【課題】処理ガスをプラズマ励起させるための放電電極の変質を防止または抑制し、放電電極の寿命向上を図ることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を収容する反応管２０３を外部から囲うように配置された加熱手段と、加熱手段の内側に設けられ、処理ガスをプラズマ励起させる一対の電極２６９と、一対の電極間に接続された結合コイル３１１と、一対の電極２６９と結合コイル３１１とを気密に収容し、その内部が不活性ガス雰囲気に設定された保護容器２７５と、結合コイル３１１と誘導結合されるように保護容器２７５の外側に配置され、高周波電力が印加される誘導コイル３１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ表面処理装置において、処理ガスを確実にプラズマ化し処理効率を確保する。
【解決手段】電極３１と磁石４１を交互に並べる。磁石４１と電極３１との間に吹出し路６５を形成する。支持部２１によって被処理物９を支持する。吹出し路６５に導入部１１，１３の導入孔６３を連ねる。処理ガスを導入孔６３から吹出し路６５へ導入する。 （もっと読む）

【課題】平行平板電極間に電圧を印加してプラズマを発生させるＣＶＤ装置の提供。
【解決手段】基板の非成膜面側に接地電極を配設するとともに、その他方の面に接地電極に対向して高周波電極を配設するプラズマＣＶＤ装置において、前記高周波電極１０を、表面平板電極１０ａと裏面平板電極１０ｂで構成し、これら表面平板電極１０ａと裏面平板電極１０ｂの相互間の周囲に中間平板電極１０ｃを配設して、前記表面平板電極１０ａと裏面平板電極１０ｂ相互間に空気溜まり部１１を形成し、前記表面平板電極１０ａに形成された噴出孔からガスを噴出させて前記基板２の主面に薄膜を成膜させるとともに、前記表面平板電極１０ａを前記中間平板電極１０ｃに締結する締結部材を通す締結部材取付孔を前記表面平板電極の周囲に形成するとともに、該締結部材取付孔６２内周面に柔軟保持材７０を介在させて前記締結部材５１を弾性的に保持した装置。 （もっと読む）

プラズマチャンバのＲＦ入力部（４０）からのＲＦ電力をプラズマチャンバの内部（１１）に結合するために、ＲＦ母線導体（４３、４４）が、ＲＦ入力部とプラズマチャンバ電極（２０〜２６）との間に接続されている。一実施の形態において、ＲＦ帰還母線導体（５３、５４）は、チャンバの電気的に接地された壁部（１４〜１８）に接続され、ＲＦ母線導体とＲＦ帰還母線導体は、互いに平行で互いに対面しているそれぞれの表面をもつ。別の実施の形態において、ＲＦ母線導体は、ＲＦ母線導体に最も近いプラズマチャンバ電極の表面に垂直に向けられた最長の寸法をもつ横断面を有する。
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【課題】スロット板及び誘電体窓が熱膨張しても、スロット板が摩耗したり、スロット板としての導電膜が誘電体板から剥離したりするのを防止できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】誘電体板２２にスロット板２３のスロット２３ａ内に突出する凸部２２ｃを設ける。そして、誘電体板２２の凸部２２ｃの表面を誘電体窓１２の表面から誘電体窓１２に向かって外方に突出させる。スロット板２３を誘電体窓１２に直接接触させると、スロット板２３及び誘電体窓１２の熱膨張係数の差による伸び量のずれが発生する。誘電体板２２の凸部２２ｃを誘電体窓１２に接触させ、スロット板２３を誘電体窓１２に接触させないことにより、スロット板２３及び誘電体窓１２が熱膨張してもスロット板２３が摩耗したり、スロット板２３としての導電膜が誘電体板２２から剥離するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】シワが発生していない状態の可撓性基板の表面に薄膜を良好な品質で成膜することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置１００は、可撓性基板２０に圧接される第二電極部材１２０の前面１２１は、長手方向と直交する断面形状が、中央ほど突出した円弧状の凸曲面に形成されている。このため、所定の張力が作用した状態で第二電極部材１２０に圧接される可撓性基板２０に長手方向と直交する方向にも張力が作用することになり、この方向にシワが発生することが防止される。 （もっと読む）

【課題】対向するカソード／アノードの放電空間を複数有するプラズマ処理装置において、配線とカソードとの間に異常放電を発生させず、基板面内のプラズマ処理の均一化を図る。
【解決手段】プラズマ処理装置１００は、チャンバ３と、カソード１と、複数のアノード２とを備える。複数のアノード２は、カソード放電面に対してアノード放電面が対向するように配置されている。カソード１は、カソード端面に給電部５を有し、カソード放電面およびアノード放電面は、共通する一定の対称軸に関して線対称な形状である。カソード放電面およびアノード放電面の前記対称軸方向の最大幅は、前記対称軸に垂直な方向の最大幅よりも小さい。給電部５は、前記対称軸を含みカソード放電面に対して垂直な面である基準面とカソード端面との交差線上にある。アノード２は、前記基準面に対し面対称な位置に、接地部４３を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、成膜時の熱により高周波分割電極に伸び等が生じた場合でも、反応ガスのリークを防止することが可能な薄膜形成装置を提供することである。
【解決手段】本発明では、成膜室２内の基板３の一方の表面側に配置された高周波電極４と、高周波電極４と対向するように配置された接地電極５とを備え、高周波電極４と接地電極５との間にプラズマ放電を行うことにより基板２上に薄膜が形成されるように構成された薄膜形成装置１において、表面電極部は、４分割された分割表面電極部４１から構成され、分割表面電極部４１は、分割表面電極部４１と互いに隣接する内側端部４１ａ，４１ｂに重ね合わせ部４６を有するとともに電極本体部４２上に配置される外側端部４１ｃ，４１ｄに段差部５０を有しており、分割表面電極部４１は、重ね合わせ部４６を互いに固定するとともに段差部５０を電極本体部４２上に移動可能に配置している。 （もっと読む）

誘導結合型プラズマ生成電極及びこれを備える基板処理装置が開示される。本発明によれば、基板処理に用いられる誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を発生させるプラズマ生成電極３６０であって、被処理基板１０の主面の上側に配置される第１の電極部３６１と、基板１０の主面の下側に配置される第２の電極部３６３と、前記第１及び第２の電極部の各一端を互いに連結する折曲部３６２とを含むプラズマ生成電極３６０が提供される。本発明によれば、被処理基板の表面の全領域にわたって均一なプラズマ密度が得られると共に、ＲＦ信号の減衰を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を生産性良くさらに低コスト形成することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基体ホルダに保持された円筒状基体に対向して配置された電極部材に高周波電力を印加して円筒状基体と電極部材との間にプラズマを生起し円筒状基体の表面に堆積膜を形成するＣＶＤ装置であって、電極部材は円筒状基体の円筒面に正対している部分と正対していない部分を有し、正対していない部分の一部の直径が正対している部分の直径よりも小さく、かつ正対していない部分から円筒状基体またはこれと同電位の部材への最短距離が正対している部分から円筒状基体またはこれと同電位の部材への最短距離よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】平坦でないワーク被成膜面であっても膜厚分布のばらつきを抑えることができるプラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法を提供する。
【解決手段】処理室１０内に生起されたプラズマ中で、凹凸を有するワーク３０に成膜を行うプラズマ成膜装置であって、処理室１０内に設けられ、ワーク３０を保持可能なワーク保持部１２と、処理室１０内でワーク保持部１２に対向して設けられ、ワーク３０の凹部３２の内側に位置させることが可能な凸部２３を有する電極２１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 プラズマプロセッシングにおいて簡易かつ低コストで高周波放電の開始を容易にして放電を安定に維持すること。
【解決手段】 チャンバ１０の天井部において、周辺プラズマ領域ＰＳ_Bの上方（好ましくはシャワーヘッド３８の周囲）には、環状または同心状に延在する磁場形成機構６６が設けられている。この磁場形成機構６６において、外側セグメント磁石Ｍ_iの下面（Ｎ極）から出た磁力線Ｂ_iは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_B内に降りてから放物線を描くように上方へＵターンして内側セグメント磁石ｍ_iの下面（Ｓ極）に達する。隣の磁場形成ユニット［Ｍ_i+1，ｍ_i+1］においても、上記磁場形成ユニット［Ｍ_i，ｍ_i］から円周方向に所定の角度間隔だけ離れた位置で、上記と同様のループを有する磁力線Ｂ_i+1が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＩＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性および着火性を改善する。
【解決手段】真空処理室１、絶縁体からなりドーム状の真空容器蓋１２、ガス導入口３、真空処理室１の外部上方に設けた高周波誘導アンテナ（アンテナ）７、真空処理室１内に磁場を形成する磁場コイル８１、８２、磁場の分布を制御するヨーク８３、アンテナ７に高周波電流を供給するプラズマ生成用高周波電源５１、前記磁場コイルに電力を供給する電源とを備え、アンテナ７をｎ個の高周波誘導アンテナ要素７−１（図示せず）、７−２、７−３（図示せず）、７−４に分割し、分割されたアンテナ要素を一つの円周上に縦列に並べ、縦列に配置された各アンテナ要素に遅延手段７−２〜７−４を介して順次高周波電源の波長λ／ｎずつ遅延させた高周波電流を右回りに順に遅れて流れるようにするとともに、前記磁場コイルより磁場を印加してＥＣＲ現象を発生させるプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】放電電極の面調整を短時間に、かつ、人的要因によるバラツキを抑制できる放電電極の面調整方法及び電極面位置計測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電極面１７に沿ったＺ方向の両端側の位置が電極面１７に交差する厚さ方向に移動可能に取り付けられた放電電極３における電極面１７のレベルを略一定となるように調整する放電電極３の面調整方法であって、複数の変位計６１が直線状に配置された計測部材４２を、変位計６１が電極面１７に対向するとともにＺ方向と直交するＹ方向に沿った位置に配置されるように設置する設置工程と、各変位計６１によって電極面１７のレベルを計測する計測工程と、計測工程で計測された結果に基づいて放電電極３の両端側の位置を調整する位置調整工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】金属電極及び周辺の構成を適正化する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、処理容器内の天井面に隣接して設けられ、マイクロ波源９００から出力されたマイクロ波を処理容器内に放出する誘電体板３０５と、誘電体板３０５のプラズマ側の面にて誘電体板３０５に隣接して設けられ、周縁から誘電体板３０５の一部を処理容器内に露出させる菱形状の金属電極３１０とを有する。金属電極３１０と誘電体板３０５とは、処理容器１００の天井面を区切る仮想領域であって金属電極３１０の２本の対角線Ｄ１，Ｄ２にそれぞれ平行な２本ずつの直線から画定され、金属電極３１０と誘電体板３０５とを含む最小の矩形領域をセル領域Ｃｅｌとして、セル領域Ｃｅｌの短辺の長さに対する長辺の長さの比は、１．２以下になっている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の電極構造をコンパクトにし、かつ電極が放電で熱変形しても電極と固体誘電体との間に異常放電が起きるのを防止する。
【解決手段】電極１１の放電面１１ａに誘電体からなる誘電部材１２を被せる。電極１１の背面１１ｂに固定部材１３を対面させる。固定部材１３を誘電部材１２に対し位置固定する。背面１１ｂと、固定部材１３の背面対向面１３ｂの一方に収容凹部１５を形成し、他方を平坦面にする。板ばね１４の基部１４ｂを収容凹部１５に収容する。板ばね１４の弾性接触部１４ａを上記平坦面に弾力的に当てる。 （もっと読む）

物理的蒸着装置は、側壁を有する真空チャンバと、陰極と、無線周波数電源と、基板支持体と、陽極と、シールドと、を含む。陰極は、真空チャンバ内にあり、ターゲットを含むように構成される。無線周波数電源は、陰極に電力を印加するように構成される。基板支持体は、真空チャンバの側壁の内側にあり、側壁から電気的に絶縁される。陽極は、真空チャンバの側壁の内側にあり、側壁と電気的に接続される。シールドは、真空チャンバの側壁の内側にあり、側壁と電気的に接続され、環状体と環状体から延びる複数の同心環状突起とを含む。
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【課題】基板処理や処理室内のクリーニングを行う際の、処理室加熱による電極の破損を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板６を収容するインナーチューブ３１と、プラズマ発生室１７内に設けられるグリッド電極１９、アノード電極２０、中間電極３０と、アウターチューブ７の外周側でプラズマ発生室１７に対応する位置にプラズマ生成電極２２とを備え、プラズマ発生室１７内の各電極は熱膨張する材料からなり、電極上端にて支持される基板処理装置。上端から吊り下げられるように一点で支持されるので熱膨張によるストレスが加わり難くなり、破損が抑制される。 （もっと読む）

薄膜材料の形成のための、蒸着システムおよびプロセス。一実施形態では、このプロセスは、第１の材料の流れから初期プラズマを形成すること、並びにそのプラズマを空間的および／または時間的に進化させて、薄膜材料の品質に悪影響を及ぼす化学種を消滅させることを含む。初期プラズマが最適状態に進化した後、第２の材料の流れが、蒸着チャンバー内に注入され、高品質の薄膜材料の形成をより助長する化学種の分布を含む、複合プラズマを形成する。この蒸着システムは、２つ以上の流れ（原材料またはキャリアガス）をプラズマ領域内に注入するための、複数の供給ポイントを有する蒸着チャンバーを含む。供給ポイントは、空間的に互い違いに配置され、第１の材料の流れの蒸着原材料から形成された上流のプラズマを、下流の材料の流れがそのプラズマと結合する前に、進化させる。異なる材料の流れの注入はまた、時間的に同期される。材料の流れの空間的協調および時間的同期の正味の効果は、薄膜光起電力材料の高い蒸着率での蒸着に、化学種の分布が最適化された、プラズマである。供給デバイスは、ノズルおよび遠隔プラズマ源を含む。 （もっと読む）

【課題】放電電極の形状変化を早期に発見し、被処理基板の膜厚不均一を抑制できる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を積層載置して処理する処理室と、前記処理室内にガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内に設けられ、高周波電力が印加されることにより前記処理室内に供給されたガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極と、前記電極の形状変化を監視する監視機構を有する。 （もっと読む）