【課題】 本発明の目的は、成膜レートの低下を改善することができ、組成比を適切に調整することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 基板を収容した処理室内に第１の処理ガスを供給して基板上に第１の処理ガスを吸着させる工程と、処理室内をパージする工程と、処理室内に第２の処理ガスと第３の処理ガスとを同時に供給して基板上に吸着している第１の処理ガスと反応させる工程と、処理室内をパージする工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返すことにより、基板上に所定膜厚の薄膜を形成し、その際、基板の温度と処理室内の圧力を、各処理ガスが自己分解しない程度の処理温度と処理圧力であって、第２の処理ガスと第３の処理ガスとが互いに反応せず、第２の処理ガスと第３の処理ガスのそれぞれが第１の処理ガスと反応するような処理温度および処理圧力に設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】 高温領域において、膜中の不純物濃度が極めて低く、膜厚均一性が良好な絶縁膜を形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気して所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し排気して所定元素含有層を酸化層に変化させる工程とを、その間に処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返して基板上に酸化膜を形成する工程を有し、所定元素含有層を形成する工程では、原料ガスを基板の側方に設けられたノズルを介して基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを基板に向けて供給することで、基板表面と平行方向に流れる原料ガスの流速を、処理容器内をパージする工程において基板表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、高温での酸化膜形成におけるリスクを回避しつつ酸化膜の膜質を向上させ、電気特性を改善することにある。また、本発明の他の目的は、酸化膜形成の際に、下地となる材料の消費を最小限に抑え、微細な構造への適正な酸化膜形成を実現することにある。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給し排気して、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し排気して、所定元素含有層を酸化層に変化させる工程と、を交互に繰り返して、基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給し排気して、基板上に形成された酸化膜を改質する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板を載置するための基板載置部材を回転テーブルに着脱自在に設けることにより、前記回転テーブルにおける基板載置面の表面粗さが適切な範囲から外れた場合に容易に対応できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に設けられ、水平面に沿って回転する回転テーブル２に形成された凹部２４の内部に、基板をなすウエハＷを載置するための基板載置部材２００を着脱自在に設ける。この基板載置部材２００には、回転テーブル２の回転時に遠心力によるウエハＷの移動を規制する位置規制部２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃが設けられている。基板載置部材２００は着脱自在に設けられているので、回転テーブル２の回転時にウエハＷの移動がある場合や、クリーニングによって基板載置部材２００の表面が荒れ、表面粗さが適切な範囲から外れた場合には、基板載置部材２００を交換する。 （もっと読む）

【課題】液体原料を効率的に気化することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１４を処理する処理室７０と、気化器８２により液体原料を気化して得られた気化ガスを、処理室７０内に供給する第１のガス供給管８０ａ、第１のキャリアガス供給管１００ａ及び第１のガス供給ノズル９６ａと、処理室７０内の雰囲気を排気する真空ポンプ１１４と、を有し、気化器８２は、液体原料を導入して当該液体原料を気化する気化室を少なくとも２以上備える。 （もっと読む）

【課題】処理室内の放電を防止する。
【解決手段】バッチ式リモートプラズマ処理装置は、複数枚のウエハ１を保持したボート２が搬入される処理室１２に高周波電源３１が接続された一対の電極２７、２７が近接して配置され、処理室１２の両電極間には誘電体製のガス供給管２１が配置されている。処理室１２はシールキャップ１９で閉塞され、ヒータ１４で加熱され、排気管１６で排気され、ボート２は回転軸２０で回転される。プロセスチューブ１１はＳＵＳ製のマニホールド１５で支持し、筐体８はマニホールド１５を絶縁体１５Ａを介して支持する。排気管１６は絶縁体１６Ａを介してマニホールド１５に接続する。シールキャップ１９と回転軸２０は絶縁体１９Ａと２０Ａでマニホールド１５と処理室１２から絶縁する。マニホールド１５がアースから電気的にフローティングするので、放電は起きない。 （もっと読む）

【課題】処理室内を撮影することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室１４を構成したプロセスチューブ１３と、処理室１４内を加熱するヒータユニット４０と、処理室１４を閉塞するシールキャップ２５と、シールキャップ２５に支承された回転軸３０と、回転軸３０に立設されたボート３１とを備えている熱処理装置において、シールキャップ２５の周辺部に透明な石英によって形成された保護管７０を立設し、保護管７０内に内視鏡８０を下端部の開口から挿入し、カメラ９０をシールキャップ２５下面以下において内視鏡８０に光学的に連結する。 （もっと読む）

【課題】高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い炭素含有酸化シリコン膜を得ることのできる基板処理装置、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い炭素含有酸化シリコン膜を形成することのできる半導体装置の製造方法、又は膜の形成方法を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内にエチル基結合を有するシリコン含有ガスを供給し、前記基板上に炭化珪素膜を形成する第１の処理工程と、前記処理室内に酸素含有ガスを供給し前記炭化珪素膜を酸化する第２の処理工程とを有し、前記第１の処理工程と前記第２の処理工程から構成される一連の処理工程を、１回以上繰り返すことにより、所定膜厚の炭素含有酸化シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に互いに離れた第１、第２の処理領域に夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段とを設ける。前記回転方向において第１、第２の処理領域の間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設ける。さらに前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の処理領域及び第２の処理領域に夫々対応する真空容器の側壁部位に一方及び他方の真空排気口を形成する。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止しかつ反応ガスの消費量を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設けることで分離領域Ｄに前記反応ガスが侵入することを阻止すると共に、前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段は、真空容器の径方向に伸び、基板の通過領域と対向するガスノズルにより構成する。 （もっと読む）

【課題】基板を載置する回転テーブルの周方向に沿って設けられる第１の反応ガスが供給される第１の処理領域と、第２の反応ガスが供給される第２の処理領域とをこれら処理領域の雰囲気を分離するための分離領域とを備えた、薄膜を積層する成膜装置において、成膜速度の低下を抑えること。
【解決手段】反応ガスを吐出する吐出孔が、その長さ方向に沿って形成されたガスノズルと、そのガスノズルの上方側に分離ガスを通流させるための通流空間と、前記ガスノズルから前記上流側及び下流側の少なくとも一方に向かって張り出した整流部材と、を備えるように成膜装置を構成し、前記分離ガスを前記通流空間にガイドすることで処理領域の反応ガスの濃度低下を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】複数の排気路の排気流量を各々調整することにより、真空容器内における処理ガスの気流を制御して基板へのガス流れを一定に保つこと。
【解決手段】第１のバルブ６５ａが介設された第１の排気路６３ａと、第２のバルブ６５ｂが介設された第２の排気路６３ｂと、から真空容器１内の雰囲気を夫々真空排気できるようにして、真空容器１内の圧力が処理圧力Ｐとなるように第１のバルブ６５ａの開度を調整すると共に、第１の排気路６３ａの排気流量と第２の排気路６３ｂの排気流量とをレシピに応じた設定値にするために、バタフライバルブ６７の開度Ｖをテーブル８６に記載された値に設定し、次いで差圧計６８の測定値がテーブル８６に記載された差圧ΔＰとなるように第２のバルブ６５ｂの開度を調整する。 （もっと読む）

【課題】バッファ室と反応室を連通させる孔及び孔の近傍に膜が堆積することを抑制し、堆積した膜によるパーティクルの発生を防止し、基板の品質を低下させることなく処理可能なプラズマ基板処理装置を提供する。
【解決手段】筒状の反応容器２９と、該反応容器の内部に画成され複数の基板２を収納可能な反応室３２と、前記反応容器の内部に設けられたバッファ室３８と、前記反応容器の長手方向に沿って設けられ前記バッファ室に処理ガスを導入可能なガス導入部３４，３５とを具備し、前記バッファ室は前記ガス導入部から導入される処理ガスを前記反応室に供給する複数のガス供給孔４８，５３と、プラズマ発生用の電極５４，５５を収容する空間５９と、前記バッファ室の壁を貫通し前記反応室に開口する孔であって、前記反応容器の薬液洗浄時に用いる水抜き孔を少なくとも１つ有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生のために誘導結合型の電極を用いることにより、プラズマ形成ボックス内の壁面がエッチングされることを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、複数の被処理体Ｗを保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段２２と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段３８と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段６０とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の長手方向に沿って設けられるプラズマ形成ボックス６４と、前記プラズマ形成ボックスに沿って設けられる誘導結合型の電極６６と、前記誘導結合型の電極に接続された高周波電源６８とよりなる。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの発生を停止した際の気化器内における液体原料の残留を抑制し、液体原料供給経路内の洗浄を容易に行うことが可能な気化器を提供する。
【解決手段】気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔは、液体原料を気化する気化室５１ｓ，５１ｂ，５１ｔと、気化室内を加熱するヒータ６１ｓ，６１ｂ，６１ｔと、液体原料を気化室内に噴霧させる噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔと、噴霧ノズル内へのキャリアガス、液体原料および溶媒の供給を制御するバルブと、を有し、該バルブは噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔに直結されている。 （もっと読む）

【課題】反応管上部から、水素含有ガスや酸素含有ガスを供給しなくても、酸化膜厚の面内均一性を向上する。
【解決手段】複数枚の基板を収容して処理する反応管と、反応管内を加熱するヒータと、反応管内で複数枚の基板を水平状態で隙間をもって鉛直方向に配列させて保持する基板保持具と、複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応して配置され、鉛直方向における複数箇所から反応管内に水素ガスを供給する水素ガスノズルと、基板配列領域に対応して配置され、鉛直方向における複数箇所から前記反応管内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガスノズルと、反応管内を排気する排気口と、反応管内の圧力が大気圧よりも低い所定の圧力となるように制御する圧力制御器とを有し、水素ガスノズルには複数のガス噴出孔が設けられ、該ガス噴出孔は、最上部に位置するガス噴出孔の孔径が最も大きくなるように構成されることを特徴とする基板処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】薄膜中への不純物の取り込みを抑制し、膜質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室内にハロゲン含有ガスを供給するハロゲン含有ガス供給工程と、処理室内にハロゲン含有ガスとは異なる原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で原料ガスの活性種を生成する原料ガス活性種生成工程と、を有し、原料ガスの活性種とハロゲン含有ガスとを反応させて基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、処理室内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で水素含有ガスの活性種を生成する水素活性種生成工程と、を有し、水素含有ガスの活性種と、基板上に形成した薄膜中のハロゲン元素と、を反応させて基板上に形成した薄膜を改質する薄膜改質工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】導電膜もしくは絶縁膜を効率的に除去する半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する第１の工程と、処理室内に複数の原料ガスを供給して基板上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する第２の工程と、処理室内から処理後の基板を搬出する第３の工程と、処理室内に改質ガスを供給して、処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜を改質する第４の工程と、を１サイクルとして複数サイクル繰り返した後、処理室内にクリーニングガスを供給して、改質された導電膜もしくは絶縁膜を含む処理室内に付着した堆積物を除去する第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜中への窒素の導入を促し、酸化膜の誘電率や信頼性を向上させることが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された酸化膜４０１を第１の処理部により窒化する第１の工程と、窒化された酸化膜４０１ｎ上に第２の処理部によりシリコン酸化膜４０２を形成する第２の工程と、シリコン酸化膜４０２を第１の処理部により窒化４０２ｎする第３の工程と、を有し、第１の工程を実施した後、第２の工程と第３の工程とを１サイクルとし、このサイクルを所定回数実施する。 （もっと読む）

【課題】生産性や製造コスト面に優れ、かつ、高スループットを実現することができるとともに、薄膜太陽電池としての変換効率の低下を防ぐことができる薄膜太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】真空中で基板に所望の膜を成膜する成膜室１１と、成膜室に第一開閉部を介して固定された仕込・取出室と、仕込・取出室と第二開閉部を介して固定され、キャリアに対して基板を脱着する基板脱着室と、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持するキャリアと、を備え、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出可能に構成され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行うことができる薄膜太陽電池製造装置であって、成膜室内に付着している副生成物に対してガスを噴射可能な複数のガス噴出口１５７を有する供給管１５１と、供給管に窒素ガスを供給する窒素ガス供給源１５８が接続されている。 （もっと読む）