【課題】プラズマによって生成される活性種量を増大することができる基板処理装置および半導体デバイスの製造方法を提供する
【解決手段】処理容器２０３と、処理容器２０３内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部２３２ａ、２３２ｂと、処理容器２０３から余剰の処理ガスを排出するガス排出部２４６と、処理容器２０３内にて複数の基板２００を積層した状態で載置する基板載置部材２１７と、処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電極３０１とを有し、電極３０１は、平行に配置された２本の細長い直線部３０２、３０３と、直線部３０２、３０３のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部３０４と、を備え、直線部３０２、３０３が基板２００の側方に、基板２００の主面に対し垂直な方向にわたって延在して配置される。 （もっと読む）

【課題】電極板の中央部と外周部に生じる温度差を小さくして、プラズマ処理の面内均一性を向上させることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】厚さ方向に貫通するガス通過孔１１が複数形成されるとともに、これらガス通過孔１１を避けて溝状又はスポット状の凹部２１Ａ〜２１Ｆが背面部の面方向に分散するように形成され、電極板３の単位体積当たりの凹部２１Ａ〜２１Ｆの占有体積が、電極板３の中央部に比べて外周部の方が大きく形成されている。 （もっと読む）

【課題】被処理材に対するダメージを完全になくすことができ、活性ガスを効率的に取り出すことができる、簡易な構成である活性ガス生成装置を提供する。
【解決手段】活性ガス生成装置７００は、少なくとも１以上の電極セル１，２と、電極セル１，２に交流電圧を印加する電源部と、電極セルを囲繞する筐体１６，１６１と、外部から筐体内に原料ガスを供給する原料ガス供給部２０とを、備えている。そして、電極セル１，２は、第一の電極１と、誘電体を有する第二の電極２とを備えている。さらに、第一の電極１は、誘電体および空間ギャップ（放電空間）１００を隔てて、第二の電極２と対面しており、電極セル１，２の平面視における中心領域には、ガス取り出し部１ｄが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ生成効率を犠牲にすることなく、また余分な発熱を生じることなく、プラズマの均一性を向上する。
【解決手段】 第１及び第２の導電板３１，３２により形成されるラジアル導波路３３内に平面視放射状に配置され、第１の導電板３１と第２の導電板３２との間に延在する導電性の仕切り板３７を複数備える。 （もっと読む）

【課題】 メートル級の大面積基板を処理するプラズマ処理装置において、真空槽内外の圧力差で押されることによって真空容器の開口部に設置されたプラズマ電極が変形することを防ぎ、プラズマ処理の均一性を向上する。
【解決手段】第一の真空槽５の外部でプラズマ電極４を取り囲むように第二の真空槽１１を設置し、内部を真空排気する。プラズマ電極４のシャワープレート１９側と背面板１８側での圧力差を減らすことができ、圧力差で押されることによるプラズマ電極４の変形を防ぐことができる。これにより、プラズマ処理の均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】低温で高ストレスのシリコン窒化膜を形成することができるシリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、反応管２内にジクロロシランを供給し、半導体ウエハＷにジクロロシランと反応した反応物を形成する。次に、反応管２内に水素ラジカルを供給してこの反応物と反応させ、反応物に含まれる塩素を除去する。続いて、反応管２内を４０Ｐａ〜１００Ｐａに設定し、この設定した反応管２内にアンモニアラジカルを供給する。これにより、アンモニアラジカルと反応物とが反応して、半導体ウエハＷにシリコン窒化膜が形成される。この処理を複数回繰り返すことにより所望のシリコン窒化膜を形成することができる。 （もっと読む）

堆積ガスをプラズマ相へと転換し、真空チャンバ内で基板搬送方向に動いている基板上に薄膜をプラズマ相から堆積させるためのプラズマ堆積ソースが説明される。プラズマ堆積ソースは、真空チャンバ内に設置された多領域電極デバイスであって、動いている基板の反対側に配置された少なくとも１つのＲＦ電極を含む多領域電極デバイスと、ＲＦ電極にＲＦ電力を供給するＲＦ電力発生器とを含む。ＲＦ電極は、ＲＦ電極の一方の端部に配置された少なくとも１つのガス注入部およびＲＦ電極の反対側の端部に配置された少なくとも１つのガス排出部を有する。規格化されたプラズマ体積は、電極表面と反対側の基板位置との間に画定されるプラズマ体積を、電極長さで除算することによって与えられる。規格化されたプラズマ体積は、堆積ガスの欠乏長さに合わせて調節される。
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【課題】アーク放電を連続して行った際の、着火不良を大幅に向上できる成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
第１の電極１４をカソード１２の所定位置に接触させ、前記カソード１２とアノード１３との間にアーク放電が発生したかどうかを検出する。前記検出結果に応じて、第２の電極１５を前記所定位置とは異なる位置に接触させ、前記アーク放電を発生させてプラズマを生成し、前記プラズマに含まれる導電材料を、基板５１の上方に堆積させる。成膜時の電極の着火確率を大幅に向上させることができ、ひいては、半導体装置の製造効率や製造歩留まりの改善を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】種々の分野で利用可能とするべく、大気圧条件下で、新たなガスの供給を行うことなく、低温で、安定的にプラズマを発生させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物をプラズマで処理するプラズマ処理装置１００であって、電源に接続された第１電極１０と、被処理物を設置可能なように、第１電極１０から離間させた状態で対向配置された第２電極２０と、第１電極１０と第２電極２０との間に設けられた第３電極３０と、を備え、第１電極１０と第３電極３０との間にプラズマを発生させるための、パルス発生手段８０を設け、発生した前記プラズマを引き出す引出電圧が、第２電極２０と第３電極３０との間に印加されている。 （もっと読む）

【課題】処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、ほぼ垂直に立てた被処理物の処理を過不足無く均一に行なう。
【解決手段】被処理物９の被処理面９ａを略垂直に向ける。略垂直に分布する吹出し口２１ａを有するノズル２０を被処理物９と対向させる。雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスをノズル２０に導入する。吹出し口２１ａの近傍で流速調節用の窒素ガスを処理ガスに混入する。混入後の処理ガスを吹出し口２１ａから吹き出す。吹き出し時の処理ガスの流速が０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓになるよう、流速調節用ガスの混入流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】地絡を防止しつつ、大型の放電電極を安定して保持することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】製膜処理が施される基板に沿って延びるとともに基板と対向して配置され、かつ、高周波電流が供給される放電電極６と、基板とともに放電電極６を挟む位置に配置されるとともに、放電電極６に沿って延び、かつ、共通電位に接地された電極支持部３１と、電極支持部３１から放電電極６に向かって延びるとともに放電電極６を保持し、かつ、放電電極６および電極支持部３１と電気的に接続された導電性を有する突出部４１と、が設けられ、突出部４１は、放電電極６および電極支持部３１との間で所定のインダクタンスを有する回路を構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空プラズマ・チャンバ内の加工物上で均一なプラズマ密度を達成することができるプラズマ処理装置用のコイルを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置用のコイル１７０であって、ＲＦ励振回路の両側の第１および第２の端子に接続するための第１励振端子１８８および第２励振端子１９０を備え、巻線１７２が第１励振端子１８８に、巻線１７４が第２励振端子１９０に接続され、短絡巻回１８６が巻線１７２および巻線１７４に結合されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ区画壁の内壁面がエッチングされることを防止してパーティクルや金属汚染の発生を抑制し且つ、電極面積を増大させてラジカルの発生量を増加させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、被処理体を保持して処理容器内へ挿脱される保持手段２２と、ガスを供給するガス供給手段３８、４０、４２と、ガスをプラズマにより活性化する活性化手段６０とを有して被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、活性化手段は、処理容器の外側へ突出された状態で処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁７２により区画形成されたプラズマ形成ボックス６４と、プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられた誘導結合型の電極６６と、電極に接続された高周波電源６８とよりなる。 （もっと読む）

誘導プラズマアプリケータは、強磁性誘導結合供給源（３，４）と、プラズマ供給源の中心に位置するホールパターンを有する電極（６）とを備える。そのようなプラズマアプリケータは、プラズマに十分なエネルギを供給する。上記プラズマアプリケータは、電気回路の製造技術を用いて製造されることが望ましい。強磁性誘導結合プラズマ供給源の電極（６）およびコイル（３）は、絶縁基板に形成された金属トラック部である。例えば、上記プラズマアプリケータは、プリント回路基板技術を用いて製造される。
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【課題】 基板の加熱温度を上げて高温処理能力を向上させる。
【解決手段】 少なくとも上面に光透過性窓を設けた反応室と、光透過性窓に対応する反応室外側に配置されたランプ加熱装置と、ランプ加熱装置と光透過性窓との間に設けられ、光透過性窓の窓枠を構成する耐熱性低熱伝導部材と、耐熱制定熱伝導部材と光透過性窓の間に設けられた窓押さえ込み部と、とを有する。 （もっと読む）

【課題】金属ロッドから成り、マイクロ波発生装置から導波管を介して伝搬されるマイクロ波を前記ロッドの一方側で受信し、他方端側では同心状に形成される接地側の電極との間で放電を行うことでプラズマを発生させるプラズマ電極において、長寿命化を図る。
【解決手段】ロッド状のプラズマ電極４０の上方側のアンテナ４１の部分が導波管２０の導波空間Ｈに配置されてマイクロ波を受信する一方、前記プラズマ電極４０の下方側が内側電極４２となり、それに外側電極３１が同心状に配置され、それらの間の内部空間３２にガス供給孔３５から供給される処理ガスを前記マイクロ波でプラズマ化するプラズマ発生ノズル３０において、前記内側電極４２の下方端４２１にセラミック溶射層４９を形成する。したがって、前記セラミック溶射層４９が前記下方端４２１に密着して該下方端４２１を安定して覆い、前記放電に対して、金属基材の蒸発や酸化を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】反応室内のプラズマ密度を均一にすることができる半導体製造装置を提供する
【解決手段】基板が処理される処理室５２と、この処理室５２内に設けられ、プラズマを生成するプラズマ室７６と、処理室５２の外側に設けられた複数の高周波アンテナ８４と、プラズマ室７６と複数の高周波アンテナ８４に挟まれる位置に、所定の間隔を隔てて配置され、高周波アンテナ８４により発生する電場を遮断するシールド９０と、を有し、複数の高周波アンテナ８４の接近部（位置Ｐ）に向けて、シールド９０の間隔が狭くなっている。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の内面１１１Ａと外面１１１Ｂの間に配置された高周波アンテナ２１と、前記高周波アンテナ２１と前記真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】基板等の温度を精度良く測定することができ、より精度良くかつ効率良く基板のプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置及び温度測定方法並びに温度測定装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２と、載置台３と、載置台３の下方に、載置台３と間隙を設けて配設されたベースプレート９と、温度測定手段とを具備し、載置台３の上方が真空雰囲気とされ、載置台３とベースプレート９との間の間隙が常圧雰囲気とされるプラズマ処理装置である。載置台３の上面と下面とを温度測定手段の測定光が透過可能なように光学的に連通し、かつ、気密封止された温度測定用窓１２〜１５を設けるとともに、載置台３とベースプレート９との間に、これらを連結する連結部材３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置において、被処理物の表面上での処理ガスの流れを調節する。
【解決手段】被処理物９を支持部２１にて処理領域に配置して支持する。第１処理ガス供給系６０Ａにて、処理ガスを被処理物９の相対的に内側の部分に供給する。第２処理ガス供給系６０Ｂにて、処理ガスを被処理物９の相対的に外周側の部分に供給する。第１処理ガス供給系６０Ａの処理ガスの供給流量と第２処理ガス供給系６０Ｂの処理ガスの供給流量を互いに連関させて調節する。好ましくは、第１処理ガス供給系６０Ａの供給流量を第２処理ガス供給系６０Ｂの供給流量より大きくする。 （もっと読む）