【課題】化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明による化学気相蒸着装置は、ウェーハが搭載されるサセプタが備えられ上記ウェーハに対する化学気相蒸着が行われる反応炉を備える反応チャンバーと、上記反応炉の外側から上記反応炉の中心側に反応ガスが流動するように上記反応チャンバーの外部壁に備えられるガス流入部と、そして上記反応炉で反応が完了した反応ガスを上記反応チャンバーの上部または下部に排出するように上記反応チャンバーの中心部に備えられるガス排気部を含み、高温の蒸着膜の成長条件下で成長圧力を増加させる場合にもチャンバー内でガスの密度が実質的に均一になるようにすることができるという特徴がある。 （もっと読む）

【課題】プラズマの変化の状態を防止でき、所望の膜厚および均一に成膜し、プラズマ処理を施すプラズマ処理半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１にプラズマ処理を施すＭＭＴ装置１０は、気密性を確保した処理室１４でウエハ１を保持するサセプタ２１と、処理室１４にプラズマを生成する筒状電極１５および筒状磁石１９と、処理ガスＧを処理室１４内に供給するガス供給管３３やバルブ３４およびＭＦＣ３５と、バルブ３４およびＭＦＣ３５を信号線Ｅを通じて制御するコントローラ４１と、サセプタ２１の周縁部を覆う周辺カバー５０とを備えている。ガスの流量によって２つ以上の異なるプラズマ状態を選択することにより、プラズマ状態を制御し、所望の膜厚および均一に成膜する。 （もっと読む）

【課題】緑色および深紫外波長範囲について、高品質の量子井戸を成長させる。
【解決手段】第１の量子井戸と、前記第１の量子井戸内に含まれる第１の下位層であって、前記第１の下位層の１つの層の合金組成が前記第１の下位層の別の層の合金組成と異なり、前記第１の量子井戸によって放射される光の波長が前記第１の下位層の平均組成のバンドギャップによって規定される第１の下位層と、を備える発光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスに含まれた元素を有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、反応容器内にクリーニングガスを供給し、前記反応容器内をクリーニングする工程の後、基板に処理を行なう際に用いる反応ガスの全てを反応容器に供給し、反応容器内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程を経た基板処理装置を用いて半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの種類の切替え時間を短縮する。
【解決手段】基板処理装置１００は、基板２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に設けられる基板２００と対向して設けられ多数のガス供給孔２４０から処理ガスを供給するためのガス供給部２３６ａ，２３６ｂと、ガス供給部２３６ａ，２３６ｂ内に処理ガスを導入するガス導入口２３４，２３５と、処理室２０１に連通する排気口２３０と、ガス供給部２３６ａ，２３６ｂに連通する排気口３０５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】インゴットから得たＧａＮ基板表面の研磨傷を消失させる。
【解決手段】研磨された、ＧａＮ基板表面の処理方法であって、トリメチルガリウムと、アンモニアと、水素とを含む雰囲気下で加熱することを特徴とする。トリメチルガリウムの供給量は１５０μｍｏｌ／ｍｉｎ以上、アンモニアとトリメチルガリウムの供給量の比（Ｖ／III比）は、１２００以上４０００以下が好ましく加熱の際の温度は１０００℃以上１２５０℃以下が好ましい。また、表面処理温度は、後に形成されるＧａＮの成長時の温度以上に設定され、トリメチルガリウム供給量は、その成長時の供給量よりも低い。表面の高低差のＲＭＳは１．３ｎｍ以下、ステップ状態の良好な基板面が得られた。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル層のエピタキシャル成長を中断した部分の抵抗率の上昇を抑制できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】 エピ成長炉内で複数回に分けてエピタキシャル成長を行なうことにより、ウェーハ上にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記エピタキシャル成長を中断して再開する前に、前記エピ成長炉内にドーパントガスを流入させるエピタキシャルウェーハの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】ｎドープシリコンを含有するエピタキシャル層を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス、例えば金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）デバイスにおけるｎドープエピタキシャル層の形成は、プロセスチャンバにおいて第１の温度および圧力で、シリコン源、炭素源およびｎドーパントソースを含む堆積ガスに基板を曝すステップと、堆積中よりも高い第２の温度および高い圧力でエッチャントに該基板を曝すステップと、を伴う。 （もっと読む）

ＩＩＩ−Ｖ族ｎ型窒化物構造物を製作する方法は、成長Ｓｉ基板を製作することと、次いで、第一の所定の値に設定された流量においてシランガス（ＳｉＨ_４）を前駆物質として用いて、ＩＩＩ−Ｖ族ｎ型層をＳｉ基板の上に堆積させる（２１０）こととを包含する。その後、ＳｉＨ_４流量は、ｎ型層の製作の間に第二の所定の流量まで低減される（２２０）。この方法はまた、ｎ型層の上に多重量子井戸活性領域を形成することも含む。加えて、流量は、所定の期間にわたって低減され、第二の所定の値は、ｎ型層と該活性領域との界面から十分に短い所定の距離において達せられる（２３０）。
（もっと読む）

【課題】半導体の品質低下を防止できるＭＯＣＶD法による半導体製造設備のガス供給装置を提供する。
【解決手段】反応炉ＰＣへの原料ガスを供給するメインガス供給ラインＬ_１と前記原料の排気をするべントガス供給ラインＬ_２とを備え、前記メインガス供給ラインの入口側に圧力式流量制御装置ＦＣＳ−Ｎを設け、当該圧力式流量制御装置により流量制御をしつつ所定流量のキャリアガスＣ_１〜Ｃ_５をメインガス供給ラインへ供給すると共に、前記ベントガス供給ラインの入口側に圧力制御装置ＦＣＳ−ＲＶを設け、当該圧力制御装置により圧力調整をしつつ所定圧力のキャリアガスをベントガス供給ラインへ供給し、前記圧力式流量制御装置のオリフィスＯＬ下流側で検出したメインガス供給ラインの圧力Ｐ₁₀とベントガス供給ラインの圧力Ｐ₂とを対比し、両者の差が零となるようにベントガス供給ラインのガス圧Ｐ₂を調整する。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板を用いても電気特性が高く信頼性のよい薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタを用いた表示装置提案することを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法を用いて微結晶半導体膜を形成する工程と、微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜を形成する工程とを設け、微結晶半導体膜を形成する工程において、反応室の圧力を一旦１０^−５Ｐａ以下とした後、基板の温度を１２０℃以上２２０℃以下として水素及び珪素気体を導入してプラズマを生成し、ゲート絶縁膜表面に形成される反応生成物に水素プラズマを作用させて除去しつつ成膜を行うことによって、微結晶半導体膜を形成する。また、プラズマの生成を、ＨＦ帯の高周波電力を印加する第１の高周波電力と、ＶＨＦ帯の第２の高周波電力を重畳して印加して行う。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜の製膜時において、基板表面へのＨラジカルの供給量を減らさずに、プラズマから基板表面へ入射する不要なイオンの量及びエネルギーを低減する。
【解決手段】（ａ）基板（３４）が設置された第１電極（３３）と前記第１電極（３３）から離れて設置された第２電極（３２）との間に、シラン系ガスと水素ガスと酸素ガスとを含む製膜ガス（５１）を供給するステップと、（ｂ）前記第１電極（３３）と前記第２電極（３２）との間に交流電力を印加し、所定の範囲の割合で負イオンを含むプラズマを発生させながら、前記基板（３４）上にシリコン系の膜を製膜するステップと、前記製膜の途中で、前記製膜ガスのうち前記酸素ガスの供給を停止するステップとを具備するシリコン膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を用いた液滴エピタキシー法によるガスフローシーケンスの変更により、量子ドット中に所望の元素成分を確実に固溶させる。
【解決手段】基材１上に下地層２を形成した後、反応室をＰ成分雰囲気にした状態で、基材１の温度を下地層形成温度からドット形成温度まで降温する。そして、基材１の温度をドット形成温度に維持したまま、反応室をＡｓ成分及びＰ成分を含む雰囲気にして所定時間保持する。これにより、下地層２上にＡｓ成分及びＰ成分５を存在させる。その後、反応室を、Ｉｎ成分を含む雰囲気にして、Ｉｎ成分よりなりＡｓ成分及びＰ成分が固溶した液滴を形成するとともに、この液滴を結晶化して、ＩｎＡｓＰよりなる量子ドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】高品位な膜質を有するシリコン酸化膜を基板上に成膜可能な成膜方法等を提供する。
【解決手段】
オゾンガス発生源から発生した１００％のオゾンガスをオゾンガス供給路６２に通流させ、このオゾンガス供給路６２から分岐した希釈ガス供給路６３に希釈ガスを通流させて、予め設定したオゾンガスの濃度となるように１００％のオゾンガスを希釈し、希釈されたオゾンガスを当該オゾンガス流路６２から処理容器２、２１内に供給する。そしてシリコン有機化合物からなる成膜ガスを前記処理容器２、２１内に供給しオゾンとシリコン有機化合物とを反応させて基板上にシリコン酸化膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】液体原料の気化ガスの処理室への供給を安定させる。
【解決手段】基板処理装置は、液体原料を貯留する液体原料タンク３２０，３４０と、液体原料タンク３２０にキャリアガスを供給するキャリアガス供給ライン３１２と、液体原料タンク３２０の液体原料を液体原料タンク３４０へ圧送する原料供給ライン３２２と、液体原料タンク３４０にキャリアガスを供給するキャリアガス供給ライン３２２と、液体原料タンク３４０の液体原料の気化ガスを処理室２０１へ供給する原料供給ライン２３２ｂと、キャリアガスの流量を制御するマスフローコントローラ３１４と、液体原料の気化ガスの流量を検出するマスフローコントローラ３４４と、マスフローコントローラ３４４の検出結果をマスフローコントローラ３１４にフィードバックするフィードバック装置と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置等に用いる液体原料を安定して気化器に供給することのできる液体原料供給装置を提供する。
【解決手段】液体原料供給装置１０は、入口４１と出口４２とを有し、入口４１から与えられた液体原料ＬＭの流量を制御するとともに、所定量の液体原料ＬＭを出口４２から吐出する液体原料流量制御バルブ１２、気化器２４と液体原料流量制御バルブ１２との間に配設され、出口４２から吐出された液体原料ＬＭを気化器２４へ与える原料供給管５４、および出口４２の近傍において原料供給管５４に連通され、原料供給管５４へキャリアーガスＣＧを与えるキャリアーガス導入管９４を備えている。そして、液体原料流量制御バルブ１２は、原料供給管５４を介して気化器２４から離隔して配設され、原料供給管５４内の液体原料ＬＭは、キャリアーガスＣＧによって気化器２４へ圧送される。 （もっと読む）

【課題】水分を原因とする不具合を引き起こすことなく、真空引き時間を短縮することができる真空引き方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１１を備える真空処理装置１０において、チャンバ１１内の真空引きの際、ＡＰＣバルブ１６によって一定の時間、例えば、数十秒間に亘ってチャンバ１１内の圧力を６．７〜１３．３×１０^２Ｐａ（５〜１０Ｔｏｒｒ）に維持し（圧力維持）、次いで、チャンバ１１内に加熱ガスを急速に導入してチャンバ１１内を１．３〜２．７×１０^４Ｐａ（１００〜２００Ｔｏｒｒ）まで急速に昇圧させ（急速昇圧）、時間Ｔ１から時間Ｔ２までの間、圧力維持と急速昇圧とを複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】複数の分離されたチャンバが内部に形成されたエンクロージャと、各処理室に配置されたガス分配アセンブリと、分離チャンバに接続されたガス源、および各ガス分配アセンブリに接続された電源装置によって構成される真空処理装置を提供する。
【解決手段】内部に形成された複数の分離された処理室を有するエンクロージャと、各処理室に配置されたガス分配アセンブリと、複数の分離された処理室に接続されたガス源と、各ガス分配アセンブリに接続された電源とによって一般に構成される真空処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】極性反転結晶領域の大きさが小さくまたその密度が低いＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、主結晶領域１１とその領域に対して［０００１］方向の極性が反転している複数の極性反転結晶領域１２とを含むＧａＮ基板１０を準備する工程と、ＧａＮ基板１０の（０００１）Ｇａ主面１０ｇ上に、気相法によりＧａＮ結晶２０を成長させる工程を含み、ＧａＮ結晶２０は、主結晶領域１１上に成長する第１の結晶領域２１と、各極性反転領域１２上にそれぞれ成長する複数の第２の結晶領域２２とを含み、第２の結晶領域２２は、第１の結晶領域２１に対して、［０００１］方向の極性が反転しており、第１の結晶領域２１は、第２の結晶領域２２に比べて結晶成長速度が高く、第２の結晶領域２２を埋め込むように成長する。 （もっと読む）

基板キャリアを加圧するための方法は、キャリアと一体構造のものであるチャンバおよび／またはキャリア内の基板カセットを加圧するステップと、チャンバからキャリア内へガスを放出することにより、キャリア内の圧力を維持するステップとを含む。
（もっと読む）