エピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法
【課題】炉内で析出したシリコンの除去時間の短縮やエッチング頻度の低減が図れ、生産性が高まり、シリコン片による炉内汚れが抑制され、高歩留まりとなるエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法を提供する。
【解決手段】反応容器１１への塩酸ガスの供給を、反応容器１１の幅方向の中央部より両側部の方の流量を小さくするか、中央部のみから供給する。よって、サセプタ１２で熱せられる中央部の塩酸ガスの流量比が従来より高まり、反応容器１１内で塩酸ガスの渦流が発生する。よって、炉内で析出したシリコンのエッチング時間の短縮、エッチング頻度の低下が図れ、生産性が高まり、炉内壁から剥離したシリコン片による炉内汚れが軽減する。
【解決手段】反応容器１１への塩酸ガスの供給を、反応容器１１の幅方向の中央部より両側部の方の流量を小さくするか、中央部のみから供給する。よって、サセプタ１２で熱せられる中央部の塩酸ガスの流量比が従来より高まり、反応容器１１内で塩酸ガスの渦流が発生する。よって、炉内で析出したシリコンのエッチング時間の短縮、エッチング頻度の低下が図れ、生産性が高まり、炉内壁から剥離したシリコン片による炉内汚れが軽減する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法、詳しくはエピタキシャル成長時に反応容器の内壁およびシリコンウェーハの保持部材に析出したシリコンのエッチング効率が高まるエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エピタキシャルシリコンウェーハの製造プロセスでは、一般的に反応ガスおよびキャリアガスを、図７に示すエピタキシャル成長炉の反応容器１００内で水平回転中のシリコンウェーハに対して、反応容器１００の一端部に形成された３つのガス導入口１０１〜１０３から、反応容器１００の他端部に形成されたガス排気口１０４に向かって供給し、ウェーハ表面に単結晶シリコンのエピタキシャル膜を成長させている。なお、ガス導入口１０１〜１０３は、反応容器１００の一端部の幅方向の中央部および両側部の３箇所に配設されている。また、ガス排気口１０４は、反応容器１００の他端部の中央部に１箇所形成されている。
【０００３】
ところで、エピタキシャル成長時には、反応容器１００の内壁（炉内壁）やサセプタ（ウェーハ保持部材）１０５にもシリコンが析出する。これが、炉内壁などから剥がれてシリコン片として飛散し、炉内汚れの原因となっている。そこで、炉内壁から不要なシリコンの析出物を除去するため、エピタキシャル成長後、各ガス導入口１０１〜１０３から、シリコンウェーハが取り出された反応容器１００内へ塩酸ガス（エッチングガス）を供給するガスクリーニングが行われている（例えば、特許文献１）。これにより、炉内壁やサセプタ１０５に析出したシリコンがエッチングされる。
エピタキシャル成長炉では、ウェーハ面内でのエピタキシャル膜の厚さの均一性を高めるため、３箇所のガス導入口１０１〜１０３を介して、反応容器１００へ供給される反応ガスやキャリアガスは、図示しないマスフローコントローラ（ＭＦＣ）により、可能な限り均等な流量のガス流（層流）となるように制御されていた（図７矢印）。従来、炉内のガスクリーニング時にも、マスフローコントローラによる流量制御により、各ガス導入口１０１〜１０３を介して、均等な流量で塩酸ガスが反応容器１００へ供給されていた。
【０００４】
【特許文献１】特許第３２７４６０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように、従来においては、３箇所のガス導入口１０１〜１０３を介して、反応容器１００へ供給される塩酸ガスの流量が、エピタキシャル成長時と同様に、マスフローコントローラにより、可能な限り均等な流量のガス流となるように制御されていた。
そのため、炉内ガスクリーニング時において、各ガス導入口１０１〜１０３から反応容器１００内へ供給された塩酸ガスは、気流の乱れがほとんどなく、反応容器１００の幅方向へ拡散せず、ガス排気口１０４へ略直線的に通過していた。そのため、反応容器１００の両側部内、特に、反応容器１００の一端部側のコーナー部１００ａに析出したシリコン（析出物）Ｓを十分にエッチングすることができなかった。
【０００６】
そこで、発明者は、鋭意研究の結果、反応容器へ供給される塩酸ガスの流量を、反応容器の幅方向の中央部より、反応容器の幅方向の両側部の方を小さくすれば、高温のサセプタ上を通過して加熱される塩酸ガスの流量が増加し、反応容器内、特に反応容器の両側部内において、塩酸ガスの熱拡散を原因とした塩酸ガスの渦流が発生することを突き止めた。これにより、反応容器の両側部内などで塩酸ガスが滞留し易くなることがわかった。その結果、従来に比べて、反応容器の内壁やウェーハ保持部材に析出したシリコン析出物に対して、塩酸ガスが接触する量および時間が長くなった。これにより、炉内壁やウェーハ保持部材に析出したシリコン析出物のエッチング速度が、従来より高まることを知見し、この発明を完成させた。
【０００７】
この発明は、炉内で析出したシリコンのエッチング時間の短縮および単位時間当たりのエッチング回数の低減が図れ、エピタキシャルシリコンウェーハの生産性が高まり、しかも炉内壁などから剥がれたシリコン片による炉内汚れの低減が図れて、歩留まりも高まるエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、シリコンウェーハが水平配置される平面視して矩形状の横型の反応容器のうち、該反応容器の長さ方向の一端部に形成されたガス導入口から、前記反応容器の長さ方向の他端部に形成されたガス排気口に向かって塩酸ガスを流すことで、前記シリコンウェーハの表面に対するシリコンのエピタキシャル成長中に、前記反応容器の内壁およびウェーハ保持部材に析出したシリコンをエッチングするエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法において、前記反応容器へ供給される塩酸ガスの流量を、前記反応容器の幅方向の中央部より、該反応容器の幅方向の両側部の方を小さくするエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法である。
【０００９】
請求項１に記載の発明によれば、反応容器へ供給される塩酸ガスの流量を、反応容器の幅方向の中央部より、反応容器の幅方向の両側部の方を小さくする。これにより、高温のウェーハ保持部材上を通過して加熱される塩酸ガスの流量比（反応容器の両側部に供給される塩酸ガスの流量との比較）が、従来より増加する。そのため、反応容器内、特にその両側部内で、塩酸ガスの熱拡散を原因とした塩酸ガスの渦流（乱流）が発生し、この部分で塩酸ガスが滞留し易くなる。よって、従来に比べて、反応容器の内壁やウェーハ保持部材に析出した単結晶のシリコン（析出物）に対して、塩酸ガスが接触する量および時間が長くなる。これにより、炉内壁やウェーハ保持部材に析出したシリコンのエッチング速度が高まる。
その結果、炉内で析出したシリコンのエッチング時間の短縮および単位時間当たりのエッチング回数の低減が図れて、エピタキシャルシリコンウェーハの生産性を高めることができる。しかも、炉内壁などから剥がれて飛散したシリコン片による炉内汚れが軽減される。
【００１０】
エピタキシャル成長炉としては、例えば、シリコンウェーハがそれぞれ水平配置される枚葉式またはバッチ式の気相エピタキシャル成長炉などを採用することができる。
ただし、反応容器の一端部（上流部）の幅方向の中央部および両側部（右側部＋左側部）において、塩酸ガスの流量が調整可能な開口形状、ガス導入口の個数配置でなければならない。なお、前記右側部へ供給される塩酸ガスの流量と前記左側部へ供給される塩酸ガスの流量は、通常等しい。
反応容器の幅方向の中央部へ供給される塩酸ガスの流量と、反応容器の幅方向の両側部へ供給される塩酸ガスの流量との比は、１００：０〜７５:２５（３：１以下）である。７５：２５を超えれば、塩酸ガスの逆流が不十分で、エッチング効率が低下する。前記中央部へ供給される塩酸ガスの流量と、前記両側部へ供給される塩酸ガスの流量との好ましい比は、１００：０〜９０:１０である。この範囲であれば、十分な逆流が発生し、短時間で炉内壁などに析出したシリコンを処理することができ、また、反応容器の中央部に存在するサセプタへのダメージも少ない。
【００１１】
ガス排気口の形成数は任意である。例えば、反応容器の他端部の幅方向の中央部のみ、または幅方向の中央部と両側部の３箇所でもよい。
シリコンウェーハとしては、例えば単結晶シリコンウェーハを採用することができる。
ウェーハ保持部材としては、例えばリング形状または平底の皿形状でカーボン製のサセプタを採用することができる。ウェーハ保持部材は、反応容器内で垂直な回転軸を中心にして水平回転するものが好ましい。
【００１２】
炉内ガスクリーニングの実施頻度は、厚さが２０μｍ以上の厚膜のエピタキシャル膜を成長する場合には、エピタキシャル成長が１回終了するごと行う方が好ましい。また、２０μｍ未満の薄膜のエピタキシャル膜を成長させる場合には、例えばエピタキシャル成長を２回以上終了したごとに行った方が効率的である。
炉内ガスクリーニング時には、反応容器の内部温度を１１００〜１１８０℃に高める。１１００℃未満では、エッチング効率が悪く、炉内にシリコン生成物が残留する。また、１１８０℃を超えれば、炉体温度が上昇し、シール用のオーリングが焼ける。炉内ガスクリーニング時の好ましい反応容器内の温度は、１１３０〜１１８０℃である。この範囲であれば、オーリングの耐用時間も長く、かつエッチングも効率よくできる。
【００１３】
炉内ガスクリーニングの時間は、エピ成長厚みに応じて調整する。
塩酸ガスの濃度は、０．２〜７５％（容積％）である。その希釈用のガスとしては、水素ガスなどを採用することができる。０．２％未満では、エッチング効率が悪く、炉内にシリコン生成物が残留する。また、７５％を超えれば、炉内でガスが十分に撹拌されず、部分的にシリコン生成物が残留する。塩酸ガスの好ましい濃度は、２０〜７０％である。この範囲であれば、エッチングレートが速く、かつ、炉内の各部分までエッチングガスが撹拌され、シリコン生成物が残留されない。
塩酸ガスの渦流は、反応容器内の両側部、特にガス導入口が形成された一端部のコーナーに発生させる方が好ましい。従来法では、この炉内領域に析出したシリコンを除去することが困難とされたからである。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、シリコンウェーハが水平配置される平面視して矩形状の横型の反応容器のうち、該反応容器の長さ方向の一端部に形成されたガス導入口から、前記反応容器の長さ方向の他端部に形成されたガス排気口に向かって塩酸ガスを流すことで、前記シリコンウェーハの表面に対するシリコンのエピタキシャル成長中に、前記反応容器の内壁およびウェーハ保持部材に析出したシリコンをエッチングするエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法において、前記反応容器へ供給される塩酸ガスを、前記反応容器の幅方向の中央部からのみ供給するエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法である。
【００１５】
請求項２に記載の発明によれば、塩酸ガスを、反応容器の幅方向の中央部のみから反応容器へ供給する。これにより、高温のウェーハ保持部材上を通過して加熱される塩酸ガスの流量が従来より増加し、反応容器内、特にその両側部内で、塩酸ガスの熱拡散を原因とした塩酸ガスの渦流が発生する。そのため、炉内壁やウェーハ保持部材に析出したシリコンのエッチング速度が高まる。その結果、炉内で析出したシリコンのエッチング時間の短縮および単位時間当たりのエッチング回数の低減が図れ、エピタキシャルシリコンウェーハの生産性を高めることができる。しかも、炉内壁などから剥がれて飛散したシリコン片による炉内汚れが軽減される。
【００１６】
反応容器へ供給される塩酸ガスを、反応容器の幅方向の中央部からのみ供給する方法としては、例えば、反応容器の一端部の幅方向の中央部および両側部の３箇所にガス導入口が配設されている場合において、両側部のガス導入口をマスフローコントローラや仕切り弁などで塞ぎ、中央部のガス導入口からのみ塩酸ガスを供給することなどが考えられる。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１および請求項２に記載の発明によれば、反応容器へ供給される塩酸ガスの流量を、反応容器の幅方向の中央部より、反応容器の幅方向の両側部の方を小さくする。または、この中央部のみから塩酸ガスを反応容器へ供給する。これにより、高温のサセプタ上を通過して加熱される塩酸ガスの流量比（反応容器の両側部に供給された塩酸ガスの流量との比較）が従来より増加し、反応容器内、特にその両側部内で、塩酸ガスの熱拡散を原因とした渦流が発生する。そのため、炉内壁やウェーハ保持部材に析出したシリコンのエッチング速度が高まる。その結果、炉内で析出したシリコンのエッチング時間の短縮および単位時間当たりのエッチング回数の低減が図れ、エピタキシャルシリコンウェーハの生産性を高めることができる。しかも、炉内壁などから飛散したシリコン片による炉内汚れが軽減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、この発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１〜図４を参照して、この発明の実施例１に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法を説明する。
図１および図２に示すエピタキシャル成長炉１０は、ウェーハ表面にエピタキシャル膜を成長させる炉で、チャンバ内に水平設置された横長な反応容器１１を本体とする。反応容器１１の長さ方向の中間部内には、水平な円板形状のサセプタ（ウェーハ保持部材）１２が配置されている。
【００２０】
サセプタ１２は、反応容器１１内に下方から挿入された図示しない支持軸により水平回転可能に支持されている。サセプタ１２の上面には、サセプタ１２の中心軸を中心として複数のザグリ部が等角配置されている。各ザグリ部には、シリコンウェーハ１３が水平状態で収納されている。
反応容器１１の下方には、サセプタ１２に載置された各シリコンウェーハ１３を加熱する誘導加熱コイル１４が、支持軸を囲むように設けられている。誘導加熱コイル１４はサセプタ１２を誘導加熱し、サセプタ１２上の各シリコンウェーハ１３を間接的に加熱する。
【００２１】
反応容器１１の一端部には、反応容器１１の幅方向の中央部と、反応容器１１の幅方向の両側部とに、合計３つのガス導入口１５，１６，１７が配設されている。一方、反応容器１１の一端部に対向する他端部には、反応容器１１の幅方向の中央部に、各ガス導入口１５〜１７から反応容器１１内に供給されたガスを炉外へ排出するガス排気口１８が１つだけ形成されている。前記中央部側のガス導入口１５には、ガス配管１９が連通されている。ガス配管１９には、図示していない流量制御機構が設けられている。また、左側のガス導入口２０には、途中にガスの流量を制御するマスフローコントローラ２２が設けられたガス配管２０が連通されている。さらに、右側のガス導入口２１には、途中に別のマスフローコントローラ２３が設けられたガス配管２１が連通されている。
【００２２】
エピタキシャル成長時、各ガス導入口１５〜１７からは、対応するガス配管１９〜２１を通して、反応ガス（例えばＳｉＣｌ４ガス、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス、ＳｉＨＣｌ３ガス、ＳｉＨ４ガスなど）と、キャリアガス（水素ガスなど）との混合ガスが、略均等な流量で反応容器１１に供給される。
【００２３】
また、炉内ガスクリーニング時には、対応するガス配管１９〜２１を通して、各ガス導入口１５〜１７から反応容器１１に、水素ガスにより塩酸濃度が５０％（容量％）に希釈された塩酸ガスが、異なる流量で供給される。すなわち、中央部側のガス導入口１５から反応容器１１の中央部に導入される塩酸ガスは、ガス配管１９を素通りして反応容器１１に供給される。一方、左側のガス導入口１６から反応容器１１の左側部に導入される塩酸ガスは、ガス配管２０を通過する途中で、マスフローコントローラ２２によりその流量が、中央部側のガス導入口１５を流れる塩酸ガスの５％に制限され、反応容器１１に供給される。また、右側のガス導入口１７から反応容器１１の右側部に導入される塩酸ガスは、ガス配管２１を通過する途中で、マスフローコントローラ２３により、前記マスフローコントローラ２２の場合と同程度に制限されて反応容器１１に供給される。
【００２４】
次に、図３のフローシートに基づき、エピタキシャル成長炉１０を使用し、この発明の実施例１に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法を含むシリコンウェーハ１３のエピタキシャル成長プロセスを説明する。
まず、ウェーハ搬送装置により、複数枚のシリコンウェーハ１３を反応容器１１内に挿入し、サセプタ１２の各ザグリ部にウェーハ表面を水平にして収納する（ウェーハローディング工程；Ｓ３０１、図１および図２）。その後、サセプタ１２を回転させ、誘導加熱コイル１４に電圧を印加し、サセプタ１２を誘導加熱する。これにより、各シリコンウェーハ１３が１１００℃に間接加熱される。この状態で、対応するガス配管１９〜２１を通して、３つのガス導入口１５〜１７から略均等なガス流量（全体の流量は２００リットル／分）で、反応ガスとキャリアガスとを、反応容器１１内で渦流が発生しない層流状態で１０分間供給する。これにより、ウェーハ表面に厚さ３０μｍの厚膜のエピタキシャル膜が成長し、エピタキシャルシリコンウェーハが作製される（エピタキシャル成長工程；Ｓ３０２）。反応容器１１に供給されたエピタキシャルのプロセスガスは、反応容器１１の他端から１つのガス排気口１８を通して炉外に排気される。
【００２５】
エピタキシャル成長後は、ウェーハ搬送装置により、エピタキシャルシリコンウェーハを炉外へ搬出する（ウェーハアンローディング工程；Ｓ３０３）。
次に、エピタキシャル成長炉１０の炉内に析出したシリコンをエッチングガスにより清掃する炉内ガスエッチング工程を行う（チャンバーエッチ工程；Ｓ３０４）。ここでは、炉内温度を１１５０℃まで上昇させ、反応容器１１へ塩酸ガスを５分間供給する。このとき、供給される塩酸ガスの流量を、反応容器１１の幅方向の中央部より、反応容器１１の幅方向の両側部の方が小さくなるように供給する（図１）。
具体的には、中央側のガス配管１９を通った塩酸ガスが、ガス導入口１５からキャリアガスと塩酸ガスと合わせて９０リットル／分で反応容器１１の中央部内へ供給される。また、左側のガス配管２０を通過した塩酸ガスは、その途中、マスフローコントローラ２２により、ガス流量が５リットル／分以下に制限され、ガス導入口１６から反応容器１１の左側部内に供給される。また、右側のガス配管２１を通過した塩酸ガスは、マスフローコントローラ２３により、ガス流量が５リットル／分以下に制限され、ガス導入口１７から反応容器１１の右側部内に供給される。
【００２６】
これにより、エピタキシャル成長時の温度より高温（１１５０℃）とし、塩酸ガス量を増やし、しかもその塩酸ガスの流量比（反応容器１１の両側部に供給された塩酸ガスの流量との対比）が、エピタキシャル成長時より中央部を外周部に比べ倍以上に増加させた条件で施される。その結果、反応容器１１内、特に反応容器１１の上流側の両コーナー部１１ａを含む両側部内、さらにそのうちでも、反応容器１１の上流側の両コーナー部１１ａ内で、塩酸ガスの熱拡散を原因とした塩酸ガスの渦流（乱流）が発生し、この領域に塩酸ガスが滞留し易くなる。
よって、従来に比べて、反応容器１１の内壁やサセプタ１２に析出したシリコン（析出物）に対して、塩酸ガスが接触する量および時間が長くなる。これにより、炉内壁やサセプタ１２、特に反応容器１１の上流側の両コーナー部１１ａ内に析出したシリコンＳ（図７）のエッチング速度が高まる。
よって、炉内で析出したシリコンのエッチング時間の短縮および単位時間当たりのエッチング回数の低減が図れ、エピタキシャルシリコンウェーハの生産性を高めることができる。しかも、炉内壁などから剥がれて飛散したシリコン片による炉内汚れを軽減することができる。
【００２７】
なお、マスフローコントローラ２２，２３による左右両側のガス配管２０，２１の管路の開度調整は、前述したようにその開度を絞る（小さくする）のではなく、両管路を完全に閉じ、反応容器１１の両側部への塩酸ガスの供給を完全に停止してもよい。
また、炉内ガスエッチング工程後は、上述したウェーハローディング工程（Ｓ３０１）、エピタキシャル成長工程（Ｓ３０２）、ウェーハアンローディング工程（Ｓ３０３）、炉内ガスエッチング工程（Ｓ３０４）が順次繰り返される。
【実施例２】
【００２８】
次に、図５および図６を参照して、この発明の実施例２に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法を説明する。
図５および図６に示すように、この実施例２の特徴は、実施例１のマスフローコントローラ２２，２３に代えて、一対のバイパス管式の流量制御部３０，３１を採用した点である。また、炉内ガスエッチングは、３回のエピタキシャル成長後に行われる（図６のフローシート）。
各流量制御部３０，３１は、左側または右側のガス配管２０，２１の途中に設けられた仕切り弁３２と、両ガス配管２０，２１の途中において、仕切り弁３２を跨ぐように配設されたバイパス管３３と、両バイパス管３３の途中に下流へ向かって順に配設されたバイパス仕切り弁３４と流量制御弁３５とを有している。
【００２９】
エピタキシャル成長時には、両バイパス仕切り弁３４を閉じ、両仕切り弁３２を開く。これにより、左右のガス配管２０，２１を流れる反応ガスとキャリアガスとは、両側のガス導入口１６，１７から反応容器１１の両側部にそれぞれ供給される。
一方、炉内ガスエッチング時には、両バイパス仕切り弁３４を開き、両仕切り弁３２を閉じる。この状態で左右のガス配管２０，２１に塩酸ガスを流せば、塩酸ガスは管途中でバイパス管３３へ流入し、流量制御弁３５によりガス流量が５リットル／分に制限され、両ガス導入口１６、１７から反応容器１１の左側部内および右側部内へ供給される。
【００３０】
このように、マスフローコントローラ２２，２３に代えてバイパス管式の流量制御部３０，３１を採用したので、タイムラグが無く所定流量のガスを流すことができ、再現性よく反応容器１１の内壁などに析出したシリコンをエッチングすることができる。
その他の構成、作用、効果は実施例１から推測可能な範囲であるので、説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】この発明の実施例１に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法に用いられるエピタキシャル成長炉の使用状態の平面図である。
【図２】発明の実施例１に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法に用いられるエピタキシャル成長炉の使用状態の側面図である。
【図３】この発明の実施例１に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法のフローシートである。
【図４】この発明の実施例１に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法を適用して得られた反応容器内での塩酸ガスの流れを示す平面図である。
【図５】この発明の実施例２に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法に用いられるエピタキシャル成長炉の使用状態の平面図である。
【図６】この発明の実施例２に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法のフローシートである。
【図７】従来手段に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法に用いられるエピタキシャル成長炉の使用状態の平面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１０ エピタキシャル成長炉、
１１ 反応容器、
１２ サセプタ（ウェーハ保持部材）、
１５〜１７ ガス導入口、
１８ ガス排気口。
【技術分野】
【０００１】
この発明はエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法、詳しくはエピタキシャル成長時に反応容器の内壁およびシリコンウェーハの保持部材に析出したシリコンのエッチング効率が高まるエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エピタキシャルシリコンウェーハの製造プロセスでは、一般的に反応ガスおよびキャリアガスを、図７に示すエピタキシャル成長炉の反応容器１００内で水平回転中のシリコンウェーハに対して、反応容器１００の一端部に形成された３つのガス導入口１０１〜１０３から、反応容器１００の他端部に形成されたガス排気口１０４に向かって供給し、ウェーハ表面に単結晶シリコンのエピタキシャル膜を成長させている。なお、ガス導入口１０１〜１０３は、反応容器１００の一端部の幅方向の中央部および両側部の３箇所に配設されている。また、ガス排気口１０４は、反応容器１００の他端部の中央部に１箇所形成されている。
【０００３】
ところで、エピタキシャル成長時には、反応容器１００の内壁（炉内壁）やサセプタ（ウェーハ保持部材）１０５にもシリコンが析出する。これが、炉内壁などから剥がれてシリコン片として飛散し、炉内汚れの原因となっている。そこで、炉内壁から不要なシリコンの析出物を除去するため、エピタキシャル成長後、各ガス導入口１０１〜１０３から、シリコンウェーハが取り出された反応容器１００内へ塩酸ガス（エッチングガス）を供給するガスクリーニングが行われている（例えば、特許文献１）。これにより、炉内壁やサセプタ１０５に析出したシリコンがエッチングされる。
エピタキシャル成長炉では、ウェーハ面内でのエピタキシャル膜の厚さの均一性を高めるため、３箇所のガス導入口１０１〜１０３を介して、反応容器１００へ供給される反応ガスやキャリアガスは、図示しないマスフローコントローラ（ＭＦＣ）により、可能な限り均等な流量のガス流（層流）となるように制御されていた（図７矢印）。従来、炉内のガスクリーニング時にも、マスフローコントローラによる流量制御により、各ガス導入口１０１〜１０３を介して、均等な流量で塩酸ガスが反応容器１００へ供給されていた。
【０００４】
【特許文献１】特許第３２７４６０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように、従来においては、３箇所のガス導入口１０１〜１０３を介して、反応容器１００へ供給される塩酸ガスの流量が、エピタキシャル成長時と同様に、マスフローコントローラにより、可能な限り均等な流量のガス流となるように制御されていた。
そのため、炉内ガスクリーニング時において、各ガス導入口１０１〜１０３から反応容器１００内へ供給された塩酸ガスは、気流の乱れがほとんどなく、反応容器１００の幅方向へ拡散せず、ガス排気口１０４へ略直線的に通過していた。そのため、反応容器１００の両側部内、特に、反応容器１００の一端部側のコーナー部１００ａに析出したシリコン（析出物）Ｓを十分にエッチングすることができなかった。
【０００６】
そこで、発明者は、鋭意研究の結果、反応容器へ供給される塩酸ガスの流量を、反応容器の幅方向の中央部より、反応容器の幅方向の両側部の方を小さくすれば、高温のサセプタ上を通過して加熱される塩酸ガスの流量が増加し、反応容器内、特に反応容器の両側部内において、塩酸ガスの熱拡散を原因とした塩酸ガスの渦流が発生することを突き止めた。これにより、反応容器の両側部内などで塩酸ガスが滞留し易くなることがわかった。その結果、従来に比べて、反応容器の内壁やウェーハ保持部材に析出したシリコン析出物に対して、塩酸ガスが接触する量および時間が長くなった。これにより、炉内壁やウェーハ保持部材に析出したシリコン析出物のエッチング速度が、従来より高まることを知見し、この発明を完成させた。
【０００７】
この発明は、炉内で析出したシリコンのエッチング時間の短縮および単位時間当たりのエッチング回数の低減が図れ、エピタキシャルシリコンウェーハの生産性が高まり、しかも炉内壁などから剥がれたシリコン片による炉内汚れの低減が図れて、歩留まりも高まるエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、シリコンウェーハが水平配置される平面視して矩形状の横型の反応容器のうち、該反応容器の長さ方向の一端部に形成されたガス導入口から、前記反応容器の長さ方向の他端部に形成されたガス排気口に向かって塩酸ガスを流すことで、前記シリコンウェーハの表面に対するシリコンのエピタキシャル成長中に、前記反応容器の内壁およびウェーハ保持部材に析出したシリコンをエッチングするエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法において、前記反応容器へ供給される塩酸ガスの流量を、前記反応容器の幅方向の中央部より、該反応容器の幅方向の両側部の方を小さくするエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法である。
【０００９】
請求項１に記載の発明によれば、反応容器へ供給される塩酸ガスの流量を、反応容器の幅方向の中央部より、反応容器の幅方向の両側部の方を小さくする。これにより、高温のウェーハ保持部材上を通過して加熱される塩酸ガスの流量比（反応容器の両側部に供給される塩酸ガスの流量との比較）が、従来より増加する。そのため、反応容器内、特にその両側部内で、塩酸ガスの熱拡散を原因とした塩酸ガスの渦流（乱流）が発生し、この部分で塩酸ガスが滞留し易くなる。よって、従来に比べて、反応容器の内壁やウェーハ保持部材に析出した単結晶のシリコン（析出物）に対して、塩酸ガスが接触する量および時間が長くなる。これにより、炉内壁やウェーハ保持部材に析出したシリコンのエッチング速度が高まる。
その結果、炉内で析出したシリコンのエッチング時間の短縮および単位時間当たりのエッチング回数の低減が図れて、エピタキシャルシリコンウェーハの生産性を高めることができる。しかも、炉内壁などから剥がれて飛散したシリコン片による炉内汚れが軽減される。
【００１０】
エピタキシャル成長炉としては、例えば、シリコンウェーハがそれぞれ水平配置される枚葉式またはバッチ式の気相エピタキシャル成長炉などを採用することができる。
ただし、反応容器の一端部（上流部）の幅方向の中央部および両側部（右側部＋左側部）において、塩酸ガスの流量が調整可能な開口形状、ガス導入口の個数配置でなければならない。なお、前記右側部へ供給される塩酸ガスの流量と前記左側部へ供給される塩酸ガスの流量は、通常等しい。
反応容器の幅方向の中央部へ供給される塩酸ガスの流量と、反応容器の幅方向の両側部へ供給される塩酸ガスの流量との比は、１００：０〜７５:２５（３：１以下）である。７５：２５を超えれば、塩酸ガスの逆流が不十分で、エッチング効率が低下する。前記中央部へ供給される塩酸ガスの流量と、前記両側部へ供給される塩酸ガスの流量との好ましい比は、１００：０〜９０:１０である。この範囲であれば、十分な逆流が発生し、短時間で炉内壁などに析出したシリコンを処理することができ、また、反応容器の中央部に存在するサセプタへのダメージも少ない。
【００１１】
ガス排気口の形成数は任意である。例えば、反応容器の他端部の幅方向の中央部のみ、または幅方向の中央部と両側部の３箇所でもよい。
シリコンウェーハとしては、例えば単結晶シリコンウェーハを採用することができる。
ウェーハ保持部材としては、例えばリング形状または平底の皿形状でカーボン製のサセプタを採用することができる。ウェーハ保持部材は、反応容器内で垂直な回転軸を中心にして水平回転するものが好ましい。
【００１２】
炉内ガスクリーニングの実施頻度は、厚さが２０μｍ以上の厚膜のエピタキシャル膜を成長する場合には、エピタキシャル成長が１回終了するごと行う方が好ましい。また、２０μｍ未満の薄膜のエピタキシャル膜を成長させる場合には、例えばエピタキシャル成長を２回以上終了したごとに行った方が効率的である。
炉内ガスクリーニング時には、反応容器の内部温度を１１００〜１１８０℃に高める。１１００℃未満では、エッチング効率が悪く、炉内にシリコン生成物が残留する。また、１１８０℃を超えれば、炉体温度が上昇し、シール用のオーリングが焼ける。炉内ガスクリーニング時の好ましい反応容器内の温度は、１１３０〜１１８０℃である。この範囲であれば、オーリングの耐用時間も長く、かつエッチングも効率よくできる。
【００１３】
炉内ガスクリーニングの時間は、エピ成長厚みに応じて調整する。
塩酸ガスの濃度は、０．２〜７５％（容積％）である。その希釈用のガスとしては、水素ガスなどを採用することができる。０．２％未満では、エッチング効率が悪く、炉内にシリコン生成物が残留する。また、７５％を超えれば、炉内でガスが十分に撹拌されず、部分的にシリコン生成物が残留する。塩酸ガスの好ましい濃度は、２０〜７０％である。この範囲であれば、エッチングレートが速く、かつ、炉内の各部分までエッチングガスが撹拌され、シリコン生成物が残留されない。
塩酸ガスの渦流は、反応容器内の両側部、特にガス導入口が形成された一端部のコーナーに発生させる方が好ましい。従来法では、この炉内領域に析出したシリコンを除去することが困難とされたからである。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、シリコンウェーハが水平配置される平面視して矩形状の横型の反応容器のうち、該反応容器の長さ方向の一端部に形成されたガス導入口から、前記反応容器の長さ方向の他端部に形成されたガス排気口に向かって塩酸ガスを流すことで、前記シリコンウェーハの表面に対するシリコンのエピタキシャル成長中に、前記反応容器の内壁およびウェーハ保持部材に析出したシリコンをエッチングするエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法において、前記反応容器へ供給される塩酸ガスを、前記反応容器の幅方向の中央部からのみ供給するエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法である。
【００１５】
請求項２に記載の発明によれば、塩酸ガスを、反応容器の幅方向の中央部のみから反応容器へ供給する。これにより、高温のウェーハ保持部材上を通過して加熱される塩酸ガスの流量が従来より増加し、反応容器内、特にその両側部内で、塩酸ガスの熱拡散を原因とした塩酸ガスの渦流が発生する。そのため、炉内壁やウェーハ保持部材に析出したシリコンのエッチング速度が高まる。その結果、炉内で析出したシリコンのエッチング時間の短縮および単位時間当たりのエッチング回数の低減が図れ、エピタキシャルシリコンウェーハの生産性を高めることができる。しかも、炉内壁などから剥がれて飛散したシリコン片による炉内汚れが軽減される。
【００１６】
反応容器へ供給される塩酸ガスを、反応容器の幅方向の中央部からのみ供給する方法としては、例えば、反応容器の一端部の幅方向の中央部および両側部の３箇所にガス導入口が配設されている場合において、両側部のガス導入口をマスフローコントローラや仕切り弁などで塞ぎ、中央部のガス導入口からのみ塩酸ガスを供給することなどが考えられる。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１および請求項２に記載の発明によれば、反応容器へ供給される塩酸ガスの流量を、反応容器の幅方向の中央部より、反応容器の幅方向の両側部の方を小さくする。または、この中央部のみから塩酸ガスを反応容器へ供給する。これにより、高温のサセプタ上を通過して加熱される塩酸ガスの流量比（反応容器の両側部に供給された塩酸ガスの流量との比較）が従来より増加し、反応容器内、特にその両側部内で、塩酸ガスの熱拡散を原因とした渦流が発生する。そのため、炉内壁やウェーハ保持部材に析出したシリコンのエッチング速度が高まる。その結果、炉内で析出したシリコンのエッチング時間の短縮および単位時間当たりのエッチング回数の低減が図れ、エピタキシャルシリコンウェーハの生産性を高めることができる。しかも、炉内壁などから飛散したシリコン片による炉内汚れが軽減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、この発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１〜図４を参照して、この発明の実施例１に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法を説明する。
図１および図２に示すエピタキシャル成長炉１０は、ウェーハ表面にエピタキシャル膜を成長させる炉で、チャンバ内に水平設置された横長な反応容器１１を本体とする。反応容器１１の長さ方向の中間部内には、水平な円板形状のサセプタ（ウェーハ保持部材）１２が配置されている。
【００２０】
サセプタ１２は、反応容器１１内に下方から挿入された図示しない支持軸により水平回転可能に支持されている。サセプタ１２の上面には、サセプタ１２の中心軸を中心として複数のザグリ部が等角配置されている。各ザグリ部には、シリコンウェーハ１３が水平状態で収納されている。
反応容器１１の下方には、サセプタ１２に載置された各シリコンウェーハ１３を加熱する誘導加熱コイル１４が、支持軸を囲むように設けられている。誘導加熱コイル１４はサセプタ１２を誘導加熱し、サセプタ１２上の各シリコンウェーハ１３を間接的に加熱する。
【００２１】
反応容器１１の一端部には、反応容器１１の幅方向の中央部と、反応容器１１の幅方向の両側部とに、合計３つのガス導入口１５，１６，１７が配設されている。一方、反応容器１１の一端部に対向する他端部には、反応容器１１の幅方向の中央部に、各ガス導入口１５〜１７から反応容器１１内に供給されたガスを炉外へ排出するガス排気口１８が１つだけ形成されている。前記中央部側のガス導入口１５には、ガス配管１９が連通されている。ガス配管１９には、図示していない流量制御機構が設けられている。また、左側のガス導入口２０には、途中にガスの流量を制御するマスフローコントローラ２２が設けられたガス配管２０が連通されている。さらに、右側のガス導入口２１には、途中に別のマスフローコントローラ２３が設けられたガス配管２１が連通されている。
【００２２】
エピタキシャル成長時、各ガス導入口１５〜１７からは、対応するガス配管１９〜２１を通して、反応ガス（例えばＳｉＣｌ４ガス、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス、ＳｉＨＣｌ３ガス、ＳｉＨ４ガスなど）と、キャリアガス（水素ガスなど）との混合ガスが、略均等な流量で反応容器１１に供給される。
【００２３】
また、炉内ガスクリーニング時には、対応するガス配管１９〜２１を通して、各ガス導入口１５〜１７から反応容器１１に、水素ガスにより塩酸濃度が５０％（容量％）に希釈された塩酸ガスが、異なる流量で供給される。すなわち、中央部側のガス導入口１５から反応容器１１の中央部に導入される塩酸ガスは、ガス配管１９を素通りして反応容器１１に供給される。一方、左側のガス導入口１６から反応容器１１の左側部に導入される塩酸ガスは、ガス配管２０を通過する途中で、マスフローコントローラ２２によりその流量が、中央部側のガス導入口１５を流れる塩酸ガスの５％に制限され、反応容器１１に供給される。また、右側のガス導入口１７から反応容器１１の右側部に導入される塩酸ガスは、ガス配管２１を通過する途中で、マスフローコントローラ２３により、前記マスフローコントローラ２２の場合と同程度に制限されて反応容器１１に供給される。
【００２４】
次に、図３のフローシートに基づき、エピタキシャル成長炉１０を使用し、この発明の実施例１に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法を含むシリコンウェーハ１３のエピタキシャル成長プロセスを説明する。
まず、ウェーハ搬送装置により、複数枚のシリコンウェーハ１３を反応容器１１内に挿入し、サセプタ１２の各ザグリ部にウェーハ表面を水平にして収納する（ウェーハローディング工程；Ｓ３０１、図１および図２）。その後、サセプタ１２を回転させ、誘導加熱コイル１４に電圧を印加し、サセプタ１２を誘導加熱する。これにより、各シリコンウェーハ１３が１１００℃に間接加熱される。この状態で、対応するガス配管１９〜２１を通して、３つのガス導入口１５〜１７から略均等なガス流量（全体の流量は２００リットル／分）で、反応ガスとキャリアガスとを、反応容器１１内で渦流が発生しない層流状態で１０分間供給する。これにより、ウェーハ表面に厚さ３０μｍの厚膜のエピタキシャル膜が成長し、エピタキシャルシリコンウェーハが作製される（エピタキシャル成長工程；Ｓ３０２）。反応容器１１に供給されたエピタキシャルのプロセスガスは、反応容器１１の他端から１つのガス排気口１８を通して炉外に排気される。
【００２５】
エピタキシャル成長後は、ウェーハ搬送装置により、エピタキシャルシリコンウェーハを炉外へ搬出する（ウェーハアンローディング工程；Ｓ３０３）。
次に、エピタキシャル成長炉１０の炉内に析出したシリコンをエッチングガスにより清掃する炉内ガスエッチング工程を行う（チャンバーエッチ工程；Ｓ３０４）。ここでは、炉内温度を１１５０℃まで上昇させ、反応容器１１へ塩酸ガスを５分間供給する。このとき、供給される塩酸ガスの流量を、反応容器１１の幅方向の中央部より、反応容器１１の幅方向の両側部の方が小さくなるように供給する（図１）。
具体的には、中央側のガス配管１９を通った塩酸ガスが、ガス導入口１５からキャリアガスと塩酸ガスと合わせて９０リットル／分で反応容器１１の中央部内へ供給される。また、左側のガス配管２０を通過した塩酸ガスは、その途中、マスフローコントローラ２２により、ガス流量が５リットル／分以下に制限され、ガス導入口１６から反応容器１１の左側部内に供給される。また、右側のガス配管２１を通過した塩酸ガスは、マスフローコントローラ２３により、ガス流量が５リットル／分以下に制限され、ガス導入口１７から反応容器１１の右側部内に供給される。
【００２６】
これにより、エピタキシャル成長時の温度より高温（１１５０℃）とし、塩酸ガス量を増やし、しかもその塩酸ガスの流量比（反応容器１１の両側部に供給された塩酸ガスの流量との対比）が、エピタキシャル成長時より中央部を外周部に比べ倍以上に増加させた条件で施される。その結果、反応容器１１内、特に反応容器１１の上流側の両コーナー部１１ａを含む両側部内、さらにそのうちでも、反応容器１１の上流側の両コーナー部１１ａ内で、塩酸ガスの熱拡散を原因とした塩酸ガスの渦流（乱流）が発生し、この領域に塩酸ガスが滞留し易くなる。
よって、従来に比べて、反応容器１１の内壁やサセプタ１２に析出したシリコン（析出物）に対して、塩酸ガスが接触する量および時間が長くなる。これにより、炉内壁やサセプタ１２、特に反応容器１１の上流側の両コーナー部１１ａ内に析出したシリコンＳ（図７）のエッチング速度が高まる。
よって、炉内で析出したシリコンのエッチング時間の短縮および単位時間当たりのエッチング回数の低減が図れ、エピタキシャルシリコンウェーハの生産性を高めることができる。しかも、炉内壁などから剥がれて飛散したシリコン片による炉内汚れを軽減することができる。
【００２７】
なお、マスフローコントローラ２２，２３による左右両側のガス配管２０，２１の管路の開度調整は、前述したようにその開度を絞る（小さくする）のではなく、両管路を完全に閉じ、反応容器１１の両側部への塩酸ガスの供給を完全に停止してもよい。
また、炉内ガスエッチング工程後は、上述したウェーハローディング工程（Ｓ３０１）、エピタキシャル成長工程（Ｓ３０２）、ウェーハアンローディング工程（Ｓ３０３）、炉内ガスエッチング工程（Ｓ３０４）が順次繰り返される。
【実施例２】
【００２８】
次に、図５および図６を参照して、この発明の実施例２に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法を説明する。
図５および図６に示すように、この実施例２の特徴は、実施例１のマスフローコントローラ２２，２３に代えて、一対のバイパス管式の流量制御部３０，３１を採用した点である。また、炉内ガスエッチングは、３回のエピタキシャル成長後に行われる（図６のフローシート）。
各流量制御部３０，３１は、左側または右側のガス配管２０，２１の途中に設けられた仕切り弁３２と、両ガス配管２０，２１の途中において、仕切り弁３２を跨ぐように配設されたバイパス管３３と、両バイパス管３３の途中に下流へ向かって順に配設されたバイパス仕切り弁３４と流量制御弁３５とを有している。
【００２９】
エピタキシャル成長時には、両バイパス仕切り弁３４を閉じ、両仕切り弁３２を開く。これにより、左右のガス配管２０，２１を流れる反応ガスとキャリアガスとは、両側のガス導入口１６，１７から反応容器１１の両側部にそれぞれ供給される。
一方、炉内ガスエッチング時には、両バイパス仕切り弁３４を開き、両仕切り弁３２を閉じる。この状態で左右のガス配管２０，２１に塩酸ガスを流せば、塩酸ガスは管途中でバイパス管３３へ流入し、流量制御弁３５によりガス流量が５リットル／分に制限され、両ガス導入口１６、１７から反応容器１１の左側部内および右側部内へ供給される。
【００３０】
このように、マスフローコントローラ２２，２３に代えてバイパス管式の流量制御部３０，３１を採用したので、タイムラグが無く所定流量のガスを流すことができ、再現性よく反応容器１１の内壁などに析出したシリコンをエッチングすることができる。
その他の構成、作用、効果は実施例１から推測可能な範囲であるので、説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】この発明の実施例１に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法に用いられるエピタキシャル成長炉の使用状態の平面図である。
【図２】発明の実施例１に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法に用いられるエピタキシャル成長炉の使用状態の側面図である。
【図３】この発明の実施例１に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法のフローシートである。
【図４】この発明の実施例１に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法を適用して得られた反応容器内での塩酸ガスの流れを示す平面図である。
【図５】この発明の実施例２に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法に用いられるエピタキシャル成長炉の使用状態の平面図である。
【図６】この発明の実施例２に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法のフローシートである。
【図７】従来手段に係るエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法に用いられるエピタキシャル成長炉の使用状態の平面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１０ エピタキシャル成長炉、
１１ 反応容器、
１２ サセプタ（ウェーハ保持部材）、
１５〜１７ ガス導入口、
１８ ガス排気口。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェーハが水平配置される平面視して矩形状の横型の反応容器のうち、該反応容器の長さ方向の一端部に形成されたガス導入口から、前記反応容器の長さ方向の他端部に形成されたガス排気口に向かって塩酸ガスを流すことで、前記シリコンウェーハの表面に対するシリコンのエピタキシャル成長中に、前記反応容器の内壁およびウェーハ保持部材に析出したシリコンをエッチングするエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法において、
前記反応容器へ供給される塩酸ガスの流量を、前記反応容器の幅方向の中央部より、該反応容器の幅方向の両側部の方を小さくするエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法。
【請求項２】
シリコンウェーハが水平配置される平面視して矩形状の横型の反応容器のうち、該反応容器の長さ方向の一端部に形成されたガス導入口から、前記反応容器の長さ方向の他端部に形成されたガス排気口に向かって塩酸ガスを流すことで、前記シリコンウェーハの表面に対するシリコンのエピタキシャル成長中に、前記反応容器の内壁およびウェーハ保持部材に析出したシリコンをエッチングするエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法において、
前記反応容器へ供給される塩酸ガスを、前記反応容器の幅方向の中央部からのみ供給するエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法。
【請求項１】
シリコンウェーハが水平配置される平面視して矩形状の横型の反応容器のうち、該反応容器の長さ方向の一端部に形成されたガス導入口から、前記反応容器の長さ方向の他端部に形成されたガス排気口に向かって塩酸ガスを流すことで、前記シリコンウェーハの表面に対するシリコンのエピタキシャル成長中に、前記反応容器の内壁およびウェーハ保持部材に析出したシリコンをエッチングするエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法において、
前記反応容器へ供給される塩酸ガスの流量を、前記反応容器の幅方向の中央部より、該反応容器の幅方向の両側部の方を小さくするエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法。
【請求項２】
シリコンウェーハが水平配置される平面視して矩形状の横型の反応容器のうち、該反応容器の長さ方向の一端部に形成されたガス導入口から、前記反応容器の長さ方向の他端部に形成されたガス排気口に向かって塩酸ガスを流すことで、前記シリコンウェーハの表面に対するシリコンのエピタキシャル成長中に、前記反応容器の内壁およびウェーハ保持部材に析出したシリコンをエッチングするエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法において、
前記反応容器へ供給される塩酸ガスを、前記反応容器の幅方向の中央部からのみ供給するエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−３４４２４（Ｐ２０１０−３４４２４Ａ）
【公開日】平成２２年２月１２日（２０１０．２．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１９６９６７（Ｐ２００８−１９６９６７）
【出願日】平成２０年７月３０日（２００８．７．３０）
【出願人】（３０２００６８５４）株式会社ＳＵＭＣＯ (1,197)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年２月１２日（２０１０．２．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年７月３０日（２００８．７．３０）
【出願人】（３０２００６８５４）株式会社ＳＵＭＣＯ (1,197)
【Ｆターム（参考）】
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