【課題】基板の成長を繰り返すことによる成長速度の減少を大幅に抑制することが可能な可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置の原料容器に収容された液体原料と反応性ガスとの距離を概ね一定に保つことが可能となる構造とする。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ用の原料溶液の流量を長時間にわたって精度よく制御することができるＣＶＤ用気化器、溶液気化式ＣＶＤ装置及びＣＶＤ用気化方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＣＶＤ用気化器は、キャリアガス中に１種又は２種以上の原料溶液を微粒子状又は霧状に分散させるオリフィス管と、前記オリフィス管に前記１種又は２種以上の原料溶液を互いに分離して供給する１種又は２種以上の原料溶液用通路２１〜２５と、前記オリフィス管に前記キャリアガスを前記１種又は２種以上の原料溶液それぞれと互いに分離して供給するキャリアガス用通路３３と、前記オリフィス管で分散された前記１種又は２種以上の原料溶液を気化する気化管３１と、前記気化管と前記オリフィス管が繋げられ、前記オリフィス管で分散された前記原料溶液が前記気化管に導入される細孔と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
主表面の面方位が｛１１０｝であるシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、半導体集積回路製造品質に影響する可能性のある表面粗さを低減する。表面粗さの小さなシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】
主表面の面方位が｛１１０｝であるシリコンエピタキシャルウェーハ製造方法において、エピタキシャル成長後の冷却過程の７５０℃〜６５０℃を５００℃／分よりも大きな速度で急冷する。または、冷却過程での７２０℃以上の温度において表面に保護膜を成長させる、または、基板として用いるシリコンウェーハが主表面の｛１１０｝から主表面と直交する〈１１０〉方向あるいは〈１１１〉方向へ４．６°（±１．６°以内）傾いた基板を用い、７０５℃±１５℃でアニールする。 （もっと読む）

【課題】横型ｆａｃｅ−ｄｏｗｎ方式のＭＯＣＶＤ装置において、排気側からリアクタチャンバー内に反応ガスが逆流するのを防止し、安定な成長が可能なＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のＣＶＤ装置では、リアクタチャンバー４内にはサセプタ３が設置され、サセプタ３にウエハ１が成長面となる表面を下にしてセットされている。成長時には、反応ガスがリアクタチャンバー４の一方から導入され、ウエハ１の表面と平行な方向に流れた後、排気ポート６から外部に排出される。この間、センターパージユニット５からパージガスが導入され、ウエハ１の裏面に沿って流れ、排気ポート６から外部に排出される。チャンバー４内での反応ガス及びパージガスの経路は、それぞれ排気ポート６入口まで分流板７により分離されている。 （もっと読む）

【課題】従来用いられていた（０００１）サファイア基板では、結晶のエピタキシャル成長前の水素雰囲気中の熱処理により、表面ラフニングが生じ、高品質なエピタキシャル薄膜を得ることが困難であった。
【解決手段】主面が（１１−２０）面であり、研磨によって表面平坦化を行った上記主面に対し、水素雰囲気中で熱処理を施してサファイア基板を構成する。 （もっと読む）

オフアクシス基板上の単結晶炭化珪素エピタキシャル層が、基板をエピタキシャル成長反応炉に配置し、基板上にエピタキシャル炭化珪素の第１の層を成長させ、エピタキシャル炭化珪素の第１の層の成長を中断し、第１の層の厚みを減少させるために該第１の層をエッチングし、エピタキシャル炭化珪素の第１の層の上にエピタキシャル炭化珪素の第２の層を再成長させて製造される。ニンジン状欠陥を、エピタキシャル成長処理を中断し、成長した層をエッチングし、エピタキシャル炭化珪素の第２の層を再成長させる工程によって終止できる。成長中断／エッチング／再成長の処理は複数回反復可能である。炭化珪素エピタキシャル層は、内部で終止する少なくとも１つのニンジン状欠陥を有する。半導体構造は、オフアクシス炭化珪素基板上の炭化珪素エピタキシャル層と、基板とエピタキシャル層の境界面の近傍に核形成点を有し内部で終止するニンジン状欠陥とを含む。

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基板支持システム（１４０、２００、３００）は、比較的薄く円形の基板ホルダ（１００）を備え、当該基板ホルダは、その上面と底面との間を延びる複数の通路（１１６、１１８、１２０、２４０、３４０）を有する。基板ホルダ（１００）は、単一の基板支持用棚状部または複数の基板支持用スペーサー羽根（１２４）を含み、当該羽根（１２４）は、基板裏面（１５４）の周縁部を支持するように形成されて、その結果、基板（１６）と基板ホルダ（１００）との間に狭い隙間（１５２）が形成される。羽根（１２４）には、基板ホルダ（１００）が回転すると反応ガスが裏面に堆積しないように角度をつけ得る。中空の支持部材（２２、２０４、３０４）は、基板ホルダ（１００）の裏面（１０６）を支持し得る。中空支持部材（２２、２０４、３０４）は、ガス（例えば、不活性ガスまたは洗浄ガス）を、基板ホルダ（１００）の複数の通路の１つまたはそれ以上の通路（１１６、２４０）内に上方へ輸送するように形成される。上方へ輸送されたガスは、基板（１６）と基板ホルダ（１００）との間の隙間（１５２）内に流れる。本発明の実施形態によって、隙間（１５２）内のガスは、次に、基板の縁（１７）の周りを外側また上方へ、またはもし存在する場合、中空支持部材（２２、２０４、３０４）内に通じていない基板ホルダ（１００）の通路（１１８、１２０、３４０）を通って下方へ流れる。基板縁（１７）の周りを外側および上方へ流れるガスが、基板（１６）上方の反応ガスの裏面への堆積を妨げる。支持部材（２２、２０４、３０４）に通じておらず、通路（１１８、１２０、３４０）を通って下方へ流れるガスが、外方拡散するドーパント原子を基板の表面（１５５）から押し流すことにより、オートドーピングを妨げることが好ましい。一実施形態では、支持部材は、中空の多数のアーム付きの支持スパイダー（２２）を含み、当該支持スパイダー（２２）は、複数の通路（１１６）から選択された通路内にガスを輸送する。他の実施形態では、支持部材は、ボウル状またはカップ状の構造体（２０４）を含み、当該構造体（２０４）は、ガスを上方に全通路（２４０）内に輸送する。さらに他の実施形態では、支持部材は、ボウル状またはカップ状の構造体（３０４）を含み、当該構造体（３０４）は、複数の通路（２４０）の全てに、しかしながら１つまたはそれ以上の通路内に上方へガスを輸送する。
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【課題】でこぼこ状珪素含有面の形成方法を提供する。
【解決手段】 非晶質珪素が含まれた層を第一温度に設定された反応室内へ供する。水素同位元素の少なくとも１種を反応室中へ流入させながら、温度を前記第一温度よりも少なくとも４０℃高い第二温度まで上昇させる。温度が第二温度まで達したら、前記層へ種子結晶を加える。次いで種子結晶が加えられた層をアニール処理してでこぼこ状珪素含有面を形成させる。でこぼこ状珪素含有面はコンデンサ構造体へ組み入れることができる。このようなコンデンサ構造体をＤＲＡＭセル中へ組み入れ、組み入れられたＤＲＡＭセルは電子装置に利用可能である。 （もっと読む）

基板の表面を処理するために必要な反応性物質やキャリアガスなどを効率的に利用するとともに、ガスの移送のための設備を簡略化し、省エネルギー化を図ることができる基板処理装置を提供する。反応性物質を含むプロセスガスを供給するガス供給源１２と、ガス供給源１２に接続されプロセスガスを貯留するリザーバタンク１４と、内部に配置された基板をプロセスガスに曝露する反応器１０と、反応器１０の内部のプロセスガスをリザーバタンク１４に導入する第１の循環配管３８と、リザーバタンク１４内のプロセスガスの少なくとも一部を反応器１０に導入する第２の循環配管４２と、第２の循環配管４２に設置され反応器１０に導入されるプロセスガスの量を調整する流量調整バルブ４４とを備えた。
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【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒ＣＶＤ，高密度バイアス触媒ＣＶＤ，バイアス減圧ＣＶＤ，バイアス常圧ＣＶＤを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器１に原料ガスを供給し、真空容器１中に配置された基板１０と電極３ａとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板１０上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 （もっと読む）