本発明は、プラズマ処理装置の処理ガス供給部の冷却効率を向上させ、当該処理ガス供給部の温度上昇を抑制することを課題としている。
そのため、本発明では、被処理基板を保持する保持台を備えた処理容器と、前記処理容器上に、被処理基板に対面するように設けられたマイクロ波アンテナと、前記保持台上の被処理基板と前記マイクロ波アンテナとの間に、前記被処理基板に対面するように設けられた処理ガス供給部とを備えたプラズマ処理装置であって、前記処理ガス供給部は、前記処理容器内に形成されたプラズマを通過させる複数の第１の開口部と、処理ガス源に接続可能な処理ガス通路と、前記処理ガス通路に連通した複数の第２の開口部と、当該処理ガス供給部を冷却する冷却媒体が流れる冷却媒体通路を備え、前記冷却媒体はミストを含むことを特徴とするプラズマ処理装置を用いている。 （もっと読む）

所定の規格化直径を有する基板を処理中に支持するための基板ヒーターアセンブリが提供される。一実施形態においては、基板ヒーターアセンブリは、上面を有する本体、下面、および内蔵加熱素子を含む。基板支持面が、本体の上面に形成され、基板収容ポケットの部分を画成する。環状壁が、上面に垂直に位置付けられ、基板の厚さの少なくとも１／２の長さを有する。壁は、基板収容ポケットの外周を画定し、所定の基板直径よりも多くとも約０．５ｍｍだけ大きい直径を有する。 （もっと読む）

プラズマインピーダンスを測定するためのプラズマプロセスシステム、方法及びコンピュータにより読み込み可能な媒体。このシステムは、プラズマを中に有するように構成され、内部の領域の中にチャックを有しているチャンバと、支持面及び底面を有するチャックと、チャンバの外部でチャンバと電源との間のＲＦ伝送線に位置している第１の位置の第１の電圧―電流プローブとを有している。このシステムは、また、第１の電圧―電流プローブに接続され、この第１の電圧―電流プローブから伝送された測定値に基づいて、第１の位置とチャンバの中に位置している第２の位置との間のＲＦ伝送線のＲＦモデルを解くように構成されている、シミュレーションモジュールを有している。
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ガス分配シャワーヘッド(1501)は、広範囲なシャワーヘッド対ウェハ間隔(y)にわたり均一厚みの膜の堆積を許容するように設計される。本発明の一実施形態によれば、フェースプレートへの入口オリフィス(1501a)の数、幅及び／又は深さを減少させて、流れ抵抗を増加し、これにより、フェースプレートの上流で圧力を高める。この高い上流のガス流圧力は、次いで、シャワーヘッドの縁部分に対してその中心部分を通して流れるガスの速度の変化を減少させ、これにより、ウェハの縁又は中心部分に堆積される膜の厚みの均一性を保証する。 （もっと読む）

【課題】 接触なしで原料を蒸発させて、単元又は多元の層及びスタック層を堆積する方法及び装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、プロセスチャンバー（２）内で少なくとも１層を少なくとも１つの基板上に堆積する装置であって、複数の成分からなり、絶縁性、パッシベーション性、又は導電性を有する層と、インジェクタユニット（５）を用いて液状又は液体に溶解した原料（３）を温度制御された蒸発チャンバ（４）に不連続に射ち込むことによって成分が蒸発され、これらの蒸気がキャリアガス（７）によってプロセスチャンバーに供給される装置に関する。各インジェクターユニット（５）を通る流量の時間プロファイルを決定する、射出圧、射出周波数、及びデューティ比、並びにオン／オフの他のインジェクターユニットのオン／オフに対する位相関係等の流量パラメータが個別に設定又は変更されることが基本である。 （もっと読む）

基板上に形成する薄膜の再現性と面内均一性、組成均一性を改善する。 反応室１００に原料ガスを供給する原料ガス供給管５ｂに、バルブ３４、３５を設け、原料ガス供給管５ｂから分岐したバイパス配管１４ａにバルブ３３を設ける。バルブ３４、３５の間に不活性ガス供給配管２３を設ける。制御装置２５０は、バルブ３３〜３５を次のように制御する。成膜時と成膜停止時との間の成膜停止遷移時は、バルブ３４を閉じ、バルブ３３とバルブ３５を共に開き、原料ガスをバイパス配管１４ａからバイパスさせると共に、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内のバルブ３５よりも下流側デッドスペースの残留ガスを反応室から排気する。成膜停止時は、バルブ３５を閉じ、バルブ３４とバルブ３３をともに開き、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内の不活性ガス供給箇所よりも上流側デッドスペースの残留ガスを、原料ガスと共にバイパス配管１４ａから排気する。 （もっと読む）

シャワーベース（４１）、ガス拡散板（４２）、シャワープレート（４３）を積み重ねて構成され、ガス拡散板（４２）の両面に形成された第１ガス拡散部（４２ａ）、第２ガス拡散部（４２ｂ）、およびシャワープレート（４３）に形成され第１ガス拡散空間（４２ｃ）に連通する第１ガス吐出口（４３ａ）、第２ガス拡散空間（４２ｄ）に連通する第２ガス吐出口（４３ｂ）を介して載置台（５）上のウエハＷに原料ガスおよび酸化剤ガスを供給するシャワーヘッド（４０）において、第１ガス拡散部（４２ａ）内にシャワーベース（４１）の下面に密着する複数の伝熱柱（４２ｅ）を設けてその間の部分が第１ガス拡散空間（４２ｃ）となるようにし、この伝熱柱４２ｅにより載置台５から受ける輻射熱をシャワーヘッド（４０）の厚さ方向に伝達する。 （もっと読む）

基材と該基材上に設けられた耐腐食性コーティングとを含む物品が提供される。基材は、一般にアルミナから本質的になり、耐腐食性コーティングは、基材と耐腐食性コーティングの間に介在層、例えば、高温処理プロセスにより提供される反応生成物を与えることなく基材と直接接触するように設けられる。耐腐食性コーティングは、一般に希土類酸化物から本質的になり、約１５ＭＰａ以上の付着強度を有する。特定の実施態様によれば、本物品は、半導体ウェハを処理するための半導体処理装置（１０）で利用及び実装されるセラミック部材（１８、２０）である。
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【課題】 調整可能な光学的性質およびエッチング特性を有する材料を堆積させる方法と装置の提供。
【解決手段】 プラズマ増強化学蒸着によって基板に調整可能な光学的およびエッチング耐性特性を有する膜を堆積させる方法およびシステムに関するものである。チャンバは、プラズマソースと、ＲＦ電源に結合された基板ホルダとを有する。基板は、基板ホルダに配置される。ＴＥＲＡ層は、基板に堆積される。ＴＥＲＡ層の少なくとも一部分の堆積速度が、ホルダの基板にＲＦ電力が印加されていないときより早くなるように、ＲＦ電源によって提供されるＲＦ電力は、選択される。 （もっと読む）

酸化物薄膜の酸素欠損の低下とエピタキシャル成長との促進を図ることにより、優れた特性を有する酸化物薄膜を製造する薄膜製造方法であって、原料ガス、キャリアガス及び酸化ガスを混合して得た混合ガスを、加熱手段により原料の液化、析出、成膜が起こらない温度に維持されたガス活性化手段を通してシャワープレートから反応室内の加熱基板上に供給して反応させ、基板上に酸化物薄膜を製造する。その際、酸化ガスの割合を混合ガス基準で６０％以上とする。また、核形成による初期層を形成する場合、その成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％未満とし、その後の成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％以上として行う。また、酸化物薄膜製造装置において、混合器とシャワープレートとの間に加熱手段を備えてなる。 （もっと読む）

本発明は、半導体製造に有用なガス分配装置を提供する。本ガス分配装置は、単一部材と、単一部材内に形成され、ガスをプロセス領域内へ均一に供給するためのガス分配網とを含む。ガス分配網は、単一部材の上面を通して上方に伸び、ガス源に接続される入口通路と、１つの接合点に集中し、この接合点において入口通路に接続されている複数の第１の通路と、複数の第１の通路に接続されている複数の第２の通路と、複数の第２の通路に接続され、ガスを処理領域内へ供給する複数の出口通路とによって形成されている。第１の通路は接合点から単一部材の周縁表面まで半径方向外向きに伸び、第２の通路は第１の通路と直角ではなく、第１の通路から周縁表面まで外向きに伸びている。出口通路は単一部材の下面を通って下方に伸び、ガスを前記処理領域内へ供給する。
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【課題】空間的に均一な密度のプラズマを生成することができるプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１内に複数個の高周波アンテナ１６を配置し、各高周波アンテナ１６にインピーダンス素子１７を接続する。高周波電源２０に、銅板１８を介して複数の高周波アンテナ１６を並列に接続する。各インピーダンス素子１７をそれぞれ適切な値に調節することにより、高周波電源２０から各高周波アンテナ１６に供給される高周波電力を制御する。これにより、真空容器１１内のプラズマ密度の均一性を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止することができる枚葉式の処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器３２内にて載置台３８上に載置された被処理体Ｗに対して所定の処理を施す枚葉式の処理装置において、前記載置台を浮上させる浮上用磁石機構６０と、前記載置台の周縁部に設けた羽根部材４４と、前記羽根部材に対して不活性ガスを噴射させて前記載置台に回転力を付与する回転用ガス噴射手段６４とを備えるように構成する。これにより、処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、電気的高周波的な特性が考慮されていなかった。
【解決手段】 プラズマを励起するための電極を有するプラズマチャンバＣＮと、この電極４，８に接続された高周波電源１と、プラズマチャンバＣＮと高周波電源１とのインピーダンス整合を得るための整合回路２とを具備し、整合回路２Ａをその出力端ＰＲから切り離し、給電板３で測定したプラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ₀ の３倍が、高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆ_e より大きな値の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）

【課題】被処理物へのチャージングダメージを抑制しつつ、被処理物に面内均一なプラズマ処理を施す。
【解決手段】下部電極２および上部電極３に高周波電力が供給されて、下部電極２および上部電極３間のプラズマによるエッチング処理が開始されてから第１次処理時間が経過すると、上部高周波電源６から出力される高周波電力の大きさがコントローラ７により制御されて、上部高周波電源６から上部電極３に印加される高周波電力の大きさが約２００Ｗから約３００Ｗに変更される。
【効果】エッチング処理の全期間を通じて、プラズマ中の電子の分布を均一に保つことができ、半導体ウエハＷ上のプラズマ密度をほぼ面内均一に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波の放射特性をより精密に制御することにより、被処理体の半径方向及び周方向における処理の制御性を高める。
【解決手段】 マイクロ波を放射する為の複数のスロット３３が設けられた面２３を有する環状導波路１３を有するマイクロ波供給器及びそれを用いたプラズマ処理装置において、環状導波路１３の中心Ｃ１に対してスロット３の中心Ｃ２、Ｃ５が前記面に沿った方向に偏って配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体キャパシタに保護膜を設け、強誘電体膜の還元を抑制する。
【解決手段】 前記保護膜としてＡｌ₂ Ｏ₃ 膜を、３．０〜３．１ｇ／ｃｍ³ 、あるいはそれ以上の密度に形成する。 （もっと読む）

【課題】 プロセスガスのシール用ガス放出板の目詰まりが生じ難く、面内均一性の良好なＣＶＤ膜をウエハ上に成膜できる常圧ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 本装置は、ウエハに向けプロセスガスを吹き出すガスインジェクタと、ガスインジェクタから吹き出されたプロセスガスをシールするガスシール機構とを有するプロセスチャンバを備え、常圧下でウエハ上にＣＶＤ膜を成膜する常圧ＣＶＤ装置である。本装置のガスシール機構６０のガス放出板６１に設けた多孔板の板厚Ｔを０．４mmにすることにより、多孔板に設けられたガス放出孔の開口径を大きくし、かつ開口ピッチを小さくして、目詰まりを防止している。これにより、プロセスガスの流れが安定し、面内均一性の良好なＣＶＤ膜をウエハ上に成膜できる。第１Ｎ₂ ガス供給管２６と第２Ｎ₂ ガス供給管４０とを止め金具７６により相互に連結、固定している。これにより、従来のようなＮ₂ ガスの漏れが生じない。 （もっと読む）