【課題】装置内部の部品の劣化を抑制しつつ、装置内部に付着した付着物を除去することができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】熱処理装置１の制御部１００は、反応室内を、水が液膜として存在し得る温度、例えば、室温に維持する。また、制御部１００は、反応室内を５３２００Ｐａに設定する。反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、制御部１００は、処理ガス導入管１７からフッ化水素と窒素とからなるクリーニングガスを反応管２内に導入し、装置内部に付着した反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。また、本電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を量産性高く作製する。
【解決手段】一定流量の水素を導入しつつ、第１の流量のシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入する工程と、第２の流量のシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入する工程とを繰り返して、水素及びシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を混合し、高周波電力を供給して、基板上に微結晶半導体膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】異なる処理を行なう場合においても、当該処理の質を良好に維持することが可能な気相処理装置および気相処理方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、反応ガスを流通させる処理室４と、処理室４の第１の壁面（上壁６）において、上記反応ガスの流通方向に沿って形成された複数のガス導入部としてのガス供給口１３〜１５と、複数のガス導入部としてのガス供給口１３〜１５において、一のガス導入部と、一のガス導入部と異なる他のガス導入部とのそれぞれからガスを処理室４の内部に供給可能なガス供給部とを備えている。複数の上記ガス供給部には、上記ガス供給部から上記ガス導入部へガスを供給するための第１のバッファ室（バッファ室２３〜２５）と、第１のバッファ室へ均一な圧力でガスを供給するための流量調整部５０とを含み、上記第１のバッファ室は流量調整部５０に対して、ガスの流通方向の下流側に位置する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも面内均一性の高いマイクロ波プラズマ処理を行うことができるマイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】マイクロ波プラズマによって被処理体であるウエハＷにプラズマ処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置１００は、ウエハＷを収容するチャンバー１と、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生源３９と、マイクロ波発生源で発生されたマイクロ波をチャンバー１に向けて導く導波手段３７ａ，３７ｂ，３１，２８と、チャンバー１内に、プラズマ処理を行うためのガスを供給するガス供給手段１６と、処理条件を制御する制御部５０とを具備し、制御部５０は、プラズマのモードが周期的に変化するように、処理条件を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 成膜温度を低下させ、成膜速度を増大させる。
【解決手段】 基板を収容した処理室内にシリコン含有ガスとボロン含有ガスとを供給して基板上にシリコン含有及びボロン含有膜を形成するシリコン含有及びボロン含有膜形成工程と、大気圧未満の圧力に設定した処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して基板上に形成したシリコン含有及びボロン含有膜をボロン及びシリコン含有酸化膜に改質するシリコン含有及びボロン含有膜改質工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持するサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉、反応炉へ原料ガスを供給する原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、半導体の膜厚分布の均一性、反応速度の向上を図ることが可能なIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 原料ガス導入部が、アンモニア、有機金属化合物、及びキャリアガスの３種を任意の割合で混合してなる混合ガスを噴出できる第一の混合ガス噴出口と、アンモニア、有機金属化合物、及びキャリアガスから選択される２種または３種を任意の割合で混合してなる混合ガスを噴出できる第二の混合ガス噴出口を備えてなるIII族窒化物半導体の気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】低温にて膜表面が滑らかであって緻密な抵抗率の低い金属膜を、ＣＶＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して良質とし、ＡＬＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して速い成膜速度で、すなわち高い生産性で提供する。
【解決手段】無機原料である少なくとも1種の金属化合物と、前記金属化合物に対して反応性を有する反応ガスを交互に複数回処理室に供給して、前記処理室内に載置された基板に第1の金属膜を形成する交互供給工程と、無機原料である少なくとも1種の金属化合物と、前記金属化合物に対して反応性を有する反応ガスを互いに混合するよう同時に1回前記処理室に供給して、前記処理室内に載置された基板に第２の金属膜を形成する同時供給工程と、を有し、前記交互供給工程及び前記同時供給工程の少なくとも一方の後に、前記反応ガス及び不活性ガスの少なくとも一方を用いて前記第1の金属膜及び前記第２の金属膜の少なくとも一方を改質する改質工程を行う半導体デバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＢＣｌ_３ガスを用いたポリシリコン膜の形成を複数回、連続して実施する際の膜厚の変動を防止する。
【解決手段】Ｈを含むＳｉ源およびＢおよびＣｌを含むＢ源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にＢを含有したポリシリコン膜を形成する工程と、原料ガスを排出した後にＯ_２ガスを前記反応室内に供給する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】導電性SiC単結晶基板上のIII族窒化物電子デバイスにおいて、縦方向耐圧を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電性SiC単結晶基板２と、該SiC単結晶基板上に形成した絶縁層としてのバッファ３と、該バッファ上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体４とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記バッファは、B_a1Al_b1Ga_c1In_d1N(0≦a₁≦1,0＜b₁≦1,0≦c₁≦1,0≦d₁≦1,a₁+b₁+c₁+d₁=1)材料からなり、初期成長層５と、バンドギャップの異なる２層を交互に積層した超格子多層構造からなる。超格子積層体６、または、前記主積層体の前記バッファ側の部分の少なくとも一方は、Ｃ濃度が１×10¹⁸/cm³以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガスライン圧力を適正に校正する機構により原料ガス供給量を制御し、成長速度、或いは組成比変動による歩留低下を抑制することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】流量制御部１０の制御により、キャリアガス流量×原料ガス濃度／（１−原料ガス濃度）が一定となるように、バブリングマスフローコントローラー６によりキャリアガス１５の流量を制御することにより、原料ガスの濃度を一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥密度が低減され、表面が平滑な窒化アルミニウム単結晶層を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板１上に、アルミニウム原子に対する窒素原子のモル比が３０００以上７０００以下となるように原料ガスを供給し、第一の窒化アルミニウム単結晶層２を形成する第一成長工程、並びに、前記第一の窒化アルミニウム単結晶層２上に、アルミニウム原子に対する窒素原子のモル比が３０００未満となるように原料ガスを供給し、第二の窒化アルミニウム単結晶層３を形成する第二成長工程とを含むことを特徴とする積層体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系化合物からなる表面薄層を形成する場合において、冷却時における表面薄層の目標層厚からの不足を効果的に防止できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】成長用基板を反応容器中に配置し、ＩＩＩ族金属源として該ＩＩＩ族金属の有機金属ガスをキャリアガスにて希釈して用い、窒素源としてアンモニアガスを用いたＭＯＶＰＥ法によりＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を成長用基板上にエピタキシャル成長する。表面薄層成長工程において表面薄層を、最終的に得るべき目標厚さに対し、冷却工程時において該表面薄層を形成する窒化物の分解により生ずる該表面薄層の厚さ減少を補償する補償厚さを部増しした形で成長する。 （もっと読む）

半導体結晶、及びそれを形成する方法を提供する。当該方法は、ドーパント及びＩＩＩ族元素を含有するガスのフローを供給し、その後、ドーパント及びＩＩＩ族元素を含有するガスのフローを停止し、温度を低下させ、ＩＩＩ族元素を含有するガスのフローを再開し、そして、温度を上昇させることを含む。
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【課題】簡易に光取出効率を向上することができる発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法を用いて、ｎ型導電性基板１上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型クラッド層４を有する発光部６と、ｐ型ＧａＰ電流分散層５と、を積層形成するＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法であって、ＧａＰ電流分散層５を形成する際に、ＧａＰ電流分散層５の表面側部で成長速度を高めることで、ＧａＰ電流分散層５の表面５ｃに凹凸を形成する。 （もっと読む）

【課題】高品質の結晶質シリコン層を製膜して高性能の光電変換装置を製造する方法、及び、高品質の結晶質シリコン層を製膜するための製膜装置を提供する。
【解決手段】基板上に、ｉ層を含む結晶質シリコン系光電変換層をプラズマＣＶＤ法により形成する光電変換装置の製造方法であって、前記ｉ層の形成工程が、初期層製膜段階と、バルクｉ層製膜段階とを備え、前記初期層製膜段階が、前記初期層製膜段階でのシラン系ガス流量を、前記バルクｉ層製膜段階でのシラン系ガス流量より低く、前記初期層製膜段階の製膜時間を、前記ｉ層の全製膜時間の５％以上２０％以下として、前記初期層を製膜する。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇を招くことなく、反応室内の急激な圧力変動が抑制できるようにする。
【解決手段】原料ガス供給開閉弁１０５，酸化ガス供給開閉弁１０６，およびパージガス供給開閉弁１０７は、例えば、開閉の速度を０．０１秒程度で行う高速の開閉弁である。開閉弁制御部１０９は、原料ガス供給開閉弁１０５および酸化ガス供給開閉弁１０６の開速度を、閉速度より遅くなるように制御する。原料ガス供給開閉弁１０５および酸化ガス供給開閉弁１０６は、例えば、空気圧により弁体を駆動（開）することで弁の開閉を行う。また、空気圧の制御は、電磁弁により行う。開閉弁制御部１０９は、この電磁弁に対する信号（電圧）を制御することで、各開閉弁の開速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 量産に適した、コンタミの少ない、組成制御された、ち密で、欠陥、粒界の極めて少ない、深さ方向に構造制御された、良好な絶縁特性を持つ絶縁膜の提供。
【解決手段】 Ｏ、Ｎ及びＦから選ばれた少なくとも１種を含む気体状分子を該基板表面に供給し、吸着させた後排気する第１の工程の後に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、又はＴｉを含む気体状分子を基板表面に供給し、吸着させた後排気する第２の工程を行い、その後にＡｒを導入した後排気する第３の工程を行い、前記第１〜第３の工程を１つのサイクルとして、このサイクルを複数回行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の厚みの面内方向の均一性を向上できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの面内方向に配列する複数の測定位置でエピタキシャル層（エピ層）の厚みを測定し、開閉部材の操作によって開閉部材に対応するガス流出口を開閉させ、開閉部材の操作に対応するウェーハ面内のエピ層の厚みをモデル化して、ウェーハ面内エピ厚推定モデルを作成するモデル作成工程Ｓ１と、ウェーハにエピ層を形成させるエピタキシャル層形成工程Ｓ２と、エピタキシャル層形成工程Ｓ２により形成されたエピ層について複数の測定位置においてエピ層の実厚みであるウェーハ面内実エピ厚を測定する実厚み測定工程Ｓ３と、モデル作成工程Ｓ１により作成されたウェーハ面内エピ厚推定モデルに基づいて開閉部材を操作し、ウェーハ面内実エピ厚のばらつきが最小となるように修正するウェーハ面内実エピ厚修正工程Ｓ１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理領域が不連続に設定されたワークに対してプラズマ処理を施す際に、プラズマの発生を安定的に維持して、活性種の生成を速やかに行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、１対の電極２、３と、電源回路７と、ガス供給手段８と、プラズマ噴出口５と、制御手段１７０とを備え、制御手段１７０により、ガス供給手段８を、プラズマ生成空間３０にキャリアガスを供給した状態で、処理ガスの供給を停止することにより、プラズマを生成し、このプラズマを維持する非処理モードと、プラズマ生成空間３０にキャリアガスと処理ガスとの混合ガスを供給することにより、処理ガスを活性化して活性種を生成し、この活性種をプラズマ噴射口５から噴出してワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理する処理モードとに切り替え可能なように構成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が大きく、均一な結晶性半導体膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜上に接して結晶性半導体膜を形成する第１の工程と、前記第１の工程よりも核生成頻度が低い条件により結晶性半導体膜を成長させる第２の工程と、により結晶性半導体膜を作製する。第２の工程は、第１の工程よりも半導体材料ガスの流量比が小さい条件で行う。これにより、結晶粒径が大きく、均一性の高い結晶性半導体膜を得ることができ、結晶性半導体膜の下地膜に対するプラズマダメージを従来よりも低減することができる。 （もっと読む）