【課題】
従来に比べて製造が容易であり、かつ基板に向けて原料ガスを均一に供給することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係る薄膜を形成する成膜装置は、基板４を配置している第一電極３と、基板４に対向しかつ高周波電圧が印加される第二電極２とを備えており、第二電極２は、基板４に対向する面にシャワー板９を有しているとともに、シャワー板９の基板４に対向する面に一枚のメッシュ板１０を有しており、シャワー板９は、原料ガスを通過させる複数の孔９ａを有しており、メッシュ板１０は、シャワー板９の孔９ａを通過した原料ガス５を通過させるためのメッシュ構造を有し、メッシュ板１０と基板４との間にプラズマが発生する空間を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極を縮みにくくし、処理される基板の品質を均一なものとする
【解決手段】 基板を収容する処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、を備え、前記電極は、金属で構成される芯線と、該芯線により折曲可能であるように複数個が連結された管体と、前記複数個の管体を覆うように設けられ金属で構成される網組部材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】膜厚の面内均一性を高くすることが可能なシャワーヘッド装置を提供する。
【解決手段】薄膜が形成される被処理体Ｗを収容する処理容器４内へガスを導入するシャワーヘッド装置４６において、内部にガスを拡散させるガス拡散室４８が形成されたシャワーヘッド本体５０と、シャワーヘッド本体のガス噴射板５２に設けられた複数のガス噴射孔５４とを有し、複数のガス噴射孔は、ガス噴射板の中心部を中心として仮想的に形成される複数の螺旋状の曲線８４に沿うように配置されている。これにより、ガスを平面方向へ均一に分散させて、膜厚の面内均一性を高くする。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に棚状に積載された複数枚の基板に対して、互いに反応する複数種類の処理ガスを順番に供給して成膜処理を行うにあたり、処理ガスを切り替える時の雰囲気を容易に置換すること。
【解決手段】Ｚｒ系ガスやＯ_３ガスなどの処理ガスを反応管１２内に供給するためのガス吐出口５２の各々形成された第１のガスインジェクター５１ａ、５１ｂとは別に、反応管１２の長さ方向に沿うようにスリット５０の形成された第３のガスインジェクター５１ｃを設けて、処理ガスを切り替える時には、このスリット５０から反応管１２内にパージガスを供給して当該反応管１２内の雰囲気を置換する。 （もっと読む）

【課題】形成される膜の膜質及び膜厚が均一となる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法では、ガス供給口を有する導電性基板からなるシャワープレートと、第２の電極に対向する前記シャワープレートの面上にガス供給口を覆うように設けられた導電性多孔質材料からなる凸部を有する第１の電極を備え、この凸部より原料ガスを供給するプラズマ処理装置を用いる。そして、基板上に基板側電極を形成する工程と、基板側電極上にこのプラズマ処理装置を用いて光電変換ユニットを形成する工程と、光電変換ユニット上に裏面側電極を形成する工程と、を用いて太陽電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して金属膜上に低温で成膜した場合に、金属膜と成膜した膜の密着性を改善する。
【解決手段】処理室２０１と、ガス供給口４２５、４３５を有するバッファ室４２３、４３３と、第１の処理ガスを前記処理室に供給する処理ガス供給系３１０と、第２の処理ガスをバッファ室４２３、４３３に供給可能な処理ガス供給系３２０、３３０と、高周波電源２７０と、プラズマ発生用電極４７１、４７２、４８１、４８２と、からなる処理炉２０２を使用して、表面に金属膜が形成された基板を、前記プラズマ発生用電極に高周波電力が印加されない状態で、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスに順次曝して前記金属膜の上に第１の膜を形成した後、該第１の膜が形成された前記基板を、前記第１の処理ガスおよび、前記電極に高周波電力が印加されることにより活性化された前記第２の処理ガスに交互に曝し、前記金属膜の上に第２の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して基板を処理する際に基板等へのダメージを小さくし、しかも基板処理温度を低くする。
【解決手段】基板２００を処理する処理室２０１と、ガス供給口４２５、４３５を有する複数のバッファ室４２３、４３３と、第１の処理ガスを複数のバッファ室に供給する第１の処理ガス供給系３２０、３３０と、高周波電源２７０と、電源により高周波電力が印加されると、バッファ室の内部で第１の処理ガスを活性化させるプラズマ発生用電極４７１、４７２、４８１、４８２と、第２の処理ガスを処理室に供給する第２の処理ガス供給系３１０と、処理室を排気する排気系２３１と、基板を、活性化された第１の処理ガスおよび、第２の処理ガスに曝し、基板を２００℃以下に加熱しつつ基板上に膜を形成するよう第１の処理ガス供給系、電源、第２の処理ガス供給系および排気系を制御する制御手段２８０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスに含まれた元素を有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に複数の反応ガスを交互に供給して基板に膜を形成する工程と、処理室から基板を搬出する工程と、処理室内にクリーニングガスを供給し、処理室内をクリーニングする工程と、複数の反応ガスの全てを処理室内に供給し、処理室内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】凝固しやすい金属材料をシャワーヘッドや配管の壁面に付着させることなく効果的に反応炉へ導入し、効果的なドーピングを行うことのできる気相成長装置、気相成長方法、および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｖ族原料ガス導入配管４２の内径（Ｗ１）をＩＩＩ族原料ガス導入配管４４の外径（Ｗ２）より大きくし、Ｖ族原料ガス導入配管４２の内部に、ＩＩＩ族原料ガス導入配管４４が１対１で挿入されている構造とすることで、ＩＩＩ族原料ガス導入配管４４が冷却機構から冷却されることを防ぎ、配管壁面への金属材料の凝固を抑制している。 （もっと読む）

【課題】処理室内の雰囲気を排気する真空ポンプが動作する際に、排気管内に存在する大気が、処理室内に拡散や逆流することを抑制し、処理室内を汚染することを抑制することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給管と、処理室内から処理ガスを排気する排気管と、基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置であって、前記排気管には、処理ガスの排気される方向において、上流側より順に、開閉弁と、排気管内の圧力を検出する圧力計と、処理室内の雰囲気を排気する排気装置とが設けられ、前記制御部は、前記圧力計の検出値が所定の閾値以下であり、かつ、排気装置が動作中である場合に、前記開閉弁を開放可能とするよう制御する。 （もっと読む）

【課題】形成される膜の膜質および膜厚が均一となるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、処理室２内に配設された第１の電極４と、第１の電極４に対向し、基板１０を保持できる第２の電極３と、処理室２内から排気を行なう排気手段６と、処理室２内にガスを供給するガス供給手段７と、を備え、第１の電極４は、第２の電極３に対向する複数の凸部４１ａ〜４１ｅを有し、凸部４１ａ〜４１ｅの先端部にガス供給口４２が形成されたものであって、複数の凸部４１ａ〜４１ｅの先端部となる面が面一に形成され、凸部間に形成される凹部４２ａ〜４２ｄの深さが、第１の電極４の中央部に比べ、外周部の方が深い。 （もっと読む）

【課題】 気相成長した半導体膜の面内の特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】 気相成長装置１００は、基板４４の表面に半導体膜を成長させる。気相成長装置１００は、気相成長室３８と、攪拌室２と、連通路１４と、調整装置１を有する。気相成長室３８は、基板４４が載置される載置台３４を有する。攪拌室２は、複数の原料ガスを攪拌して混合原料ガス１０を生成する。連通路１４は、気相成長室３８と攪拌室２を連通する。調整装置１は、混合原料ガス１０を気相成長室３８内に対して導入する導入量を調整する。 （もっと読む）

【課題】低温での酸化膜形成において、ウエハ面内の膜厚均一性を向上させた基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を収容して処理する反応管と、前記反応管内を加熱するヒータと、前記反応管内で前記複数枚の基板を所定の間隔で積層し配列させて保持する基板保持具と、前記反応管内の前記複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の基板配列方向における複数箇所から前記反応管内に、酸素含有ガスと水素含有ガスとを混合させて供給するガス供給ノズルと、前記反応管内を排気する排気口と、前記反応管内の圧力が大気圧よりも低い所定の圧力となるように制御する圧力制御部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板からの剥離を有効に抑制することができる半導体膜およびその半導体膜を含む光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板の表面上に形成された結晶質を含む半導体膜であって、半導体膜の表面の中心を含む中心領域と、中心領域の周囲に位置する周縁領域とを有し、該半導体膜の周縁領域における結晶化率が中心領域における結晶化率よりも高い半導体膜およびその半導体膜を含む光電変換装置である。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に互いに離れた第１、第２の処理領域に夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段とを設ける。前記回転方向において第１、第２の処理領域の間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設ける。さらに前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の処理領域及び第２の処理領域に夫々対応する真空容器の側壁部位に一方及び他方の真空排気口を形成する。 （もっと読む）

【課題】バッファ室と反応室を連通させる孔及び孔の近傍に膜が堆積することを抑制し、堆積した膜によるパーティクルの発生を防止し、基板の品質を低下させることなく処理可能なプラズマ基板処理装置を提供する。
【解決手段】筒状の反応容器２９と、該反応容器の内部に画成され複数の基板２を収納可能な反応室３２と、前記反応容器の内部に設けられたバッファ室３８と、前記反応容器の長手方向に沿って設けられ前記バッファ室に処理ガスを導入可能なガス導入部３４，３５とを具備し、前記バッファ室は前記ガス導入部から導入される処理ガスを前記反応室に供給する複数のガス供給孔４８，５３と、プラズマ発生用の電極５４，５５を収容する空間５９と、前記バッファ室の壁を貫通し前記反応室に開口する孔であって、前記反応容器の薬液洗浄時に用いる水抜き孔を少なくとも１つ有する。 （もっと読む）

【課題】反応管上部から、水素含有ガスや酸素含有ガスを供給しなくても、酸化膜厚の面内均一性を向上する。
【解決手段】複数枚の基板を収容して処理する反応管と、反応管内を加熱するヒータと、反応管内で複数枚の基板を水平状態で隙間をもって鉛直方向に配列させて保持する基板保持具と、複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応して配置され、鉛直方向における複数箇所から反応管内に水素ガスを供給する水素ガスノズルと、基板配列領域に対応して配置され、鉛直方向における複数箇所から前記反応管内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガスノズルと、反応管内を排気する排気口と、反応管内の圧力が大気圧よりも低い所定の圧力となるように制御する圧力制御器とを有し、水素ガスノズルには複数のガス噴出孔が設けられ、該ガス噴出孔は、最上部に位置するガス噴出孔の孔径が最も大きくなるように構成されることを特徴とする基板処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスを処理容器へ導入するための導入部において、炭素系の付着物の発生を抑制する。
【解決手段】処理容器２に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１であって、処理容器２の天井面に、処理ガスの導入部５５が設けられ、導入部５５には、処理容器２の外部から供給路５２を経て供給される処理ガスを溜めるガス溜め部６１と、ガス溜め部６１と処理容器２の内部を連通させる複数のガス噴出孔６６が形成され、ガス溜め部６１において、供給路５２の開口部５２ａと対向する位置には、ガス噴出孔６６が設けられておらず、ガス噴出孔６６の断面は、扁平な形状である。 （もっと読む）

本発明は、ガス噴射装置及びこれを用いた基板処理装置に関する。本発明に係るガス噴射装置は、チャンバーの内部に回転自在に設けられて複数枚の基板を支持する基板支持部の上部に設けられるものであって、基板支持部の中心点を基準として円周方向に沿って配設されて基板に工程ガスを吹き付ける複数のガス噴射ユニットを備え、複数のガス噴射ユニットのうちの少なくとも一つのガス噴射ユニットは、工程ガスが導入される導入口が形成されているトッププレートと、トッププレートとの間に基板支持部の半径方向に沿ってガス拡散空間を形成するように、トッププレートの下部に配設され、導入口を介して流入してガス拡散空間に拡散された工程ガスが基板に向かって吹き付けられるようにガス拡散空間の下側に多数のガス噴射孔が形成されている噴射プレートと、を備え、工程ガスは、複数の個所からガス拡散空間に流入することを特徴とする。
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ガス分配アセンブリ用の装置および方法を提供する。一態様では、内側環状壁と、外壁と、上部表面と、底部表面とを有する環状リングと、上部表面内に形成された上部リセスと、内側環状壁内に形成された台座とを備えた、環状ボディと、ディスク形状のボディを貫通して形成された複数の第１のアパーチャを有するディスク形状のボディを備えた、上部リセス中に設置された上部プレートと、第１のアパーチャに整列し、ディスク形状のボディを貫通して形成された複数の第２のアパーチャを有するディスク形状のボディと、第２のアパーチャの間に、底部プレートを貫通して形成された複数の第３のアパーチャであって、底部プレートが、複数の第１のアパーチャおよび複数の第２のアパーチャを複数の第３のアパーチャから流体的に分離するために上部プレートに密閉するように連結される、複数の第３のアパーチャを備えた、台座上に設置された底部プレートと、を備えたガス分配アセンブリを提供する。
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