【課題】膜の堆積を抑制することが可能な基板載置機構を提供すること。
【解決手段】
被処理基板載置面２１ａを有し、被処理基板Ｗを、膜が堆積される成膜温度に加熱する加熱体が埋設され、広径部９４ｂと狭径部９４ａとを有する第１のリフトピン挿通孔８１ａを備えたヒータープレート２１と、少なくとも被処理基板載置面２１ａ以外の表面を覆うように形成され、温度が成膜温度未満の非成膜温度とされ、広径部９２ｂと狭径部９２ａとを有する第２のリフトピン挿通孔８１ｃを備えた温調ジャケットと、広径部９４ｂに挿通可能な蓋部９３ｂと、広径部９４ｂ及び狭径部９４ａの双方に挿通可能な軸部９３ａとを備えた第１のリフトピン２４ｂ−１と、広径部９２ｂに挿通可能な蓋部９１ｂと、広径部９２ｂ及び狭径部９２ａの双方に挿通可能な軸部９１ａとを備えた第２のリフトピン２４ｂ−２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの汚染の発生を避け、加熱後の半導体ウエハの載置台を効率よく冷却しスループットを向上させることができる半導体ウエハ処理装置及び半導体ウエハ処理方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ処理装置１は、半導体ウエハＷを格納するチャンバ３と、当該チャンバ３内に設けられ半導体ウエハＷを載置する載置面７を有するウエハ載置台５と、を備え、載置面７を加熱することで半導体ウエハＷを加熱しながらチャンバ３内での半導体ウエハＷの処理を行う半導体ウエハ処理装置１である。装置１は、載置面７を冷却する載置面冷却部２１を備え、載置面冷却部２１は、ウエハ載置台５に内蔵され冷却用のガスを通過させる冷却ガス通路２３を有している。 （もっと読む）

【課題】基板の反りを抑え、研磨加工工程等の時に基板の割れを防止する高輝度発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板の第一主表面側上に４元発光層を形成し、該４元発光層上にＧａＰ窓層を形成し、ＧａＡｓ基板の第二主表面側を研磨し、該基板をチップに加工して高輝度発光ダイオードの製造する方法において、
前記４元発光層上にＧａＰ窓層を形成する工程は、ＧａＡｓ基板をサセプタに形成されたザグリに保持して、ＧａＰエピタキシャル膜を気相成長させるものであり、該サセプタのザグリを貫通させ、エピタキシャル成長時に基板の表裏両面に原料ガスが触れるようにし、エピタキシャル成長により表裏両面にＧａＰエピタキシャル膜を同時に形成することを特徴とする高輝度発光ダイオードの製造方法。 （もっと読む）

【課題】内部に基板支持体が配置されているプロセスチャンバを備える基板プロセス装置。
【解決手段】基板支持体は、加熱ペデスタルの形であり、それ自身とペデスタルの間の隙間を限定する除去可能なパージリングによって周囲を囲まれている。外側でペデスタルのエッジは、パージガスマニホールドで、パージリングとペデスタルの間の空洞の形である。マニホールドの低端は、加熱から膨張しパージリングの低端と接触するというプロセス温度で形成されるメカニカルシールの方法で密閉される。マニホールド上端は、パージリングとペデスタルによって限定される環帯内に対して開いている。マニホールドは、処理中に、パージガスが基板のエッジに対して放出されるように配置され、ガスはパージリングと基板支持体の間に限定される環帯を通して上むきに移動する。 （もっと読む）

【課題】気相成長膜の成膜の前後のガスによる副生成物の生成を抑止するライナを備えた気相成長装置及びこれを使用した気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１と、プロセスガス１１０を供給するガス供給部１０２と、チャンバ１０１内からガスを排気するガス排気部１０８とを備えた気相成長装置１００であって、チャンバ１０１の内壁部１３０の物性が上部ライナ１３１と下部ライナ１３２とで異なるように構成されており、下部ライナ１３２は、上部ライナ１３０に比べ、熱エネルギーが吸収しやすく、且つ蓄熱性が高い物性の基材で構成されていることを特徴とする。これにより、プロセスガス１１０及び生成ガス１１２に起因するライナ１３０全面への副生成物の生成を抑止することができる。
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【課題】 特性補正用リングの経時的な温度上昇を抑制して処理特性のばらつきを無くす。
【解決手段】 処理チャンバー内でプラズマＰによって基板１０に所定の処理を施す際、基板ホルダーにより基板１０を保持する。基板１０は、基板温度調節機構５により基板保持面２０を通して熱交換されて温度調節される。基板１０の周辺部での処理特性のばらつきを補正する特性補正用リング９が、基板１０の周囲を取り囲むようにして設けられる。特性補正用リング９は、基板温度調節機構５が兼用された冷却手段により冷却され、プラズマＰからの熱を蓄えて経時的に温度上昇するのが防止される。特性補正用リング９の温度は、プロセス温度に一致するよう制御される。特性補正用リング９のホルダー本体１への熱接触性が、静電吸着機構６等の接触性向上手段により向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの周縁部まで均一に成膜することが可能な気相成長方法および気相成長装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ上に成膜を行うための反応室１に、反応ガスを導入し、ウェーハｗを回転させながら裏面より加熱し、シャワーヘッド７よりウェーハｗの全面に反応ガスを供給するための第１のガス流を形成するとともに、リング状シャワーヘッド８より第１のガス流の外周に第２のガス流を形成して、ウェーハ上に成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】被処理体のエッジ部の側面のみならず、裏面（下面）側にも成膜等の処理を施すことが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４４内に処理ガスを供給して被処理体Ｗに対して処理を施すために前記処理容器４４内で前記被処理体を載置して支持するための載置台構造において、前記被処理体を載置する載置面を有する載置台本体５０と、前記被処理体の移載時に前記被処理体を突き上げるために昇降可能になされた昇降ピン機構１０６と、前記被処理体を前記載置台本体上に載置している時に前記被処理体の周辺のエッジ部３８の下面を前記処理ガスに晒すために前記載置面に形成されたエッジ露出用段部１２２とを有する。これにより、被処理体のエッジ部の側面のみならず、裏面（下面）側にも成膜等の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】基板吸着力を正確にモニタすることが可能な基板吸着システム２を提供する。
【解決手段】基板５を吸着するホットプレート１２と、ホットプレート１２の表面に形成されたガス充填室２０と、ガス充填室２０に不活性ガスを供給するガス流路２５と、圧力計２３の測定結果に基づいて、流量制御バルブ２４の開度を調節し、ガス充填室２０内のガス圧力を所定圧力に制御する制御部３０と、流量制御バルブ２４の上流側に配置され、ガス流路２５のガス流量を測定する流量センサ２７と、流量センサ２７の上流側に配置され、ガス流路２５を開閉する遮断弁２８と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置に適用した場合に、プラズマ中の電界強度の面内均一性が向上し、板状試料に対して面内均一性の高いプラズマ処理を行うことができる静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明の静電チャック装置２１は、上面３１ａを板状試料Ｗを載置する載置面とするとともに静電吸着用内部電極２５を内蔵した基体２６及び静電吸着用内部電極２５に直流電圧を印加する給電用端子２７とからなる静電チャック部２２と、静電チャック部２２に固定されて一体化され高周波発生用電極となる金属ベース部２３とを備え、静電吸着用内部電極２５の体積固有抵抗を１．０×１０^−１Ω・ｃｍ以上かつ１．０×１０^８Ω・ｃｍ以下とした。 （もっと読む）

イオンビームエッチシステム(ＩＢＥ)などの高真空処理システムにおける基体などの被支持部材の温度の制御を向上させるための装置および方法に関する。この装置は、被支持部材(２０)を支持する支持部材(４２)から液冷式熱交換部材(４４)へ熱を伝達させる、支持部材(４２)の温度を制御するための熱電デバイス(７０)を備えている。この方法は、液冷式熱交換部材(４４)へ熱を伝達する熱電デバイス(７０)を用いて、支持部材(４２)を冷却することを含む。
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【課題】シリコンウェーハ基板上の形成膜の平坦度を向上させるための気相成長装置及び気相成長方法、また、清浄度を向上させるための気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】原料ガスのガス導入口及びガス排出口が形成された反応容器内で、シリコン基板の主表面に沿ってシリコン単結晶薄膜形成のための原料ガスを導入しつつ、前記主表面側の反対側に、前記シリコン基板を回転支持する回転軸に沿うようにパージガスを導入し、それぞれ、前記原料ガスは前記ガス排出口から排出し、前記パージガスは、前記反対側に備えられたパージガス排出口から排出し、実質的に前記パージガス及び前記原料ガスがそれぞれ前記主表面側及びその反対側への流出が制限されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によって、基板温度を所定の温度に加熱制御することが可能な基板保持装置、及びこのような基板保持装置を配設した基板処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明の基板保持装置は、基板２０Ａを載置する載置面２１を備えたヒータハウジング２２と、基板２０Ａを載置面２１上に保持するホルダ２３と、ヒータハウジング２２内に設置され、載置面２１と載置面上に保持された基板２０Ａとの間の隙間Ｇに熱媒体ガスを排出可能にする排出部３０ａを備えた配管３０と、ガス流路３０に沿って設置され、ガス流路内を流れる熱媒体ガスを加熱するシースヒータ４０とを有する。 （もっと読む）

【目的】シリコンウェハを支持するホルダへのシリコンウェハの貼り付きを低減することを目的とする。
【構成】チャンバ１２０内にはホルダ１１０上に載置されたシリコンウェハ１０１が収容され、前記チャンバ１２０には成膜するためのガスを供給する流路１２２及びガスを排気する流路１２４が接続されたエピタキシャル成長装置１００において、ホルダ１１０は、前記シリコンウェハ１０１に対しシリコンウェハ１０１面と同方向の移動を拘束する複数の凸部１１２を有し、前記シリコンウェハ１０１裏面と接触する面で前記シリコンウェハ１０１を支持することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 製造が容易にして、安定して作用する薄膜蒸着用ヒータを提供する。
【解決手段】ウェーハが載置され、発熱部材が内蔵され、エッジ側に複数の噴射ホールが形成されたウェーハ支持プレートと、ウェーハ支持プレートの下側に配置され、不活性ガスの供給のための不活性ガス通路が形成されたシャフトと、ウェーハ支持プレートの下部に結合され、ウェーハ支持プレートとの間に内部空間を形成する流路形成カバーと、を備え、内部空間は、噴射ホールと不活性ガス通路とを連結することを特徴とする薄膜蒸着用ヒータである。 （もっと読む）

【課題】 被処理物保持面の加工が安価で部品コストの低減を図ることができ、且つ被処理物保持面における均熱均熱性に優れ、必要に応じて急速昇温及び急速冷却が可能な半導体製造装置用の保持体を提供する。
【解決手段】 抵抗発熱体７を有する板状でＡｌＮ等からなるセラミックスヒータ５の上に、被処理物９を保持するＡｌ等からなる金属製保持部１０を備えている。金属製保持部１０内には、冷却媒体が中央付近から放射状に移動し、外周縁に排気されるように流路１２が形成されている。この保持体１０は、コータデベロッパでのフォトリソグラフィー用樹脂の加熱硬化又は半導体絶縁膜の加熱焼成に用いられる。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内温度を均一にできるサセプタを提供する。
【解決手段】 サセプタ１３は，基板Ｗより小さい基板保持面２０を有している。基板保持面２０は，外周リング２１と複数の凸部２２を備えている。基板保持面２０の中心領域Ｒ１には，凸部２２を均等に配置する。基板保持面２０の中間領域Ｒ２には，凸部２２を中心領域Ｒ１よりも単位面積当たりの個数が少なくなるように配置する。基板保持面２０の外周領域Ｒ１には，凸部２２と外周リング２１を配置する。これにより，基板保持面２０の中間領域Ｒ２における熱伝達率を，中心領域Ｒ１よりも低くし，外周領域Ｒ３における熱伝達率を中心領域Ｒ１よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】
試料と溶射膜間の伝熱ガスの圧力を正確に測定することにより試料を正確に所定の温度に制御する。
【解決手段】
内部に冷媒を流す冷媒通路を形成した基材１と、前記基材表面に形成した溶射膜２上に形成した伝熱ガス供給溝と、前記基材内に形成されて前記伝熱ガス供給溝と連通する伝熱ガス通路５を備え、前記溶射膜の伝熱ガス供給溝形成面に載置された試料を静電吸着して保持するプラズマ処理装置の試料載置電極において、 前記基材内に形成した伝熱ガス通路５に連接して伝熱ガスの圧力を測定する圧力計１０を前記基材１内に備えた。 （もっと読む）

【課題】 従来の装置をプロセス室内の温度分布が均一になるように改善すること。
【解決手段】 本発明は、導電性を有しかつ接触領域（２’、２”、３’、３”）が形成されて相互に突き当たる複数の壁部（１、２、３、４）からなるプロセス室（５）と、プロセス室の壁部（１、２、３、４）を収容し絶縁材料からなるリアクタ筐体（６）と、プロセス室の壁部（１、２、３、４）を取り囲むＲＦ−加熱コイルとを備え、特に結晶膜を特に少なくとも１つの結晶基板上に堆積する装置に関する。リアクタ筐体（６）とプロセス室の壁部（１、２、３、４）との間配置され、導電性を有する材料から一体に形成されかつ体積を有し、ＲＦ−加熱コイル（７）を介して生成されるＲＦ−電磁界によってそこに誘導される渦電流によって加熱され、ＲＦ−電磁界を大幅に減衰させ、プロセス室の壁部（１、２、３、４）を加熱する熱遮蔽管（８）を備える。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、オートドープ現象の発生を抑制できるサセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置、およびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】製造装置を構成するサセプタ２は、第１サセプタ２１および第２サセプタ２２で構成され、第１サセプタ２１および第２サセプタ２２を組み合わせた状態で各サセプタ２１，２２間に所定の隙間が形成される。この隙間は、基板ウェーハがサセプタ２に載置された際に基板ウェーハおよびサセプタ２の間で形成される空間部とサセプタ２外部とを連通する連通路２３として構成される。 （もっと読む）