【課題】ウェハ面内におけるエッチング処理の均一性を向上する。
【解決手段】プラズマ生成用の高周波電力が供給される下部電極３に対向する上部電極４に対し，電気特性調整部５０を設ける。電気特性調整部５０は，処理空間Ｋから上部電極４に流れ込む電流の電流値が最大にならないように，プラズマＰから見た上部電極４側の回路の電気特性を調整できる。エッチング処理時に，前記回路が共振しないので，エッチング処理の面内均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】電子密度分布を均一に制御し、プラズマ処理を被処理体に施すことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容された筒状の処理室１２内に処理ガスを供給してプラズマを生成し、生成したプラズマにて被処理体Ｗにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に、前記処理室１２内の略中央部に光を照射する第１光照射手段と、前記処理室１２内の周壁側の領域に光を照射する第２光照射手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶粒間に鬆がない緻密な結晶性半導体膜（例えば微結晶半導体膜）を作製する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内における反応ガスの圧力を４５０Ｐａ〜１３３３２Ｐａとし、当該プラズマＣＶＤ装置の第１の電極と第２の電極の間隔を１ｍｍ〜２０ｍｍ、好ましくは４ｍｍ以上１６ｍｍ以下として、前記第１の電極に６０ＭＨｚ以下の高周波電力を供給することにより、第１の電極および第２の電極の間にプラズマ領域を形成し、プラズマ領域を含む気相中において、結晶性を有する半導体でなる堆積前駆体を形成し、堆積前駆体を堆積させることにより、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の結晶核を形成し、結晶核から結晶成長させることにより微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の外面１１１Ａと内面１１１Ｂの間に、外面１１１Ａから、該壁を貫通させることなく孔を設けることにより形成された空洞であるアンテナ配置部１１３Ａと、アンテナ配置部１１３Ａに配置された高周波アンテナ２１と、高周波アンテナ２１と真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】
一様で安定したプラズマを形成でき、大面積基板に均一な膜厚及び膜質分布で成膜できるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマＣＶＤ方法及び装置を提供する。
【解決手段】
本発明によるプラズマ処理装置又はプラズマＣＶＤ装置では、電極が、金属製電極本体と、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面に埋め込まれた複数個の誘電体とで構成され、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面が平坦であり、該表面に埋め込まれる複数個の誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置している。
また、本発明によるプラズマ処理方法又はプラズマＣＶＤ法は、高周波電力を供給する電極として、放電に対向する金属製電極本体の表面に複数個の誘電体を埋め込みそれぞれの誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置する構造の金属電極を使用し、大面積基板に均一に成膜できるように構成される。 （もっと読む）

【課題】処理室内の温度上昇を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】原料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成された処理室３と、処理室内を原料ガスが導入されるガス導入室３２と、基板１０が配置される反応室３１と、に区画するシャワープレート５と、を備えたプラズマ処理装置１において、ガス導入室内に、冷却装置５０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板に対する処理の品質に面内分布が生じることを抑制でき、かつ基板のたわみを十分に抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】カソード電極１３０及びアノード電極１２０は、処理容器１１０内に互いに対抗して配置される。アノード電極１２０は、帯状の可撓性基板５０を加熱する。またアノード電極１２０の側面のうち、平面視において可撓性基板５０が搬送時に通る部分には、湾曲部１２２，１２４が設けられている。湾曲部１２２，１２４は、可撓性基板５０の搬送方向と同方向に傾斜を有し、平面視において縁が外側に凸となる方向に湾曲している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来のＣＶＤ装置で用いることの出来なかった材料により成膜を可能にし、さらに不純物が混じらない高品質の成膜を可能とした薄膜堆積方法および装置を提供することを目的とする。
【解決手段】非平衡プラズマにより原料ガス１４に与えるエネルギーと、原料ガス１４より生成する目的の反応生成物固有のポテンシャルエネルギーとの差分のエネルギーを求め、ポテンシャルエネルギーが不足の場合、前記差分のエネルギーを補充するレーザ光１９の波長を求め、ポテンシャルエネルギーが余剰の場合、差分のエネルギーを誘導放出により放出するレーザ光１９の波長を求め、非平衡プラズマ化された原料ガス１４に、求めた波長のレーザ光１９を照射して、原料ガス１４の基底準位を前記ポテンシャルエネルギーに遷移し、原料物質より目的の反応生成物を解離または分解し、被成膜物質１２に堆積して成膜する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生部で生成された活性種が、ウェハ上に十分供給されやすく、成膜速度を向上させることでき、また、ウェハの面内、面間における膜厚均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】一端が閉塞し、他端が開口した筒状のアウターチューブと、前記アウターチューブ内に設けられるインナーチューブであって、一端が閉塞し、他端が開口した筒状に形成され、内部で基板を処理可能とするインナーチューブと、該インナーチューブの前記開口した他端を閉塞する閉塞部とを備えた基板処理装置において、前記アウターチューブの側壁と前記インナーチューブの側壁との間の空間に、石英パイプ１０で被覆されたアンテナ２３を設置したプラズマ生成部を設け、前記プラズマ生成部で生成された反応活性種を、前記インナーチューブの側壁に設けられた活性種供給口から、前記インナーチューブ内へ供給する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。また、電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を生産性高く作製する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の処理室に設けられた複数の凸部を備える電極から、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入し、高周波電力を供給し、グロー放電を発生させて、基板上に結晶粒子を形成し、該結晶粒子上にプラズマＣＶＤ法により微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置では、電極間にシリコンウエハを載置し、電極間に高周波の交流電力を印加してウエハのプラズ処理を行っていたが、電極間にはウエハが存在する為、プラズマは均一とならず、ウエハ表面のプラズマ処理を均一に行う事の出来る基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板５を処理する反応室１と、反応室１内において複数の基板５を所定の間隔をおいて多段に重ねて載置する基板載置手段２２と、反応室１内に処理ガスを導入する手段１０と、反応室１内を排気する排気手段６、７と、反応室１内に設けられたプラズマを生成する為の複数対の交流電力印加用櫛形電極とを備え、複数対の櫛形電極の各々の対は、基板載置手段２２に載置される複数の基板５の各々のプラズマ処理面から所定の距離にそれぞれ配置される基板処理装置が開示されている。 （もっと読む）

【課題】 プラズマがガス噴出孔を通じて電極のさらに内部に入り込み、電極支持部材をスパッタすることによる金属汚染を防止し、かつ寿命の長い電極を提供すること。
【解決手段】 本発明の電極は、一以上のガス通路孔２３ａを有する上部板２２ａと、一以上のガス噴出孔２３ｂを有する下部板２２ｂとを有し、かつ上部板２２ａと下部板２２ｂを上下に分割可能な構成とすると共に、上部板２２ａのガス通路孔２３ａ及び下部板２２ｂのガス噴出孔２３ｂの一方又は両方を、その一部又は全部を電極面２２ｓに対して斜めに設けるか、又はその一部を電極面２２ｓに対して平行に設ける。 （もっと読む）

【課題】高品質の薄膜を基板上に堆積させることを容易にする原料ガス分解機構を提供すること。
【解決手段】減圧下のチャンバ１７内で基板２１上に薄膜を気相堆積させる薄膜製造装置１に設けられ、薄膜の原料となる１種類または複数種類の原料ガスの分解種を分解して該原料ガスの分解種を生成する原料ガス分解機構に、反応室に連通される開口部を有し、該開口部を介して反応室に原料ガスを導入する１つまたは複数のガス導入管１３と、上記の開口部での反応室側の開口面よりも基板側に変位した状態で、かつ上記の開口部に近接した状態で接配置される原料ガス分解用の触媒体１０と、触媒体に導線１１ａ，１１ｂを介して通電することで該触媒体を昇温させる加熱電源１２とを設ける。 （もっと読む）

【課題】トラップを起因とするパーティクルの逆拡散を防止する。
【解決手段】処理室２０１内を排気する排気装置２４０のガス排気管２３１に設けられた真空ポンプ２４６とトラップ２５０間に第一バルブ２５１を設け、トラップ２５０の二次側に第二バルブ２５２を設け、第一バルブ２５１の一次側とガス排気管２３１を接続するバイパス管２４２に第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を設ける。成膜時には第一バルブ２５１と第二バルブ２５２を開き、第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を閉じ、真空ポンプ２４６によって処理室２０１から排気されたガスの反応副生成物をトラップ２５０によってトラップする。クリーニング時には第一バルブ２５１と第二バルブ２５２を閉じ、第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を開き、真空ポンプ２４６によって処理室２０１から排気されたクリーニングガスをトラップ２５０を迂回して流す。 （もっと読む）

【課題】電極と背面部材の間隔を狭くしても、処理室の排気効率が低下することを抑制できるようにする。
【解決手段】高周波電極３２０は、処理室１００の中に配置され、高周波が印加される。高周波電極３２０の表面は、被処理体１０に対向している。背面部材２１０は、高周波電極３２０の裏面を覆うように、この裏面から離間して設けられている。背面部材２１０と高周波電極３２０との間の空間は処理室１００の排気ルートとなっている。高周波電極３２０は、高周波電極３２０の表面を形成する板状の表面部材３２２と、表面部材３２２の裏面に取り付けられた筐体３２４から形成されている。表面部材３２２は、例えばステンレスなどの金属で形成されている。筐体３２４は、箱状であり、多孔板、例えばステンレスなどの金属板にパンチングにより多数の孔を形成したパンチングメタルで形成されている。 （もっと読む）

【課題】熱膨張差により同軸管外部導体と防着板との相対位置が変位しても安定した電気的な接続を維持することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】長手方向に熱伸び可能とされた放電電極３に電力を供給する芯線１４ａの周囲を覆うとともに接地された同軸シールド１２Ｓと、放電電極３に対向して基板８を支持する基板テーブル２と、基板テーブル２の面に沿う方向であって、放電電極３の長手方向と交差する方向に熱伸び可能とされ、基板テーブル２とともに放電電極３および基板８の周囲を覆う防着板４と、少なくとも同軸シールド１２Ｓに取り付けられ、防着板４に対して放電電極３の熱伸び方向、および、防着板４の熱伸び方向に相対移動可能とされるとともに、同軸シールド１２Ｓと防着板４とを電気的に接続する同軸シールド側接続部と、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成領域へのエネルギ伝送の効率化と、電界強度分布の均一化を図ることにより、大面積で高品質な膜を均一に製膜することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに対向して配置され、間にプラズマ処理が施される基板が配置される放電用のリッジ部であるリッジ電極２１，２１を有するリッジ導波管からなる放電室２と、高周波電力を放電室２に供給する電源５と、内部導体４１および外部導体４２からなり、電源５から放電室２へ高周波電力を導く同軸線路４Ａと、リッジ部３１，３１を有するリッジ導波管からなり、放電室２が延びる方向Ｌに隣接して配置され、同軸線路４Ａから放電室２へ高周波電力を導く変換部３Ａと、が設けられ、リッジ部３１，３１の一方は、内部導体４１と電気的に接続され、リッジ部３１，３１の他方は、外部導体４２と電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の大型化に対応できる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板を収容してプラズマ処理を施す処理室４と、処理室４内で被処理基板Ｇが載置される載置台２３と、処理室４内に処理ガスを供給する処理ガス供給系２０と、処理室４内を排気する排気系３０と、処理室４内に誘導電界を形成する高周波アンテナ１３と、高周波アンテナ１３に高周波電力を供給する第一の高周波電源１５と、を具備し、高周波アンテナ１３と処理室４との間に、処理室４を構成する本体容器１と絶縁されて形成された非磁性体で導電性の金属窓２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の電極を管状にし、この電極内の空間に冷却液を流して電極を冷却する際、上記電極内空間にガス溜まりが形成されるのを防止し、冷却効率を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置１の太い管状の第１電極１０の軸方向をほぼ水平に向け、その上側又は下側に第２電極２０を配置し、両電極１０，２０間に放電空間４２を形成する。冷却液を第１電極１０に供給又は排出する細い給排管３２，３４を第１電極１０に接続する。給排管３２，３４のうち少なくとも排出管３４の管内空間３４ａと第１電極内空間３３との連通部３４ｂを、第１電極１０の上側管壁１１の内面の近傍に配置する。 （もっと読む）

【課題】プラズマによって生成される活性種量を増大することができる基板処理装置および半導体デバイスの製造方法を提供する
【解決手段】処理容器２０３と、処理容器２０３内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部２３２ａ、２３２ｂと、処理容器２０３から余剰の処理ガスを排出するガス排出部２４６と、処理容器２０３内にて複数の基板２００を積層した状態で載置する基板載置部材２１７と、処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電極３０１とを有し、電極３０１は、平行に配置された２本の細長い直線部３０２、３０３と、直線部３０２、３０３のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部３０４と、を備え、直線部３０２、３０３が基板２００の側方に、基板２００の主面に対し垂直な方向にわたって延在して配置される。 （もっと読む）