【課題】厚みと組成の均一な膜を形成しやすい成膜装置を提供する。
【解決手段】大気圧下においてプラズマＰを生成する。このプラズマＰを被処理物Ｗの表面に膜原料を付着させて成膜する成膜装置Ａに関する。前記膜原料を含有する成膜ガスＣＧを流通させる第１流路５。プラズマ生成ガスＰＧを流通させる第２流路９。前記プラズマ生成ガスＣＧに電界Ｅを印加してプラズマＰを生成させるための電極３。前記第１流路５と前記第２流路９とを合流させるための合流部１４。前記合流部１４から前記膜原料を放出させるための放出口１１とを備える。前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入方向と、前記合流部１４での前記プラズマＰの流通方向とが略平行となるように前記第１流路５が前記第２流路９内に形成され、前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入速度が、前記合流部１４での前記プラズマＰの流速よりも高速である。 （もっと読む）

【課題】基板をエッチングまたはコーティングする
【解決手段】誘電体基板（１００）は第１の真空蒸着ステーション（１０２）で、１０^−５Ωｃｍ≦ρ≦１０^−１Ωｃｍが抵抗率（ρ）について成り立つ材料の層でコーティングされ、しかも、結果として生じる面積抵抗率Ｒ_Ｓが０≦Ｒ_Ｓ≦１０−４Ω_δの範囲内におさまるようにコーティングされる。次いで、コーティングされた誘電体基板（１０４）にステーション（１０５）で反応性高周波プラズマ処理工程が施される。 （もっと読む）

【課題】製膜速度の低下を抑制しながら、クラスターフリーもしくはクラスターが極少したシリコン系薄膜を製膜できるシリコン系薄膜の製造方法及びシリコン系薄膜の製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン系薄膜の製膜装置は、基板１０１が収容された真空容器内にＳｉを含む原料気体を供給し、プラズマ発生部１０３に設けた放電電極１０６に高周波電力を供給し、原料気体のプラズマを発生させて基板１０１上にシリコン系薄膜を製膜するシリコン系薄膜の製膜装置であって、基板１０１と放電電極１０６との間にクラスター除去部１０４が配置され、クラスター除去部１０４は、開口率が５０％以上となるよう複数の開口部を備え、開口部は前記プラズマ発生部側と基板側を連通させ、開口部の開口幅が、製膜時の圧力下でのＳｉナノクラスターの平均自由行程の２倍以下であり、開口部の長さが、開口幅の２倍以上である。 （もっと読む）

【課題】基板用キャリアへの電気的接触を改善した要素を備える真空処理チャンバを提供する。
【解決手段】 具体的な実施例は、キャリアを支持する台を有するプラズマ処理チャンバを提供し、複数の固定ポストおよび弾性接触部が台の領域を通じて配布されている。固定ポストはキャリアへの物理的な支持を与える。一方、弾性接触部は、信頼性が高く繰り返し可能なキャリアへの多点電気的接触を提供する。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の大型化に対応して誘電体窓部を一辺当たり三以上に分割して従来技術よりも多数の分割片に分割した場合でも、処理室内に強いプラズマを発生させることが可能な誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理室内のプラズマ生成領域に誘導結合プラズマを発生させる高周波アンテナ１１ａ〜１１ｃと、プラズマ生成領域と高周波アンテナ１１ａ〜１１ｃとの間に配置され、複数の誘電部材３ａ〜３ｈと、該複数の誘電部材３ａ〜３ｈを支持する導電性梁７とを含む誘電体窓部３を備え、導電性梁７が誘電体窓部３を一辺当たり三以上に分割し、かつ、導電性梁７には、導電性梁７が誘電体窓部３を一辺当たり三以上に分割したときに誘電体窓部３の中央部分に高周波アンテナ１１ａ、１１ｂに沿って生じる閉ループ回路２００がない。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型のプラズマ処理装置において、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の均一性を高める。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、Ｘ方向の一端部から他端部に高周波電流Ｉ_R が流されるアンテナ３０を備えている。アンテナ３０の下面３３に、上下方向の凹凸を付け、かつアンテナ３０のＸ方向における中央部よりも両端部付近に凸部３５を多く配置している。アンテナ３０の下方に、アンテナ３０とプラズマ５０との間の電界を遮蔽するくし型のシールド導体６０を備えている。シールド導体６０は、Ｙ方向に平行な線状導体６２をＸ方向に複数有しており、かつ当該複数の線状導体６２のＹ方向の一端部を電気的に並列接続する電気的に接地された接続導体を有している。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の大型化に対応でき、かつ、処理室内におけるプラズマ分布の制御性を良好にすることが可能な誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理室内のプラズマ生成領域に誘導結合プラズマを発生させる高周波アンテナ１１ａ、１１ｂと、プラズマ生成領域と高周波アンテナとの間に配置される金属窓３と、を備え、金属窓３が、この金属窓３の周方向θに沿って２以上に互いに電気的に絶縁されて分割される第１の分割がされ（３ａ、３ｂ）、かつ、第１の分割がされた金属窓３が、さらに周方向θと交差する方向ｒ１、ｒ２に沿って互いに電気的に絶縁されて分割される第２の分割がされている（３ａ１〜３ａ４、３ｂ１〜３ｂ４）。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及び装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が、シリコンを表面にコーティングした石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制し、発生するパーティクルが膜に混入することを防ぎ、均一で高品質な薄膜を形成できるプラズマＣＶＤ装置および方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に、メインロール６と、プラズマ発生電極７とを備え、長尺基材を前記メインロールの表面に沿わせて搬送しながら前記長尺基材の表面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、前記メインロールと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を囲むように、前記成膜空間を挟んで前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側に、前記長尺基材の幅方向に延在する少なくとも１枚ずつの側壁８を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側のいずれか一方の側壁に、前記長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列９を１列以上備えるプラズマＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】 基板の裏面への異物の付着及び基板の横滑りを抑制する。
【解決手段】 基板を処理する処理室内に設けられ、基板を支持する基板支持部は、基板の縁側を下方から支持する凸領域と、凸領域により支持された基板に接触しないように凸部の内側に設けられた凹領域と、凹領域に設けられ、凸領域よりも低く形成された補助凸領域と、を上面に有し、凹領域内に連通し、基板と、基板支持部との間の気体を凹領域側から逃す流路を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、生産コストの低減に必要な、高速で基板サイズの大面積化が可能なプラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】導波管を備えた空洞共振器１と、高周波電源２０と、インピーダンス整合器３２と、３端子サーキュレータ５０と、該３端子サーキュレータ５０に接続された無反射終端器５２及び反射波検知器５４とから成るプラズマ表面処理装置で、インピーダンスの整合を取るに際し、供給電力のアンテナ２からの反射波が最小に、かつ、該空洞共振器内部に放射される電力が最大になるように調整可能としたことを特徴とする。リッジ６１を有する導波管を用いることも特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中で発生した不要物質を速やかに排気することができ、かつ基板上での処理の均一性が良く、さらに生産性の高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に、カソード電極ユニットと、基板保持機構とを備え、カソード電極ユニットに電源が接続されたプラズマ処理装置であって、カソード電極ユニットは、カソード板６と、カソード板に隣接する第１の排気室７と、該第１の排気室に隣接する給気室８と、給気室に隣接する第２の排気室９とを備え、給気室は、ガス流入口１３を備え、第２の排気室は、ガス排出口１６を備え、カソード板は、カソード板を貫通する複数の給気孔１１および複数の排気孔１２を備え、複数の給気孔と給気室は、第１の排気室を貫通する複数の給気流路１４により連結され、第１の排気室と第２の排気室は、給気室を貫通する複数の排気流路１５により連結される構成を有する。 （もっと読む）

【課題】欠陥が低く、高次シランの混入のない高品質なアモルファスシリコン薄膜を得ることができるプラズマＣＶＤ装置、及シリコン系薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】平行平板型プラズマＣＶＤ装置１には，放電電極３に凹部７が設けられ，該放電電極と接地電極１０との間に，アースカバー８が設けられ，このアースカバーには放電電極に設けられている凹部に相対向するように，貫通孔９が設けられている。また、薄膜の製造に当たっては、前述の装置で、真空容器を減圧下に保持し、真空容器内に該放電電極に設けられている該凹部の壁面より少なくとも珪素を含む原料ガスを凹部内に供給し、該放電電極に高周波電力を印加して、該凹部中において該原料ガスをプラズマ化し、該凹部中にプラズマを局在化させ，該プラズマ化した原料ガス中に含まれるＳｉＨ３ラジカルを基板上に到達させ、成膜する事により、前記課題を解決出来る。 （もっと読む）

【課題】長期間使用しても均一な薄膜の形成を維持することができ、さらに、形成される薄膜に薄膜の特性を低下するような不純物が含まれ難い薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、成膜容器と、前記成膜容器の成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間内の基板を載置する載置台の上部に、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向くプラズマ生成用電極板が設けられ、前記成膜空間内の前記ガスを用いて前記成膜空間内でプラズマを生成させるプラズマ電極部と、前記成膜空間に向く前記電極板の面の一部を遮蔽する第１の誘電体板と、前記電極板の面の残りの部分を遮蔽する交換可能な第２の誘電体板と、を含む電極板遮蔽部と、を有する。前記第２の誘電体板は、前記電極板の電流が流れる端面間の経路長の中央の位置に対して少なくとも上流側に位置する領域に設けられる。 （もっと読む）

【課題】プラズマの均一性を高める。
【解決手段】平行平板型のプラズマ処理装置用の上部電極１０５であって、所望の誘電体から形成された基材１０５ａと、前記基材１０５ａの表面のうち、少なくとも前記プラズマ処理装置の下部電極２１０側の表面の一部に形成された導電体層１１０と、を含み、前記導電体層１１０は、前記下部電極２１０側の表面の外側が内側より密になるように疎密のパターンを有する上部電極１０５が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板を保持するキャリアのクリーニングを行わなわずとも、高品質な被膜を基板に対して成膜することが可能であり、かつ、効率的な成膜を可能とする成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗがキャリア２１からヒータ（アノードユニット）９０に移載された後、キャリアは成膜室１１から搬出される。基板をヒータに渡した後のキャリアは、成膜中は、仕込・取出室内で待機すればよい。この後、成膜室と仕込・取出室とを隔てるドアバルブを閉状態にする。 （もっと読む）

【課題】高周波電極の基板が載置されている側の空間におけるプラズマ生成密度の均等化を図ることができる基板支持部材を提供する。
【解決手段】高周波電極１２には孔１２１またはスリット１２２が設けられている。高周波電極１２はそのα倍（０．２５≦α≦０．７５）の半径αｒを有する同心円Ｃにより複数の範囲に区分されている。当該範囲のそれぞれにおける孔１２１またはスリット１２２の分布または配置態様が差別化されている。 （もっと読む）

【課題】基板上部で安定してプラズマを生成させることができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間において、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板の前記主面の中央部分に前記電流の流れる方向に沿って設けられる凹状の溝部を充填するように設けられ、前記成膜空間に向く端部が同じ極性を有する磁石と、を備える。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業による装置の稼働停止時間を短縮することにより、装置の稼働率を向上する。
【解決手段】アンテナ交換方法は、複数の真空チャンバ１と基材搬送チャンバ１５０の内部を真空状態に減圧し、アレイアンテナユニット３０をアンテナ搬送チャンバ２００に収容し、そのアンテナ搬送チャンバ２００の内部を真空状態に減圧し、アンテナ搬送チャンバ２００と真空チャンバ１との内部を真空状態に維持したまま当該両チャンバを連通し、真空状態を維持したまま連通された両チャンバ間で、アンテナ搬送チャンバ２００から真空チャンバ１にアレイアンテナユニット３０を搬入し、真空チャンバ１内に搬入されたアレイアンテナユニット３０の電極棒それぞれが、高周波電源に電気的に接続された複数のコネクタに接続されるようにアレイアンテナユニット３０を真空チャンバ１内に掛け止めする。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内に基板を搬送する際の衝撃を低減する。
【解決手段】駆動モータ２０の出力軸に接続された駆動ピニオン２１を真空チャンバ１内に備え、駆動ピニオン２１を、基板搬送体６０に設けられたラック６４に噛合させて回転させることにより、基板搬送体６０を真空チャンバ１内に搬入するアレイアンテナ式プラズマＣＶＤ装置において、駆動モータ２０を真空用ダイレクトドライブモータで構成し、駆動ピニオン２１を所定の位相に停止させる。 （もっと読む）