【課題】紫外光を用いた基板処理装置において、成膜の膜厚再現性を向上する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】紫外光を照射する紫外光照射部１１０と、基板を処理する反応室１３０と、材料ガス及びエッチングガスを反応室に供給する供給部と、紫外光照射部と反応室を仕切る窓１２０とを有し、前述の窓は、成膜されている状態である基板処理装置１００。 （もっと読む）

【課題】 本発明は被処理体が載置される載置部材に酸化物が堆積しても、ある程度の量となるまで問題を生じることなく使用できる成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 載置台１２ａのカバープレート６２上にウェハＷを載置する。カバープレート６２はウェハＷが載置されたときにウェハＷの外周に沿って延在する環状の溝よりなる凹部６２ａを有する。凹部６２ａの内周は載置領域の外周と同じ、又は外周より小さい。また、カバープレート６２の載置領域の外側部分を覆うガイドリング６４が設けられ、ガイドリング６４の内周は、カバープレート６２の凹部６２ａの外周と同じか、外周より小さい。 （もっと読む）

【課題】ウエハのベベル部に付いたカーボンＣＶＤ膜をドライエッチングにより除去することができると共に、ダスト発生やスループットの大幅低下等を防止する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置１は、ＰＥ−ＣＶＤ法を用いてウエハ５上にカーボンＣＶＤ膜を形成する装置であって、装置本体２の内部に設けられウエハ５を載置するステージ４と、装置本体２の上部開口部を閉塞するシャワーヘッド３と、シャワーヘッド３の中央部からウエハ５の中央部に向けてガスを導入する中央ガス導入部９およびシャワーヘッド３の外周部からウエハ５のベベル部に向けてガスを導入する外周ガス導入部１０を有するガス供給系とを備え、ウエハ５上へのカーボンＣＶＤ膜の成膜時に、ウエハ５のベベル部に付いたカーボンＣＶＤ膜をエッチング除去するためのエッチング用のガスを装置本体２の外部で活性化したうえで外周ガス導入部１０からウエハ５のベベル部に向けて送り込むように構成されている。 （もっと読む）

【課題】マグネシウムの活性化率が改善された窒化ガリウム系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機金属気相成長法を用い、窒素よりも水素が多いキャリアガス雰囲気において、マグネシウムをドーピングした第一窒化ガリウム系半導体膜を成長する工程と、前記第一窒化ガリウム系半導体膜の成長後に、III族原料ガスの供給を一旦中断する工程と、有機金属気相成長法を用いて、水素よりも窒素が多いキャリアガス雰囲気において、マグネシウムをドーピングした第二窒化ガリウム系半導体膜を前記第一窒化ガリウム系半導体膜の上に成長する工程と、を備えたことを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】トレンチ形成工程を有する半導体装置の製造方法において、マスク酸化膜を残したまま、トレンチ内に結晶性の高いエピタキシャル層を埋め込むこと。
【解決手段】ｎ型シリコン基板の表面にｎ型半導体２２を形成し、ｎ型半導体２２の表面にマスク酸化膜２３およびマスク窒化膜２４（マスク積層膜）を形成する。次いで、フォトリソグラフィおよびエッチングによりマスク積層膜を開口し、シリコン基板にトレンチを形成する。次いで、残されたマスク積層膜の幅を狭くして、ｎ型半導体２２の、トレンチ２５の開口端付近の部分を露出する（第２の露出部）。この状態で、トレンチ内をｐ型半導体２７で埋め込むことで、マスク積層膜の表面にｐ型半導体２７が覆い被さるのを防ぐ。また、ｎ型半導体２２の第２の露出部からもｐ型半導体２７が成長するので、ｐ型半導体２７の表面にＶ字状の溝が形成されるのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】目的とする場所以外での反応を抑制した、複数の原料ガスを使用する気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】第１原料ガスと、前記第１原料ガスと異なる第２原料ガスと、を用いて基板の上に成膜する気相成長装置であって、前記基板が設置される反応室と、前記反応室に連通し、前記第１原料ガスを導入する第１原料ガス導入路と、前記反応室に連通し、前記第２原料ガスを導入する第２原料ガス導入路と、前記第１原料ガス導入路と前記第２原料ガス導入路との間において前記反応室に連通し、前記第１原料ガスとの反応速度及び前記第２原料ガスとの反応速度が、前記第１原料ガスと前記第２原料ガスとの反応速度よりも遅い分離ガスを導入する分離ガス導入路と、を備えたことを特徴とする気相成長装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ｐ型第二電流拡散層のｐ型第一電流拡散層との界面近傍における汚染の少ない、順方向電圧が良好な発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰからなる４元発光層をエピタキシャル成長させる工程と、成長させた４元発光層上にｐ型第一電流拡散層を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程と、成長させたｐ型第一電流拡散層上にｐ型第二電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程とを有する発光素子の製造方法であって、少なくとも、ｐ型第一電流拡散層を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程の後、ｐ型第二電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程の前に、ＨＶＰＥ炉内に水素を線速１２（ｍ／ｍｉｎ）以上で流しながら基板を熱処理する工程を有する発光素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】冷媒をシャワープレートの全域に流れるようにすることにより、シャワープレートの冷却を均一に行い、ガスのシャワープレートでの反応によるシャワープレートにおけるガス吐出孔の目詰まりを回避し得る気相成長装置を提供する。
【解決手段】冷媒バッファエリア２２ｂの周囲には、冷媒用リング状壁２２ｄを介して環状の冷媒外環室２７が設けられる。冷媒外環室２７は、冷媒導入口３８ａから冷媒が導入される冷媒外環導入室２７ａと、冷媒導入口３８ａの対向位置に設けられた冷媒排出口３９ａから冷媒が排出される冷媒外環排出室２７ｂと、冷媒外環導入室２７ａと冷媒外環排出室２７ｂとを区画する冷媒外環室隔壁２８とを備えている。冷媒外環室隔壁２８の一部には、冷媒外環導入室２７ａと冷媒外環排出室２７ｂとを連通する隔壁連通開口２８ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】十分な蒸気圧を有し、配管輸送上のトラブルが生じ難い、基板上に金属酸化膜を形成するための成膜原料を用いて基板上にＨｆＯ_２膜またはＺｒＯ_２膜を成膜する成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、ＨｆまたはＺｒを含むアミン系の有機金属化合物からなる成膜原料と、酸化剤とを処理容器内に供給してこれらを反応させることにより基板上にＨｆＯ_２膜またはＺｒＯ_２膜を形成する成膜方法において、有機金属化合物は、常温で固体でありかつ高蒸気圧である第１有機金属化合物に、常温で液体の第２有機金属化合物を混合してなり、常温で液体である。 （もっと読む）

【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニールまたは熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台４上に密着して支持された基板１の表面上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃをほぼ垂直に吹き付けると基板表面のみをアニールできる。 （もっと読む）

【課題】下地（Ｎ＋）へのエッチングを防ぎ、且つ比較的速い成膜レートで成膜することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板を処理室内に搬入する第一のステップと、前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第一のシラン系ガスと第一のエッチングガスを供給する第二のステップと、前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第二のシラン系ガスと第二のエッチングガスを供給する第三のステップと、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】堆積の前に半導体表面から不純物を除去する低圧でのベーキングのための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】短時間で、低温での処理が、熱履歴の僅か一部のみを消費するが、有利にも、半導体表面から界面酸素を除去するのに効果がある。本方法およびシステムは特に、エピタキシャルの前に半導体表面を処理するのに適している。本発明の一態様によれば、基板を、化学気相成長法の反応チャンバ内の基板支持部に負荷することと、この反応チャンバ内の圧力を、約１×１０^-6Ｔｏｒｒ（約１３３．３２×１０^-6Ｐａ）から１０Ｔｏｒｒ（約１３３３．２２Ｐａ）の間のベーク圧力にまで低減すること、によって半導体基板を処理する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜装置のチャンバーおよび排気管路内に堆積した堆積物を除去する場合において、ハイドロフルオロカーボンガスと酸素との混合ガスをクリーニング用ガスとして使用してプラズマ処理によりクリーニングする際に、アーキングの発生を抑えてチャンバー内の各種パーツを損傷せず、成膜異常などが生じないようにする。
【解決手段】クリーニング用ガスとして、ハイドロフルオロカーボンガスと酸素と解離性ガスを含み、解離性ガスの割合がハイドロフルオロカーボンガスと酸素の合計量の５〜１０ｖｏｌ％である混合ガスを用いて、プラズマ処理する。ハイドロフルオロカーボンガスとしてペンタフルオロエタンガスが好ましく、解離性ガスには、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８、ｃ−Ｃ_４Ｆ_８、ＮＦ_３、Ｎ_２Ｏのいずれか１種以上が好ましい。 （もっと読む）

チャンバ外圧とは異なるチャンバ内圧を保持することができる内部を有する処理チャンバを含むことのできる基板処理システムが記載される。このシステムは、処理チャンバの内部の外側でプラズマを生成するように動作可能な遠隔プラズマシステムも含むことができる。さらに、このシステムは、遠隔プラズマシステムから処理チャンバの内部に第１のプロセスガスを輸送するように動作可能な第１のプロセスガス流路、および遠隔プラズマシステムによって処理されない第２のプロセスガスを輸送するように動作可能な第２のプロセスガス流路を含むことができる。第２のプロセスガス流路は、処理チャンバの内部に通じ、第１のプロセスガス流路によって少なくとも部分的に取り囲まれた遠位端を有する。
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【課題】選択性及び基板面内の膜厚均一性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を成長させることができる基板の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の露出面とを備える基板を処理室内に搬入する工程と、 前記処理室内の前記基板を所定の温度に加熱する加熱工程と、 前記処理室内に、少なくともシリコンを含む第１の処理ガスとエッチング系の第２の処理ガスとを共に供給する第１のガス供給工程と、 前記処理室内に、前記第２の処理ガスとよりエッチング力の強いエッチング系の第３の処理ガスを供給する第２のガス供給工程と、を少なくとも含み、前記第１のガス供給工程と前記第二のガス供給工程とを所定回数繰り返して実施し、基板表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

基板の複数の領域を指定するステップと、前駆体を複数の領域の少なくとも第１の領域に供給するステップと、第１の前駆体を用いて形成された第１の領域上に第１の材料を堆積するように、プラズマを第１の領域に供給するステップとを含む組合わせプラズマ励起堆積技術を記載しており、第１の材料は基板の第２の領域上に形成される第２の材料と異なるものである。 （もっと読む）

【課題】高い品質のＧａを含む化合物半導体層をより容易に形成できるようにする。
【解決手段】原料ガス供給部１０４が供給する原料ガスにガリウム（Ｇａ）を接触させるガリウム配置部１０５を備える。ガリウム配置部１０５は、例えば、原料ガス供給部１０４が供給する原料ガスを通過させる経路と、この経路に配置された金属Ｇａと、この金属Ｇａを加熱する加熱部とを備えるものである。従って、原料ガス供給部１０４より供給される原料ガスに含まれているＩｎ原料ガスは、ガリウム配置部１０５を通過することで、例えば５０℃に加熱された金属Ｇａに接触し、この後、基板Ｗの表面に供給されることになる。 （もっと読む）

【課題】優れた品質の膜を形成することが可能な気相成長装置および半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１は、サセプタ６と、原料ガス供給口（ガス流路２２ａのガス供給口２９およびガス流路２２ｃのガス供給口２９、またはガス流路２３ａのガス供給口２９およびガス流路２３ｃのガス供給口２９）とガス供給口（ガス流路２２ｂのガス供給口２９またはガス流路２３ｂのガス供給口２９）とを含む供給口群を複数備える。サセプタ６は、基板７を主面上に保持する。複数の供給口群は、サセプタ６の主面に沿った方向において周期的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコンナノ構造体の製造方法に関する。
【解決手段】本発明のシリコンナノ構造体の製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、触媒材料及び生長基板を提供し、該触媒材料及び該生長基板を分離して、前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガス及び水素ガスを導入し、該反応室を５００℃〜１１００℃に加熱して、前記生長基板にシリコンナノ構造体を生長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板保持部を高温に加熱して基板の被処理面に沿ってガスの流れを形成する際に，ガスの供給による基板保持部の上流側の温度低下を抑えて基板保持部の温度の均一性を向上させる。
【解決手段】一端側から他端側にガスの流れが形成される処理容器１０２と，そのガス流路の途中に設けられ，ウエハを保持する基板保持部１０８と，基板保持部を加熱してウエハを加熱する基板保持部加熱部１４０と，基板保持部よりも上流側に設けられた処理ガス供給ノズル２０６と，それよりもさらに上流側に設けられたキャリアガス供給ノズル２２６と，処理ガス供給ノズルよりも上流側において，ガス流路に供給されるキャリアガスを加熱するキャリアガス加熱部２４０とを設けた。 （もっと読む）