【課題】 気化材料の再液化を抑制し、生産性を向上させることが可能な基板処理装置の提供を実現する。
【解決手段】液体材料を気化させ、処理室内に導入し、基板上に所望の成膜を行う基板処理装置において、複数の排出口を有する気化室を設けた気化器を具備し、一部の前記排出口より、バルブを介し、気化材料を排気する流路を設け、他の前記排出口より、バルブを介して、気化材料を反応室内に供給する流路を設け、それぞれのバルブの開閉を操作し、気化材料の排気と供給を切り替える。 （もっと読む）

【課題】ガス処理装置のガスラインに設けられたバルブの開閉状態を簡易にかつ正確に確認することができる方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ内のベース圧を形成し、バルブを閉じた状態で、複数のガスラインにラインフィルモードでガスを流し、チャンバ内圧力がトレランスを超えたか否かを判断し、トレランスを超えた際に、実際には閉じていないバルブが存在すると判断してアラームを発生し、 トレランスを超えていない場合に、複数のバルブを開いた状態で複数のガスラインに流量を制御しつつガスを流し、ガス流量がトレランスを下回ったか否かを判断し、トレランスを下回った際に、そのガスラインのバルブが実際には開いていないと判断し、アラームを発生し、ガス流量がトレランスを下回ったラインが存在しない場合に異常なしとする。 （もっと読む）

【課題】低温で高品質な生成膜の生成を可能とし、デバイスの性能の向上を図ると共に歩留りの向上を図る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室に基板を搬入する工程と、処理室及び基板を所定の温度に加熱する工程と、処理室に所定のガスを給排するガス給排工程とを含み、ガス給排工程は、シラン系のガスと水素ガスとを処理室に供給する第１の供給工程と、少なくともシラン系のガスを処理室から除去する第１の除去工程と、塩素ガスと水素ガスとを処理室に供給する第２の供給工程と、少なくとも塩素ガスを処理室から除去する第２の除去工程とを、所定回数繰返して実行させる。 （もっと読む）

【課題】従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうこと。
【解決手段】ガス導入管から反応管にクリーニングガスを供給している間、前記ガス排気管からの排気が停止されている状態があるようにするために、ガス導入管から反応管内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から前記反応管内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、完全に排気を停止もしくはクリーニングガスの均一な拡散に影響がない程度の排気量で排気させ、前記制御部の制御により前記反応管内にクリーニングガスの流れを作らずに封じ込める第１工程と、前記第１工程後、前記反応管内を排気する第２工程と、を有し、前記第１段階と前記第２段階を１サイクル以上実施して反応管内壁をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】
高周波信号遮断後の回復が早く、素子分離特性のよい化合物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】
半導体エピタキシャル基板は、単結晶基板と、単結晶基板上にエピタキシャル成長されたＡｌＮ層と、ＡｌＮ層の上にエピタキシャル成長された窒化物半導体層とを有し、単結晶基板とＡｌＮ層間界面より、ＡｌＮ層と窒化物半導体層間界面の方が凹凸が大きい、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを収容するチャンバー１１内に、複数の基板Ｗを平面的に円周状に配置された状態で支持する基板支持部材１２を設け、ＴｉＣｌ_４を吐出する第１の処理ガス吐出ノズル２０と、ＮＨ_３を吐出する第２の処理ガス吐出ノズル２１とを複数交互に配置し、基板Ｗ上に吐出されたＴｉＣｌ_４およびＮＨ_３を基板Ｗ上で交互に走査させ、ＴｉＣｌ_４およびＮＨ_３を交互に吸着させて、基板Ｗに、ＴｉＣｌ_４による単原子層とＮＨ_３による単原子層とを交互に形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスと酸化性ガスを交互に複数回供給して、基板上に例えば高誘電体材料などの酸化膜例えばＺｒＯ2膜などを成膜するにあたり、処理ガスの浪費を抑えると共に、成膜時間を短縮すること。
【解決手段】基板の上方に中央領域と周縁領域とに区画されたガスシャワーヘッドを設けて、この中央領域から成膜ガスと酸化性ガスとを交互に供給することにより、ガスシャワーヘッド内の処理ガスの滞留空間を小さくすると共に、成膜ガスと酸化性ガスとを切り替えるときに、中央領域と周縁領域とからパージガスを供給して速やかに処理雰囲気を置換する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コストを増加させることなく、複数の製品用半導体基板に形成される膜の厚さばらつき及び膜質ばらつきを低減することのできる膜形成方法を提供することを課題とする。
【解決手段】複数のダミー用半導体基板２５を多段に支持する第１の基板収容部３２、及び複数の製品用半導体基板２６を多段に支持する第２の基板収容部３３を有する半導体基板支持体１３と、炉本体１１の外壁と接触するように配置された反応ガス供給管２３と、を備えた縦型反応炉１０の炉本体１１に反応ガスを供給して、複数の製品用半導体基板２６に膜を形成する膜形成方法であって、炉本体１１を加熱した状態で、第１の基板収容部３２と対向する部分の炉本体１１の外壁１１−２Ａ、及び／又は第１の基板収容部３２よりも下方に位置する部分の炉本体１１の外壁１１−１Ａに巻回された反応ガス供給管２３により反応ガスを炉本体１１に供給する。 （もっと読む）

【課題】液体原料の気化ガスがキャリアガス供給ラインに流入するのを防止又は抑止する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を収容する処理室２０１と、ウエハ２００を加熱するヒータ２０７と、処理室２０１内に所望の処理ガスを供給するガス供給系と、処理室２０１内の雰囲気を排気するガス排気系と、コントローラ２８０とを備え、前記ガス供給系は、液体の原料を気化させる気化ユニットを含み、前記気化ユニットは、バルブ３１１を介して接続されるキャリアガス供給管３１０と、バルブ３０１を介して接続される液体原料用のガス供給管２３２ａとを含み、コントローラ２８０は、キャリアガス供給管３１０内の圧力をガス供給管２３２ａ内の圧力よりも高く維持させ且つバルブ３０１を閉じる動作を行う際は、バルブ３１１が開放されていることを条件に閉動作を実行する。 （もっと読む）

【課題】ガス流量を容易に調整することができる処理システム、処理方法、及び、プログラムを提供する。
【解決手段】縦型熱処理装置１には、半導体ウエハＷを収容する反応管２内に処理ガスを供給する複数のガス供給管１６〜２０が設けられている。ガス供給管１６〜２０は、流量調整部２１〜２５に流量が制御されている。制御部５０には、処理ガスの流量を含むプロセス条件、及び、処理ガスの流量と膜厚との関係を示す膜厚流量関係モデルが記憶されている。制御部５０は、プロセス条件で半導体ウエハＷを処理した処理結果と、膜厚流量関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出し、流量調整部２１〜２５を制御して、処理ガスの流量を算出した処理ガスの流量に変更して半導体ウエハＷを処理する。 （もっと読む）

【課題】 電子写真用感光体に使用可能な堆積膜の形成に於いて、良質な堆積膜の形成及び画像欠陥の低減が可能な堆積膜の形成方法を提供することにある。
【解決手段】 減圧可能な反応容器内に導電性基体を設置し、該反応容器内に供給した原料ガスを高周波電力によって分解し、該導電性基体上に珪素を母体とする非単結晶膜を形成する堆積膜形成工程により形成される堆積膜の形成方法であって、該堆積膜形成工程は13.4Pa以下の内圧であって、該堆積膜形成工程に、内圧を上げる工程と内圧を下げる工程からなる内圧変化工程を有し、該内圧変化工程は、該原料ガス種及び該原料ガスの供給比率が一定である堆積膜形成工程中に内圧を変化させる工程である事を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】第２層間絶縁膜と第１配線、あるいは、第２配線層とハードマスクをシリコン基板２の表面に形成し、そのシリコン基板２を反応室Ｓに搬送させ、その反応室Ｓに、マイクロ波によって励起されたＮ_２ガスを導入する。そして、供給タンクＴに収容されるＺｒ（ＢＨ_４）_４をＡｒガスによってバブリングし、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４を含むＡｒガスをＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスとして反応室Ｓに導入する。 （もっと読む）

【課題】プラズマによるスパッタエッチングを低減させ、処理室内にプラズマを安定して生成させる。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、処理室内に設けられ、電力が印加されることにより処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極と、処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、処理室内におけるプラズマの着火を検出するプラズマ検出手段と、ガス供給手段と排気手段とを制御する制御手段と、を備え、制御手段は、電極への電力の印加が開始されてからプラズマ検出手段がプラズマの着火を検出する迄の間の処理室内の圧力が、プラズマ検出手段がプラズマの着火を検出してから電極への電力の印加が停止される迄の間の処理室内の圧力よりも高くなるように、ガス供給手段および排気手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】 プロセスチャンバ内に含む基板表面上にシリコン含有物質を選択的に且つエピタキシャル的に形成する方法が提供される。
【解決手段】 一つ以上の実施形態において、プロセスチャンバの圧力を、基板上に物質を堆積させる間では下げ、基板から物質をエッチングする間では上げる。実施形態によれば、第１ゾーンに流されるガス量と第２ゾーンに流されるガス量の比を得るようにプロセスガスが第１ゾーンと第２ゾーンを通ってチャンバへ流される。一つ以上の実施形態において、第１ゾーンは内部半径方向ゾーンであり、第２ゾーンは外部半径方向ゾーンであり、内部ゾーンガス流と外部ゾーンガス流との比はエッチングの間より堆積の間の方が小さい。一つ以上の実施形態によれば、選択的エピタキシャルプロセスは、エピタキシャル層の所望の厚さが成長するまで、堆積と、その後のエッチングプロセスと、所望によるパージのサイクルを繰り返すステップを含む。 （もっと読む）

【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを収容するチャンバー１１内に、複数の基板Ｗを平面的に円周状に配置された状態で支持する基板支持部材１２を設け、ＴｉＣｌ_４を吐出する第１の処理ガス吐出ノズル２０と、ＮＨ_３を吐出する第２の処理ガス吐出ノズル２１とを複数交互に配置し、これら第１の処理ガス吐出ノズル２０と第２の処理ガス吐出ノズル２１との間に、基板支持部材１２の径方向に沿って放射状に少なくとも基板支持部材１２の基板配置領域の径方向の長さを覆う長さでパージガス吐出ノズル２２を配置し、基板支持部材１２を回転させることにより、その上の基板Ｗに、ＴｉＣｌ_４による単原子層とＮＨ_３による単原子層とを交互に形成する。 （もっと読む）

【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができ、チャンバー内クリーニングが可能な成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを収容するチャンバー１１と、チャンバー１１内で複数の基板Ｗを平面的に支持する基板支持部材１２と、チャンバー１１内に設けられ、ＴｉＣｌ_４を吐出する第１の処理ガス吐出ノズル２０と、ＮＨ_３を吐出する第２の処理ガス吐出ノズル２１と、チャンバー１１内にクリーニングガスを吐出するクリーニングガス吐出手段３１，３５，４６，４７，４８と、基板支持部材１２を回転させる回転機構１４と、基板Ｗを加熱するヒーター１６とを具備し、基板支持部材１２を回転させながら、基板Ｗ上に、Ｔｉの単原子層と、Ｎの単原子層とを交互に形成し、クリーニングガスにより前記チャンバー内をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】原子層成長（ＡＬＤ）法を種々の成膜に適用すること及びスループットを向上させることを可能にし、同時に装置の小型化を実現することである。
【解決手段】原子層成長（ＡＬＤ）法を用いた成膜方法であって、基板Ｗを内部に保持する成膜室２内に、有機金属化合物からなる液体原料を液体原料噴射弁４１により直接噴射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
真空容器内に配置される試料に異物が発生することを抑制するプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
真空容器内部に配置された処理室と、この処理室内に配置された試料台とを有しこの試料台上に載置される試料を前記処理室内に形成されたプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記処理室の内側壁面を構成しその内側壁面に誘電体部分を有する部材と、前記処理室内を排気する排気手段と、前記処理室内においてプラズマを形成しない状態で前記部材に電界を供給する電界供給手段と、前記排気手段により前記処理室を排気しつつ前記電界供給手段から供給される前記電界の大きさを急激に変化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体層形成前に反応室内に存在する不純物濃度を低減するための処理時間を短縮し、シングルチャンバ方式によっても良質な半導体層を形成することが可能な半導体層製造方法および半導体製造装置ならびにこれらを用いて製造される半導体デバイスを提供する。
【解決手段】密閉可能な反応室の内部で半導体層を形成する半導体層製造方法であって、反応室の内部の不純物を置換ガスを用いて除去する不純物除去工程と、半導体層を形成する半導体層形成工程とを含み、不純物除去工程は、反応室の内部に置換ガスを導入する置換ガス導入工程と、置換ガスを排気する排気工程とからなるサイクルを複数回繰り返す工程であり、不純物除去工程は、少なくとも半導体層形成工程の前に行なわれる、半導体層製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】オン特性、オフ特性及び信頼性に優れた半導体装置、その製造方法及び表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層及び半導体層がこの順に積層された構造と、ソース／ドレイン電極がコンタクト層を介して半導体層に電気的に接続された構造とを有する半導体装置であって、上記半導体層は、コンタクト層側から順に、非晶質相及び結晶質相が混在する低結晶性半導体層と、低結晶性半導体層よりも大きな結晶化率を有する高結晶性半導体層とが積層された構造を有する半導体装置である。 （もっと読む）