【課題】低コストで短時間に均一な膜厚のエピタキシャル膜を得ることを可能とする。
【解決手段】チャンバと、ガス流を横断する方向に設けられた開度調節可能な複数のバッフル孔を有するバッフルと、各バッフル孔の開度を調節する開度調節手段と、チャンバ内に投入されたウェーハの温度を検出する温度検出手段と、開度調節手段におけるバッフル孔の開度から算出されたチャンバ内のガス流量と温度検出手段により検出されたウェーハ温度とをパラメータとして入力し、予め定められたシミュレーションモデルにしたがってエピタキシャル膜が最も均一となるときのバッフル孔の開度の最適状態を求め、これを開度調節手段に出力する制御手段と、を有してなる。 （もっと読む）

【課題】 基板面内及び基板間における基板処理の均一性を向上させる。
【解決手段】 複数枚の基板を水平姿勢で積層した状態で保持する基板保持具と、基板保持具が収容されるインナチューブと、インナチューブを取り囲むアウタチューブと、インナチューブ内に配設されたガスノズルと、ガスノズルに開設されたガス噴出口と、ガスノズルを介してインナチューブ内に原料ガスを供給する原料ガス供給ユニットと、インナチューブの側壁に開設されたガス排気口と、アウタチューブとインナチューブとに挟まれる空間を排気してガス噴出口からガス排気口へと向かうガス流をインナチューブ内に生成する排気ユニットと、基板保持具における基板が積層される領域より下方側の領域の外周を囲うガス侵入抑制筒と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 真空ポンプを備えた真空排気系内で故障の原因となる不要な膜が生成されることを防止することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置において、被処理体を収容する処理容器２２と、処理容器内へ原料ガスを供給する原料ガス供給系５０と、処理容器内へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給系５２と、真空ポンプ４４、４６を有する真空排気系３６と、処理容器を迂回させるために原料ガス供給系と真空排気系とを連通す原料ガスバイパス系６２と、処理容器を迂回させるために反応性ガス供給系と真空排気系とを連通する反応性ガスバイパス系６６と、原料ガスバイパス系内に介設されて原料ガスの流出を防止する原料ガス流出防止開閉弁Ｘ１と、反応性ガスバイパス系内に介設されて反応性ガスの流出を防止する反応性ガス流出防止開閉弁Ｙ１とを備え、真空排気系内に原料ガスと反応性ガスとが同時に流れ込まないようにする。 （もっと読む）

【課題】複数の膜を積層した素子を形成するにあたり、効率よく膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】原料ガスを構成する材料ガスの種類、比率および流量のうち少なくとも一つを変化させながら気相成長させることにより、複数層を積層させる。反応炉において、供給する原料ガス毎に、基板を保持する基板保持部の半径方向の膜厚分布のピーク位置が基板位置と重ならないよう、基板保持部と反応炉の基板保持部に対向する面との間隔を変化させる。また、基板を基板保持部に対して回転させるとともに基板保持部も回転させる。 （もっと読む）

【課題】より急峻且つより安定したＳＲプロファイルを有し、且つ所望のＳＲプロファイルを有するエピタキシャルウェーハを製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の基板Ｓの直上に、基板Ｓよりも不純物濃度が低い第１層を気相成長させる第１成長工程（１ｓｔ Ｇｒｏｗｔｈ工程）と、第１層よりも上に第２層を気相成長させる第２成長工程（２ｎｄ Ｇｒｏｗｔｈ工程）とを有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、第１成長工程を常圧ＡＰ以下の第１圧力ＲＰ下で実行し、第２成長工程を第１圧力ＲＰ以上の第２圧力ＡＰ下で実行するとともに、ドーパントガスの反応炉内への流量を制御するＭＦＣ１３、１５、１６の流量を時間に対して比例的に変化させるようにする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】レシピに対してマスフローコントローラ（ＭＦＣ）制御スキームを確立する方法が提供されており、ＭＦＣ制御スキームは、処理チャンバ内へのガス供給のタイムスケールを短縮するよう構成される。その方法は、レシピの実行中に利用され、目標供給タイムスケールよりも遅い１組の供給時間を有する１組の遅延ガス種を特定する工程を備える。その方法は、さらに、１組の遅延ガス種に含まれる各ガス種の初期オーバーシュート強度および初期オーバーシュート持続時間を確立する工程を含む。方法は、さらに、レシピの実行中に各ガス種のＭＦＣハードウェアを調整することによってＭＦＣ制御スキームを確立する工程を含む。ＭＦＣハードウェアの調整は、ＭＦＣ制御スキームが、各ガス種に、処理チャンバの平衡圧の目標精度の範囲内にある圧力プロファイルを提供するか否かを判定するために、初期オーバーシュート強度を初期オーバーシュート持続時間にわたって適用することを含む。 （もっと読む）

【課題】堆積の前に半導体表面から不純物を除去する低圧でのベーキングのための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】短時間で、低温での処理が、熱履歴の僅か一部のみを消費するが、有利にも、半導体表面から界面酸素を除去するのに効果がある。本方法およびシステムは特に、エピタキシャルの前に半導体表面を処理するのに適している。本発明の一態様によれば、基板を、化学気相成長法の反応チャンバ内の基板支持部に負荷することと、この反応チャンバ内の圧力を、約１×１０^-6Ｔｏｒｒ（約１３３．３２×１０^-6Ｐａ）から１０Ｔｏｒｒ（約１３３３．２２Ｐａ）の間のベーク圧力にまで低減すること、によって半導体基板を処理する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】金属汚染の危険を伴わず、かつ容易な手段で、均一な膜厚の薄膜を気相成長させることのできる気相成長装置および薄膜の気相成長方法を提供する。
【解決手段】サセプタ上にウエーハを載置し、該ウエーハ上に薄膜を気相成長させる装置であって、少なくとも、気相成長を行う反応室と、該反応室に原料ガスを導入する複数の流路と、前記反応室からガスを排気する排出口と、ウエーハを載置するサセプタと、前記ウエーハを加熱する加熱手段とを備え、前記複数の流路は、原料ガスを各流路毎に個別に前記反応室に供給するものであり、かつ各流路毎に個別に流量をコントロールする調整機構を備えたものであって、さらに、前記複数の流路の原料ガスの流量比を変更・制御するための制御機構とを備えたものであることを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】障壁層を形成した後に、パーティクル抑制処理を行う（ステップＳ１０６）。パーティクル抑制処理は、ＴＭＩの供給を停止した後に、ＴＭＩ以外の原料（ＴＭＩ以外のIII族元素の原料及びアンモニアガス）及び窒素ガスの供給を継続することにより行う。又は、ＴＭＩ及びＴＭＩ以外のIII族元素の原料の供給を停止した後に、基板の加熱を継続しながらアンモニアガス及び窒素ガスの供給を継続することにより行ってもよい。ＴＭＩ、ＴＭＩ以外のIII族元素の原料及び窒素ガスの供給を停止し水素ガスの供給を開始した後にアンモニアガスの供給を継続することにより行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】基板に付着している大気の成分を除去する。
【解決手段】ロードロック室に基板が搬入されると、ロードロック室の中は、まず排気され、その後パージガスが導入されて圧力が上昇する。そしてロードロック室は再び排気される。これにより、基板上に付着している大気の成分は除去される。その後、基板はロードロック室から処理室に搬送され、処理室の中で処理される。基板を処理する工程は、例えば大気に含まれる成分と反応するガスを用いて基板に膜を成膜する工程である。 （もっと読む）

【課題】選択性及び基板面内の膜厚均一性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を成長させることができる基板の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の露出面とを備える基板を処理室内に搬入する工程と、 前記処理室内の前記基板を所定の温度に加熱する加熱工程と、 前記処理室内に、少なくともシリコンを含む第１の処理ガスとエッチング系の第２の処理ガスとを共に供給する第１のガス供給工程と、 前記処理室内に、前記第２の処理ガスとよりエッチング力の強いエッチング系の第３の処理ガスを供給する第２のガス供給工程と、を少なくとも含み、前記第１のガス供給工程と前記第二のガス供給工程とを所定回数繰り返して実施し、基板表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】無駄な待ち時間を減らしつつ、流量制御の精度を向上させることができる流体分流供給ユニットを提供すること。
【解決手段】マスフローメータ８の二次側に第１及び第２開閉弁１１Ａ，１１Ｂを接続する。第１及び第２開閉弁１１Ａ，１１Ｂの第１及び第２設定流量Ｑａ，Ｑｂを流量特性に照合して、動作周期ｔのうちで弁開するパルスＯＮ時間ａ’，ｂ’を決定する。そして、第１及び第２開閉弁１１Ａ，１１Ｂの動作周期ｔを一定にして、決定したパルスＯＮ時間に従って第１及び第２開閉弁１１Ａ，１１Ｂを開閉させて流量制御を行う。このとき、マスフローメータ８が測定するユニット総流量Ｑを平均したユニット平均流量Ｑｍと、第１及び第２設定流量Ｑａ，Ｑｂを合計した指令総流量Ｑａ＋Ｑｂとの偏差ＱＰをゼロにするように、パルスＯＮ時間ａ’，ｂ’を補正する。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、シーケンスのパラメータの設定値を容易に変更し得、容易に基板処理装置の作動確認が行える様にし、作業効率の向上を図る。
【解決手段】
基板に所要の処理を行う処理室１３と、基板の搬送空間として前記処理室に隣接して設けられた移載室７と、該移載室にパージガスを供給するガスパージ手段と、該移載室のガスパージを実行するためのガスパージシーケンスが実行されると、前記ガスパージ手段を制御して前記移載室をガスパージする制御手段と、少なくとも前記パージガスの流量、時間及び前記移載室の酸素濃度を設定するガスパージシーケンス設定画面を表示可能な表示部と、少なくとも前記ガスパージシーケンスのパラメータを入力可能な操作手段とを具備し、前記ガスパージシーケンス設定画面より前記パラメータを各機構部の状態や装置の動作状態に対応させて入力することで、前記ガスパージシーケンスが実行可能となるよう構成した。
（もっと読む）

【課題】反応ガス供給周期と基板の回転周期が同期することを防止または抑制して、成膜した膜の膜厚の基板面内均一性が悪化することを防ぐ。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、ウエハ２００を回転させるボート回転機構２６７と、ウエハ２００に対しガスを供給するガス供給部と、を有し、少なくとも２種のガスＡ、Ｂを交互に複数回供給し、ウエハ２００上に所望の膜を形成する基板処理装置であって、ガスＡを流してから次にガスＡを流すまでの時間で規定されるガス供給周期Ｔと、基板の回転周期Ｐとが、次の数式（１）を満たすように回転周期Ｐまたはガス供給周期Ｔを制御するコントローラ３２１を備える。
｜ｍＰ−ｎＴ｜＞≠０（ｎ、ｍは任意の自然数） （１）
（＞≠０は真に０より大きいということを表し、｜｜は絶対値を表す。） （もっと読む）

【課題】地震または火災等の非常事態における被害の拡大の防止を、低コストで実現することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１００は、ヒータ１４、ソフトシェル部１６１、および壁部１６２を少なくとも備える。ヒータ１４は、プロセスチューブ１２の周囲に配置され、プロセスチューブ１２を加熱するように構成される。ソフトシェル部１６１および壁部１６２は、少なくともヒータ１４を気密的に包囲する気密空間を形成するように構成される。ソフトシェル部１６１は、気密空間の内圧に応じて気密空間の容積を変更させるように構成される。 （もっと読む）

【課題】更なる光出力の向上と良好なオーミック電極の形成を可能にする最適なｐ型層の構造を有するエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたｎ型層および該ｎ型層上にｐ型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記ｎ型層および前記ｐ型層はＧａＡｓＰまたはＧａＰであり、前記ｐ型層は少なくとも第１ｐ型層と該第１ｐ型層より上に第２ｐ型層とを有し、前記第１ｐ型層のキャリア濃度は５×１０^１６〜３×１０^１７／ｃｍ^３、前記第２ｐ型層のキャリア濃度は７×１０^１８〜３×１０^１９／ｃｍ^３であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】ウエハ支持部材を形成するセラミック板状体と筒状体とを接合するロウ材層が腐食性ガスによって腐食し、ガスリークが発生することを防止する。
【解決手段】一方の主面にウエハを載せる載置面を有するセラミック板状体と、前記セラミック板状体の他方の主面にロウ材層を介して端部が接合された筒状体と、前記ロウ材層の外周側の側端部の近傍にガスを供給するためのガス供給部と、を備えたウエハ支持部材である。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板と窒素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層を設けた半導体発光素子において、発光特性を著しく改善することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌを構成元素として含む第１の半導体層５０１の成長後に、成長室内の窒素化合物原料または窒素化合物原料中に含まれる不純物が触れる場所に残留したＡｌ原料、またはＡｌ反応物、またはＡｌ化合物、またはＡｌを除去する工程を設けており、その後、層厚がＡｌを含む第１の半導体層５０１よりも薄いＡｌを含む第２の半導体層５０２を設けてから、窒素を含む活性層２０４を形成している。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、処理室の上流側、下流側に亘って不足なく処理ガスを供給し得る様にし、膜厚分布の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】
基板を積層して収納する処理室２７と、前記基板を加熱する加熱手段２４と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給系２８，２９と、前記処理室の雰囲気を排気するガス排気系５７，５８，５９と、制御部７０とを具備し、前記ガス供給系は、常圧で液体である１つの液体原料を気化する複数の気化ユニット４１，４４と、該気化ユニットにそれぞれ連通され前記処理室に気化されたガスを供給する複数のガス供給ノズル６５，６６とを有し、該ガス供給ノズルは、それぞれ前記積層方向に沿って開口する複数のガス供給口を有し、前記複数の気化ユニットは前記制御部によりそれぞれ個別に気化量が制御される。
（もっと読む）

【課題】成膜加熱中に異常信号を得た異常モードにおいて、安全モードに移行する際にも石英ドームの石英窓とフランジ部との接合部に発生する応力が所定の安全応力値を超えないようにする。
【解決手段】半導体ウエハ７０が配置された処理室１５が減圧され、石英ドーム１１、１２を側面加圧され、処理室１５が加熱された状態で、検知部４０によって処理室１５の異常状態が検知されたとき、石英ドーム１１、１２に対する側面加圧を停止し、当該側面加圧の停止後に処理室１５を大気圧に戻す。 （もっと読む）