【課題】基板上全体に均一な膜厚および膜質を有する半導体薄膜を形成させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】電源部から高周波電力が給電点に供給され、対向電極２に設置した基板８との間にプラズマを形成する複数の放電電極３ａ〜３ｊを備え、前記放電電極３ａ〜３ｊのうち、その配列方向において最も外側に位置する放電電極３ａ，３ｊは、前記対向電極２で保持し得る基板８の最大幅よりも外側に位置するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気において処理容器内の基板に対して処理ガスをプラズマ化したプラズマを供給してプラズマ処理を行うにあたって、面内均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】基板を載置する載置台に対向するように、下面に多数のガス吐出孔が形成されたガスシャワーヘッドを処理容器の天壁に設けると共に、このガスシャワーヘッドの周囲における処理容器の天壁を誘電体により構成し、この誘電体上にコイルを設置して、基板の上方の処理領域とこの処理領域を囲む周縁領域とにおける電界が同位相あるいは逆位相となるようにガスシャワーヘッド及びコイルに供給する高周波の位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】製膜されたシリコン膜に発生する膜質分布を抑制し、製品の性能向上をはかり得るとともに放電電極の構造を簡素化しコストを低減し得る真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板側面３３に原料ガスを放出する複数のガス供給孔３５を有するとともに接地されている接地電極５と、それぞれ高周波電力が供給される複数の分割電極３ａ〜３ｈが接地電極５の基板側面３３に対向するように並列されて形成され、接地電極５に対向する表面に基板８を保持する放電電極３と、分割電極３ａ〜３ｈの裏面側に取り付けられ、分割電極３ａ〜３ｈをインダクタンス成分を介して接地させるアースバー６と、が備えられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板のような被処理物に対して、複数回プラズマ処理を施す場合に、比較的強いプラズマ処理を施される箇所を、被処理物にて重複させないプラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置５９は、第１プラズマ処理チャンバーＣＢ１での基板６１に対する強プラズマ処理空間の位置と、第２プラズマ処理チャンバーＣＢ２での基板６１に対する強プラズマ処理空間の位置と、をずらす。 （もっと読む）

本発明のＶＨＦプラズマ電極は、有利には角柱状に構成された縦長の電極体を有しており、この電極体は、電力を供給するための少なくとも２つの接続素子に接続されているかまたは接続可能である電極面を有している。少なくとも１つの第１の接続素子は、上記の電極体の第１の端面に接続されているかまたはこの第１の端面の近くに接続されており、また少なくとも１つの第２の接続素子は、電極体の第２の端面に接続されているかまたはこの第２の端面の近くに接続されており、また有利には上記の電極は、電極面を露出させかつ誘電体材料からなる複数の埋込コンポーネントのうちの１つの埋込コンポーネントに配置されており、また有利には上記の電極面を露出させるシールド素子が設けられており、このシールド素子は、上記の電極と上記の埋込コンポーネントと共に包囲する。このＶＨＦプラズマ装置の特徴は、上記の接続素子のうちの少なくとも１つの接続素子は、ＶＨＦ真空フィードスルー素子として構成されていることである。
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【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める装置と方法を提供する。
【解決手段】処理ガスをウエハ１に供給してウエハ１の上に膜をＣＶＤ法によって形成する成膜装置は、複数のウエハ１を互いに上下方向に離間して保持するボート２と、ウエハ１およびボート２を収容する処理室１２と、ウエハ１を加熱するホットウオール形構造のヒータ１４と、処理室１２内に処理ガスを供給するガス供給管２１と、処理室１２内の雰囲気を排気する排気管１６と、ウエハ１の処理中にウエハを回転させるためにボート２を回転させる回転軸１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】屈曲した貫通孔を簡単に製作することができる電極板を提供する。
【解決手段】厚さ方向に沿う複数の貫通孔３２を有するプラズマ処理装置用電極板２１において、厚さ方向に貫通する複数の取り付け孔２２を有する電極板本体２３と、電極板本体２３の各取り付け孔２２に緊密に嵌合するガス孔部材２４とを備えるとともに、ガス孔部材２４に貫通孔３２がそれぞれ形成され、ガス孔部材２４は貫通孔３２を介して縦割状に複数に分割可能とされ、各分割パーツの縦割り面に溝が形成され、これら分割パーツが縦割り面で合わせられることにより、厚さ方向の途中に屈曲部が少なくとも２個以上有する貫通孔３２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電源が大きくなるのを抑制しながら、成膜速度を大きくするとともに、膜厚および膜質が不均一になるのをより有効に抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理装置１は、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、上部電極３と対向するように設置され、上部電極３と対向する部分に複数の凸部４ａおよび複数の凹部４ｂが形成される下部電極４とを備えている。また、下部電極４の凸部４ａには、原料ガスを供給するためのガス供給口４ｃが形成されるとともに、下部電極４の凹部４ｂには、未反応ガスや、負イオン、悪性ラジカルおよびフレークを排出するためのガス吸引口４ｅが形成されている。 （もっと読む）

【課題】反応ガスのガス圧力が高い条件においても半導体や導電性などの抵抗値の低い被処理部材に対して均一に成膜等のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を得ること。
【解決手段】第１電極および接地された第２電極との間隙にプラズマを発生させるプラズマ発生器と、第１電極に電力を印可する電源と、第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを供給するガス供給源と、を備え、電源により第１電極に電力を印加した状態で第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを流通させることにより反応ガスをプラズマ化させたプラズマ流を、プラズマ流のプラズマ発生器からの噴出方向が被処理面と略垂直となるように配置された被処理部材に照射するプラズマ処理装置であって、第１電極と被処理面との間隙の最小間隙寸法が、プラズマ発生器においてプラズマ流を噴出する噴出部近傍における第１電極と第２電極との間隙の最小間隙寸法より大である。 （もっと読む）

【課題】従来の高圧枯渇法によって製造される微結晶シリコン薄膜と同等の良好な結晶性を維持しつつ、堆積レートを高速化させることが可能な薄膜形成装置および薄膜形成方法を得ること。
【解決手段】成膜室１０内に基板ステージ１１とプラズマ電極１２とが対向して配設され、プラズマ電極１２にシランガスと水素ガスとを供給して、高周波電圧を印加してプラズマを生成し、基板ステージ１１に保持された基板１００上に微結晶シリコン膜を形成する薄膜形成装置において、プラズマ電極１２に成膜室１０の外部から供給されるシランガスを基板１００上に吹出させるシランガス貯気供給室１２０と、プラズマ電極１２に成膜室１０の外部から供給される水素ガスを水素プラズマにして基板１００上に吹出させるとともに、シランガス貯気供給室１２０から吹出されるシランガスをプラズマ化させる水素ガス供給部１３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】大口径アンテナを用いた場合であっても、アンテナおよび負荷部分（プラズマ）への電力伝達効率が高く、電力供給の均一性の高いマイクロ波導入機構を提供すること。
【解決手段】マイクロ波導入機構４３は、マイクロ波をチャンバ１内に放射する平面アンテナ５４を有するアンテナ部４５と、平面アンテナ５４に接続され、平面アンテナ５４へマイクロ波を導く同軸管５０と、同軸管５０に設けられた、インピーダンス調整を行うチューナ部４４とを具備し、平面アンテナ５４は、その面に、λｇ／４＋δの整数倍の間隔で同心的に描いた複数の仮想円上にそれぞれ同じ長さで均等に２以上形成された円弧状をなす複数のスロット５４ａを有し、スロット５４ａは同じ開口角度Ｂで重なるように設けられている。 （もっと読む）

【課題】極めて薄い膜厚を有する絶縁膜としてＳｉＯ_２膜およびＳｉＯＮ膜を用い、電極としてポリシリコン、アモルファスシリコン、ＳｉＧｅを用いた良好な電気特性を有する電子デバイス（例えば高性能ＭＯＳ型半導体装置）構造の製造方法を提供する。
【解決手段】酸素、および希ガスを含む処理ガスの存在下で、ウエハＷ上に平面アンテナ部材ＳＰＡを介してマイクロ波を照射することにより、酸素と希ガスとを含むプラズマ（ないし窒素と希ガスとを含むプラズマ、または窒素と希ガスと水素を含むプラズマ）を形成する。このプラズマを用いて前記ウエハ表面に酸化膜２（ないし酸窒化膜２ａ）を形成し、必要に応じてポリシリコン等の電極１３を形成して電子デバイス構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】各電極体への電力供給を安定化させ、プラズマ密度の均一性を基板間で向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内で複数枚の基板２００を水平姿勢で多段に積層した状態で保持する基板保持具２１７と、各基板２００の表面から所定の距離にそれぞれ配置される電極体３０１ａ，ｂが多段に積層してなり、各電極体３０１ａ，ｂにそれぞれ電力が供給されることで隣接する基板２００間にプラズマを発生させる電極体群と、各電極体３０１ａ，ｂにそれぞれ接続される導電性部材３０２ａ，ｂが基板２００の積層方向に沿って多段に連結してなる電力供給機構と、処理室の壁面を貫通するように電力供給機構に接続され、電力供給機構を介して各電極体にそれぞれ電力を供給する電力導入部４１０ａ，ｂと、を備え、隣接する導電性部材３０２ａ，ｂは、基板の積層方向に沿って直線上に並ばないように連結されている。 （もっと読む）

基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイスは、第１の放電部分を含む第１の電極および第２の放電部分を含む第２の電極と、第１および第２の電極間に高電圧差を発生させる高電圧源と、第１の電極を基板に対して位置決めする位置決め手段とを含み、位置決め手段は、第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を助長するのに十分に小さい第１の位置、および第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を防止するのに十分に大きい第２の位置に、第１の電極を第２の電極に対して選択的に位置決めするように構成される。
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【課題】種々のマイクロ波周波数での使用に容易に適合できる、比較的大きな面積に亙って実質的に均一なプラズマを維持するための、マイクロ波プラズマ装置を提供する。
【解決手段】プラズマをプラズマ領域内２０，２０ａにおいて維持するための真空容器１２。真空容器１２内の、プラズマ領域２０，２０ａに並列に基板を支持するための手段。真空容器１２を望みの圧力に維持するための手段。真空容器１２に作用ガスを導入するための手段１８，１８ａ。遮断波長を制御するための手段を備えた非エバネッセントマイクロ波アプリケータ４０。前記アプリケータ４０は少なくともその一部が真空容器１２内に伸長しており且つ電源からのマイクロ波エネルギーを真空容器１２内へ放射し、プラズマ領域２０，２０ａから前記アプリケータ４０を気体絶縁するための手段６０を具備する。 （もっと読む）

【課題】製作が簡単であると共に、容易に大面積化が可能であり、取付作業及び取外作業が容易で、かつメンテナンス性に優れ、低コスト化が図れる非一体型カソード電極及びプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、プラズマＣＶＤ法によって基板の表面上に薄膜を成膜する際に用いられる非一体型カソード電極１であって、原料ガスＧが導かれるガス分散空間形成部２に取外し可能に取付けられ、ガス分散空間形成部２の原料ガスＧを表面から流出させるシャワーヘッド型平板電極３と、外周を外枠部５ａとするような形状で複数のガス流通孔４が形成された外枠付き仕切り板５とを備え、シャワーヘッド型平板電極３に外枠付き仕切り板５を取外し可能に固定することにより構成している。 （もっと読む）

本発明は、薄膜被覆技術に有用な新しいプラズマ源を提供し、更にプラズマ源の使用方法を提供する。より具体的には、本発明は、プラズマ強化化学蒸着に有用な線状及び二次元のプラズマをそれぞれ生成する、新しい線状及び二次元のプラズマ源を提供する。また、本発明は、薄膜被覆を形成する方法及びそのような方法による被覆効率を向上させる方法を提供する。
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【課題】ラジカル種を基板間に十分に供給して、基板の処理量を面内、面間均一化する。
【解決手段】複数の基板を積層した状態で収容する処理室２０１と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排出するガス排出系と、所定の高周波電力を出力する高周波ユニット２７１と、前記処理ガスをプラズマ励起するため、前記高周波ユニットから所定の高周波電力が印加される電極と、前記ガス供給系、前記ガス排出系および前記高周波ユニットを制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記高周波ユニットを制御することにより、前記電極に一定の高周波電力を印加してプラズマを生成させている間、前記処理ガスが、第１の流量と、前記第１の流量より多い第２の流量とで交互に前記処理室に供給されるように前記ガス供給系を制御する基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の噴出ガス中の荷電粒子を捕捉し除電する除電部の融断や酸化劣化を防止し、歩留まり低下を防止する。
【解決手段】プラズマ生成部１０の噴出口１２と処理部１９との間に、噴出口１２より大面積の導電性のメッシュ又は多孔板からなる除電部３１を介在させる。除電部３１を接地線３３を介し電気的に接地する。一対のロール３２，３２からなる移動手段によって除電部３１を移動させる。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ内においてガス分配プレートを支持するための装置および方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１００内においてガス分配プレート２０を支持するための装置であって、チャンバと、中央領域と中央領域に存在する少なくとも１つの開口とを有するチャンバ内におけるバッキングプレート２８と、中央領域を有するチャンバ内におけるガス分配プレートと、バッキングプレートにおける少なくとも１つの開口内に存在しかつガス分配プレートの中央領域に係合する少なくとも１つの支持部材１５であって、ガス分配プレートが、少なくとも１つの支持部材によって吊り下げられる、少なくとも１つの支持部材と、を備える装置。 （もっと読む）