【課題】
薄膜シリコン太陽電池の微結晶シリコン膜及び多結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜等を製造するプラズマＣＶＤ装置の応用分野においては、発電効率と生産性の向上及び低コスト化を図るために、大面積基板を対象に高速、高品質のシリコン系膜の形成が可能なプラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いたシリコン系膜の製造法が求められている。
【解決手段】
一対の平行平板電極を備えたプラズマＣＶＤ装置において、一対の電極の一方に、複数の凹部を設け、かつ、複数の凸部又は平坦部を設け、該複数の凸部又は平坦部に原料ガスを噴出する複数の原料ガス噴出孔を配置し、該複数の凹部に希釈ガスを噴出する複数の希釈ガス噴出孔を配置させるという構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】供給系の配管閉塞が生じることなく、プロセスガスの安定供給が可能な薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を成膜するリアクター２９と、リアクター２９に第１プロセスガスを供給する第１供給経路Ｌ１０と、リアクター２９に第２プロセスガスを供給する第２供給経路Ｌ２０と、リアクター２９にクリーニングガスを供給する第３供給経路Ｌ３０と、を少なくとも備え、第２供給経路Ｌ２０と第３供給経路Ｌ３０とが合流する合流点Ｇが、リアクター２９の近傍に設けられるとともに、第２供給経路Ｌ２０及び第３供給経路Ｌ３０には、合流点Ｇの上流側に、経路を遮断する遮断手段２２，３２がそれぞれ設けられていることを特徴とする薄膜製造装置６０を選択する。 （もっと読む）

【課題】電極上の付着物に加え、電極の外周近傍に設けられた部材上の付着物を速やかに除去することができる成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】第１の対の電極１１、１２間に第１の条件でプラズマが発生させられる。プラズマ状態の変化に対応して、第１の条件でプラズマを発生させる工程から第２の条件でプラズマを発生させる工程への移行が行われる。第２の条件は、第１の条件に比して、第１の対の電極１１、１２間において外周方向へプラズマを拡げる条件である。第１の対の電極１１、１２間の外周からの光の強度の低下に対応して、第１の条件でプラズマを発生させる工程から第２の条件でプラズマを発生させる工程への移行が行われる。第１および第２の条件の各々はＡｒガスとＮＦ₃ガスとの混合ガスを用いるものである。第２の条件は、ＮＦ₃ガス流量に対するＡｒガス流量の比率である流量比が高い条件である。 （もっと読む）

本発明の実施例として、半導体装置上のエピタキシャル領域を示した。ある実施例では、エピタキシャル領域は、成膜−エッチングプロセスを経て基板に成膜される。周期的な成膜−エッチングプロセスの間に、スペーサの下側に形成されるキャビティは、エピタキシャルキャップ層によって埋め戻される。エピタキシャル領域およびエピタキシャルキャップ層は、チャネル領域での電子移動度を改善し、短チャネル効果が抑制され、寄生抵抗が低下する。
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【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器の天井壁に設けられた第３ノズル部を介してハロゲン系ガスに第２ガスの少なくとも一部を添加したガスを処理容器内に供給すると共に第１ノズル部を介してハロゲン系ガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】
薄膜シリコン太陽電池の微結晶シリコン膜及び多結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜等を製造するプラズマＣＶＤ装置の応用分野においては、生産性向上及び低コスト化を図るために、大面積基板を対象に高速、高品質のシリコン系膜の形成が可能なプラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いたシリコン系膜の製造法が求められている。特に、微結晶シリコン膜を高品質で高速製膜可能なプラズマＣＶＤ技術が強く求められている。
【解決手段】
一対の平行平板電極を備えたプラズマＣＶＤ装置において、ガス噴出孔を有する電極に、多数の穴または溝を設け、該穴または溝の底面に希釈ガスのみを噴出する希釈ガス噴出孔を配置し、該穴または溝の開口部の縁の近傍に原料ガスのみを噴出する複数の原料ガス噴出孔を配置するという構成を有することを特徴とする。本装置を用いることにより、高品質の微結晶シリコン膜を高速で製膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反応炉内に分解付着物が生成しないような構造とすることにより基板上への異物の付着を抑制し、分解付着物の再蒸発によるエピタキシャル薄膜の劣化を抑制でき、かつ反応炉内の分解付着物を取り除くためのメンテナンス回数を削減可能な構造の化合物半導体エピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】基板１３を収容した反応炉１１内に、Ｖ族元素を含む原料を供給して、基板１３上に気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャル成長装置１０において、Ｖ族元素を含む原料が分解し、反応炉１１内でその分解付着物が付着する付着部分１７の上流側に水素ラジカルを過剰に含むガスを流すための水素ラジカル供給手段３６を接続した。 （もっと読む）

【課題】生産性や製造コスト面に優れ、かつ、高スループットを実現することができるとともに、薄膜太陽電池としての変換効率の低下を防ぐことができる薄膜太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】成膜室１１と、仕込・取出室と、基板脱着室と、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持するキャリアと、を備え、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出可能に構成され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行うことができる薄膜太陽電池製造装置であって、成膜室内に付着している副生成物に対して窒素ガスを噴射可能な複数の窒素ガス噴射機構１７０を有する供給管１５１と、供給管に窒素ガスを供給する窒素ガス供給源１５８と、が設けられ、窒素ガス噴射機構には、供給管に対して回転しながら窒素ガスを噴射する噴射口が形成されている。 （もっと読む）

基板上に電流密度の高い垂直型のｐｉｎダイオードを形成する方法が記載される。これらの方法は、第ＩＶ族元素含有前駆体と、ｎ型ドーパント前駆体およびｐ型ドーパント前駆体へのいずれかの順序の連続露出を同時に組み合わせる工程を含む。第ＩＶ族元素含有前駆体を流しながら、ドーパント前駆体の流れを低減または除去することによって、ｎ型層とｐ型層の間に真性層が堆積される。この基板は、ｎ型層、真性層、およびｐ型層のそれぞれの堆積中、同じ処理チャンバ内に位置することができ、基板は、隣接する層の堆積間で大気へ露出されない。
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【課題】微結晶半導体層を量産性良く作製する技術を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内に、互いに向かい合って概略平行に配置された上部電極と下部電極が備えられ、上部電極は中空部が形成され、かつ、下部電極と向かい合う面に複数の孔を有するシャワー板を有し、下部電極上には基板が配置され、堆積性気体と水素を含むガスを上部電極の中空部を通ってシャワー板から反応室内に供給し、希ガスを上部電極と異なる部位から反応室内に供給し、上部電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、基板上に微結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】反応管の下流から流入した残留空気、水分により結晶の成長が阻害されることがないハイドライド気相成長装置を提供する。
【解決手段】中空の反応管１１０の内部で基板１２２が下流側から基板回転機構１２０により軸支されて回転駆動される。この基板１２２の表面に上流からＧａＣｌガスと(ＮＨ_３＋Ｈ_２)ガスを供給する。これにより基板１２２の表面に結晶が成長される。ただし、基板１２２の表面を通過したガスを排出する構造のため、必然的に加熱されたガスと下流部の冷却されたガスとの間で対流が生じる。基板１２２の下流で反応管１１０の内部の少なくとも外側を対流防止部材１５０が遮蔽している。このため、上述のように反応管１１０の下流から流入した残留空気や水分が対流により基板１２２の表面に到達することが防止される。 （もっと読む）

【課題】電離電圧の高い放電ガスを用いながら、アーク放電を効率よく短時間に発生させ、薄膜素子を効率よく製造する。
【解決手段】圧力勾配型アーク放電プラズマガン10を用いてプラズマを発生させる。プラズマガン10は、陰極1と、第１、第２および第３中間電極2,3,7と、陽極4とを備える。陰極1と第１中間電極間2に電圧を印加してグロー放電を発生させた後、順次、第２中間電極3、第３中間電極7、陽極4に所定のタイミングで電圧を印加していき、陰極1との間にグロー放電を生じさせ、その後放電電流を上昇させることによりグロー放電をアーク放電に移行させる。これにより、３つの中間電極を備えた構成であっても短時間にグロー放電を安定して生じさせることができ、アーク放電に移行させることができる。 （もっと読む）

【課題】凸状または凹状の温度プロファイルを基板ホルダの表面に生じさせる。
【解決手段】基板ホルダキャリア（１）は支持面（４‘）を備え、複数のガス供給ライン（７、８）が支持面（４‘）に開く。基板ホルダキャリア（１）の上には基板ホルダ（２）が配置されており、その裏面は支持面（４‘）に面し、支持面（４‘）と基板ホルダ（２）の裏面との間の空間にガス供給ライン（７、８）を通って供給されるガスが、基板ホルダ（２）を支持するガスクッション（１９）を形成する。ガスクッション（１９）は、ガス供給ライン（７、８）を通ってガスを供給される複数のゾーン（Ａ、Ｃ）を備える。ゾーン（Ａ、Ｃ）は、それらの間でガスの交換を防ぐ手段によってお互いから分離されている。ゾーン（Ａ、Ｃ）はガス排出ライン（１３、１４）を通ってガスを排出することができる。異なる熱伝導特性を持つガスがそれらのゾーン（Ａ、Ｃ）に供給される。 （もっと読む）

【課題】薄膜中への不純物の取り込みを抑制し、膜質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室内にハロゲン含有ガスを供給するハロゲン含有ガス供給工程と、処理室内にハロゲン含有ガスとは異なる原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で原料ガスの活性種を生成する原料ガス活性種生成工程と、を有し、原料ガスの活性種とハロゲン含有ガスとを反応させて基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、処理室内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で水素含有ガスの活性種を生成する水素活性種生成工程と、を有し、水素含有ガスの活性種と、基板上に形成した薄膜中のハロゲン元素と、を反応させて基板上に形成した薄膜を改質する薄膜改質工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】例えば５００℃以上７００℃以下の低温において、原子状酸素Ｏの濃度をウエハ積層方向に渡りコントロールし、酸化膜の膜厚分布をウエハ積層方向に渡り均等化する。
【解決手段】処理室内の複数枚の基板が配列される基板配列領域の一端側から酸素含有ガスと水素含有ガスとを混合部を介して供給してその他端側に向かって流すと共に、処理室内の基板配列領域に対応する途中の複数箇所から水素含有ガスを供給して他端側に向かって流すことで複数枚の基板を酸化処理する工程を有し、混合部内で酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて原子状酸素を含む酸化種を生成させ、酸化種を混合部内から処理室内に噴出させる噴出口の位置にて酸化種の濃度が最大となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器内の下部から天井壁付近まで立ち上がりその天井壁に向けてガスを吹き付けるように設けられた第３ノズル部および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】パージ時間を短縮し、スループットを向上する。
【解決手段】基板９を出し入れする基板収納口及び基板収納口に着脱自在に装着されたドア１０ａを備えたキャリア１０を載置する基板授受ポートと、基板授受ポートに載置されたキャリア１０のドア１０ａを保持する可動部４０と、可動部４０に保持されたドア１０ａを可動部４０と共に移動させて基板収納口を開閉するキャリア開閉装置と、可動部４０及び基板収納口を少なくとも囲うチャンバ６０と、可動部４０に設けられ、基板収納口からキャリア１０内にガス６２を導入するガス導入部６３、６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 装置稼働率を高めることができ、量産性に優れる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内にニッケルを含む原料を供給し基板上にニッケルを含む膜を形成する処理を行う工程と、処理容器内から処理済基板を搬出する工程と、処理容器内に基板がない状態で、処理容器内にハロゲン系ガスを供給し処理容器内に付着したニッケルを含む堆積物と反応させてニッケルハロゲン化物を生成し、その後、処理容器内にシクロペンタ基を含むガスを供給しニッケルハロゲン化物と反応させてニッケル化合物を生成し、このニッケル化合物を加熱し気化して処理容器内から排出することで、処理容器内に付着したニッケルを含む堆積物を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

堆積処理中に、材料が基板上だけでなく他のチャンバ構成要素の上にも堆積することがある。ＭＯＣＶＤチャンバでは、これらの構成要素の１つはガス分配シャワーヘッドである。シャワーヘッドは、不活性ガスおよび塩素を含むプラズマで発生させたラジカルでシャワーヘッドをボンバードすることによって洗浄することができる。プラズマを発生させるために、シャワーヘッドを基板支持体に対して負にバイアスするか、またはフローティングさせることができる。シャワーヘッドはステンレス鋼を含み、セラミックコーティングでコーティングすることができる。
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本発明は、ガス噴射装置及び該ガス噴射装置を採用した基板処理装置に関する。本発明に係るガス噴射装置は、チャンバーの内部に回転自在に設けられて複数の基板を支持する基板支持部の上部に設けられ、基板支持部の中心点を基準として円周方向に沿って配設されて基板に工程ガスを吹き付ける複数のガス噴射ユニットを備えるものであって、複数のガス噴射ユニットのうちの少なくとも一つのガス噴射ユニットは、工程ガスが導入される導入口が形成されているトッププレートと、トッププレートとの間に基板支持部の半径方向に沿ってガス拡散空間を形成するように、トッププレートの下部に配設され、導入口を介して流入して前記ガス拡散空間に拡散された工程ガスが基板に向かって吹き付けられるように、ガス拡散空間の下側に多数のガス噴射孔が形成されている噴射プレートと、ガス拡散空間を基板支持部の半径方向に沿って互いに隔離された複数の空間に仕切るように、トッププレートと噴射プレートとの間に設けられる隔壁と、を備え、隔離された空間ごとに前記工程ガスが独立して流入するように、導入口は複数設けられて隔離された空間ごとに配設されるところに特徴がある。
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