【課題】均一な堆積膜を安価に安定して製造可能な、堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】
反応容器と、該反応容器の内部にクリーニング性ガスを導入する手段と、該クリーニング性ガスを排気する手段と、前記反応容器の内部に基体を設置するための基体ホルダと、該基体ホルダを回転運動又は往復運動させるための軸と、該軸を支持する軸受とを備え、前記軸および前記軸受の摺動面のうち少なくとも一方が固体潤滑材からなる堆積膜形成装置を用いて前記基体の外周面上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、前記基体の外周面上に堆積膜を形成させた後に、前記反応容器の内部にクリーニング性ガスを導入し、前記軸を回転運動又は往復運動させながらクリーニング処理をおこない、前記クリーニング処理中に前記回転運動又は往復運動の駆動状態を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 チャージアップの抑制および二次反応の抑制を高いレベルで両立する電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 電極および円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成して、電子写真感光体を製造するにあたり、基体ホルダーと補助ホルダーとによって円筒状基体を長手方向に加圧した状態で保持し、前記正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値および前記負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値であるようにする。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を歩留まり良く形成する方法。
【解決手段】底部材および蓋部材ならびに底部材および蓋部材から絶縁されている壁部材からなる反応容器の中に基体および基体を保持している基体ホルダを入れ、基体ホルダの一端と底部材とを電気的に接続し、基体ホルダの他端と蓋部材とを電気的に接続する工程（ｉ）と、蓋部材、基体ホルダおよび底部材からなる電気が伝わる経路の電気抵抗値を測定する工程（ｉｉ）とをこの順に有し、電気抵抗値が所定値以下である場合、底部材および蓋部材を反応容器の外部で電気的に接続し、反応容器に堆積膜形成用原料ガスを導入し、反応容器に導入された堆積膜形成用原料ガスを励起させて励起種を生成して基体上に堆積膜を形成する工程（ｉｉｉ）に進み、電気抵抗値が所定値を超える場合、工程（ｉｉｉ）に進まない。 （もっと読む）

【課題】基体ホルダー外周面に残留したダストが円筒状補助基体と円筒状基体の端面間の隙間から飛散することを防ぐことができる真空処理方法を提供し、画像欠陥の原因となる電子写真感光体の球状突起を低減することにある。
【解決手段】真空処理方法であって、チャッキング部材の一部と円筒状補助基体の円筒状基体とは反対側の端面とが接触することによりチャッキング部材が円筒状補助基体を加圧し、円筒状補助基体が円筒状基体を押圧して両者の端面同士を密着させる工程と、円筒状基体と円筒状補助基体の端面同士が密着した状態で、搬送容器内を真空排気する排気工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業の手間を低減させ、プラズマＣＶＤ装置の稼動率を向上させながらも、被処理体の膜厚のばらつきを抑制できるノズルを提供する。
【解決手段】被処理体１の表面に成膜処理を施すプラズマＣＶＤ装置に取り付けられ、被処理体１が配置された放電空間に放電ガスおよび成膜ガスを供給し、放電ガスを供給する放電ガス流路１４と成膜ガスを供給する成膜ガス流路１６とを各別に設け、放電ガス流路１４の下流側の端部に、放電ガスを吐出する放電ガス吐出口１５を設けるとともに、成膜ガス流路１６の下流側の端部に、放電ガス吐出口１５から吐出される放電ガスを挟み込み又は包囲する領域に成膜ガスを吐出する成膜ガス吐出口１７を設けてある。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によって、耐熱衝撃性が高く、緻密質な窒化アルミニウム膜を成膜する窒化アルミニウム膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム原子（Ａｌ）を含むガスおよび窒素原子（Ｎ）を含むガスに、酸素原子（Ｏ）を含むガスを混合し、窒化アルミニウム膜によって被覆されるべき被処理物に向けて供給する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好なIII族窒化物半導体単結晶を製造できるサセプタを提供する。
【解決手段】基材５１と、立設部（種結晶保持部）５２とを備える種結晶保持材５において、基材５１表面と、種結晶保持部５２表面とが異なる材料で構成され、基材５１の表面は、立設部５２表面よりも、III族窒化物半導体多結晶が付着しやすい材料で構成されており、立設部５２は、基材５１の表面に設けられ、基材５１の表面から立設部５２が突出している。立設部５２は、基材５１に対し着脱可能であってもよいが、着脱できないものであってもよい。立設部５２の先端面で種結晶２を保持する。基材５１の立設部５２側表面であって、少なくとも立設部５２の基端部側の周囲の部分（被覆材料５１２）は、種結晶２と同種のIII族窒化物半導体で構成される。 （もっと読む）

【課題】 反応容器の中の不純物量の変動に影響されずに、休止後の再稼動時であっても、生産性を低下させない堆積膜形成方法を提供することにある。更に、特性バラツキを低減した堆積膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 減圧可能な真空処理容器を用いて堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記堆積膜の形成を休止し（Ｓ５２１）、前記真空処理容器の中の不純物の量がほぼ飽和するまで前記真空処理容器を大気開放する（Ｓ５２２）。その後、ほぼ飽和した不純物の量に対応して予め定めた堆積膜形成条件（通常とは異なる堆積膜形成条件）を、再稼働時の堆積膜形成条件とする（Ｓ５３２）。 （もっと読む）

【課題】円筒状内部等へのプラズマ処理にあたって、簡素にかつ詳細にプラズマ状態を計測する方法とそれに用いる電流計測器を提供する。
【解決手段】基材内表面から外面に通じる孔４を設け、円筒状内表面に照射されたイオン３の一部は孔４を通過し、基材表面に平行に設置されたプローブ５に入射し、電流計６によって電流量を計測し、基材内表面とプローブの間隔と前記孔の中心線から電流が計測されたプローブの位置までの間隔との幾何学的関係から、荷電粒子による電流量および荷電粒子のプローブへの入射角を計測する。 （もっと読む）

【課題】作業工数、特に、孔加工工数を低減することができる基板処理装置用の多孔板の製造方法を提供する。
【解決手段】予め多数の第１の貫通孔４２が形成されたカーボン基台４１の表面に、化学蒸着（ＣＶＤ）法によって、例えば厚さ５ｍｍのＳｉＣ膜４３を形成させ、その後、第１の貫通孔４２に対応する第２の貫通孔４４が多数設けられた表層の多孔ＳｉＣ膜４３を切り出し、加熱してＳｉＣ膜４３に付着したカーボンを燃焼、除去し、必要に応じて表面を研削し、また表面処理を施す。 （もっと読む）

【課題】ブラスト処理が困難な凹凸の大きい複雑な表面やアスペクト比の大きな穴内面などに対しても適切に表層部を除去して内部の略均一な組織を露出させ、高い付着強度でダイヤモンド被膜をコーティングできるようにする。
【解決手段】ステップＳ１のコーティング前処理では、酸素プラズマにより基材１２の表面を酸化させるとともに、超音波洗浄でその酸化物を除去するため、本焼結の際に形成される焼結肌が適切に除去され、その上に形成されるダイヤモンド被膜１８の付着強度が向上する。ステップＳ１−１の酸化処理では、基材１２に負のバイアス電圧を印加するため、基材１２の表面に沿って高密度の酸素プラズマが略均一に生成され、アスペクト比の大きな穴内面１６に対しても適切に酸化処理が施され、穴内面１６を含む基材１２の表面全域において焼結肌が短時間で適切に除去される。同様の処理でダイヤモンド被膜１８の脱膜処理を行うこともできる。 （もっと読む）

【課題】処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、ほぼ垂直に立てた被処理物の処理を過不足無く均一に行なう。
【解決手段】被処理物９の被処理面９ａを略垂直に向ける。略垂直に分布する吹出し口２１ａを有するノズル２０を被処理物９と対向させる。雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスをノズル２０に導入する。吹出し口２１ａの近傍で流速調節用の窒素ガスを処理ガスに混入する。混入後の処理ガスを吹出し口２１ａから吹き出す。吹き出し時の処理ガスの流速が０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓになるよう、流速調節用ガスの混入流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物をチャネルに用いた電界効果型トランジスタにおいて、ゲート絶縁層とチャネル層との間の界面が良好な構造を提供する。
【解決手段】基板１と、前記基板１上に、ゲート電極５と、ゲート絶縁層６と、チャネル層４と、ソース電極２と、ドレイン電極３と、を有し、前記ゲート絶縁層６及び前記チャネル層４は、ガリウム（Ｇａ）及び酸素（Ｏ）を少なくとも構成元素とする層である、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層とチャネル層との密着性が良好な電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記ゲート絶縁層は酸化ガリウムを含み、前記チャネル層は有機半導体層である、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】装置の大幅な改造をせず汎用的な真空チャンバを用いて、プラズマＣＶＤ法によりダイヤモンドライクカーボン膜の高速成膜を安定して行う方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法で基材上にダイヤモンドライクカーボン膜を形成する方法であって、基材に印加する電圧をバイポーラＤＣパルス電圧とすると共に、チャンバ内に供給するガスとしてトルエン含有ガスを用い、かつ、チャンバ内のガスの全圧を４Ｐａ以上７Ｐａ以下にしてダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】膜特性の優れた堆積膜を生産性良く形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】減圧可能で内部に基体１０２を設置可能な反応容器部１０１および、反応容器部１０１との間を開口および閉口する弁体を有するゲートバルブ部１３０からなり、弁体により反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を開口して、反応容器部１０１の中に基体１０２を搬入し、堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、ゲートバルブ部は、弁体を摺擦することが可能な摺擦部材と、弁体が反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を閉口している位置から開口している位置に移動する際に、弁体と摺擦部材を摺擦させるか否かの選択可能であって、摺擦させる場合に、摺擦部材が弁体を摺擦することによって、弁体に付着した異物を除去し、さらに除去した異物を反応容器部１０１の中へ落とすことが可能な摺擦機構を有する。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を生産性良くさらに低コスト形成することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基体ホルダに保持された円筒状基体に対向して配置された電極部材に高周波電力を印加して円筒状基体と電極部材との間にプラズマを生起し円筒状基体の表面に堆積膜を形成するＣＶＤ装置であって、電極部材は円筒状基体の円筒面に正対している部分と正対していない部分を有し、正対していない部分の一部の直径が正対している部分の直径よりも小さく、かつ正対していない部分から円筒状基体またはこれと同電位の部材への最短距離が正対している部分から円筒状基体またはこれと同電位の部材への最短距離よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】平坦でないワーク被成膜面であっても膜厚分布のばらつきを抑えることができるプラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法を提供する。
【解決手段】処理室１０内に生起されたプラズマ中で、凹凸を有するワーク３０に成膜を行うプラズマ成膜装置であって、処理室１０内に設けられ、ワーク３０を保持可能なワーク保持部１２と、処理室１０内でワーク保持部１２に対向して設けられ、ワーク３０の凹部３２の内側に位置させることが可能な凸部２３を有する電極２１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】特に光学積層膜を設計どおりに再現性よく得ることができる堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】反応容器内に原料ガスを導入する工程と、高周波電力を印加する工程を複数回繰り返す事により、基板上に複数の堆積膜を積層する堆積膜形成方法であって、（１）反応容器体積とガス圧力とガス流量から計算されるガス滞留時間の５倍以上の時間、一定流量のガスを流しつづけ、反応容器内のガス分布を安定化させる安定化工程２１１と、安定化工程２１１後に高周波電源から電力を印加して放電を開始し、基板上に堆積膜を形成する膜堆積工程２１２と、を有し、（２）膜堆積工程２１２は、電力の立ち上がり工程２０１と、インピーダンス整合工程２０３と、安定放電工程２０５と、電力をオフする立ち下がり工程２０４と、からなり、立ち上がり工程２０１とインピーダンス整合工程２０３と立ち下がり工程２０４の合計時間が、１秒以上、１０秒以下である。 （もっと読む）

【課題】所定温度、所定圧力のガス雰囲気中で金属部品を熱処理することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室する処理室に用いられる金属部品の表面を熱処理する反応室３１と、この反応室３１にガスを供給するガス供給装置３２と、反応室３１を減圧排気する排気装置３３と、金属部品を保持する保持体３４とを備える。 （もっと読む）