【課題】 気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】 処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に複数種類の反応物質を複数回供給することにより基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有し、複数種類の反応物質のうち少なくともいずれか一つは、液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行うと共に、少なくとも液体原料の気化動作時以外の時に、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒を第１の流量で流し、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を第１の流量よりも大きな第２の流量で流す。 （もっと読む）

【課題】従来の気相成長装置は、安全性の観点から改良すべき点がある。本発明は、安全性を大幅に改善した新規な気相成長装置、及びこの装置におけるガス混合回避方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー１０３に収容されたウェハ１０２上に、気相成長法により成膜するために、成膜に必要なガスを供給する第１の流路１０５ａ，１０５ｂと、この第１のガス流路のガスを制御するバルブ１０７Ａ、１０７ａ、１０７Ｂ、１０７ｂと、前記チャンバー１０３内をクリーニングするために、クリーニング用ガスを前記チャンバー１０３内に供給する第２の流路１０８と、前記チャンバー内のガスを排気する第３の流路１１０とを備えてなる気相成長装置であって、前記バルブを直列の２段構成（１０７Ａと１０７ａ、１０７Ｂと１０７ｂ）とし、その２段構成のバルブの間に圧力スイッチ１１４Ａ，１１４Ｂを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

膜の選択的なエピタキシャル形成のための方法および装置であって、ＣＶＤチャンバ（３００）へ、反応種（１０、２０）を別々に注入する。本方法は特に、前駆体（１０）およびエッチャント（２０）の揮発性の組合せを用いた選択成長に有用である。形成プロセスは、選択成長のための前駆体（１０）およびエッチャント（２０）の同時供給、または、周期的なブランケット堆積および選択的なエッチングの連続的な供給を含む。いずれに場合にも、前駆体（１０）およびエッチャント（２０）は、より制限された上流の場所よりもむしろ、比較的開いた反応スペース（３４０）において交差する別々の流路に沿って提供される。 （もっと読む）

本発明は、半導体処理機器および方法の分野に関し、特に、リアクタチャンバの内部、例えば、チャンバ壁およびその他の場所にある望ましくない堆積物をｉｎ−ｓｉｔｕ除去するための方法および装置を提供する。本発明は、高スループットの成長プロセスに洗浄ステップを統合し組み込む方法を提供する。好ましくは、成長を延期し洗浄を開始する必要があるときと、洗浄を終了し成長を再開する必要があるときは、センサ入力に基づいて自動的に判定される。本発明はまた、本発明の統合された洗浄／成長方法を効率的に実行するためのリアクタ・チャンバ・システムを提供する。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスに含まれた元素を有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、反応容器内にクリーニングガスを供給し、前記反応容器内をクリーニングする工程の後、基板に処理を行なう際に用いる反応ガスの全てを反応容器に供給し、反応容器内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程を経た基板処理装置を用いて半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板を巻回してなる供給ロールから基板を送り出して、基板を搬送しつつプラズマＣＶＤによって成膜を行い、成膜済の基板をロール上に巻回する成膜において、成膜を停止することなく、基板への成膜中に電極のクリーニングを行なうことができる成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤによって成膜を行なう成膜部を、基板の搬送方向に、複数、配列して設けると共に、各成膜部に電極のクリーニング手段を設け、常に少なくとも１つの成膜部は、他の空間と気密に分離して成膜を停止した状態としておき、この停止状態の成膜部において、必要に応じて、クリーニング手段によって電極のクリーニングを行なうことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【目的】対流により残留する反応ガスが気相成長膜に到達することを抑制する気相成長装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のエピタキシャル成長装置１００は、基板を支持するホルダ１１０と、基板の加工面に直交する方向から基板に向けて気相成長膜を成膜するための原料ガスを供給するシャワーヘッド１３０と、シャワーヘッド１３０と基板の間の空間に、基板の加工面と平行な方向から所定のガスを供給するインジェクトノズル１３２と、空間を通過した所定のガスを排気する排気口１３６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、成膜された気相成長膜を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】ｎドープシリコンを含有するエピタキシャル層を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス、例えば金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）デバイスにおけるｎドープエピタキシャル層の形成は、プロセスチャンバにおいて第１の温度および圧力で、シリコン源、炭素源およびｎドーパントソースを含む堆積ガスに基板を曝すステップと、堆積中よりも高い第２の温度および高い圧力でエッチャントに該基板を曝すステップと、を伴う。 （もっと読む）

１つの実施形態は、単結晶膜を選択的に堆積するための方法を提供する。この方法は、第１の表面形態を有する第１の表面およびこの第１の表面形態とは異なる第２の表面形態を有する第２の表面を含む基体を準備する工程を含む。シリコン前駆体［１０８］およびＢＣｌ_３［１３４］は相互混合され、これにより供給ガスが形成される。この供給ガスは、化学気相成長条件［１２２］下でこの基体へ導入される。Ｓｉ含有層は、供給ガス［１２０］を導入することにより、第２の表面上に堆積することなく、第１の表面上に選択的に堆積される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｃｌ系ソースガスを用いた常圧エピタキシャル成長率を増大させ、クリーニングによる生産性の低下を抑えることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造方法は、反応室１１内にウェーハｗを保持し、ウェーハｗ上に、ソースガスを含む第1のプロセスガスと、水素ガスまたは不活性ガスからなる第２のプロセスガスを、交互に整流状態で供給し、ウェーハｗを回転させ、ウェーハｗを加熱してウェーハｗ上に成膜するものである。 （もっと読む）

【課題】発光素子、電子デバイス用素子に用いられるＧａＮ自立基板であって、素子の歩留りの向上ができるＧａＮ自立基板及びＧａＮ自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に形成したＧａＮ薄膜上にマスクを形成して下地基板とした後、前記下地基板上にＩＩＩ族原料ガスとＶ族原料ガスとを導入し、成長温度１１００℃以上１４００℃以下、ＩＩＩ族原料ガスの分圧に対する前記Ｖ族原料ガスの分圧の比（Ｖ／ＩＩＩ比）が０．４以上１以下の範囲内の第１の条件で マスクが形成されていないＧａＮ薄膜の領域から、断面が略三角形状のＧａＮ単結晶としての成長結晶を成長させ、つづいて第２の条件で選択横方向成長させることにより、ＧａＮ単結晶を成長させる。こうして得られたＧａＮ単結晶は基板表面と、基板表面に含まれる極性反転区（インバージョンドメイン）とを備え、極性反転区の基板表面における個数密度が２０ｃｍ^−２以下となる。 （もっと読む）

【課題】 下地（Ｎ＋）へのエッチングを防ぎ、且つ比較的速い成膜レートで成膜することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板を処理室内に搬入する第一のステップと、第一の温度に前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第一のシラン系ガスと第一のエッチングガスを供給する第二のステップと、前記第一の温度から第二の温度へ変更する第三のステップと、第一の温度と異なる温度である前記第二の温度に前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第二のシラン系ガスと第二のエッチングガスを供給する第四のステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 有機金属化学気相堆積プロセスにおいて寄生粒子形成を抑制する方法を提供する。
【解決手段】 この方法は、反応チャンバへ基板を準備するステップと、反応チャンバへ有機金属前駆物質と、粒子抑制化合物と、少なくとも第２の前駆物質とを導入するステップと、を含めてもよい。第２の前駆物質と有機金属前駆物質とが反応して、基板上に核形成層が形成される。また、ＩＩＩ−Ｖ窒化物層の形成中に寄生粒子形成を抑制する方法が記載されている。この方法は、反応チャンバへＩＩＩ族金属含有前駆物質を導入するステップを含む。ＩＩＩ族金属前駆物質には、ハロゲンが含まれてもよい。反応チャンバへハロゲン化水素ガスと窒素含有ガスとが導入される。窒素含有ガスとＩＩＩ族金属前駆物質とが反応して、基板上にＩＩＩ−Ｖ窒化物層が形成される。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板を用いても電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタを用いた表示装置提案することを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法を用いて微結晶半導体膜を形成する工程と、微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜を形成する工程とを設け、微結晶半導体膜を形成する工程において、反応室の圧力を一旦１０^−５Ｐａ以下とした後、基板の温度を１２０℃以上２２０℃以下として水素及び珪素気体を導入してプラズマを生成し、ゲート絶縁膜表面に形成される反応生成物に水素プラズマを作用させて除去しつつ成膜を行うことによって、微結晶半導体膜を形成する。また、プラズマの生成を、ＨＦ帯の高周波電力を印加する第１の高周波電力と、ＶＨＦ帯の第２の高周波電力を重畳して印加して行う。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができ、且つエッチングストッパ膜や層間絶縁膜等の絶縁膜として十分機能する絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にＳｉＢＣＮ薄膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスの３種類のガスの同時供給と窒化ガスの供給とを間欠的に且つ交互に行うようにする。これにより、比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、クリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜の製膜時において、基板表面へのＨラジカルの供給量を減らさずに、プラズマから基板表面へ入射する不要なイオンの量及びエネルギーを低減する。
【解決手段】（ａ）基板（３４）が設置された第１電極（３３）と前記第１電極（３３）から離れて設置された第２電極（３２）との間に、シラン系ガスと水素ガスと酸素ガスとを含む製膜ガス（５１）を供給するステップと、（ｂ）前記第１電極（３３）と前記第２電極（３２）との間に交流電力を印加し、所定の範囲の割合で負イオンを含むプラズマを発生させながら、前記基板（３４）上にシリコン系の膜を製膜するステップと、前記製膜の途中で、前記製膜ガスのうち前記酸素ガスの供給を停止するステップとを具備するシリコン膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】処理容器（真空室）内に導入された原料ガスを発熱体によって分解及び／又は活性化させ、処理容器（真空室）内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体の長寿命化と、発熱体の固定方法の改善が図られ、生産性の向上された発熱体ＣＶＤ法を提供する。
【解決手段】発熱体が電力供給機構に接続されている接続部及び／又は発熱体が支持体に支持されている支持部を、接続部、支持部との間に隙間を存在させて、かつ発熱体と接触すること無しにカバーで覆い、当該カバーと接続部、支持部との間の隙間にガスを導入できるガス導入機構を備えた発熱体ＣＶＤ装置を用い、前記接続部に備えられている発熱体挿入口に挿入された発熱体の端部にパージガスを導入する発熱体ＣＶＤ法によって課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】内部に基板支持体が配置されているプロセスチャンバを備える基板プロセス装置。
【解決手段】基板支持体は、加熱ペデスタルの形であり、それ自身とペデスタルの間の隙間を限定する除去可能なパージリングによって周囲を囲まれている。外側でペデスタルのエッジは、パージガスマニホールドで、パージリングとペデスタルの間の空洞の形である。マニホールドの低端は、加熱から膨張しパージリングの低端と接触するというプロセス温度で形成されるメカニカルシールの方法で密閉される。マニホールド上端は、パージリングとペデスタルによって限定される環帯内に対して開いている。マニホールドは、処理中に、パージガスが基板のエッジに対して放出されるように配置され、ガスはパージリングと基板支持体の間に限定される環帯を通して上むきに移動する。 （もっと読む）

【課題】処理容器（真空室）内に導入された原料ガスを発熱体によって分解及び／又は活性化させ、処理容器（真空室）内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体の長寿命化と、発熱体の固定方法の改善が図られ、生産性の向上された発熱体ＣＶＤ法を提供する。
【解決手段】発熱体が電力供給機構に接続されている接続部及び／又は発熱体が支持体に支持されている支持部を、接続部、支持部との間に隙間を存在させて、かつ発熱体と接触すること無しにカバーで覆い、当該カバーと接続部、支持部との間の隙間にガスを導入できるガス導入機構を備えた発熱体ＣＶＤ装置を用い、前記接続部に備えられている発熱体挿入口に挿入された発熱体の端部にパージガスを導入する発熱体ＣＶＤ法によって課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内壁が高温に曝される場合においても、チャンバの外形を限定することなく、チャンバ内壁に付着する反応生成物を低減する。
【解決手段】チャンバ１１内には、チャンバの内壁に所定の間隔を隔てて配置された多孔質状の防着板１８を設け、開口部１９を介してチャンバの１１内壁からチャンバ１１内に向かって防着ガスＧｆを噴出させながら、反応ガス導入管１５を介してチャンバ１１内に反応ガスＧｓを導入することにより、チャンバ１１内の基板２２の面上にａ−Ｓｉ系の薄膜を形成する。 （もっと読む）