【課題】基板が載置されたテーブルに対して反応ガスを供給する反応ガス供給手段を相対的に回転させて反応生成物を積層して薄膜を成膜するにあたり、膜厚方向に亘って膜質が良好で均質な薄膜を成膜すること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＳｉ含有ガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＳｉ含有ガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜する成膜処理と、プラズマを用いてこのシリコン酸化膜の改質を行う改質処理と、からなる成膜−改質ステップを行った後、Ｓｉ含有ガスの供給を停止してプラズマを用いてシリコン酸化膜の改質ステップを行う。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置で一括して処理される複数枚の半導体基板上に形成する膜の品質ばらつきを低減することができる技術を提供する。
【解決手段】加熱処理の前段階では、複数のガス供給孔２３２２のそれぞれの形成位置（高さ）が、高さ方向において、隣接するウェハ２００間の中央位置に近い位置からずれるように配置する。これにより、実際に加熱処理が実施された場合、ずらした高さが、加熱処理でのボート２１７とガス供給部２３２１の熱膨張率の相違に起因した伸び代の相違で吸収されて、加熱処理を実施する際には、各ウェハ２００の表面に効率よく、かつ、均一に処理ガスを供給することができる。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板に不純物が均一にドーピングされた炭化珪素膜を成膜することができる半導体製造装置及び基板の製造方法及び基板処理装置を提供する
【解決手段】反応室内に延在されて設けられる第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０と、第１のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第２のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され1以上の第１のガス供給口６８を有する第１の分岐ノズルと、第２のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第１のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され、1以上の第２のガス供給口７２を有する第２の分岐ノズルとを備え、第１のガス供給口と第２のガス供給口とが基板の積層方向に隣接するように設けられた基板処理装置によって課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】爆発等の発生を抑制することができる熱処理装置、半導体装置の製造方法、及び、基板の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気コイル５０によりアウターチューブ４２内を電磁誘導加熱するとともに、アウターチューブ４２とライナーチューブ２０４との間には、不活性ガス供給ノズル２１０が設けられており、この不活性ガス供給ノズル２１０の不活性ガス供給孔２１２から窒素（Ｎ_２）等の不活性ガスを導入し、処理室４４外の周囲空間２１４を上方から下方に向かってパージする。周囲空間２１４を不活性ガス雰囲気とし、この周囲空間２１４内の大気（酸素）濃度を低くする。 （もっと読む）

【課題】酸化処理の面内均一性を向上させる。
【解決手段】 基板の側方に設けられたノズルから酸素含有ガスを第１の流量にて基板に向けて供給し、その際、そのノズルと同じノズルから、酸素含有ガスと一緒に不活性ガスを第１の流量よりも大きな第２の流量にて供給することで、基板の表面と平行方向に流れる酸素含有ガスの流速を、酸素含有ガスを第１の流量にて単独で流す場合における基板の表面と平行方向に流れる酸素含有ガスの流速よりも大きくする （もっと読む）

【課題】低温での酸化膜形成において、ウエハ面内の膜厚均一性を向上させた基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を収容して処理する反応管と、前記反応管内を加熱するヒータと、前記反応管内で前記複数枚の基板を所定の間隔で積層し配列させて保持する基板保持具と、前記反応管内の前記複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の基板配列方向における複数箇所から前記反応管内に、酸素含有ガスと水素含有ガスとを混合させて供給するガス供給ノズルと、前記反応管内を排気する排気口と、前記反応管内の圧力が大気圧よりも低い所定の圧力となるように制御する圧力制御部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】処理ガス供給配管の置換容積を最小限とし、反応室内に供給する処理ガスの切替え速度を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室５２と、該処理室内に複数の処理ガスを供給する複数の処理ガス供給手段と、前記処理室内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給手段と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、前記複数の処理ガス供給手段と前記キャリアガス供給手段と前記排気手段とを制御する制御手段とを具備し、前記複数の処理ガス供給手段は、処理ガス配管部に上流側から順に設けられた上流側バルブ５６，６３と流量制御手段５７，５８，６４と下流側第１バルブ５９，６５と下流側第２バルブ６２，６７とを有し、前記キャリアガス供給手段は、キャリアガス配管部に設けられたバルブ７９，８３の下流側で前記下流側第２バルブ６２，６７と前記処理室５２との間にもそれぞれ接続される基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】誘導コイルの外側に設けられた金属材料で構成された部材が誘導加熱されることを抑制し、基板処理中の安全性を向上させる。
【解決手段】基板１４を収容する反応管４２と、該反応管の外周を囲うように設けられた誘導加熱部５０と、該誘導加熱部の外を囲うように設けられる遮蔽部１００と、前記反応管４０内に少なくとも原料ガスを供給するガス供給部２６０，２７０，２８０と、前記誘導加熱部５０が前記反応管４０内を加熱すると共に、前記ガス供給部２６０，２７０，２８０から原料ガスを前記反応管４０内へ供給させて前記基板１４を処理する制御部１５２と、を備え、前記遮蔽部１００が、前記誘導加熱部５０の外を囲うように設けられている。 （もっと読む）

【課題】縦型チューブＡＬＤ（原子層堆積）装置を用いる成膜方法において、スループットや膜質の変化を回避しながら面内膜厚分布均一性を向上させる。
【解決手段】複数枚のウエハを水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容した処理室内に、各ウエハに対応するように複数のガス供給孔が設けられた第１ノズルを介してＤＣＳ（ジクロロシラン＝ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）ガスを供給して各ウエハに成膜する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ガス供給孔の位置を隣接する前記ウエハ間の中心位置よりも上方に対応する位置に配置することで、ウエハ面内膜厚分布をウエハ中央部膜厚がウエハ周辺部膜厚よりも厚い分布となるように制御するか、もしくは、前記ガス供給孔の位置を隣接する前記ウエハ間の中心位置よりも下方に対応する位置に配置することで、ウエハ面内膜厚分布をウエハ中央部膜厚がウエハ周辺部膜厚よりも薄い分布となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】
レジスト層あるいはアモルファスカーボン層を表面に有する基板に、低温で良質の膜を形成する。
【解決手段】
レジスト層もしくはアモルファスカーボン層を表面に有する基板にＨＭＤＳガスを曝すＨＭＤＳガス暴露工程と、基板に酸素含有ガスを曝す酸素含有ガス暴露工程と、を行うことにより、少なくともレジスト層もしくはアモルファスカーボン層の上にシリコン酸化膜を形成する。これにより、基板の表面のレジストあるいはＡＣＬにダメージを与えることのない低い処理温度で、不純物が少なく、ウェットエッチングレートが低い膜をレジストあるいはＡＣＬの上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ガス配管同士を接続するフランジ部に於いて、該フランジ部を加熱するヒータの寿命の延長を図ると共に、前記フランジ部を効率よく加熱可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収納し処理する反応管と、該反応管内に処理ガスを供給するガス供給管、前記反応管内の雰囲気を排気するガス排気管等のガス配管を具備し、該ガス配管同士は端部に形成されたフランジ部４４ａ，４６ａを介してクランパ３によって接続され、該フランジ部に連続する直管部４４，４６にヒータ９４を設けると共に前記フランジ部にもヒータ９３，９５を設け、前記フランジ部及び前記直管部を覆う断熱材９２を設けた。 （もっと読む）

【課題】成膜に要する時間短縮と生産性向上を両立可能なＡＬＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】内部に複数のウェハ３を保持するウェハボ−ト２を有する中空筒状の反応室１と、前記各ウェハに対応した位置にそれぞれ第一のガス吹出し孔が設けられた、前記反応室内に原料ガスを供給する原料ガス供給管と、前記各ウェハに対応した位置にそれぞれ第二のガス吹出し孔が設けられた、前記反応室内にパ−ジガスを供給するパ−ジガス供給管と、前記反応室内において前記原料ガス供給管と前記ウェハボ−トを挟んで対抗する位置に配置されるとともに、前記各ウェハに対応した位置にそれぞれ排気孔１１が設けられた、前記原料ガスの供給時に使用される第一の排気管７と、前記反応室に連通され、前記第一の排気管７よりも大口径の、前記パ−ジガスの供給時に使用される第二の排気管１９と、を具備するＡＬＤ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を得ることのできる基板処理装置を提供する、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室２１内に基板１６を搬入する工程と、前記処理室２１内に少なくともホウ素含有ガス３１ａを供給し、前記基板１６上にホウ素膜を形成するホウ素膜形成工程と、処理室内に少なくとも窒素含有ガス３１ｃを供給し、ホウ素膜形成工程で形成したホウ素膜を窒化する窒化処理工程とを有し、ホウ素膜形成工程と窒化処理工程とから構成される一連の処理工程を、２回以上繰り返すことにより、所定膜厚の窒化ホウ素膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】下地膜の結晶性の影響を抑え、高誘電率の結晶構造としたキャパシタ絶縁膜とする。
【解決手段】基板２００の上に形成された結晶質膜３１０の上に非晶質膜３２０を形成する非晶質膜形成工程と、非晶質膜３２０の上に結晶質膜３１０の結晶構造とは独立して制御される結晶構造を持つ絶縁膜３３０を形成する結晶性絶縁膜形成工程と、を有する。結晶性絶縁膜形成工程においては、基板２００を加熱して前記絶縁膜３３０の少なくとも一部を正方晶系へ相転移させる相転移工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を載置した回転テーブルを回転させてプラズマ処理を行うにあたり、基板に対して面内均一性の高い処理を行うこと。
【解決手段】回転テーブル２の周方向に複数のプラズマ発生部８０を備えた活性化ガスインジェクター２２０からウエハＷ上のシリコン酸化膜に対して処理ガスのプラズマを供給して改質処理を行う。この時、夫々のプラズマ発生部８０（補助プラズマ発生部８２）の長さ寸法Ｒを変えることができるように構成し、回転テーブル２の中心部側から外周部側におけるウエハＷの改質の度合い（プラズマの量）を調整する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に成膜する際に、基板間での膜厚のばらつきを抑制する。
【解決手段】チャンバ（２）内で複数の基板（１）に膜を形成する成膜装置は、保持機構（３）と、ガス導入管（５）と、を有する。保持機構（３）は、天板（６）と底板（７）とを有し、チャンバ（２）内で天板（６）と底板（７）との間に、複数の基板（１）を該基板の板面に直交する第１の方向（Ｔ）に所定の間隔を空けて保持する。ガス導入管（５）は、第１の方向（Ｔ）に沿って延び、材料ガスを噴射する噴射口（５ａ）が第１の方向（Ｔ）に並べて設けられている。天板（６）と底板（７）のうちの少なくとも一方は、複数の基板（１）を保持する保持機構（３）の領域から、ガス導入管（５）の噴射口（５ａ）が形成された部分を越えて存在している。 （もっと読む）

【課題】クラックや膜剥がれを強制除去し、反応管をパーティクルが発生しない状態にすることで基板の生産性を向上できる手法を提供する。
【解決手段】成膜された基板２を処理室３２から搬出した後、該処理室内の温度を成膜温度より高い温度へと昇温する工程と、昇温された前記処理室内の温度が一定温度に安定した後に該処理室にプラズマ励起により活性化された活性化ガス及び窒化剤の混合ガスを供給して、前記処理室内に付着しクラックや膜剥がれを起こしている膜を強制除去する工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤにより従来よりも膜質の良好なシリコン窒化膜を形成することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体（ウエハ）を搬入し、Ｓｉソースとしてのモノクロロシランガスを処理容器内へ供給する工程Ｓ１と、窒化ガスとしての窒素含有ガス（ＮＨ_３ガス）を処理容器内へ供給する工程Ｓ２とを、パージガスを供給して処理容器内に残留するガスを除去する工程Ｓ３ａ、Ｓ３ｂを挟んで交互に実施する。 （もっと読む）

【課題】第１の反応ガスと第２の反応ガスとの混合を効果的に抑制することにより、回転テーブルの回転速度の増大を通してスループットの向上を図る。
【解決手段】本成膜装置は、回転テーブルの中心と外周上の異なる２つの点とをカバーするように延び第１及び第２の領域に分ける分離領域であり、第１分離ガスで分離領域を第１及び第２の領域より高圧に維持可能な分離領域；第１分離ガスの回転テーブルの中心から外周への流れを抑制して、分離領域を第１及び第２の領域より高圧に制御する圧力制御部；第１の領域にて回転テーブルへ第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部；第２の領域にて回転テーブルへ第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部；第１反応ガスと分離領域からの第１分離ガスとの両方を合流して第１の領域を通して排気する第１排気口；及び第２反応ガスと分離領域からの第１分離ガスとの両方を合流して第２の領域を通して排気する第２排気口を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、成膜レートの低下を改善することができ、組成比を適切に調整することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 基板を収容した処理室内に第１の処理ガスを供給して基板上に第１の処理ガスを吸着させる工程と、処理室内をパージする工程と、処理室内に第２の処理ガスと第３の処理ガスとを同時に供給して基板上に吸着している第１の処理ガスと反応させる工程と、処理室内をパージする工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返すことにより、基板上に所定膜厚の薄膜を形成し、その際、基板の温度と処理室内の圧力を、各処理ガスが自己分解しない程度の処理温度と処理圧力であって、第２の処理ガスと第３の処理ガスとが互いに反応せず、第２の処理ガスと第３の処理ガスのそれぞれが第１の処理ガスと反応するような処理温度および処理圧力に設定するようにした。 （もっと読む）