【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、気相成長装置は、基板を保持し、かつ、基板を加熱および回転させるサセプタと、基板の上面に材料ガス流を供給するノズルと、を含み、ノズルは、その内部のガス放射中心から放射状に材料ガス流を基板の全面に沿って噴出する。 （もっと読む）

【課題】酸化処理の面内均一性を向上させる。
【解決手段】 基板の側方に設けられたノズルから酸素含有ガスを第１の流量にて基板に向けて供給し、その際、そのノズルと同じノズルから、酸素含有ガスと一緒に不活性ガスを第１の流量よりも大きな第２の流量にて供給することで、基板の表面と平行方向に流れる酸素含有ガスの流速を、酸素含有ガスを第１の流量にて単独で流す場合における基板の表面と平行方向に流れる酸素含有ガスの流速よりも大きくする （もっと読む）

【課題】クリーニングによる損傷を防止することができる半導体製造装置のクリーニング方法、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法は、処理チャンバー内に支燃性ガス供給管を介して支燃性ガス並びに前記支燃性ガス及び可燃性ガスと反応しない無反応ガスを供給しつつ、可燃性ガス供給管を介して前記可燃性ガス及び前記無反応ガスを供給する工程を備える。前記工程において、前記支燃性ガス供給管を介して供給する前記支燃性ガス及び前記無反応ガスの第１合計量、並びに前記可燃性ガス供給管を介して供給する前記可燃性ガス及び前記無反応ガスの第２合計量のうち、少なくとも一方を経時的に変化させる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。
【解決手段】ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも大きな供給量でTMG又はTEGを供給する。これにより、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１が発生するが（図３（ａ）参照）、発生する２次元核３０１の個数が１個以上100個以下発生するだけの時間だけこの第２の成長工程を行う。次に、TMG又はTEGの供給量を、第２の成長工程よりも小さくする（第３の成長工程）。これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる（図３（ｂ）参照）。第２と第３の工程を交互に繰り返すことにより、２分子層以上の厚さのGaN薄膜３０３を成長することも可能である（図３（ｃ）参照）。 （もっと読む）

【課題】真空容器の内部におけるガスの流れを制御する技術を提供する。
【解決手段】ガス供給部からプロセスガスの供給を受けてプロセス対象にプロセスを実行する真空容器５００におけるプロセスガスの真空圧力と流れとを真空ポンプを使用して制御する真空制御システム１０を提供する。真空制御システム１０は、真空容器５００において相互に相違する位置に配置された複数のガス排出口５６１，５６２の各々と真空ポンプ３００との間に接続されている各真空制御バルブ１００，２００と、プロセス対象に供給されるプロセスガスの真空圧力を計測する圧力計測部６３１と、計測された真空圧力に応じて複数の真空制御バルブ５６１，５６２の各々の開度を操作する制御装置６１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理室内へのガス流量を均等にすると共に、質量流量計の数を低減させる。
【解決手段】 複数の基板を収容する処理室と、ガス供給源に接続されるガス供給管と、ガス供給管に接続され、ガス供給管からのガスを処理室内にそれぞれ供給する複数の分岐管と、分岐管にそれぞれ設けられる差圧生成部と、を備え、差圧生成部は、分岐管から処理室内に供給されるガスの流量が、複数の分岐管の間で均等になるように、差圧生成部より上流側の分岐管内と、差圧生成部より下流側の分岐管内と、の間にそれぞれ差圧を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】
真空処理室の残留ガスと導入ガスを高速に置換することのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】
真空処理室１０９内に、それぞれ異なるガスを導入する複数の処理ステップにより試料１１７の処理を行なう真空処理装置において、複数の処理ステップを継続する時、前ステップ終了時のガス流量を定常処理時の設定値より減少させる、または後ステップの開始時のガス流量を設定値より増加させる、または前ステップ終了時のガス流量を設定値より減少させ、且つ後ステップの開始時のガス流量を設定値より増加させる。これにより高速置換が可能となり安定した真空処理が実現できる。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、マグネシウムをドープしたｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層であって、アルミニウム組成比ｘが０．２３以上０．３未満の範囲であり、かつキャリア濃度が５×10¹⁷／cm³以上であるか、アルミニウム組成比ｘが０．３以上０．４未満の範囲であり、かつキャリア濃度が３．５×10¹⁷／cm³以上であるか、または、アルミニウム組成比ｘが０．４以上０．５未満の範囲であり、かつキャリア濃度が２．５×10¹⁷／cm³以上であることを特徴とするｐ型ＡｌＧａＮ層である。 （もっと読む）

−プロセス空間雰囲気圧のプロセス空間雰囲気を用意することと、−プロセス空間雰囲気圧とは異なる外部雰囲気圧の外部雰囲気を用意することと、−外部雰囲気がプロセス空間雰囲気に開口連通する通路であって、外部雰囲気とプロセス空間雰囲気との間での基板の交換が可能である通路を設けることと、−この通路の少なくとも一部を通って延在する交換用流体の流れを生じさせるように、少なくとも１つの交換用流体注入点において交換用流体を通路に注入することと、を含む方法であって、この流れの方向は、−外部雰囲気圧がプロセス空間雰囲気圧より大きい場合は、外部に向かい、−外部雰囲気圧がプロセス空間雰囲気圧より小さい場合は、プロセス空間に向かう、方法。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族原料ガスをIII族原料ガス流量Ａ_１(０≦Ａ_１)で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ_１(０＜Ｂ_１)で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ_１(０＜Ｃ_１)で供給する第１工程と、III族原料ガスをIII族原料ガス流量Ａ_２(０＜Ａ_２)で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ_２(０＜Ｂ_２)で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ_２(０＜Ｃ_２)で供給する第２工程とを複数回繰り返すことによりｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層(０≦ｘ＜１)を形成し、前記III族原料ガス流量Ａ_１はｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層を層成長させない流量であって、Ａ_１≦０．５Ａ_２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極上の付着物に加え、電極の外周近傍に設けられた部材上の付着物を速やかに除去することができる成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ状態の変化に対応して、第１の条件でプラズマを発生させる工程から第２の条件でプラズマを発生させる工程への移行が行われる。第２の条件は、第１の条件に比して、第１の対の電極１１、１２間において外周方向へプラズマを拡げる条件である。第１の対の電極１１、１２に接続されたインピーダンス整合回路４１の回路定数の変化に対応して、第１の条件でプラズマを発生させる工程から第２の条件でプラズマを発生させる工程への移行が行われる。第１および第２の条件の各々はＡｒガスとＮＦ₃ガスとの混合ガスを用いるものである。第２の条件は、ＮＦ₃ガス流量に対するＡｒガス流量の比率である流量比が高い条件である。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器の天井壁に設けられた第３ノズル部を介してハロゲン系ガスに第２ガスの少なくとも一部を添加したガスを処理容器内に供給すると共に第１ノズル部を介してハロゲン系ガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】薄膜蒸着システム及び薄膜蒸着方法を提供する。
【解決手段】薄膜蒸着システムは、原料物質を提供する原料物質供給部２１０と、前記原料物質供給部に連結されて、前記原料物質供給部から原料物質を受け取って気化させる気化器２３１が設けられた原料ガス供給部２３０と、前記原料ガス供給部に連結されて、気化された原料物質を受け取って被処理物上に薄膜を蒸着する薄膜蒸着装置１００と、一端が前記気化器に連結されて、前記気化器の内部を排気する気化器排気ユニット３００と、前記気化器排気ユニットに連結されるように設けられて、前記気化器排気ユニットの圧力を調節することによって、前記気化器の内部に供給された原料物質の流速を制御する圧力調節部３５０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン膜の表面粗さを改善することを可能とする。
【解決手段】基板上にアモルファスシリコン膜を第１の炉内圧力で成膜するプリパージ工程と、プリパージ工程の次の工程であり第２の炉内圧力で成膜するデポ工程とからなり、前記デポ工程時の炉内圧力である第２の炉内圧力に関しては前記プリパージ工程の炉内圧力である第１の炉内圧力より低くしたことを特徴とする。更に各工程におけるＳｉＨ_４の流量を異ならせることを特徴とする。 （もっと読む）

基板上に電流密度の高い垂直型のｐｉｎダイオードを形成する方法が記載される。これらの方法は、第ＩＶ族元素含有前駆体と、ｎ型ドーパント前駆体およびｐ型ドーパント前駆体へのいずれかの順序の連続露出を同時に組み合わせる工程を含む。第ＩＶ族元素含有前駆体を流しながら、ドーパント前駆体の流れを低減または除去することによって、ｎ型層とｐ型層の間に真性層が堆積される。この基板は、ｎ型層、真性層、およびｐ型層のそれぞれの堆積中、同じ処理チャンバ内に位置することができ、基板は、隣接する層の堆積間で大気へ露出されない。
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【課題】成膜に用いる原料ガス同士の気相反応を抑制し、均一な成膜速度で均一な膜厚のエピタキシャル膜を形成するためのエピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮエピタキシャル膜を形成する工程（Ｓ２０）において、基板１５に近いほうから順に配置された、窒素ガスとＶ族元素ガスとが混合された第１の混合ガスを流す第１ガスライン１０と、窒素ガスとＩＩＩ族元素ガスとが混合された第２の混合ガスを流す第２ガスライン２０と、サブフロー窒素ガスを流す第３ガスライン３０から、基板の主表面に対向する領域へガスを流す。ＩｎＡｌＧａＮエピタキシャル膜を形成する工程（Ｓ２０）における、基板１５が配置される反応室内５０の圧力は１５ｋＰａ以上２５ｋＰａ以下であり、第２の混合ガス中に含まれる窒素ガスの流速が３．２５ｍ／ｓ以上３．３５ｍ／ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】高度の結晶性を有し、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いＧａＮ系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ素子等を得る。
【解決手段】サファイア基板上にシード層としてスパッター法で堆積されたＡｌＮ結晶膜を有し、該シード層上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体において、該シード層のＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が０．１原子％以上５原子％以下であり、ＡｌＮ結晶膜は結晶粒界の間隔が２００ｎｍ以上であり、かつ最終ｐ型半導体層であるｐ−コンタクト層のロッキングカーブ半値幅が（０００２）面と（１０−１０）面でそれぞれ６０arcsec以下および２５０arcsec以下であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。 （もっと読む）

【課題】真空容器のベーキング時間を短縮させたベーキング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】真空容器の排気を行う工程と、真空容器に不活性ガスを導入する工程と、を繰り返すサイクルを有する真空容器のベーキング方法であって、
前記真空容器の排気は、前記真空容器に設けた排気コンダクタンス可変のスロー排気バルブを介して行い、前記スロー排気バルブの排気コンダクタンスを、前記サイクルの直前のサイクルにおける排気コンダクタンスより大きく設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液体材料の残留の問題を解消しつつ、液体材料の気化の促進を図ることができる液体気化システムを提供する。
【解決手段】液体気化システム１０には、液体気化装置２０が設けられている。本装置２０は、ポンプ１１と、気化器１２とを備えている。気化器１２は、ケース２１と、ケース２１の内部に設けられたヒータと、ヒータにより加熱される蓄熱板２３と、蓄熱板２３上に設けられたメッシュ２４とを備えている。メッシュ２４は、線材２４ａが編み込まれることにより形成され、全体としては平板状をなしている。蓄熱板２３の上面にメッシュ２４が重ねられることで蓄熱板２３上にはメッシュ２４により微細な凹凸が設けられている。メッシュ２４の上方にはノズル２７が設けられ、ノズル２７から液体材料が蓄熱板２３（メッシュ２４）上に滴下される。液体材料は蓄熱板２３上を薄膜状に拡がり蓄熱板２３の上面で加熱され気化される。 （もっと読む）

【課題】酸化処理前における基板表面の初期酸化を抑えることができるとともに、自然酸化膜を除去できるようにする。
【解決手段】表面に少なくとも金属原子を含まずシリコン原子を含む層と、金属原子を含む層とが露出している基板を処理室内に搬入する工程と、処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して基板表面を酸化処理する工程と、酸化処理後の基板を処理室内より搬出する工程とを有し、酸化処理工程では、処理室内の圧力を１３３３Ｐａ（１０Ｔｏｒｒ）以下とすると共に、酸素含有ガスの流量Ａに対する水素含有ガスの流量Ｂの流量比Ｂ／Ａを２以上とする。 （もっと読む）