【課題】反り形状を適正に制御した、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Si単結晶基板と、該Si単結晶基板上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成したIII族窒化物積層体とを具え、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記Si単結晶基板と前記III族窒化物積層体との間に、絶縁層としてのバッファをさらに具え、前記バッファは、１×10¹⁸/cm³以上のCを含む超格子多層構造からなる積層体を有し、前記Si単結晶基板はｐ型基板であって、かつ比抵抗値が0.01Ω・cm以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】人手を介さずにバルブ制御装置にバルブ開閉パターンを書き込むことができ、バルブの高速な切り替え動作をロギングできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、複数のバルブの開閉動作を制御するバルブ制御装置３００と、前記複数のバルブの開閉状態の設定を行うバルブ切り替えパターンを作成するパターン作成装置３０２と、を有する。前記パターン作成装置は、作成したバルブ切り替えパターンを前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。前記バルブ制御装置は、内部エリアに書き込まれたバルブ切り替えパターン３０６に基づいて複数のバルブの切り替えを行い、その時の前記複数のバルブの開閉状態を前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤの成膜速度を生かしながら膜中不純物を低減する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に原料ガスと酸化剤とを供給して基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法において、基板を処理する工程では、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスに設定した状態で、処理室内に原料ガスを供給しつつ処理室内を排気する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスよりも大きな第２の排気コンダクタンスに設定した状態で、処理室内に酸化剤を供給しつつ処理室内を排気する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返す。 （もっと読む）

ゲルマニウム含有量が漸次変化した高ゲルマニウム化合物領域を供する装置及び方法に係る実施例が全体として記載されている。他の実施例も記載及びクレームされている。
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【課題】熱処理を行うことによって、電流利得を調整することができる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】加熱された基板１上に、原料ガスを供給して、サブコレクタ層２、コレクタ層３、炭素ドープのベース層４、エミッタ層５、エミッタコンタクト層６を含むエピタキシャル層を形成する化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、エミッタコンタクト層６の形成直後に、熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板上全体に均一な膜厚および膜質を有する薄膜を形成させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】電源部から高周波電力が給電点に供給され、対向電極に設置した基板との間にプラズマを形成する複数の放電電極３ａ〜３ｈを備え、前記放電電極３ａ〜３ｈのうち、ガス流量の調整を必要とする放電電極３ａ，３ｈは、第１の原料ガス配管１６ａを介して、原料ガスの流量を調整する第１の流量制御器ＭＦＣ１を備えた第１のガス供給系Ｇ１に接続され、その他の放電電極３ｂ〜３ｇは、第２の原料ガス配管１６ｂを介して、原料ガスの流量を調整する第２の流量制御器ＭＦＣ２を備えた第２のガス供給系Ｇ２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】発光素子とした場合の発光効率が高い、高品質の窒化物半導体を提供すること。
【解決手段】本発明では、一方導電型の窒化物半導体部と、量子井戸活性層構造部と、一方導電型とは逆の他方導電型の窒化物半導体部を順次積層させた窒化物半導体を得るに際し、非極性の窒化物の主面を有する基体の上に結晶成長させることとし、一方導電型の窒化物半導体部を第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層を順次積層させたものとするとともに、第２の窒化物半導体層を４００ｎｍ〜２０μｍの厚みを有し最表面が非極性面であるようにした。結晶成長用の基体として上記のものを選択することによりＱＣＳＥ効果に基づく発光に寄与する電子とホールの空間的分離が抑制され、効率的な輻射が実現される。また、上記第２の窒化物半導体層の厚みを適正なものとすることにより、極めて激しい凹凸を呈する窒化物半導体表面となることが回避される。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内膜厚分布均一性の低下を防止する。
【解決手段】複数枚のウエハ１を一括して収容する処理室３２と、３本の保持柱２５ｃで複数枚のウエハを積層保持するボート２５と、ボート２５を回転させる回転駆動装置２８と、処理室３２内に処理ガスを噴出する吹出口４６と、を有する基板処理装置において、コントローラ６０は回転駆動装置２８を回転速度と角度位置とをパラメータとして制御し、保持柱２５ｃの角度位置に応じてボート２５を回転させる速度を増減させる。 （もっと読む）

【課題】 材液量計などの検出器を用いることなく、タンク内の材料が減少していることを推定し、新しく設定された設定濃度に安定するまでにかかる時間が長くなるという不具合を防ぐことができる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】 導出管１２上に設けられた第１バルブ２３と、前記混合ガスにおける材料ガスの濃度を測定する濃度測定部２１と、前記タンク内の圧力を測定する圧力測定部２２と、前記濃度測定部２２で測定された材料ガスの測定濃度が、予め定めた設定濃度となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する濃度制御部ＣＣと、前記材料液の貯留量を推定する材料液量推定部２４５とを具備し、前記濃度制御部ＣＣが、予め定めた設定圧力を、前記測定濃度と設定濃度との偏差が小さくなる向きに変更する設定圧力設定部２４３と、前記圧力測定部２２で測定された測定圧力が前記設定圧力となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する第１バルブ制御部２４２とを具備した。 （もっと読む）

【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】 基板に所定の処理を施す反応管と、反応管内に反応ガスを供給する複数のノズルと、複数のノズルとは別に設けられ、反応管内にクリーニングガスを供給するクリーニング用ノズルと、ノズルの内部をクリーニングする場合に、複数のノズルのうち選択したノズルにクリーニングガスを供給し、選択していないノズルに不活性ガスを供給すると共に、反応管の内部をクリーニングする場合に、少なくともクリーニング用ノズルより反応管内にクリーニングガスを供給するように制御するコントローラと、を有する。 （もっと読む）

基板処理チャンバ中に配置された基板を処理した後で、基板処理チャンバの１つまたは複数の内側表面から不要な堆積物蓄積を除去する遠隔プラズマプロセス。一実施形態では、基板が基板処理チャンバから外に移送され、フッ素含有エッチャントガスの流れが遠隔プラズマ源の中へ導入され、そこで反応種が形成される。遠隔プラズマ源から基板処理チャンバへの反応種の連続的な流れが発生され、一方では、高圧力洗浄ステップと低圧力洗浄ステップのサイクルが繰り返される。高圧力洗浄ステップ中に、基板処理チャンバ内の圧力が４〜１５トルの範囲に維持されている間、反応種は基板処理チャンバの中へ流される。低圧力洗浄ステップ中に、高圧力洗浄ステップで到達された高圧力の少なくとも５０パーセントだけ基板処理チャンバの圧力を減少させながら、反応種が基板処理チャンバの中へ流される。
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【課題】急激な圧力変動に伴うガス流量制御器の制御異常を解決し、大流量のＮ2ガス等によりウェーハを冷却することでスループットの向上を図る。
【解決手段】基板を処理する処理室５４と、該処理室に隣設された予備室３６と、該予備室にガスを供給するガス供給ライン４１と、該ガス供給ラインに設けられ、設定圧力値に基づき前記予備室に流すガスの圧力を調整する減圧弁７９と、前記ガス供給ラインに於ける前記減圧弁と前記予備室との間に設けられ、前記予備室に流すガスの流量を調整するガス流量調整弁５８と、前記ガス供給ラインからガスを前記予備室に供給する際に、前記減圧弁の設定圧力を可変させる制御部８２とを有する。 （もっと読む）

【課題】ガス供給システム１００を構成する部品点数を削減し、小型化及び低コスト化が実現可能なガス供給システム１００を提供する。
【解決手段】複数種のガスを選択的にチャンバ２００内に供給するガス供給システム１００であって、流量を測定する流量測定部２、及び流量測定部２からの流量測定信号に基づいて制御される流量制御弁３が設けられるメイン流路４と、チャンバ２００内に同時に供給しない複数のガス種毎に対応して設けられ、メイン流路４に並列接続される複数のサブ流路５と、サブ流路５毎に設けられ、メイン流路４を流れるガスを切り替える切替機構６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内の回転テーブルに基板を回転方向に並べて載置し、また互いに反応する複数の反応ガスの処理領域をこの基板の回転方向に沿って形成し、回転テーブルを回転させてこれらの複数の処理領域に基板を順番に通過させて反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板へのガス流を一定化して面内及び面間において膜厚が均一及び膜質が均質且つ良好な薄膜を得ること。
【解決手段】夫々の反応ガスの処理領域から各々の反応ガスを排気する排気路を個別に設けると共にこれらの処理領域の間に分離領域を設けて、基板へのガス流が一定化するように、これらの排気路から排気するガス流量比及び真空容器内の圧力を調整する。 （もっと読む）

【課題】気化器やマスフローメータ等の高価な設備を用いず、無駄になる液体の量を少なくすることができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】制御機構４０は、原料貯留容器２０を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止して原料貯留容器２０を密閉状態とし、原料貯留容器２０内の真空圧により、原料貯留容器２０内を液体原料が気化して形成された処理ガスの雰囲気とし、チャンバ２内に被処理基板Ｗを収容させた状態で、チャンバ２を真空排気して所定の真空圧とした後、排気を停止してチャンバ２内を密閉状態とし、次いで開閉バルブ２３を開成し、原料貯留容器２０から処理ガスをチャンバ２に流入させ、チャンバ２内が真空圧よりも高く、液体原料の蒸気圧よりも低い処理圧になった時点で開閉バルブ２３を閉成し、処理圧の処理ガス雰囲気とするように制御する。 （もっと読む）

【課題】高いスループットが得られると共に、１台の装置において、反応ガスの種類や、反応ガスの吸着時間が異なる多数のプロセスを実施することができて、プロセスの変更に対応する自由度が高い装置を提供すること。
【解決手段】ウエハが配置された回転テーブルの回転方向において反応ノズル３１，３２との間に、分離ガスノズル４１，４２を設け、この分離ガスノズル４１，４２の前記回転方向両側にて低い天井面を形成するための天井部材４を設ける。この構成では、回転テーブルを回転させてウエハを移動させた状態で反応ガスを供給しているので、スループットが高くなる。また反応ガスノズル３１，３２や分離ガスノズル４１，４２を、真空容器１の周方向に沿って着脱自在に設ける共に、天井部材４を天板１１に着脱自在に設けているので、処理領域の大きさや反応ガスの吸着時間を調整でき、プロセスの変更に対応する自由度が高くなる。 （もっと読む）

【課題】マグネシウムの活性化率が改善された窒化ガリウム系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機金属気相成長法を用い、窒素よりも水素が多いキャリアガス雰囲気において、マグネシウムをドーピングした第一窒化ガリウム系半導体膜を成長する工程と、前記第一窒化ガリウム系半導体膜の成長後に、III族原料ガスの供給を一旦中断する工程と、有機金属気相成長法を用いて、水素よりも窒素が多いキャリアガス雰囲気において、マグネシウムをドーピングした第二窒化ガリウム系半導体膜を前記第一窒化ガリウム系半導体膜の上に成長する工程と、を備えたことを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】均一な膜厚のエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハを製造するための手段を提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する際に該半導体ウェーハを収容する座ぐり凹部を有するサセプタ。上記座ぐり凹部の側壁は平坦部と該平坦部より高い突出部とからなり、かつ該平坦部の高さは上記半導体ウェーハの厚み以上である。前記サセプタを含む気相成長装置および前記サセプタを使用するエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】炉内で析出したシリコンの除去時間の短縮やエッチング頻度の低減が図れ、生産性が高まり、シリコン片による炉内汚れが抑制され、高歩留まりとなるエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法を提供する。
【解決手段】反応容器１１への塩酸ガスの供給を、反応容器１１の幅方向の中央部より両側部の方の流量を小さくするか、中央部のみから供給する。よって、サセプタ１２で熱せられる中央部の塩酸ガスの流量比が従来より高まり、反応容器１１内で塩酸ガスの渦流が発生する。よって、炉内で析出したシリコンのエッチング時間の短縮、エッチング頻度の低下が図れ、生産性が高まり、炉内壁から剥離したシリコン片による炉内汚れが軽減する。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合部における比抵抗の分布を急峻にすることができる半導体基板の製造方法及び該製造方法に得られる半導体基板を提供すること。
【解決手段】キャリアガスが流通する反応室の内部に半導体ソースガス及び第１ドーパントガスを供給して、半導体ウェーハの主表面に第１エピタキシャル層を成長させる第１エピタキシャル成長工程Ｓ１と、第１エピタキシャル成長工程Ｓ１の後に、前記反応室の内部に前記半導体ソースガスを実質的に供給しない状態で前記第１ドーパントガスを供給する第１ドーパントガス供給工程Ｓ２と、第１ドーパントガス供給工程Ｓ２の後に、前記反応室の内部に前記半導体ソースガスと共に前記第１ドーパントガスとは逆の導電型の第２ドーパントガスを供給して、前記第１エピタキシャル層の上に、該第１エピタキシャル層とは逆の導電型の第２エピタキシャル層を成長させる第２エピタキシャル成長工程Ｓ５と、を備える。 （もっと読む）