基体上へセラミック膜、特に炭化ケイ素膜を堆積する方法が開示され、その方法において、残存応力、残存応力勾配、および抵抗率が制御される。これらの制御された特性を備えた堆積された膜を有する基体、およびこれらの特性を備えた膜を有するデバイス、特にＭＥＭＳデバイスおよびＮＥＭＳデバイスもまた開示される。この堆積された炭化ケイ素膜中の残存応力は、約７００ＭＰａと約−１００ＭＰａとの間にあり、その電気抵抗率は、約１０Ω・ｃｍ未満である。
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処理システムは可変容積室を含む。液体又は固体の前駆体源を可変容積室内に含め得る。処理室への予測可能な前駆体流れをもたらすために、可変容積室の容量を制御し得る。一部の実施例では、複数の可変容量室を設け得る。
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エピタキシャル層を基板（３）上に成長させるための回転ディスク式反応器（１）において、ディスクの回転軸から異なる半径方向距離にある基板に向かうガスが、実質的に同一の速度を有する。軸から離れたディスクの部分（１０ａ）に向かうガスは、軸に近いディスクの部分（１０ｄ）に向かうガスよりも、高濃度の反応ガス（４）を含むとよく、これによって、軸（１４）から異なる距離にある基板表面の部分は、単位面積当りにつき、実質的に同一量の反応ガス（４）を受ける。所望の流れパターンが反応器内において達成され、基板へのエピタキシャル層の均一な堆積と成長を可能にする。

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【課題】 低コストでガス供給配管内を流れるガスの再液化を効果的に防止でき、しかも、安全性も高めることができる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】 液化ガスを蓄積した液化ガスボンベ２０と、液化ガスを気化した反応ガスを用いて半導体の反応処理を行うための反応処理装置２２と、反応ガスを液化ガスボンベ２０から反応処理装置２２に導くためのガス供給配管２４と、ガス供給配管２４を通る反応ガスの流量をコントロールするガス流量コントローラー２６とを備え、液化ガスボンベ２０からガス流量コントローラー２６迄のガス供給配管２４が下り勾配となる場合は水平に対する勾配角度φを３０°以下としたこと。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の配管を流通する全ガス流量が大きく変わった場合でも常に最適な検出精度で流量検出を行える様にする。
【解決手段】半導体製造装置の配管１に流量検出装置２が設けられ、該流量検出装置がガス導入路１６とガス導入路に対して並列に設けられた調整流路１３，１４，１５を具備する流量調整部とを有し、前記ガス導入路にガス流量検出器７を設け、前記ガス導入路を流通するガス流量が所定範囲となる様、前記調整流路の流路断面積を変更可能とした半導体製造装置に係り、又前記流量検出装置は複数の調整流路を有し、該複数の調整流路は独立して開閉され、ガス導入路を流れるガス流量を流量検出器の検出適正流量とすることで、配管の全ガス流量が大幅に変化したとしても流量検出器の持つ最適精度で流量検出を行う。 （もっと読む）