【課題】酸素を含む高品質な薄膜の形成が可能で、水分発生器やオゾン発生器を必要とせず、低コスト化を実現する。
【解決手段】複数の基板を積層して収容する反応管２０３と、第１の原料ガスを供給する第１のガス供給手段２３２ａと、Ｏ含有ガスとＨ含有ガスとを含む第２の原料ガスを供給する第２のガス供給手段２３２ｂと、反応管内を排気する排気手段２４６と、を有し、第１のガス供給手段は、反応管の下部に接続され第１の原料ガスを供給する第１のガス供給配管と、反応管内に立設され複数のガス供給口２４８ａを有するガスノズル２３３と、を備え、第２のガス供給手段は、反応管の頂部に接続され第２の原料ガスを供給する第２のガス供給管を備え、第１の原料ガスと第２の原料ガスとを互いに混合することなく交互に供給して基板上に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】一端が閉塞され、他端が開放可能に設けられた炉口扉によって閉塞され、拡散基板にドーパントを熱拡散させる炉芯管と、基板を搭載し、前記炉口扉を開放することによって形成される炉芯管の基板出入口から炉芯管に出入する拡散基板ボートとを備えた半導体基板拡散炉において、前記炉芯管の一端閉塞部を気密に貫通してドーパント拡散用プロセスガス噴射ノズルを配設し、前記ボートに、該ボートに搭載される各基板に向けてプロセスガスを噴出させる一又は複数のガス案内管を配設すると共に、該ガス案内管をガス導入管を介して前記噴射ノズルと結合して、前記噴射ノズルからのプロセスガスを前記ガス案内管から各基板に噴出させるように構成したことを特徴とする半導体基板拡散炉。
【効果】本発明では、拡散基板に対し確実にプロセスガスを供給して均一なシート抵抗を有する拡散基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ガス供給ノズル内でのＳｉ原料ガスの分解や、ガス供給ノズルの内壁面等へのＳｉの析出を抑制することが可能な基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のガス供給部６０ａから少なくともシリコン含有ガス及び塩素含有ガス、若しくは、シリコン及び塩素含有ガスを反応室４４内へ供給し、第２のガス供給部６０ｂから少なくとも還元ガスを反応室内へ供給し、第１のガス供給部又は第２のガス供給部から少なくとも炭素含有ガスを前記反応室内へ供給する。 （もっと読む）

絶縁層としてフッ素化炭素層を持つ半導体装置を製造する方法であり、前記方法は：マイクロ波パワー励起プラズマを用いて第１のフッ素化炭素（ＣＦｘ１）層を形成するステップ；及びＲＦパワー励起プラズマを用いて第２のフッ素化炭素（ＣＦｘ２）層を形成するステップを含む。
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【課題】多数枚の基板に、均一な膜厚でＳｉＣ膜を成膜することができる熱処理装置において、シリコンガス供給ノズルの閉塞を防止する。
【解決手段】熱処理装置１０は、ウエハ１４にＳｉＣ膜を成長させることを可能とする処理室４４と、ウエハ１４を縦方向に複数略水平に支持し、処理室４４内でウエハ１４を支持するボート３０と、処理室４４内に反応ガスであるカーボン含有ガスを供給するガス供給ノズル６０及びシリコン含有ガスを供給するガス供給口７０を備え、ガス供給口７０の上端は、シリコンの熱分解温度以下の温度領域である、反応管の下部領域で開口している。 （もっと読む）

【課題】多数枚の基板に、均一な膜厚で成膜することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１０は、ウエハ１４にＳｉＣ膜を成長させることを可能とする処理室４４と、ウエハ１４を縦方向に複数略水平に支持し、処理室４４内でウエハ１４を支持するボート３０と、処理室４４内に設けられた発熱体と、反応ガスを供給するガス供給ノズル６０と、を有し、発熱体は、処理室４４内でボート３０の少なくとも一部を覆うサセプタ４８と、このサセプタ４８とボート３０との間に設けられたサセプタウォール１６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】低温で高ストレスのシリコン窒化膜を形成することができるシリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、反応管２内にジクロロシランを供給し、半導体ウエハＷにジクロロシランと反応した反応物を形成する。次に、反応管２内に水素ラジカルを供給してこの反応物と反応させ、反応物に含まれる塩素を除去する。続いて、反応管２内を４０Ｐａ〜１００Ｐａに設定し、この設定した反応管２内にアンモニアラジカルを供給する。これにより、アンモニアラジカルと反応物とが反応して、半導体ウエハＷにシリコン窒化膜が形成される。この処理を複数回繰り返すことにより所望のシリコン窒化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】プロセス温度が室温程度の低い温度帯域でプラズマ処理する際に、そのプロセス温度を低く維持してプラズマ成膜処理等のプラズマ処理の再現性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器２４と、被処理体Ｗを保持して処理容器内へ挿脱される保持手段２８と、ガスを供給するガス供給手段４６，４８と、処理容器の長さ方向に沿って設けられてガスを高周波電力により発生したプラズマにより活性化する活性化手段５８とを有して、被処理体に対してプラズマ処理を施すようになされたプラズマ処理装置において、高周波を遮断するために処理容器の周囲を囲むようにして設けられると共に接地された筒体状のシールド筐体７２と、プラズマ処理中にシールド筐体と処理容器との間の空間部８２に沿って冷却気体を流す冷却機構７４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、処理容器内に原料ガスを供給することで、窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層上に形成された所定元素含有層および窒化層を、酸化層また酸窒化層に変化させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】膜ストレスを制御することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ２００を処理する空間を成す処理室２０１に対し、塩素を含むガスと、アンモニアガスとを交互に供給、排出して、ウエハ２００に所望の薄膜を形成する基板処理方法であって、アンモニアガスの供給時間を、塩素を含むガスを供給する時間の２倍より長く供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設けることで分離領域Ｄに前記反応ガスが侵入することを阻止すると共に、前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出し、前記分離領域Ｄの両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記反応ガスが回転テーブルの周縁と真空容器の内周壁との隙間を介して排気する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によって、反応管内に配置された各ワークに対するガスの供給を均一化することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 ガス導入部１６２は、マニホールド１６に配置されるとともに、インナーチューブ１４内のワーク２４に対してガスを噴出可能なガス吹出口１６６を有する。インナーチューブ１４は、ワーク２４を挟んでガス吹出口１６６に対向する位置に配置され、かつ、反応管１１の長さ方向に沿って延びるように形成された長孔状の開口部１４４と、開口部１４４の少なくとも一部を閉塞可能な板状のカバー部材１４２を備える。カバー部材１４２は、開口部１４４に対する相対位置を調整可能に支持される。カバー部材１４２は、開口部１４４の開口領域の幅が、ガス排出部１６４に近づくほど狭くなるように配置される。 （もっと読む）

【課題】新規な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る成膜装置は、原料ガスの噴出口が設けられたガス導入管と、前記原料ガス中の原料を堆積させる基板が配置される基板配置場所と、前記噴出口と前記基板配置場所との間に設置された、前記原料ガス中に含まれる不純物の少なくとも一部を堆積させる堆積部材とを、処理室内に備えている。本実施形態に係る成膜方法は、処理室内に原料ガスを導入し、前記原料ガス中に含まれる不純物の少なくとも一部を基板に到達する前に堆積部材に堆積させ、前記基板上に前記原料ガス中の原料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつエッチング耐性に優れた窒化シリコン系絶縁膜を形成する。
【解決手段】基材上にシラン系ガス（ＤＣＳ）、窒化性ガス（ＮＨ３）及びホウ素含有ガス（ＢＣｌ３）を、Ｎ２パージを逐次行いながらこの順で供給してホウ素含有窒化シリコン層を形成する工程と、このホウ素含有窒化シリコン層に、プラズマにより活性化された窒化性ガス（活性化ＮＨ３）を供給する工程とを含み、これらの工程をこの順で繰り返し行う成膜方法。 （もっと読む）

プロセスチャンバ用の基板支持体が、基板を受け取るための受取り表面を有する静電チャックと、静電チャックの下にあるガス分散器ベースプレートとを備える。ガス分散器ベースプレートが、複数のガス出口を有する円周側壁を備え、ガス出口が互いに離隔して設けられて、プロセスガスを基板の外周縁の周りから半径方向外方向へプロセスチャンバ内に導入する。
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【課題】真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に回転テーブル上の基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、基板の表面に形成された凹部内に薄膜を良好に埋め込むこと。
【解決手段】ウェハＷを載置した回転テーブル２を鉛直軸回りに回転させることによって、ウェハＷの表面に第１の反応ガスを供給してこの反応ガスを吸着させ、次いでこの第１の反応ガスと反応して流動性を持つ中間生成物を生成する補助ガス及びこの中間生成物と反応して反応生成物を生成する第２のガスをこの順番でウェハＷの表面に供給し、その後ウェハＷを加熱ランプ２１０により加熱して反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するＡＬＤにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。
【解決手段】ＡＬＤを行う成膜装置１０１と、アニール処理を行う熱処理装置１０２と、を真空搬送室１０３に気密に接続すると共に、真空搬送室１０３内に自転機構である回転ステージ１３２を設ける。そして、ウェハに対してＢＴＢＡＳガスを供給してこのガスを吸着させ、次いでＢＴＢＡＳガスと反応して流動性を持つシロキサン重合体を生成するエタノールガス及びこのシロキサン重合体を酸化するＯ3ガスをこの順番で供給して成膜処理を行うと共に、この成膜処理の途中で成膜装置１０１からウェハを取り出して、基板を回転させてその向きを変更し、またアニール処理を行って反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

【課題】均一に活性化された処理ガスを供給することの可能な活性化ガスインジェクター及びこのインジェクターを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】活性化ガスインジェクター３２は、ガス活性化室３２３とガス導入室３２２とに区画され、これらの空間３２３、３２２が互いに連通された流路形成部材３２１と、前記ガス導入室３２１に処理ガスを導入するためのガス導入ポート３９と、ガス活性化室３２３内に互いに並行に伸びるように設けられ、処理ガスを活性化させるための電力が印加される一対の電極３６ａ、３６ｂと、ガス活性化室３２３にて活性化されたガスを吐出するために電極３６ａ、３６ｂの長さ方向に沿って設けられたガス吐出口と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】減圧した後、上端面が外側に湾曲している縦型の反応管内に処理ガスを供給して、反応管内の基板に対して例えば成膜処理などの熱処理を行うにあたり、面内及び基板間において均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】反応管内における基板が保持される処理領域の上方の領域に、多数の板状体などの構造物を設置することにより基板保持具の収納領域の上方側空間を埋める。反応管の外周面に沿って処理ガス導入ダクトを上下方向に設け、このダクト内を処理ガスを上昇させ、反応管の上端面のガス導入口から処理空間に導入する。前記構造物を配置することで上方領域における処理ガスの滞留が抑えられて過剰な反応活性種の生成が抑制される。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設けることで分離領域Ｄに前記反応ガスが侵入することを阻止すると共に、前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出し、前記分離領域Ｄの両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記反応ガスが回転テーブルの周縁と真空容器の内周壁との隙間を介して排気する。 （もっと読む）