【課題】プラズマ密度分布の容易かつ自在な制御を可能とし、プラズマプロセスの均一性や歩留まりを向上させる。
【解決手段】このプラズマ処理装置は、サセプタ１２をサセプタ中心電極１２Ａとサセプタ周辺電極１２Ｂとに半径方向で２分割し、高周波放電またはプラズマ生成のために高周波電源１６より出力される高周波をサセプタ周辺電極１２Ｂ上に下部給電導体１８を介して優先的に供給すると同時に、サセプタ中心電極１２Ａ上にも可変容量結合部２８を介して可変の分配比で該高周波を供給するように構成している。 （もっと読む）

【課題】基板に対して均一にプラズマ処理を施すことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るプラズマ処理装置１００は、下部電極１０の側方において、下部電極１０の外周に沿って環状に設けられる補助電極３０を備える。基板Ｓに対してプラズマ処理を施す場合、下部電極１０の電位を、上部電極２０の電位に対して負とし、補助電極３０の電位を、上部電極２０の電位に対して負とする。 （もっと読む）

【課題】載置面上において均一にプラズマを生成できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る上部電極２０は、載置面１０Ａに対向する対向面２２Ａを有する対向部２２と、対向面２２Ａの外周に繋がる平坦面２４Ａを有する外周部２４と、対向面２２Ａ上に形成された複数の凸部２６とを含む。載置面１０Ａに略平行な投影面上において、対向部２２の外周は、下部電極１０の外周と重なり、外周部２４の外周は、対向部２２の外周を取り囲む。 （もっと読む）

【課題】プローブの取り付けに伴う電力損失を大幅に低減できるとともに，プローブの取付誤差による装置ごとの測定値のばらつきを防止し，またプローブが実際に使用される際の取付状態のままプローブによる測定の較正ができるようにして，その高周波の電気的特性を従来以上に高精度に測定できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハに対して所定のプラズマ処理を施す処理室内に配設したプラズマ生成用のサセプタに，整合器２００を介して高周波を伝送する給電棒２１０であって，給電棒に電気的特性測定用のプローブ（例えば電圧プローブ２２０Ｖ，電流プローブ２２０Ｉ）を設けてプローブと一体化し，一体で整合器と処理室との間に着脱自在にした。 （もっと読む）

【課題】窒素成分の抜けが少なく、ゲートリーク電流の増大を抑制することができるＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜を成膜する、High-kゲート絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２００上にHigh-kゲート絶縁膜３０を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜３０を窒素及び希ガス含有ガスでHigh-kゲート絶縁膜３０を窒化する工程と、前記High-kゲート絶縁膜３０上に電極３２を形成する工程と、前記電極３２を囲むように絶縁層３４を形成する工程とを有する半導体デバイスの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの制御性が高く、チャンバー内で安定的に表面波プラズマを形成することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１００は、同心円状に配列された第１のスロット３２ａおよび第２のスロット３２ｂを有する平面アンテナ板３１を備えている。平面アンテナ板３１の中心から第１のスロット３２ａの中心までの距離と、平面アンテナ板３１の半径との比を０．３５〜０．５とし、かつ基材３１ａの中心から第２のスロット３２ｂの中心までの距離と、基材３１ａの半径との比を０．７〜０．８５としたことにより、電磁波発生装置３９で発生した９１５ＭＨｚの電磁波を効率良くチャンバー１内に導入できる。 （もっと読む）

プラズマチャンバ内のプラズマ放電の強度および分布を制御する装置および方法が提供される。一実施形態では、径方向成分および軸方向成分を有する電界をチャンバ内部に得るために、成形された電極が基板サポート内に埋め込まれる。別の実施形態では、シャワーヘッドアセンブリのフェースプレート電極がアイソレータによって複数のゾーンに分割され、それによって、それぞれ異なる電圧が異なるゾーンに印加されることが可能になる。加えて、１つまたは複数の電極をチャンバ側壁内に埋め込むこともできる。
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【課題】プラズマを均一に発生させることができると共に、装置への装着が容易な構造の電極を備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を収容する処理室２０１と、処理室２０１内に処理ガスを供給するガス供給系と、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気系と、処理ガスを活性な状態とするための電極であって、可撓性の部材で構成された少なくとも１対の電極２６９，２７０と、電極２６９，２７０を挿抜可能に収容する保護管２７５と、保護菅２７５内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、コントローラ２３１と、を有し、電極２６９，２７０は、少なくとも一箇所が屈曲した状態で保護管２７５内に収容され、コントローラ２３１は、保護管２７５内に不活性ガスを供給するよう不活性ガス供給系を制御する。 （もっと読む）

【課題】縦型基板処理装置において、限られた容積の反応室に対してより多くの被処理基板を搭載することでより多くの被処理基板の一括処理を可能にする。
【解決手段】所定温度、所定圧力に保持される反応室に処理ガスを供給して被処理基板を処理する基板処理装置であって、同一平面上に前記被処理基板を載置する基板載置部１４ａとこれに高周波電力を給電するための給電部１４ｂとを有し、前記反応室２０１に多段に支持される複数の電極１４と、相対峙する電極１４，１４同士を一対として、位相が１８０゜異なる高周波電力を、各対の給電部に供給する高周波電力供給手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高品質の蒸着膜を得ることができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２０１と、チャンバー２０１内部の所定領域に位置したシャワーヘッド２１１と、シャワーヘッド２１１と対応するように位置し、表面に基板２３２が装着されたチャック２３１と、シャワーヘッド２１１とチャック２３１との間に位置した加熱体２２１と、を含み、シャワーヘッド２１１は、第１ガス注入口２１３及び第２ガス注入口２１４と、第１ガス注入口２１３と連結されたシャワーヘッド２１１内部の空洞部２１２と、空洞部２１２と連結され、チャック２３１と対応するシャワーヘッド２１１の表面に位置した複数個の第１ノズル２１５と、第２ガス注入口２１４と連結され、チャック２３１と対応するシャワーヘッド２１１の表面に位置した複数個の第２ノズル２１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、プラズマ生成時の発熱によって、ガス導入路を構成する部材が変形するのを防止し、処理の均一性を維持する。
【解決手段】第１電極部１０の第２面１０ｂとサイドフレーム部３１との間に長手方向に延びるガス導入路１ｂを形成し、処理ガスが、ガス導入路１ｂを介して第１電極部１０と第２電極部２０との間の放電空間１ｐに導入されるようにする。第２電極部２０には噴出口２５を設け、放電空間１ｐでプラズマ化された処理ガスを被処理物９へ向けて噴出する。ガス導入路１ｂにはスペーサ４０を介在させる。 （もっと読む）

【課題】平行平板電極間で発生させるプラズマの密度分布を均一にして、基板表面に均一な膜厚及び膜質の絶縁膜を形成することのできるプラズマＣＶＤ装置及び絶縁膜形成方法を提供すること。
【解決手段】内部にプロセスガスが供給されるプロセスチャンバ１１と、プロセスチャンバ１１内に設けられ、上部電極１２と、基板が載置される下部電極１３と、下部電極１３の凹部に収納された基板搬送部１５とを有する平行平板電極１６と、平行平板電極１６間にプラズマを発生させる高周波電源１９とを備え、プロセスガスをプラズマで分解して基板に絶縁膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、下部電極１３のプラズマ発生側の表面と、基板搬送部１５のプラズマ発生側の表面とが同じ材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内およびウエハ相互間の処理を均一化することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム励起プラズマを用いた半導体製造装置は、プラズマを発生するプラズマ発生室１７と、プラズマ発生室で生成されたプラズマから電子を集束させるグリッド１９と、グリッドで集束させた電子を加速させるアノード２０と、グリッドとアノードとの間に配置され正電圧を印加される制御電極２９とを備え、アノードで加速させた電子をプラズマ発生室の隔壁の吹出口１２から処理室に吹き出させる。グリッドと制御電極とアノードには複数の電子通過孔をジグザグ状に配列して開設する。上下の電子通過孔同士で起きる電界の干渉を防止できるので、プラズマ発生室で発生したプラズマ中の電子を狭いピッチのウエハ間でも安定して照射でき、電子ビーム励起プラズマをウエハ上に均一に形成できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造装置におけるプラズマを用いる減圧気相成長装置に用いられるプロセスチューブ内に設置された電極の酸化、電極長の収縮等に起因するプラズマ室のプラズマ状態の変化によるウェーハの膜厚、面内均一性、さらにウェーハ間の面間均一性等の悪化を防ぎ、半導体製造時の歩留りを向上させる。
【解決手段】プラズマを用いる減圧気相成長装置を含む半導体装置の製造装置において、処理チャンバー４の周囲にヒータ６を設けると共に、前記処理チャンバー４の内部に保護管１１内に真空封止された導電性電極１２を設置した。 （もっと読む）

薄膜トランジスタ構造体中に微結晶シリコン層を形成する方法を提供する。一実施形態において、微結晶シリコン層を形成する方法は、処理チャンバ内に基板を配置し、水素系ガス、シリコン系ガス及びアルゴンガスを有するガス混合物を処理チャンバに供給することを含み、このガス混合物は、約１００：１より大きい水素系ガス：シリコン系ガス体積流量比を有し、水素系ガスとシリコン系ガスとを合わせた総流量に対するアルゴンガスの体積流量比は約５％〜約４０％であり、また微結晶シリコン層を基板上に堆積する間、処理チャンバ内のガス混合物の処理圧力を約３Ｔｏｒｒより高く維持することを含む。
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【要 約】
【課題】マイクロ波が漏出せず、寿命の長い真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置１は、導電性弾性部材（第一の弾性部材５５）を有しており、第一の弾性部材５５は弾性変形して接地電極膜３４と真空槽１２に密着するから、接触面積が高く、接地電極膜３４が真空槽１２に電気的に接続される。導電性シールド３３は接地電極膜３４と第一の弾性部材５５とを介して真空槽１２に電気的に接続される。従って、マイクロ波を放出する際、導電性シールド３３と貫通孔９内壁面との間の隙間で異常放電が起こらない。 （もっと読む）

【課題】プラズマの変化の状態を防止でき、所望の膜厚および均一に成膜し、プラズマ処理を施すプラズマ処理半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１にプラズマ処理を施すＭＭＴ装置１０は、気密性を確保した処理室１４でウエハ１を保持するサセプタ２１と、処理室１４にプラズマを生成する筒状電極１５および筒状磁石１９と、処理ガスＧを処理室１４内に供給するガス供給管３３やバルブ３４およびＭＦＣ３５と、バルブ３４およびＭＦＣ３５を信号線Ｅを通じて制御するコントローラ４１と、サセプタ２１の周縁部を覆う周辺カバー５０とを備えている。ガスの流量によって２つ以上の異なるプラズマ状態を選択することにより、プラズマ状態を制御し、所望の膜厚および均一に成膜する。 （もっと読む）

本発明は、一般に、処理の間に縁部性能を制御するための方法および装置を提供する。本発明の一実施形態は、処理容積部を画定するチャンバ本体と、処理容積部に処理ガスを流すように構成されたガス注入口と、処理容積部に配置された支持ペデスタルとを備える装置を提供する。支持ペデスタルは、基板を裏面で受け取り支持するように構成された基板支持表面と、基板の外側縁部に沿って基板を囲むように構成された縁部表面とを有する上部プレートを含み、基板の上部表面と縁部表面との間の高度差が、処理ガスへの基板の縁部領域の暴露を制御するのに使用される。
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ワークピース通路（１２）に近い電極の半分（６１）上のＲＦ駆動点（５１−５２，５５−５６）に結合されるＲＦ電力のレベルが、電極の他の半分（６２）上のＲＦ駆動点（５３−５４）（もしあれば）に結合されるＲＦ電力のレベルを越えるように、プラズマチャンバの電極（２０−２８）上の１つ以上のＲＦ駆動点（５０−６０）へＲＦ電極が結合される。或いは又、駆動点位置の重み付けされた平均が電極の中心（６０）とワークピース通路との間に来るようにプラズマチャンバの電極上の１つ以上のＲＦ駆動点へＲＦ電極が結合される。重み付けされた平均は、各駆動点位置をその駆動点位置へ結合されるＲＦ電力の時間平均化レベルにより重み付けすることに基づく。本発明は、通路に最も近い電極の端付近に生じるプラズマ密度の増加を相殺する。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスに含まれた元素を有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、反応容器内にクリーニングガスを供給し、前記反応容器内をクリーニングする工程の後、基板に処理を行なう際に用いる反応ガスの全てを反応容器に供給し、反応容器内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程を経た基板処理装置を用いて半導体装置を製造する。 （もっと読む）