【課題】処理容器内にプラズマを生成して基板を処理するに際し，処理容器内に露出する部材から基板の処理に必要な成分を放出させることにより，プラズマ処理を向上させる。
【解決手段】処理容器２内において上下に対向させて配置した上部電極２０と下部電極１２の少なくとも一方に高周波電源より高周波電力を供給して処理容器１２内にプラズマＰを生成させ，基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１であって，処理容器２内に生成されるプラズＰ中のイオンの入射により，基板Ｗの処理に必要な成分を処理容器２内へ放出させる成分放出部材３３を，処理容器２内に露出させて設け，成分放出部材３３に，処理容器２内に生成されるプラズマＰから見た成分放出部材３３側の高周波電源の周波数に対するインピーダンスを変化させる可変インピーダンス回路４１を接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 局所ガス給排気方式において、材料ガスの利用効率を向上させ、基板全体に均一な成膜を実現するプラズマＣＶＤ装置を供給することを目的とする。
【解決手段】 材料ガスを供給するガス給気部および反応後のガスを排気するガス排気部が交互に形成された放電電極１０と、放電電極１０に対向するように基板１２を支持する基板支持部２２と、を備え、放電電極１０の各ガス給気部から基板１２上に供給された材料ガスをプラズマ化して半導体薄膜を基板１２上に形成させ、反応後のガスを各ガス排気部から排気するプラズマCVD装置１１において、基板１２の周囲には、基板１２の周囲から流出する材料ガスの流量を調整するように、基板１２の周囲の隙間を調整する遮蔽板１８が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好なオーミックコンタクトを形成しつつ、容易に製造することが可能なＧａＮ系半導体素子の製造方法及びＧａＮ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光素子１は、ｎ型のＧａＮ基板２上に、ｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５が順次積層されている。ｐ型半導体層５は、ｐ型電子バリア層２１、ｐ型ガイド層２２、ｐ型超格子クラッド層２３、ｐ型コンタクト層２４が順次積層されている。ｐ型コンタクト層２４は、ｐ側電極６と接続される約１００Åの接続層２５を含む約５００Åの厚みのｐ型ＧａＮ系半導体層からなる。接続層２５以外のｐ型コンタクト層２４は、水素ガスをキャリアガスとして成長させ、接続層２５は、キャリアガスのみを不活性ガスである窒素ガスに切り換えて成長させている。 （もっと読む）

【課題】エッチング後の窒化物半導体の表面が清浄となり、変質層が形成されない窒化物半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、表面がエッチングされたｐ型ＧａＮからなるｐ型光ガイド層１０６と、該ｐ型光ガイド層１０６における被エッチング面の上に形成されたｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１０８とを有している。ｐ型光ガイド層１０６とｐ型コンタクト層１０８との界面における酸素、炭素及びシリコンのうち少なくともシリコンの濃度は、ｐ型光ガイド層１０６におけるドーパント濃度の１０分の１以下である。 （もっと読む）

【課題】基板を反応炉の処理室に搬入してから還元性ガスを供給して酸化物などの不純物の除去を開始するまでの時間を短縮し、基板表面上に酸化物や有機物が再付着することを抑制する。
【解決手段】予備室１４０内と処理室２０１内を真空排気する工程と、予備室内と処理室内を大気圧未満の圧力に設定した状態で、基板２００を予備室内から処理室内に搬入する工程と、処理室内の温度を還元処理温度に設定して還元処理を行う工程と、処理室内の温度を還元処理温度から基板処理温度に変更する工程と、基板処理温度に設定した処理室内にて基板に対して処理を行う工程と、処理後の基板を処理室より搬出する工程と、を有し、予備室内から処理室内に基板を搬入して処理室内を気密に閉塞した直後に、処理室内に還元性ガスを供給して還元処理を開始する。 （もっと読む）

【課題】クライオパネルの温度をフィードバック制御することで、精密にガス制御を行う真空装置を提供すること。
【解決手段】プロセスチャンバーの例えば水素ガス分圧信号をモニター装置６００からモニター信号として、信号処理装置６０２に入力し、また、基準値信号もこの信号処理装置に入力する。これらの入力信号を基に、信号処理装置６０２により、冷凍機５７３に冷凍パワー指令値出し、クライオパネル５７０の温度をフィードバック制御する。これにより、真空チャンバー内の水素ガス分圧を制御することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供すること。
【解決手段】ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でＶ／ＩＩＩ比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをr面サファイア基板上のａ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子走行素子への応用を行うこと。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法を用いて、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの結晶を成長させる場合に、結晶組成値ｘを速やかに且つ正確に設定することによって、組成グレーディングを容易に実現する。
【解決手段】 アルミニウム原料と、ガリウム原料と、アンモニア原料と、キャリアガスとを用いたＨＶＰＥ法によって、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮを結晶成長させる。この結晶成長装置１１０は、水素ガス供給ポート３０を備えている。この水素ガス供給ポート３０を介してＨ_２＋ＩＧガスを炉中に導入することによって、原料ガスの濃度は一定に保ったまま、水素ガスの濃度を調節する。その結果、成長部の水素ガス濃度を速やかに変化させることができるので、成長させる結晶中の結晶組成値ｘを所望の値に速やかに且つ正確に設定することができる。その結果、組成グレーディングを効率よく実行することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＮ層を適切に結晶成長させることが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】結晶成長室２内に基板１を載置し、ＮＨ₃ガスを含む原料ガスを供給可能なガス供給手段３から結晶成長室２内に上記原料ガスを供給することにより、基板１上にＩｎＧａＮ層を結晶成長させる工程を含む、半導体発光素子の製造方法であって、上記ＮＨ₃ガス中のＨ₂Ｏ濃度を測定可能なＦＴＩＲ４を用いることにより、上記原料ガス中のＨ₂Ｏ濃度を０．１ｐｐｍ以下としている。 （もっと読む）

【課題】ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、導波管が使用されることで用いられるスタブチューナやスライディングショートの調整を自動化する。
【解決手段】全体制御部９０のＣＰＵ９０１は、パワーメータ１００の各パワーメータユニット１００Ａ，１００Ｂによって測定されるプラズマ発生部３０への入射電力と反射電力との差、すなわちマイクロ波の伝搬効率が最大となるように、受信アンテナでのインピーダンス整合のために設けられるスタブチューナ７０のスタブの導波空間への出没量を調整し、また導波管１０内のマイクロ波の定在波パターンを調整するために設けられるスライディングショート４０の反射ブロックの位置を調整する。したがって、自動的に細かな調整を精度良く行うことができ、プラズマ発生ノズル３１を異なる形状のものに付け替えた場合にも、容易にプラズマ（プルームＰ）点灯させることができる。 （もっと読む）

【課題】 質量流量制御装置を有する半導体制御装置にあって、質量流量の検定動作自動的に行うようにした半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 流体供給路に質量流量制御装置４０、開閉弁Ｖを有し、末端に排気装置Ｐを有する半導体製造装置１であって、前記半導体製造装置１は、前記質量流量制御装置４０、前記開閉弁Ｖ、前記排気装置Ｐ等の動作に係る制御を司る制御装置Ｃを有し、前記質量流量制御装置４０は、流量制御の検定機能を有した質量流量制御装置であることを特徴とする半導体製造装置でなる。 （もっと読む）

【課題】 簡単な配管構成で，しかも簡単な制御で圧力変動などの影響を受けることなく処理室内の複数部位からガスを供給し，所望の面内均一性を実現可能とする。
【解決手段】 本発明にかかるガス供給装置は，処理ガス供給手段２１０からの処理ガスを流す処理ガス供給配管２０２から分岐して，処理室内の異なる部位からガスを導入する第１，第２ガス導入部３３０，３４０にそれぞれ接続する第１，第２分岐流路２０４，２０６と，処理ガス供給流路から第１，第２分岐流路に分流される処理ガスの分流量を第１，第２分岐流路内の圧力に基づいて調整する分流量調整手段２３０と，所定の付加ガスを供給する付加ガス供給手段２２０からの付加ガスを流す付加ガス供給配管２０８とを備え，第１，第２ガス導入部のいずれか一方は，分岐流路を接続する処理ガス導入部と，付加ガス供給流路を接続する付加ガス導入部とに分けて構成した。 （もっと読む）

【課題】簡単な配管構成で，しかも簡単な制御で圧力変動などの影響を受けることなく処理室内の複数部位からガスを供給し，所望の面内均一性を実現可能とする。
【解決手段】ウエハの処理に先立って，分流量調整手段２３０に対して各処理ガス用分岐流路内の圧力比が目標圧力比になるように分流量を調整する圧力比制御を実行して，処理ガス供給手段２１０からの処理ガスを第１，第２分岐配管２０４，２０６に分流し，各処理ガス用分岐流路内の圧力が安定すると，分流量調整手段に対する制御を圧力安定時の一方の処理ガス用分岐流路内の圧力を保持するように分流量を調整する圧力一定制御に切り換えてから，付加ガス供給手段２２０により付加ガスを他方の処理ガス用分岐配管に供給する。 （もっと読む）

【課題】
プラズマエッチング装置の電極間にグロー放電プラズマが発生し難い構成において、所望条件のグロー放電プラズマを容易に発生させる。
【解決手段】
エッチングガスより分解し易い希釈ガスを用いてプラズマを発生させ、その後、プラズマ処理反応容器内にエッチングガスを導入し流量を増加すると同時に、略同流量の希釈ガスの流量を減ずるように流量調整することにより、プラズマ処理反応容器内の圧力変動を低減し、発生したプラズマを維持したまま、前記ガス流量を所定値に設定し、所望の条件とする。
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【課題】
従来のプラズマ処理装置においては、複数種のガスを導入することによりプラズマ処理を行う場合、複数ガスの混合のためにミキシングボックスが設けられており、ガス導入配管の構成が複雑になるといった問題がある。
【解決手段】
本発明においては、反応ガスと比較して希釈ガスの流量が多い場合に、希釈ガス供給部とプラズマ処理反応容器を接続する希釈ガス導入管の一部に、反応ガス導入管を接続することにより、希釈ガス導入管内において希釈ガスと反応ガスを十分に混合することができ、かつ、ガス供給配管をより簡易な構成とすることができる。
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【課題】簡単な配管構成で，しかも簡単な制御で圧力変動などの影響を受けることなく処理室内の複数部位からガスを供給し，所望の面内均一性を実現可能とする。
【解決手段】ウエハの処理に先立って，分流量調整手段２３０に対して各分岐流路内の圧力比が目標圧力比になるように分流量を調整する圧力比制御を実行して，処理ガス供給手段２１０からの処理ガスを第１，第２分岐配管２０４，２０６に分流し，各分岐流路内の圧力が安定すると，分流量調整手段に対する制御を圧力安定時の第１分岐流路内の圧力を保持するように分流量を調整する圧力一定制御に切り換えてから，付加ガス供給手段２２０により付加ガスを第２分岐配管２０６に供給する。 （もっと読む）

【課題】僅かな衝撃によっても容易に破損しない石英ガラスチャンバーを提供する。
【解決手段】作業領域１４を提供している石英ガラスチャンバー１２と、該チャンバー１２の外周部分を覆っている保護シールド２２と、保護シールド２２を保持している保持板２６と、保護シールド２２を保持板２６とを密封保持している封止リング２８と、保持板２６と前記チャンバー１２とを密封保持している弾性０リング２４と、よりなり、該保護シールド２２とチャンバー１２との間に密封領域３０が形成してあり、更に、作業領域１４の圧力状態に対応して密封領域３０の圧力状態を調整可能とする加圧減圧手段を備え、これにより石英ガラスチャンバー１２の内外の圧力差を殆ど無くしている。 （もっと読む）

【課題】基板と放射温度センサ間の雰囲気を置換ガス等で置換する機能を使用する際に、基板の反りや跳ねが発生することのない基板の熱処理方法を提供する。
【解決手段】前記基板裏面と前記放射温度センサとの間の空間に、前記基板の中央部と外周部との温度差が所定値以下になる低流量で一定時間置換ガスを流す処理をする。当該処理に連続して、前記処理での流量より、高い流量での処理を行う。これにより、初期の置換ガスが突流することがなく、支持リングと基板との接触面と基板中央部のランプ加熱からの吸熱効率の変化を低減することができる。そして、基板面内の温度差を１００℃以下にすることが可能となり、基板に反り、跳ねが発生することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】オン電圧を容易に制御し得る化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、バッファ層３、サブコレクタ層４、コレクタ層５、ベース層６、エミッタ層７、コンタクト層９を有し、ベース材料のＶ族原料としてＡｓを有する材料を用い、エミッタ材料のＶ族原料としてＰを有する材料を用いたバイポーラトランジスタ用化合物半導体エピタキシャル基板のＭＯＣＶＤ法による製造方法であって、ベース層成長の後、Ｖ族原料をＡｓを有する材料からＰを有する材料に切り替えた後の待機時間と、得られるバイポーラトランジスタのオン電圧との相関を調べ、その相関から所定のオン電圧を得るために待機時間を設定して、当該オン電圧を得ることを特徴とするバイポーラトランジスタ用化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた、開口部を有する正極を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層がこの順序で積層され、正極および負極がそれぞれｐ型半導体層およびｎ型半導体層に接して設けられた発光素子において、正極が開口部を有する正極であり、該開口部におけるｐ型半導体層表面の少なくとも一部が球状の粒状物に由来する凹凸面であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）