【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】 複数のノズルの内部をクリーニングする場合に、複数のノズルの少なくとも一つにクリーニングガスを供給するとともにクリーニングの終了していないノズルに不活性ガスを供給し、クリーニングの終了したノズルに不活性ガスを供給し、その状態で、他のノズルへクリーニングガスを供給するとともにクリーニングの終了していないノズルに不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】ガス種に対応した複数のガス排気ラインに対して複数の反応室から排気ガスを切り換えて排気する場合に、ガス排気ラインに対する排気ガスの誤誘導を防ぎ、ガス排気ラインの切り換えにおいて、ガス真空ポンプの背圧上昇によるポンプの停止を回避する。
【解決手段】ガス排気ライン切り換え機構は、複数の反応室の各反応室をそれぞれ排気する複数の真空ポンプを、反応室から排気される排気ガスに含まれるガス種に対応した複数のガス排気ラインに切り換えて接続する。真空ポンプと各ガス排気ラインとの間に複数の開閉バルブを接続し、開閉バルブの上流側に不活性ガスを導入自在とし、不活性ガスを導入した開閉バルブにおいて、真空ポンプ側の圧力をガス排気ライン側の圧力よりも高圧とする圧力勾配を形成する構成とする。 （もっと読む）

【課題】チャンバの内面がクリーニングガスに過剰に晒されることなく、サセプタ上の堆積物を除去することが可能な成膜装置及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、容器１２内に回転可能に設けられ基板Ｗが載置される基板載置部２４を一の面に有するサセプタ２；上記の一の面に対し原料ガスを供給するガス供給系３１、３２；サセプタ２上方に配置されサセプタ２の上面に向かって開口し逆凹状の空間を画する第１の凹状部材６０ｂと、第１の凹状部材６０ｂ上方に第１の凹状部材６０ｂに向かって開口し第１の凹状部材６０ｂとの間にガス流路を画する第２の凹状部材６０ｃと、逆凹状の空間にクリーニングガスを供給するガス供給部６０ｄ、６０ｅと、ガス流路に連通し容器の外部へ延在する排気管６０ａとを含むクリーニング用構造体６０；及び容器１２に形成され原料ガスを排気する排気口６１、６２；を備える。 （もっと読む）

【課題】真空吸着時におけるＧａＮ基板の割れを防ぐことができる窒化物半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板１０を基板ホルダ５６上に搭載した状態でｎ型ＧａＮ基板１０のＧａ面にＧａＮ系材料からなる半導体層１２をエピタキシャル成長させた後に、ｎ型ＧａＮ基板１０のＮ面を真空吸着装置７６で真空吸着する。しかし、半導体層１２をエピタキシャル成長させる際に、ｎ型ＧａＮ基板１０はＧａ面の中央が凹むように反り、半導体層１２の原料ガスがｎ型ＧａＮ基板１０のＮ面に回り込んでｎ型ＧａＮ基板１０のＮ面にエピデポ物５８が堆積する。そこで、半導体層１２をエピタキシャル成長させた後、かつｎ型ＧａＮ基板１０のＮ面を真空吸着する前に、エピデポ物５８を除去する。 （もっと読む）

【課題】処理室内の高温領域に配置されたノズルの内壁において、Ｂ化合物の膜の形成を抑えるようにする。
【解決手段】処理室２０１内に設けられた同一のガス供給ノズル１６６に、少なくとも構成元素としてＢを含むガスと構成元素としてＣｌを含むガスとを同時供給し、ガス供給ノズル１６６内のＣｌの濃度がＢの濃度よりも高くなすように供給してＢドープシリコン膜を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜を行う成膜装置において、ヒータ２３は基板の載置領域を備えた回転テーブル７下方側に設けられ、外側壁部材２１はヒータ２３が設けられている領域における回転テーブル７の径方向外側を囲むように配置されている。さらにこの回転テーブル７との間に第１の狭隘な空間を形成する部材が設けられ、この第１の狭隘な空間に向けてパージガスを流すことにより反応ガスが回転テーブル７の下方側へと侵入することを防止する。 （もっと読む）

【課題】気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を収容した処理室内に複数種類の反応物質を複数回供給することにより基板を処理する工程を有し、複数種類の反応物質のうち少なくともいずれか一つは、液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒を連続的に流すと共に、気化部に液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行い、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を、液体原料の気化動作時に供給する溶媒の流量よりも大流量で流すフラッシング動作を行う。 （もっと読む）

【課題】熱処理を行うことによって、電流利得を調整することができる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】加熱された基板１上に、原料ガスを供給して、サブコレクタ層２、コレクタ層３、炭素ドープのベース層４、エミッタ層５、エミッタコンタクト層６を含むエピタキシャル層を形成する化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、エミッタコンタクト層６の形成直後に、熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の最表面の露出状態にあるＳｉ層を凝集が生じる温度以上に加熱昇温する場合に、当該Ｓｉ層が凝集するのを防止でき、さらにＳＯＩ基板上に保護膜を形成することなく凝集を抑制することができる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、Ｓｉ基板３１上に絶縁層３２とＳｉ層３３が順次積層されて成るＳＯＩ基板２７で、露出状態にあるＳｉ層を加熱昇温するとき、加熱昇温過程で水素化物ガスを供給する。これにより、Ｓｉ層が凝集する前に、凝集前の温度で水素化物ガスが解離してＳｉ層のダングリングボンド４１をＨ等の所定原子で終端させる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶基板の表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程を含むシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、シリコン単結晶基板とシリコン単結晶薄膜間の深さ方向の抵抗率変化が急峻で、抵抗率の遷移幅が小さいシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 シリコン単結晶基板の表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程を含むシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記シリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程は、前記シリコン単結晶基板の少なくとも表面上の酸化膜を除去した後、不活性ガス雰囲気下で熱処理し、その後気相成長原料ガスを導入することで行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

ＩＩＩ−窒化物材料の半導体構造および層のエピタキシャル成長中に、連続する層の品質が連続して改善されるように応用可能な方法。中間エピタキシャル層は、成長ピットが、最初の表面に存在する表面転位で形成されるように、最初の表面に成長される。それから、次の層は、横方向に広がって少なくとも交差成長ピットの凝集を密閉するように、エピタキシャル横方向オーバーグロースの知られた現象に従って中間層上に成長される。好ましくは、横方向成長材料中の転位の数を減少させるために、次の層の成長より前に、誘電体材料が不連続に堆積するように誘電体材料の不連続膜が堆積される。本発明の方法は、同じ構造に対して複数回行うことができる。また、これらの方法によって製作された半導体構造。
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プラズマ装置内で基板をプラズマ加工する方法および装置であって、・加工される基板の表面と電極との間隔がｄとなるよう、基板（１１０）を電極（１１２）と対向電極（１０８）との間に配置し、・電極（１１２）と対向電極（１０８）との間で容量性結合されたプラズマ放電を、ＤＣ自己バイアスの形成により励起し、・被加工表面領域と電極との間の、擬似中性バルクプラズマ（１１４）を伴うプラズマ放電領域に、少なくとも活性化可能なガス種が存在するようにし、このガス種を加工すべきサブストレートの表面に打ち込む方法および装置において、・プラズマ放電を励起し、・該プラズマ放電では、前記間隔ｄがｓから２．５ｓの間の範囲を有するようにし、ただしｓ＝ｓｅ＋ｓｇであり、ｓｅは電極前方のプラズマ縁部層の厚さを表わし、ｓｇは対向電極前方のプラズマ縁部層の厚さを表わし、または・被加工表面領域と電極との間の擬似中性バルクプラズマが、線形の広がりｄｐを有し、ただしｄｐ＜１／３ｄ、ｄｐ＜ｍａｘ（ｓｅ＋ｓｇ）またはｄｐ＜０．５ｓである。
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【課題】 クリーニングするたびに行っていた成膜ガスノズルの交換の時期を延長させ、半導体製造装置のメンテナンス時コストを大幅に低減し、成膜ガスノズル交換に要していた時間をなくし、反応炉のダウンタイムを短縮する。
【解決手段】 第１のクリーニングステップでは、複数の成膜ガスノズル内に同時にクリーニングガスを供給し、複数の成膜ガスノズルのうち、より短い成膜ガスノズルからより長い成膜ガスノズルへかけて順次クリーニングが終了していくようにすると共に、クリーニングが終了した成膜ガスノズルに不活性ガスを供給するようにし、第２のクリーニングステップでは、複数の成膜ガスノズル内に不活性ガスを供給した状態で、クリーニングガス供給口よりクリーニングガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】 安定な高速成膜化が可能なＣａｔ−ＰＥＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】 本発明のＣａｔ−ＰＥＣＶＤ装置は、原料ガスの少なくとも１つを熱触媒体により加熱する加熱励起部と、前記加熱された原料ガスをプラズマで活性化させて成膜する薄膜形成部とを備え、前記薄膜形成部には、基板を載置するための載置台と、前記加熱された水素ガスおよびシラン系ガスをそれぞれ分離した状態で噴出するための複数のガス噴出口が、前記載置台に対向するように配置される、プラズマ発生電極を兼ねるシャワーヘッドとが設けられる、Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ装置であって、前記加熱励起部には、外部と連通可能な連通部が形成され、前記連通部の外部側の開口部に嵌合可能な、前記熱触媒体を配設する熱触媒体交換ユニットが備えられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】 基板に所定の処理を施す反応管と、反応管内に反応ガスを供給する複数のノズルと、複数のノズルとは別に設けられ、反応管内にクリーニングガスを供給するクリーニング用ノズルと、ノズルの内部をクリーニングする場合に、複数のノズルのうち選択したノズルにクリーニングガスを供給し、選択していないノズルに不活性ガスを供給すると共に、反応管の内部をクリーニングする場合に、少なくともクリーニング用ノズルより反応管内にクリーニングガスを供給するように制御するコントローラと、を有する。 （もっと読む）

基板処理チャンバ中に配置された基板を処理した後で、基板処理チャンバの１つまたは複数の内側表面から不要な堆積物蓄積を除去する遠隔プラズマプロセス。一実施形態では、基板が基板処理チャンバから外に移送され、フッ素含有エッチャントガスの流れが遠隔プラズマ源の中へ導入され、そこで反応種が形成される。遠隔プラズマ源から基板処理チャンバへの反応種の連続的な流れが発生され、一方では、高圧力洗浄ステップと低圧力洗浄ステップのサイクルが繰り返される。高圧力洗浄ステップ中に、基板処理チャンバ内の圧力が４〜１５トルの範囲に維持されている間、反応種は基板処理チャンバの中へ流される。低圧力洗浄ステップ中に、高圧力洗浄ステップで到達された高圧力の少なくとも５０パーセントだけ基板処理チャンバの圧力を減少させながら、反応種が基板処理チャンバの中へ流される。
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【課題】活性化アニールを行うことなく、ｐ型ドーパントを含む窒化ガリウム系半導体を提供可能な、ｐ型窒化ガリウム系半導体を作製する方法を提供する。
【解決手段】支持体１３上に、ｐ型ドーパントを含むＧａＮ系半導体領域１７を成長炉１０で形成する。有機金属原料及びアンモニアを成長炉１０に供給して、ＧａＮ系半導体層１５上にＧａＮ系半導体層１７を成長する。このＧａＮ系半導体にはｐ型ドーパントが添加されており、ｐ型ドーパントとしては例えばマグネシウムである。ＧａＮ系半導体領域１５、１７の形成の後に、モノメチルアミン及びモノエチルアミンの少なくともいずれかを含む雰囲気１９を成長炉１０に形成する。雰囲気１９が提供された後に、ＧａＮ系半導体領域１７の成長温度から基板温度を下げる。成膜を完了して、基板温度を室温近傍まで低下させたとき、ｐ型ＧａＮ系半導体１７ａ及びエピタキシャルウエハＥの作製は完了している。 （もっと読む）

【課題】ＬＴＰ処理後においてもパーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、ウエハ２００を処理室２０１に搬入する工程と、処理室２０１に対して、ガス供給部２４９からＤＣＳガスを、ガス供給部２３８からＮＨ_３ガスを交互に供給し、ウエハ２００にＳｉＮ膜を形成する工程と、成膜済みのウエハ２００を処理室２０１から搬出する工程と、を繰り返し実行し、複数回にわたりウエハ２００に順次ＳｉＮ膜を形成する。成膜済みのウエハ２００を処理室２０１から搬出してその次に成膜しようとするウエハ２００を処理室２０１に搬入する間で、処理室２０１の温度を変動させる工程と、処理室２０１に対して、ガス供給部２４９からＮＦ_３ガスを、ガス供給部２３７からＮ_２ガスを供給するとともに、ガス供給部２３７でＮ_２ガスをプラズマ励起させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】クリーニングによる損傷を防止することができる半導体製造装置及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ＬＰＣＶＤ装置１において、処理チャンバー１１を設け、処理チャンバー１１の外部に配置され、水素ガスとフッ素ガスとを反応させてフッ化水素ガスを生成すると共に、このフッ化水素ガスを冷却する反応冷却手段２５を設ける。そして、反応冷却手段２５によって冷却されたフッ化水素ガスを、クリーニングガスとして処理チャンバー１１の内部に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の温度の昇降を効率化することが可能な成膜装置、成膜方法を提供する。
【解決手段】開示される成膜装置は、基板を放射加熱する加熱部７と、成膜装置の容器内に回転可能に設けたサセプタ２と、サセプタ２の一の面に設けた基板載置領域２４と、一の面に第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部３１と、第１反応ガス供給部３１と離間し、一の面に第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部３２と、第１反応ガスが供給される第１処理領域Ｐ１と第２反応ガスが供給される第２処理領域Ｐ２との間に位置する分離領域Ｄと、容器の中央に位置し、一の面に沿って第１分離ガスを吐出する吐出孔を有する中央領域Ｃと、排気口６２とを備える。分離領域Ｄは、第２分離ガスを供給する分離ガス供給部４１と、第２分離ガスが回転方向に対し両方向に流れる狭隘な空間をサセプタ２上に形成する天井面とを含む。 （もっと読む）