層形成工程を含む光電変換装置の製造方法であって、前記ｎ層形成工程が、前記製膜室内の圧力を５００Ｐａ以上１０００Ｐａ以下、かつ、前記基板と前記放電電極との距離を６ｍｍ以上１２ｍｍ以下に設定して前記ｎ層を製膜する工程である光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】成膜の停止時の機械的なシャッタ８動作のための遅延時間を抑制でき、再現性良く成膜を行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマを発生させるプラズマ源４と、プラズマ源４と被処理体１２との間に配置されたシャッタ８と、被処理体１２の表面方向に誘導するようにプラズマに含まれる荷電粒子の進行方向を屈曲させる磁場フィルタ１５と、シャッタ８が開いた状態において磁場フィルタ１５を通過した荷電粒子により被処理体１２上に成膜された膜の膜厚を検知する検知部１４と、検知結果から成膜を停止するか否か判断する判断部１０１と、成膜を停止すると判断したときに、磁場フィルタ１５をオフするように制御するフィルタ制御部１０２とを備える。 （もっと読む）

霧化された表面処理剤を、希プロセスガスで発生された非平衡大気圧プラズマ中に混合し、かつ処理される表面を、該霧化された表面処理剤を含む該大気圧プラズマに接触させて配置する表面のプラズマコーティング方法において、該表面上に形成される該コーティングの粒子含有量を、プロセスガスに少ない割合で窒素を混合することにより、減量することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】送電経路での送電ロスを低減し、熱的負荷を減少させることが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１は、第１電源部、第２電源部、第１整合器１３ａ、第２整合器１３ｂ、放電電極３、保持電極を具備する。第１電源部は、第１高周波電力を供給する。第２電源部は、第１高周波電力と同じ周波数の第２高周波電力を供給する。第２電源部は、第１高周波電力の周波数の位相に対して、第２高周波電力の周波数に位相差を持たせて、第１高周波電力の周波数の位相に対して時間的に変化させる位相差の変調をさせ変調の振幅は高周波電力の波長λの１／４以上である。第１整合器１３ａは、第１高周波電力を第１出力側へ出力し、第２整合器１３ｂは、第２高周波電力を第２出力側へ出力する。保持電極は、放電電極３と対面配置され、被処理基板８を保持する。 （もっと読む）

二重ゾーンプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理チャンバは、処理チャンバ内で第１の基板を支持するように構成された第１の支持表面を有する第１の基板支持体と、処理チャンバ内で第２の基板を支持するように構成された第２の支持表面を有する第２の基板支持体とを含む。１つまたは複数のガス分配部材と流体連結する１つまたは複数のガス供給源が、第１の基板支持体に隣接する第１のゾーンおよび第２の基板支持体に隣接する第２のゾーンに処理ガスを供給する。高周波（ＲＦ）アンテナは、ＲＦエネルギーを処理チャンバの内部に誘導結合し、第１および第２のゾーンにおいて処理ガスにエネルギーを与えてプラズマ状態にするように構成される。アンテナは第１の基板支持体と第２の基板支持体との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】 半導体プロセスのスループットを向上させることができるように、電極の接続構造を大幅に改善した半導体製造装置用のセラミックス基板、特にシャワー基板を提供する。
【解決手段】 半導体製造装置のチャンバー内に設置され、内部に導電体２を埋設したセラミックス基板１であって、導電体２に接続された外部端子接続用の電極部材３と、電極部材３に接続され且つ電極部材３を被覆する導電性のカバー部材４と、カバー部材４で被覆されている電極部材３をチャンバー内雰囲気から遮断するＯ−リング５とを有し、電極部材３とセラミックス基板１及び電極部材３とカバー部材４とがネジなどにより機械的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ上に均一にプラズマを発生させ、近年の半導体回路の微細化に対応できる均一な膜厚をウェハ全面に形成することができるウェハ保持体を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、セラミックス焼結体中に高周波発生用電極を埋設しているウェハ保持体であって、前記高周波発生用電極とウェハ載置面までの距離が一定ではないことを特徴とする。距離を一定にしないとは、前記高周波発生用電極と、ウェハ載置面までの距離が、ウェハ載置面の中心部から端部に向かって長くなってもよいし、短くなってもよい。 （もっと読む）

【課題】HVPE法によりアルミニウム系III族窒化物などのIII族窒化物を成長するにあたり、従来法と同等程度の良好な品質を有しかつ高い収率で製造する方法およびそれに用いる装置を提供する。
【解決手段】三塩化アルミニウムガス等のIII族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等の窒素源ガスとを成長室４１内で反応させて、成長室４１内に保持された基板４３上にIII族窒化物を成長させる窒化アルミニウム等のIII族窒化物の製造方法において、III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを予め混合して混合ガスとした後、ガス混合時並びに導入時の温度を制御するなどの方法によりガス中に析出物を実質的に生成させることなく成長室４１内に導入して反応させる。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜質の均一性が高く、成膜速度も速い、特にＣＶＤ法による半導体薄膜の製造方法と装置を提供すること。
【解決手段】反応炉のチャネルおよびこのチャネルに配置した基板を加熱しながら、チャネルの入り口から反応ガスをキャリアガスとともにチャネル内に導入し，基板上に半導体薄膜を形成する半導体薄膜の製造方法において、反応ガス、または反応ガスとキャリアガスの各一部を、チャネルの入り口から分岐した補助ガス流路に案内し、前記基板の上方部からチャネル内に導入する方法、かつこの方法を実施するよう構成した装置。 （もっと読む）

【課題】 真空容器内での不要な放電や、整合回路内での絶縁破壊といった不具合を軽減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 給電線５と接地電位部（例えば、真空容器２）との間にコンデンサ９を接続する。 （もっと読む）