【課題】プロセス上必要とされる流量のフッ素ガスを安全かつ安定に連続的に供給でき、さらに、安価で操作性に優れた簡易な方法を提供すること。
【解決手段】本発明のフッ素ガスの供給方法は、金属フッ化物固体の熱分解反応によりフッ素ガスを発生して供給するフッ素ガスの供給方法であって、金属フッ化物固体を入れた容器をフッ素ガス供給配管部に接続した後に容器接続部の気密を確認する工程［１］と、フッ素ガスの発生圧力を測定し、得られた圧力値に基づいて、前記容器の加熱温度を制御し、一定の圧力でフッ素ガスを発生させる工程［４］と、発生したフッ素ガスを、前記フッ素ガス供給配管部に設けられたフッ素ガス供給弁を開放して供給する工程［５］と、発生したフッ素ガスの供給を、前記フッ素ガス供給弁を閉じて停止させる工程［６］などとを順次に自動運転操作により進行することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非処理体上へのプラズマの流れを妨げないようにガス噴射部材を設けたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００の梁２６には，噴射孔Ａを有する横吹きガスノズル２７と噴射孔Ｂを有する氷柱ガスノズル２８とが多数固定されている。第１のガス供給部は，噴射孔Ａから誘電体３１近傍にアルゴンガスを噴射する。第２のガス供給部は，噴射孔Ｂから，ガスが過剰に解離されない位置にシランガスおよび水素ガスを噴射する。このようにして噴射された各ガスは，各誘電体パーツ３１ａを透過したマイクロ波によりプラズマ化される。氷柱ガスノズル２８は基板Ｇ上へのプラズマの流れを妨げないように位置するため，イオン，電子は，氷柱ガスノズル２８に衝突しにくくなる。この結果，氷柱ガスノズル２８に堆積する反応生成物の量を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】不純物の付着がほとんどなく、均一な薄膜の形成が可能で、成長薄膜の面内均一性を向上させることができる半導体薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】反応管１２と、該反応管１２内に配置されるサセプタ２０と、該サセプタ２０上に配置された基板２２Ａに負圧をかけてこれを保持する負圧発生手段と、を備え、前記基板２２Ａの結晶成長面の法線と鉛直下方向とのなす角度が１８０°未満となるように、前記基板２２Ａが設置されることを特徴とする半導体薄膜製造装置である。 （もっと読む）

【課題】簡単で低コストな方法により、１つの外囲器内で、高品質の基板を具体化することを可能にする新しい製作方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、少なくとも１つの単結晶層が堆積された単結晶基板を含む構成要素の製作方法に関し、この方法は、気体プラズマ内の金属または半導体の粉末化による単結晶層の堆積に関する１つまたはいくつかのステップを含み、原子堆積の速度が、ステップ自体の中では、かかる原子の均質化速度より遅いことを特徴とする。
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【課題】埋め込み性能及び絶縁膜品質の劣化を抑制することが可能な絶縁膜形成方法を提供する。
【解決手段】溝が形成された半導体基板をプラズマが生成される反応室１３に載置する。シリコン含有ガスの流量と酸素含有ガスの流量の和に対する水素含有ガスの流量の比を第１流量比、シリコン含有ガスの流量に対する酸素含有ガスの流量の比を第２流量比、第１流量比と第２流量比とのなす線形関係で規定される所定の臨界条件に対し、第１流量比を相対的に大きく第２流量比を相対的に小さく設定した流量条件をクラスタ発生条件、所定の臨界条件に対し、第１流量比を相対的に小さく第２流量比を相対的に大きく設定した流量条件をクラスタ抑制条件とし、クラスタ発生条件でシリコン含有ガス、酸素含有ガス、及び水素含有ガスを含むプロセスガスを反応室中に導入する。その後、クラスタ抑制条件でプロセスガスを反応室中に導入する。 （もっと読む）

【課題】エッングガスの過剰な解離を抑制することで良好なエッチング処理を実現する。
【解決手段】ドライエッチング装置１は、基板２と対向する前記真空容器の上部開口に配置され、その上面７ｇに誘電体板８を支持する梁状スペーサ７を備える。梁状スペーサ７は、円環状の外周部７ａ、平面視で外周部７ａによって囲まれた領域の中央に位置する中央部７ｂと、及び中央部７ｂから外周部７ａまで放射状に延びる複数の梁部７ｃを備える。キャリアガス供給源１９から供給されたキャリアガスが外周部７ａに形成された第１ガス導入口３１から斜め下向きに噴出される。エッチングガス供給源２０から供給されたエッチングガスが中央部７ｂに形成された第２ガス導入口３４から下向きに噴出される。 （もっと読む）

【課題】排気管系の詰まりを防止する。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室１４に上流側端が接続され下流側端が排気装置に接続される排気管系４０の排気口２０に第一排気管４１を接続し、第一排気管４１の内側に被覆管４７をバッファ４６を介して挿入し、第一排気管４１にバッファ４６に付着防止ガス４４を導入する付着ガス導入管４５を接続する。被覆管４７は上流側口径が大きく下流側口径が小さい円筒形状に形成されたセグメントリング５１で構成する。複数個のセグメントリング５１を中心線を揃えて直列に配列しセグメントリング５１同士の上流側と下流側とを一部重ねて隙間を形成させて、この隙間によってバッファ４６の付着防止ガスを被覆管４７の内側空間に流出させる流出口５２を構成する。流出口から流出した付着防止ガスにより副生成物等の排気管や被覆管の内周面への付着堆積を防止できる。
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【課題】 インナーチューブの無い装置構成でガス供給ノズルを介してガスを供給させる場合に、成膜均一性がさらに向上する基板処理装置の構造を提供することにある。
【解決手段】 基板（ウエハ１０）の処理空間を形成する処理室２０と、前記処理室に少なくとも原料ガス、キャリアガス、エッチング性ガスから成る所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内の雰囲気および前記基板を加熱する加熱手段（ヒータ１８）とを有し、前記基板上に選択的にエピタキシャル膜を成長させる基板処理装置において、前記ガス供給手段は、前記処理室２０内に挿入される複数のガス供給ノズル１６、１７を含み、前記複数のガス供給ノズルの少なくとも一つが、前記エッチング性ガスのみを供給するガス供給ノズル１７から構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマに影響を与えないでタクトタイムを短縮すること。
【解決手段】処理ガスを用いたプラズマを生成するプラズマ生成空間と、被処理物の搬入口と前記空間とを連通し被処理物を前記空間へ搬入するための搬入路と、被処理物の搬出口と前記空間とを連通し被処理物を搬出するための搬出路と、搬出路に搬出方向に間隔を有して設けられる複数のシャッタとを備え、被処理物が搬出方向に所定長さを有し、複数のシャッタは被処理物が搬出路を通過中に選択的に開閉され、前記空間と搬出口との間が常に気密的に閉鎖される。 （もっと読む）

【課題】 外管と内管の２重構造からなる半導体基板を加熱処理するための反応管の外管と内管との間にプロセスガスを流すことで行っていた均熱化処理では、プロセスガスの流量が処理条件毎に異なるため、十分な均熱化を行うことが困難であった。そこで、均熱性が高い領域を安定して形成しうる半導体製造装置の反応管を供給することを目的としている。
【解決手段】 プロセスガスの条件に依存することなく反応管内部での均熱性を向上させるため、反応管の外管と内管との間にプロセスガスではなく均熱性を向上させるために専用の温度制御ガスを供給するようにした。プロセスガスの供給条件とは無関係に温度制御ガスの供給条件を設定できるのでプロセスガスと連動して温度制御ガスの条件を変える必要がなく、ガス滞留部の温度をプロセスガスの流量と関わりなく広い領域で温度分布の少ない状態に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】 不純物濃度のばらつきの少ない不純物ドープ多結晶半導体層を絶縁基板上に有する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 不純物を含有する多結晶半導体層を絶縁表面上に有する半導体基板の製造方法であって、上記製造方法は、上記多結晶半導体層よりも高濃度の不純物ドープ非晶質半導体層を形成する工程と、上記多結晶半導体層よりも低濃度の不純物ドープ非晶質半導体層又は不純物非ドープ非晶質半導体層を形成する工程と、非晶質半導体層を結晶化する工程とを含む半導体基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】室内の基板収容領域が略均等な高温雰囲気に設定された処理室で、シリコンのエピタキシャル膜を選択成長させることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ２００収容領域が略均等な高温雰囲気に設定された処理室２０１内に、表面の少なくとも一部にシリコン層が形成されたウエハ２００を搬入し、処理室２０１内に少なくとも水素化物系のシリコンを含む原料ガスと水素ガスとを供給し、シリコン層の表面にエピタキシャル膜を成長させる第１の工程と、処理室内にエッチングガスを供給し、シリコン層以外の基板表面に堆積したシリコン化物を除去する第２の工程とを複数回繰り返して、シリコン層の表面に所望の厚さのエピタキシャル膜を選択成長させる。 （もっと読む）

【課題】 還元性ガスまたは還元性ガスを含むガスのプラズマによるプラズマ発生装置の部材の還元を防止し、かつ、還元性ガスの活性種や荷電粒子などの減少を抑え、被処理物の処理効率が高いプラズマ発生装置、プラズマ発生方法及びプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも一部が誘電体からなる隔壁を有し、大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な第一の空間領域を有する第一の部分と、前記第一の空間領域に第一のガスを導入する手段と、前記誘電体を介して前記第一の部分の外部から前記第一の空間領域にマイクロ波を導入する手段と、前記第一の空間領域に連接するように設けられた第二の空間領域を有する第二の部分と、前記第二の空間領域に第二のガスを導入する手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ発生装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコン−ゲルマニウム混晶膜を成長させる際に、所望の領域に炭素等の不純物を高精度にドープし、ボロン等の不純物が拡散するのを効果的に抑制できるようにする。
【解決手段】シリコン原料ガス、ゲルマニウム原料ガス、ボロン原料ガス、炭素原料ガスを反応室１に導入して、基板２上にシリコン−ゲルマニウム混晶膜を成長させる場合に、炭素原料ガスをボロン原料ガスよりも先出しして、炭素原料ガスのガスボンベ１６からの供給タイミングをボロン原料ガスのガスボンベ１５からの供給タイミングに対して早くしている。これにより、炭素とボロンとのシリコン−ゲルマニウム混晶膜中への取り込みにずれが生じないようにして、シリコン−ゲルマニウム混晶膜の任意の深さ領域で炭素の濃度をボロンの濃度より高くしたので、ベース層形成以後の熱プロセスにおいてボロンの拡散を効果的に抑制することができる。 （もっと読む）

反応槽（２）、少なくとも一つの種（９）のための支持手段（３）、少なくとも一つの反応ガスのための吸気手段（５０、５１、５２）燃焼ガスのための吸気手段（５０、５１、５２）、および前記燃焼ガスの間に燃焼を誘発する手段から構成される、基材上に結晶を成長させるためのリアクター（１）。反応槽（２）の内部（２０）に設置された種（９）上の結晶成長は、少なくとも一つのガスを反応槽（２）に導入し、燃焼ガスを反応槽（２）に導入し、燃焼ガスの間に燃焼を誘発し、および前記種（９）の上に生成した材料を堆積するステップから構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体処理装置の腐食性ガスが通流する部位の表面に原子堆積膜を形成することにより、当該部位の耐久性や、前記腐食性ガスに対する耐食性を向上させること。
【解決手段】 処理容器１０に、処理ガス供給管２１と、ガス供給機器ユニット２２と、ガス配管２３と、排気管２４と真空ポンプ２５とを接続して半導体処理装置を組み立てた後、前記例えば処理容器１０、処理ガス供給管２１、ガス供給機器ユニット２２、ガス配管２３、排気管２４を結ぶガス流路に第１の原料ガスと第２の原料ガスとを交互に多数回切り換えて供給すると共に、第１の原料ガスの供給と第２の原料ガスの供給との間に前記ガス流路の真空排気を行うことにより、前記ガス流路の腐食性ガスとの接触面に、Ａｌ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｙのいずれかを含む化合物よりなる原子層堆積膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】井戸層の劣化を抑制しつつ障壁層の結晶性を向上させた、ヘテロ界面を有するＭＱＷ構造と該構造の製造方法とを提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、ＩｎとＧａを含む窒化物半導体からなる井戸層と、井戸層を挟み、井戸層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＡｌとＧａを含む窒化物半導体からなる障壁層と、井戸層と障壁層との間に設けられた薄膜層とを備えている。薄膜層は、障壁層の形成後、基板の降温時と井戸層の形成後、基板の昇温時にそれぞれ形成される。 （もっと読む）

結晶成長装置内で、半導体ウエハ表面に、エッチング作用のある原料と結晶成長原料を同時に供給し、エッチング速度と結晶成長速度をバランスさせることで、効率良く残留不純物を除去する。
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【課題】シャワーヘッドと触媒支持部が分離して簡単な構成を持ち、工程最適化条件としてシャワーヘッド、触媒ワイヤ及び基板間の距離調節が可能であり、低温部から発生されうる異物の発生防止が可能になるようにパージング機能が具備された触媒化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】工程チャンバ１と、工程チャンバ１内に工程ガスを導入するように構成されるシャワーヘッド７と、シャワーヘッド７から導入されるガスを分解させるように工程チャンバ１内に構成される触媒ワイヤ８と、触媒ワイヤ８を支持するように構成された触媒支持部８００と、触媒ワイヤ８で分解されたガスが蒸着される基板Ｓと、基板Ｓを支持する基板支持部４とを含む。 （もっと読む）

【課題】触媒化学気相蒸着装置を利用して別途の後熱処理工程及び脱水素工程なしにも多結晶質Ｓｉ薄膜の成長が可能になるようにした多結晶質薄膜のインサイチュー成長方法を提供する。
【解決手段】工程チャンバ内に真空を排気させる準備段階と、真空が排気された工程チャンバ内に真空チャンバ及び触媒を清浄化させる清浄化段階と、清浄化がなされた工程チャンバ内に基板が引入される基板引入段階と、基板が引入された前記工程チャンバ内に工程ガスが噴射される工程ガス噴射段階と、及び工程ガスが噴射された工程チャンバ内に工程ガスを触媒の反応を利用して基板上に多結晶質薄膜で成長させる工程段階と、を含んでなる。 （もっと読む）