【課題】等方性酸化を複数枚の基板が積層して配置された装置にて実施する場合に、基板配置場所により水素濃度が異なり酸化膜厚が大きく変動するのを抑制し、高品質な半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内に搬入する工程と、処理室４内を加熱するとともに圧力を大気圧よりも低くした状態で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して半導体ウエハ１を酸化処理する工程と、複数枚の半導体ウエハ１を処理室４内より搬出する工程とを有し、酸化処理する工程では、水素含有ガスを、複数枚の半導体ウエハ１が垂直方向に積層されて配列される基板配列領域に対応する領域の半導体ウエハ１が配列される方向における複数箇所から供給することで、酸素含有ガスと水素含有ガスとを基板配列領域に対応する領域の複数箇所で反応させて反応種を生成し、酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】トラップ機能とバイパス機能とを有する小型のトラップ装置を低コストで提供する。
【解決手段】基板を処理するためのガスを導入するためのガス供給部が接続されているチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置５０であって、前記チャンバーと接続される吸入口５２と、前記排気部と接続される排出口５３と、第１の空間５７を有するバイパス部５１と、前記ガスに含まれる未反応成分を冷却して凝固させて除去する第２の空間６１を有する冷却トラップ部６０と、を有し、前記ガスは、第１の状態では前記第１の空間５７を介し流れ、第２の状態では前記第２の空間６１を介し流れるものであって、前記冷却トラップ部６０に対し第１の流路５５及び第２の流路５６を、回転部５４により相対的に移動させることにより、前記第１の状態と前記第２の状態とを切り替える。 （もっと読む）

【課題】基板表面へ供給される活性種の濃度を増大させ、基板処理工程の効率や生産性を向上させることが可能な基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板を所定の間隔で多段に積層して収容する処理室と、該処理室内で処理ガスを基板の表面へ噴出する複数のガス噴出口が設けられ基板の積層方向に沿って延在するガスノズル２７０ａと、を備え、前記ガス噴出口から噴出する処理ガスを活性化させて基板に供給するガス活性化部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを、前記ガスノズル２７０ａの外側に、前記処理ガスの流れが基板の外周縁に対して垂直となるように通過可能な隙間を空けながら、前記ガス噴出口を囲むように、有する。 （もっと読む）

【課題】蒸着重合によるポリイミドの成膜に適した基板処理装置を提供する。
【解決手段】真空ポンプにより排気可能なチャンバーとなる外部管と、前記外部管内に設けられており、内部に基板が設置される内部管と、前記内部管内にガスを導入するためのガス供給部と、前記基板、前記外部管、前記内部管を加熱するためのヒーターと、前記外部管と前記内部管との間に設けられたトラップ部と、を有し、前記基板を前記ヒーターにより第１の温度に加熱することにより、前記ガス供給部から供給されたガスが蒸着重合反応し、前記基板表面において前記蒸着重合反応によりに生成された膜が成膜され、前記内部管に設けられた開口部から流入した前記ガスにより、前記トラップ部においても、前記蒸着重合反応により生成された膜が成膜されることを特徴とする基板処理装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状部位にもリーク電流が小さく高誘電率のジルコニア系膜を確実に成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態とし、処理容器内にジルコニウム原料と酸化剤とをこの順に供給して被処理体上にＺｒＯ膜を形成する第１工程と、前記処理容器内にジルコニウム原料とシリコン原料と酸化剤とをこの順で供給して被処理体上にＳｉがドープされたＺｒＯ膜を形成する第２工程とを、それぞれの回数を調整して実施することにより、膜中のＳｉ濃度を制御しつつ所定膜厚のジルコニア系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 加熱装置全体としての断熱性を維持しながら、昇温時、温度安定時間の短縮と急冷時間の短縮を図る加熱装置を提供すること。
【解決手段】筒状の側壁内に基板を処理する処理室を設け、この側壁に支持されると共に基板を加熱する発熱体２０を備えた加熱装置である。側壁内層５０、側壁中層６０及び側壁外層７０で区切られた二つの空間が形成される。発熱体２０を取り付ける側壁内層５０と側壁中層６０との間の第一の空間Ｓ１には冷却媒体流通通路１４が形成される。側壁中層６０と側壁外層７０との間の第二の空間Ｓ２には断熱材６３が封入されている。 （もっと読む）

【課題】液体原料からの気化ガスを使用するＡＬＤ装置への該気化ガスの流量を常に目標値になるようにする。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室３２と、タンク８１に充填された液体原料８０に不活性ガスを供給することにより液体原料８０を気化させ、該気化ガスを処理室３２内に供給してウエハ１に成膜するＡＬＤ装置において、前記不活性ガスをタンク８１に供給する流量を制御するレギュレータ８７と、タンク８１内部の絶対圧力を監視する圧力センサ８８と、を設け、コントローラ６１により、圧力センサ８８の監視圧力値に基づいて前記不活性ガスの流量をレギュレータ８７によって調整し、タンク８１内の絶対圧力が一定になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】排気能力の向上を図り、大流量のガス供給時においても処理容器内の圧力を迅速に且つ効率的に減圧雰囲気にすることが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗに所定の処理を施すための処理装置において、処理空間の一側にノズル収容エリア４８が設けられると共に、他側にノズル収容エリアより水平方向に放出されたガスを排気させるための排気口５２が形成された処理容器４４を有する処理容器構造３４と、該処理容器構造の下端の開口部側を塞ぐ蓋部３６と、前記被処理体を支持すると共に、前記処理容器構造内へ挿脱可能になされた支持体構造３８と、ノズル収容エリア内に収容されてガスを導入するガスノズルを有するガス導入手段４０と、処理容器構造内の雰囲気を排気するための複数の排気系４１Ａ，４１Ｂを有する排気手段４１と、前記被処理体を加熱するための加熱手段４２と、装置全体を制御する制御手段１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被処理体を支持する支持体構造における上下の両端部側におけるガスの乱流の発生を抑制して形成される薄膜の膜厚の面内均一性及び膜質の改善を図ることが可能な支持体構造を提供する。
【解決手段】処理ガスを一側から他側に向けて水平方向に流すようにした処理容器構造内で処理すべき複数枚の被処理体Ｗを支持する支持体構造において、天板部９２と、底部９４と、天板部と底部とを連結し、被処理体を支持する複数の支持部１００がその長さ方向に沿って所定のピッチで形成されると共に複数の支持部の内の最上段の支持部と天板部９２との間の距離と複数の支持部の内の最下段の支持部と底部９４との間の距離とが共に支持部間のピッチ以下の長さに設定されている複数の支持支柱９６とを備える。これにより、支持体構造における上下の両端部側におけるガスの乱流の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の膜厚の面内均一性を向上させることが可能な支持体構造を提供する。
【解決手段】複数の被処理体Ｗを収容した状態で処理ガスを一端から他端に向けて流して所定の処理を行うようにした処理容器構造４２内で前記被処理体を支持する支持体構造において、天板部４８と、底部５０と、前記天板部と前記底部とを連結し、前記被処理体を支持する複数の支持部８８がその長さ方向に沿って形成されると共に前記支持部のピッチは前記処理ガスの流れ方向の上流側よりも下流側が大きくなるように設定された複数の支持支柱６０とを備える。これにより、被処理体の膜厚の面内均一性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】要求される処理プロセス性能に応じて必要とされる処理ガスの供給状態の実現可能性を増大させることのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供する。
【解決手段】高周波アンテナに高周波電力を印加することにより処理室内に誘導プラズマを励起して、処理室内の載置台に載置された基板に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、処理室内の載置台の上方に位置する空間に、処理室の側壁から処理室の中心に向くように処理室内に突出するとともに、突出方向先端部と側壁部にガス噴出孔を有する複数のガスノズルと、ガスノズルを、夫々突出方向に沿った当該ガスノズルの中心軸の回りに回転させる回転機構とを具備している。 （もっと読む）

【課題】 処理室内に供給したガスの処理室外の間隙への進入を抑制する。
【解決手段】 反応管の内部に設けられ基板を処理する処理室と、反応管の内部に設けられ処理室を囲い基板を加熱する被誘導体と、反応管の内部に設けられ被誘導体を囲う断熱体と、反応管の外部に設けられ少なくとも被誘導体を誘導加熱する誘導体と、処理室内に第１ガスを供給する第１ガス供給部と、被誘導体と断熱体との間に設けられる第１間隙に第２ガスを供給する第２ガス供給部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ボート上にダミーウエハと隣接して製品ウエハを搭載するようにした基板処理装置において、製品ウエハの面間膜厚均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ボート上に、表面に凹凸が形成された複数の第１の基板（製品ウエハ）を積層保持するとともに第１の基板の上端若しくは下端に第１の基板よりも表面の凹凸が少ない第２の基板（ダミーウエハ）を保持し、処理室内にて第１の基板および第２の基板を処理する際に、第１の基板および第２の基板に向けて処理ガスを供給するとともに、第２の基板に向けて不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＶＤ法の欠点とＡＬＤ法の欠点を改善し、薄膜化の要求に応えるとともに、高い成膜速度を実現する。
【解決手段】ＣＶＤ反応が生じる条件下でそれ単独で固体となる第１元素を含むガスを供給して基板上に第１元素を含む第１の層を形成する工程と、それ単独では固体とならない第２元素を含むガスを供給して第１の層を改質して第１元素および第２元素を含む第２の層を形成する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを１回以上行い、所定膜厚の第１元素および第２元素を含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内にＣＶＤ反応が生じる条件下で所定元素含有ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に炭素含有ガスを供給することで、所定元素含有層の上に炭素含有層を形成して所定元素および炭素を含む層を形成する工程と、処理容器内に窒素含有ガスを供給することで、所定元素および炭素を含む層を窒化して炭窒化層を形成する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行うことで所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、処理容器内に酸素含有ガスを供給することで、所定厚さの炭窒化層を酸化して酸炭窒化層を形成する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、基板上に所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】処理室内の雰囲気を排気する真空ポンプが動作する際に、排気管内に存在する大気が、処理室内に拡散や逆流することを抑制し、処理室内を汚染することを抑制することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給管と、処理室内から処理ガスを排気する排気管と、基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、前記排気管には、処理ガスの排気される方向において、上流側より順に、開閉弁と、排気管内の圧力を検出する圧力計と、処理室内の雰囲気を排気する排気装置とが設けられ、前記制御部は、前記圧力計の検出値が所定の閾値以下であり、かつ、排気装置が動作中である場合に、前記開閉弁を開放可能とするよう制御する。 （もっと読む）

【課題】基板処理面と基板周縁部との流速差の増大を抑制し、成膜処理の均一性を向上させ、処理品質の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】基板２００を保持する基板保持具１８と、前記基板及び基板保持具を収納する反応管２０５と、前記基板の被処理面に対して平行方向に処理ガスを供給するガス供給系２３３ａ，２３３ｂ，２４０ａ，２４０ｂと、前記反応管内の雰囲気を排気する排気系２３１とを有し、前記基板保持具は複数の支柱１１３と、該支柱に設けられ、前記基板を載置する円環状の部材であって、円環の一部に欠切部が形成された整流部材とを備え、該整流部材の外周と前記反応管の内壁面との間の距離が、前記支柱と前記反応管の内壁面との距離より短い。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で行われる炭化珪素エピタキシャル膜成長において複数枚の基板を均一に成膜することができる半導体製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
縦方向に延在して設けられる第１のガス供給ノズルと第２のガス供給ノズルとを備え、第１のガス供給ノズルには第１のガス供給口が設けられ、第２のガス供給ノズルには第２のガス供給口が設けられ、第２のガス供給ノズルが基板と第１のガス供給ノズルとの間に設けられる半導体製造装置における半導体装置の製造方法であって、縦方向に積層して配列された複数枚の基板を反応室内に搬入する工程と、前記第１のガス供給口から、シリコン原子含有ガスと塩素原子含有ガスを供給し、前記第２のガス供給口から、炭素原子含有ガスと還元ガスとを供給し、基板表面に炭化ケイ素膜を形成する工程と、複数枚の基板を反応室内から搬出する工程とを備えた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜への付着性が高く、低誘電率膜中への銅の拡散を効果的に防止できるバリア膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、成膜装置１００の処理容器１内に、絶縁膜が設けられたウエハＷを配置する工程と、処理容器１内にＴＥＯＳなどのシリコン原子を含む化合物のガスと水蒸気などのＯＨ基供与性ガスを供給し、絶縁膜の表面にＳｉ−ＯＨ基を形成させる表面改質工程と、処理容器１内にマンガン含有材料を含む成膜ガスを供給し、ＣＶＤ法によりＳｉ−ＯＨ基が形成された絶縁膜の表面にマンガン含有膜を成膜する成膜工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜した膜の膜厚の面内均一性の低下を抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに膜を形成する成膜装置２において、処理容器４と、ガスを噴射するガス噴射口３４Ａ，３６Ａを有するガス供給手段２８，３０と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段１２と、保持手段をガス噴射口に対して相対的に回転又は周期的に移動させる駆動機構２１と、少なくとも１種類以上のガスの供給を行う供給期間と供給の停止を行う供給停止期間とを１回行うサイクルを複数回繰り返す時に、サイクルの繰り返し数をＰ（Ｐは２以上の自然数）として被処理体の中心から見て、Ｐ回の各サイクル毎におけるガス供給開始位置を、被処理体の１周分の周囲を任意の分割数Ｋ（Ｋ＝Ｐ）個に分割した１つ分ずつだけ被処理体の周方向へ順次移動する様に制御する制御手段４８とを備える。 （もっと読む）