【課題】チャンバ内壁が高温に曝される場合においても、チャンバの外形を限定することなく、チャンバ内壁に付着する反応生成物を低減する。
【解決手段】チャンバ１１内には、チャンバの内壁に所定の間隔を隔てて配置された多孔質状の防着板１８を設け、開口部１９を介してチャンバの１１内壁からチャンバ１１内に向かって防着ガスＧｆを噴出させながら、反応ガス導入管１５を介してチャンバ１１内に反応ガスＧｓを導入することにより、チャンバ１１内の基板２２の面上にａ−Ｓｉ系の薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】気相成長膜の成膜の前後のガスによる副生成物の生成を抑止するライナを備えた気相成長装置及びこれを使用した気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１と、プロセスガス１１０を供給するガス供給部１０２と、チャンバ１０１内からガスを排気するガス排気部１０８とを備えた気相成長装置１００であって、チャンバ１０１の内壁部１３０の物性が上部ライナ１３１と下部ライナ１３２とで異なるように構成されており、下部ライナ１３２は、上部ライナ１３０に比べ、熱エネルギーが吸収しやすく、且つ蓄熱性が高い物性の基材で構成されていることを特徴とする。これにより、プロセスガス１１０及び生成ガス１１２に起因するライナ１３０全面への副生成物の生成を抑止することができる。
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【課題】 簡易な工程で結晶化率の高い半導体薄膜を得ると共に，不純物の混入を防止する半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２００上に，不連続のアモルファスＳｉ薄膜２０２を成膜し，前記不連続アモルファスＳｉ薄膜２０２が成膜された基板２００を，所定温度，所定時間で熱処理して，前記基板２００上に不連続の結晶性Ｓｉ薄膜２０４を形成し，前記不連続の結晶性Ｓｉ薄膜２０４上に，Ｓｉ薄膜２０６を成膜する半導体薄膜の形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＮＦ₃プラズマによるクリーニングにおいて、該プラズマに直接暴露される成膜装置内のＡｌまたはＡｌ合金製部品に表面処理を施しておくことなく、その部品表面の黒粉（ＡｌＦ）の発生を抑制する。
【解決手段】ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の成膜後、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜またはａ−Ｓｉ：Ｈ膜を含んだ積層膜を除去（クリーニング）するため、チャンバー１内にＮＦ₃のガスを導入して放電空間にＮＦ₃プラズマを励起させて、プラズマクリーニングを実施する。このクリーニングにおいて、放電空間の圧力がバラトロン真空計４で５５［Ｐａ］〜９０［Ｐａ］になるようにバルブ５等にて調整する。 （もっと読む）

【課題】装置の構成を簡略化することができ、また、高周波電源を用いても均一なプラズマを生成することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板２０を配置可能な基板配置電極２１と、基板配置電極２１に略平行に対向配置され、基板配置電極２１とは反対側に交流電圧を印加可能に構成された導電性材料からなる対向電極２２と、対向電極２２と基板配置電極２１との間に配置された、誘電体材料からなる板状部材３５と、を備え、板状部材３５は、板状部材３５と対向電極２２との間に供給された処理ガスを、板状部材３５に形成された複数のガス噴出口３６から、基板配置電極２１に向かって噴出するように形成されたプラズマ処理装置１０において、対向電極２２に、貫通孔５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 セルフクリーニングを行うタイミングを簡素に、かつ、汎用性を有するように設定でき、しかも、このタイミングを一層延長させることができ、生産効率を向上できる真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板４に製膜処理を行う製膜室１内に、クリーニングガスを導入してセルフクリーニングを行うプラズマＣＶＤ装置１００であって、セルフクリーニングを行うタイミングは、製膜関連作業時間Ｔｔとクリーニング関連作業時間Ｔｃとの和に占める製膜関連作業時間Ｔｔの割合で示される製膜稼働時間割合Ｐｓが、製膜処理量の増加に対して飽和している範囲で設定されることを特徴とする。 （もっと読む）

歪みSiN膜及び該歪みSiN膜を含む半導体デバイスの作製方法。当該方法は、シリコン先駆体を含む気体に前記基板を曝露する工程、第1レベルのプラズマ出力のプラズマ源によって励起されて前記シリコン先駆体と第1反応特性で反応する窒素先駆体を含む気体に前記基板を曝露する工程、及び、前記第1レベルとは異なる第2レベルのプラズマ出力のプラズマ源によって励起されて前記シリコン先駆体と第2反応特性で反応する窒素先駆体を含む気体に前記基板を曝露することで、前記の基板上に作製されたシリコン窒化物膜の特性が前記歪みSiN膜を供するように変化する、工程を有する。
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【課題】
本発明は、追加の工程を必要とすることなく転位密度低減を図ったＧａＮ層の選択成長方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
凹凸表面を有するサファイア基板を用意し、成長温度Ｔ（℃）と、水素と窒素を含むガス雰囲気に係るＦ値（＝水素流量／（水素流量＋窒素流量））を調整することにより、凸部からの成長を抑止する一方凹部からの成長を促進させ、サファイア基板の凹部から成長を開始して凸部上に横方向成長させることを特徴とするＭＯＶＰＥ法によるＧａＮ層の選択成長方法。 （もっと読む）

【課題】縦型の内管及び外管を含む二重構造の反応容器内を用いて成膜を行うにあたって、処理領域の下流側の累積膜厚を抑制してドライクリーニング時における反応容器内の過剰なエッチングを抑えること。
【解決手段】前記内管で囲まれる基板の処理領域の下流側に、ガス導入口が開口したガス導入管から内管の外面及び外管の内面への成膜を抑えるために成膜抑制用のガスを導入する。この導入管のガス導入量は、処理領域における内管の内面に付着した薄膜をクリーニングするのに要する時間をｔ１、内管の外面及び外管の内面に付着した薄膜をクリーニングするのに要する時間をｔ２とすると、前記成膜抑制用のガスを導入しながら成膜を行った後にクリーニングをしたときにおける時間差（ｔ２−ｔ１）が、前記成膜抑制用のガスを導入せずに成膜を行った後にクリーニングをしたときにおける時間差（ｔ２−ｔ１）の半分以下となるよう設定される。 （もっと読む）

【課題】加熱されるウェハ面内の温度分布の均一性を向上させ、結晶膜を均一に生成させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１と、チャンバ１０１内に収容されるウェハ１０２が載置されるサセプタ１０３を有するホルダ１０４と、ホルダ１０４内に設けられ、ウェハ１０２を裏面から加熱するインヒータ１０５及びアウトヒータ１０６と、インヒータ１０５に対向して設けられた冷却ガスを噴射する送気管１０７と、チャンバ１０１外に設けられた、ウェハ１０２の表面温度を計測する温度計測部１０８とが備えられることを特徴とする。これにより、ウェハ１０２上に生じる、温度分布の誤差部分である温度の特異点の位置を把握することができる。そして、温度の特異点を局所的に冷却することでウェハ１０２面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
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【課題】腐食性のクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入路における処理容器の直近に設けられた遮断弁の遮断機能の低下を防止する技術を提供すること。
【解決手段】熱処理時にクリーニングガス導入路の近傍に設けられた遮断弁の二次側にパージガスを供給するにあたり、パージガスを遮断弁のダイアフラムを介してその二次側に流れるようにする。具体的にはクリーニングガスの流入口を開閉するダイアフラムが配置された通気室において、前記ダイアフラムを介してクリーニングガスの流出口とは反対側に前記通気室にパージガスが流入するパージガス流入口を形成する。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置において、簡単な方法で異常な臭いを軽減でき、気相成長中の副生成物発生を抑制可能で、気相成長装置の稼働率向上、気相成長反応時のプロセス条件を安定化できる温度制御方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、チャンバ内に、支持台上に載置されたウェハが収容され、ウェハ上に成膜するためのガスを供給する第一の流路及びガスを排気する第二の流路がチャンバに接続され、チャンバの周囲にチャンバ内の温度を制御するための冷却水循環部が設けられ、冷却水循環部の冷却水の温度を制御する温度制御器が設けられ、チャンバに、チャンバの内壁部及び排気ガスを排気する第二の流路を洗浄するために、塩化水素を含むガスを供給する洗浄ガス流路が設けられてなる気相成長装置において、チャンバを開放する際の冷却水の温度を、常温より高い温度に設定することを特徴とする気相成長装置の温度制御方法である。 （もっと読む）

【課題】 ガス供給用ノズルを効果的に清浄化することが可能なノズル清浄化用カバー等を提供する。
【解決手段】 少なくとも、反応容器と、該反応容器内に配置され、ウエーハを載置するサセプタと、該サセプタを加熱する加熱手段と、前記反応容器中に突出し、該反応容器中にガスを供給するためのノズルとを具備する気相成長装置に用いられる、少なくとも清浄化作業時に前記ノズルを接触することなく包囲するように配置されるノズル清浄化用カバーであって、該ノズル清浄化用カバーは、前記ノズルを包囲する管状の包囲部と、該包囲部の下端から延びて前記サセプタに接触する台座部を有し、該台座部は、前記加熱手段により加熱された前記サセプタからの熱伝導により加熱され、該加熱された台座部からの熱伝導により前記包囲部が加熱されるものであるノズル清浄化用カバー。 （もっと読む）

【課題】コールドウォールを用いるＭＯＣＶＤ反応炉中で、高品質の３−５族系化合物半導体を高速成長させることができるようにすること。
【解決手段】気相成長炉２内の基板Ｓ上に３−５族系化合物半導体を有機金属気相成長法によって気相成長させて３−５族系化合物半導体を製造する場合、原料ガス供給装置３の第１乃至第４供給路３１〜３４を用い、所要の原料ガスとキャリアガスとを互いに分離して気相成長炉２内に供給すると共に、ハロゲン化水素を５族元素のガス以外の原料ガス或いはキャリアガスと共に気相成長炉２内に供給する。 （もっと読む）

【課題】ウェハを高速回転させずに成長速度を高める気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０２と、チャンバ１０２に原料ガスを供給する供給部１０７と、チャンバ１０２内でウェハ１０１を載置する回転可能なホルダ１０４と、複数の羽根１１２を有し、ホルダ１０４の周囲を取り巻くように設けられた、原料ガスをウェハ１０１上から排出する回転可能な羽根車１１０と、羽根車１１０によって排出された気相成長反応後の原料ガスをチャンバ１０２から排気する排気部１０８とを備えることを特徴とする。これによりウェハ１０１を高速回転させなくても済むため、ウェハ１０１がホルダ１０４からはずれたり、破損したりすることによる生産歩留まりの低下を防止し、且つ気相成長反応の成長速度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】高密度プラズマを使用して誘電材料を基板ギャップに形成するための方法を提供する。
【解決手段】該方法は、該高密度プラズマによって該誘電材料の第１の部分を該ギャップに堆積するステップを含んでもよい。該堆積は、該ギャップへの該誘電材料の該堆積を少なくとも部分的にブロックする突出構造を形成してもよい。誘電材料の該第１の部分は、ＮＨ_３およびＮＦ_３を含む混合物からの反応種を含むエッチャントに暴露される。該エッチャントは該突出構造によって固体反応生成物を形成し、該固体反応生成物は該基板から除去されてもよい。該誘電材料の最終部分が該高密度プラズマによって該ギャップに堆積されてもよい。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で安価に、生産性よく結晶性シリコン薄膜を形成できるシリコン薄膜形成方法を提供する。リーク電流が低く抑制された薄膜トランジスタ用の基板を得ることができるシリコン薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓを水素を含む水素結合処理用ガスのプラズマに曝してのち、該基板に結晶性シリコン薄膜を形成するシリコン薄膜形成方法。基板Ｓとして膜形成対象面が基板本体上に形成された窒素含有ゲート絶縁膜である基板を採用して、電子移動が高く、オフ電流が小さい薄膜トランジスタを提供できる基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 リンでドープされたシリコンと炭素を含有するエピタキシャル層を形成する方法を提供する。
【解決手段】 圧力は、堆積中１００トール以上に維持される。方法は、置換型炭素を含む膜の形成を生じさせる。特定の実施形態は、半導体デバイス、例えば、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）デバイスにおけるエピタキシャル層の形成と処理に関する。 （もっと読む）

【課題】高周波励起のプラズマＣＶＤ法によるシリコン系薄膜の形成方法において、比較的低温下で安価に、生産性よく結晶化度の高い多結晶シリコン系薄膜を形成する。
【解決手段】成膜時のガス圧を０．００９５Ｐａ〜６４Ｐａの範囲から、成膜室内へ導入する成膜原料ガスの導入流量Ｍｓに対する希釈ガスの導入流量Ｍｄの比（Ｍｄ／Ｍｓ）を０〜１２００の範囲から、高周波電力密度を０．００２４Ｗ／ｃｍ³ 〜１１Ｗ／ｃｍ³ の範囲からそれぞれ選択、決定するとともに、成膜時のプラズマポテンシャルを２５Ｖ以下、プラズマ中電子密度を１×１０¹⁰個／ｃｍ³ 以上に維持して膜形成し、且つ、それら圧力等の組み合わせをレーザラマン散乱分光法による膜中シリコンの結晶性評価においてアモルファスシリコン成分に起因するＩａに対する結晶化シリコン成分に起因するＩｃの比（Ｉｃ／Ｉａ＝結晶化度）が８以上となる組み合わせとして多結晶シリコン系薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 選択エピタキシャル成長の成長速度とエッチング速度の両方を調整することが可能であり、ノズルからのパーティクル発生を回避でき、良好なエッチング特性を得ることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 シリコンを含む原料ガスとエッチングガスとを交互に繰り返して処理室２４内に供給して基板の表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる基板処理装置１０であって、処理室２４内で基板を支持する基板支持部材１６と、基板及び処理室２４内の雰囲気を加熱し、処理室２４の外部に設けられる加熱部材２２と、処理室２４内に配置されるガス供給手段と、処理室２４に開口する排気口２７と、を備え、ガス供給手段は、原料ガスを供給する第１のガス供給ノズル４２ａ、４２ｂ、４２ｃと、エッチングガスを供給する第２のガス供給ノズル４４ａ、４４ｂ、４４ｃと、を含む基板処理装置１０とする。 （もっと読む）