【課題】基板が破損する可能性を軽減しつつ、基板が載置台上に吸着しているか否かを検出し解消する吸着検知解消方法を提供すること。
【解決手段】載置台の載置面から被処理体の裏面に対して、所定の吸着判定圧力にて流体を供給する工程と（ステップ２）、吸着判定圧力にて流体を供給開始してから、所定の吸着判定時間が経過したときの流体の流量を検知する工程と、該工程において検知された流体の流量が、所定の吸着判定流量以下か否か、を判定する工程と（ステップ３）、該工程における判定の結果、流体の流量が吸着判定流量以下の場合、被処理体の裏面に対して流体を供給する圧力を吸着判定圧力よりも高圧の吸着解消圧力にする工程と（ステップ７）、を具備する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板の温度調節をしつつ、絶縁基板を有する配線基板の静電気破壊の発生を低減することを目的とする。
【解決手段】第１方向Ｄ１に延びた配線Ｚが配置された絶縁基板１０を有する配線基板３０を配置可能なテーブル面４０Ｓと、テーブル面４０Ｓに形成されるとともに第１方向Ｄ１と交差する方向に延びた直線状の溝部４１と、溝部４１に形成されるとともにガスが注入される注入口４２Ａと、溝部４１に形成されるとともに注入口４２Ａから注入されたガスを排出する排出口４３Ａと、を有するテーブル４０を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理チャンバーの基板デチャックシステムは、基板のデチャック時に、電位スパイクを減少させて、基板をＥＳＣ（静電チャック）から取り外せるように構成される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的に、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスのための装置及び方法に関する。一実施形態では、ＣＶＤ反応装置は、蓋サポート上に互いに連続して直線的に配置された、反応装置本体の上に配置され、第１のシャワーヘッドアセンブリを含む反応装置の蓋アセンブリと、アイソレータアセンブリと、第２のシャワーヘッドアセンブリと、排気アセンブリと、を有している。ＣＶＤ反応装置は、更に、反応装置本体の両端部に配置した第１及び第２のフェースプレートを含み、第１のシャワーヘッドアセンブリが第１のフェースプレートとアイソレータアセンブリとの間に配置され、排気アセンブリが第２のシャワーヘッドアセンブリと第２のフェースプレートとの間に配置されている。反応装置本体は、ウエハキャリアトラック上のウエハキャリアと、ウエハキャリアトラックの下に配置され、ウエハキャリアに配置されたウエハを加熱するために利用することができる、複数のランプを含むランプアセンブリと、を有している。
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【課題】均等で、かつ再現性のよい基板加熱を行う。
【解決手段】基板５０から形成される半導体装置の製造装置であって、基板５０が載置される基板載置面を有する基板載置台２１と、基板載置台２１にガスを送るガス導入手段２９、３０、３１、３４と、基板載置台２１内に設けられ、基板載置面に熱を伝えるヒータ２４と、基板載置台２１内に設けられ、基板載置面の温度を測定するセンサー２６と、センサー２６からの温度に基づいてヒータ２４に加える電力を調整するヒータ加熱制御手段２８とを有する。 （もっと読む）

【課題】ネジ止めされた基板載置台の表面に，ネジのある部分とない部分との間の熱膨張量の差に起因して生じる撓みが発生することを防止する。
【解決手段】ウエハＷを載置する載置台２００であって，載置台本体を構成するサセプタ２１０と，このサセプタの周縁部を処理室１０２内に固定するネジ２３２とを備え，サセプタの周縁部に側面全周に渡る環状溝２４０を設けて，サセプタの周縁部をネジ２３２で締め付けられて熱膨張が抑えられる部分を含む下側の部分と，自由に熱膨張する上側の部分とに分けた。 （もっと読む）

【課題】大入熱エッチング処理時における半導体ウエハの温度を、高速かつ面内均一に制御するための手段を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化し、該プラズマにて試料台１に載置された被加工試料Ｗの表面処理を行うプラズマ処理装置において、試料台に設けられ冷却サイクルの蒸発器を構成する冷媒流路２を有し、前記冷媒流路２内に供給される冷媒のエンタルピを制御することで冷媒流路２すなわち試料台内の流動様式を気液二相流に保つことにより、被加工試料の温度を面内均一に制御する。プラズマの入熱量等が増加するなどして冷媒流路２内で冷媒のドライアウトが発生するような場合には、圧縮機７の回転数を増加させ、冷媒流路２内におけるドライアウトの発生を抑制する。また、冷媒流路２に供給される冷媒が液状になっていた場合には、熱交換水用の流量弁１６及び温度制御水槽１７の制御により、冷媒流路２内に供給される冷媒を気液二相状態に保つ。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気において処理容器内の基板に対して処理ガスをプラズマ化したプラズマを供給してプラズマ処理を行うにあたって、面内均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】基板を載置する載置台に対向するように、下面に多数のガス吐出孔が形成されたガスシャワーヘッドを処理容器の天壁に設けると共に、このガスシャワーヘッドの周囲における処理容器の天壁を誘電体により構成し、この誘電体上にコイルを設置して、基板の上方の処理領域とこの処理領域を囲む周縁領域とにおける電界が同位相あるいは逆位相となるようにガスシャワーヘッド及びコイルに供給する高周波の位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理室内に配置され、下方側に管構造を備える基板支持装置において、装置構成の大規模化や複雑化を招くことなく、管構造内部での結露を有効に防止する。
【解決手段】 基板支持電極を構成する基板ベース１１と基板支持電極を支持する支持管１４とは、絶縁フランジ１５で互いに絶縁され、また、基板ベース１１の下面１１１に接続される冷却水配管等は、支持管１４の内部で絶縁カラー１６により保持される。また絶縁カラー部１６は絶縁フランジの中空に嵌合している。ここで、基板ベース１１の下面１１１、絶縁フランジ１５の内周面１５２、および絶縁カラー部１６の外周面１６１により形成される下面露出空間Ｓを、防水透湿性材料からなるＯリング１７で水密に封止する。Ｏリングは透湿性を有するので、冷却により生じた水滴Ｄを水蒸気として、下面露出空間Ｓから揮発させることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は被処理体が載置される載置部材に酸化物が堆積しても、ある程度の量となるまで問題を生じることなく使用できる成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 載置台１２ａのカバープレート６２上にウェハＷを載置する。カバープレート６２はウェハＷが載置されたときにウェハＷの外周に沿って延在する環状の溝よりなる凹部６２ａを有する。凹部６２ａの内周は載置領域の外周と同じ、又は外周より小さい。また、カバープレート６２の載置領域の外側部分を覆うガイドリング６４が設けられ、ガイドリング６４の内周は、カバープレート６２の凹部６２ａの外周と同じか、外周より小さい。 （もっと読む）

【課題】ステージに対する電力供給や熱媒の循環を容易に行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して、基板Ｇを処理するプラズマ処理装置１において、温度調節機構２０，２１を備えたステージ本体１３と、ステージ本体１３の上面に配置された回転部材３１と、回転部材３１を介してステージ本体１３の上面と一定間隔に保持するように配置された、基板Ｇを載置する均熱板１４と、均熱板１４を回転させる回転機構３６とを備える。ステージ本体１３の上方において均熱板１４のみが回転し、基板Ｇに対する均一なプラズマ処理が行われる。固定されたステージ本体１３に対して、電力供給や熱媒の循環を容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】粉塵の発生を防止して、基板温度の均一化を図ることができる基板保持装置を提供する。
【解決手段】基板２の裏面に不活性ガスを供給する構造を有する基板保持装置Ｄであって、不活性ガスの流路７２Ａ、７２Ｂに連通する貫通孔を有する基台５１０と、基台上に支持され、基台の貫通孔５１３、５１４と連通する貫通孔３３０、３４０を有し、基板を保持する基板保持台３と、基台と基板保持台との間に、基台と基板保持台の貫通孔同士を連通させた状態で介装される熱伝導性を有する中間部材４と、ガス流路となる基台と基板保持台の貫通孔同士の連通路を確保すると共に、その連通路と中間部材とを隔てる弾性成形体６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】保護リングの浮き上がりや損傷を防止しつつ保護リングを十分に冷却する。
【解決手段】ウエハ載置装置２０は、プラズマ処理を施すシリコン製のウエハＷを吸着可能な静電チャック２２と、この静電チャック２２の段差部２６に載置された保護リング３０と、静電チャック２２の裏面に配置された静電チャック冷却用の冷却板４０と、保護リング３０を冷却するための冷却用ガスを供給する冷却用ガス通路５０とを備えている。保護リング３０は、静電チャック２２の側面を覆うスカート部３４を有している。また、冷却用ガス通路５０は、冷却用ガスが冷却板４０の裏面から接合シート４７の外周領域４８を経て保護リング３０のスカート部３４の内壁の全周にわたって当たるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェハー外周部から剥離した膜がカラーリングに異物として付着することを抑制できるＣＶＤ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】高密度プラズマＣＶＤ装置は、成膜とエッチングを同時に又は繰り返して行うことで埋め込み性の高い膜をウェハー上に形成する高密度プラズマＣＶＤ装置であり、、ウェハー２１が保持され、ウェハー２１より径の小さい静電チャック２と、静電チャック２の側壁を囲むように設置されたカラーリング１ｂとを具備し、カラーリング１ｂは、静電チャック２の側壁に対向し且つウェハーの外周部の下方に位置する対向部４０ａを有し、対向部４０ａは静電チャックの側壁を囲むように形成されており、対向部４０ａにおける静電チャック２に対して外側は、前記ウェハーの外周部の最も外側の端部より内側に位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板を安定して高速回転させられる成膜装置を提供する。また、基板を安定して高速回転させながら基板表面に所定の結晶膜を成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、シリコンウェハ１０１を浮上させて保持する保持部１０４と、浮上させたシリコンウェハ１０１を回転させる回転部１０３とを有する。保持部１０４には、ベルヌーイ効果を生じさせる保持ガス流１１０を形成する保持ガス吹き出し口１０５が設けられており、回転リング１０３ａに設けられた伝達部１０７ａを用いて、シリコンウェハ１０１を浮上させた状態で安定して高速回転させることができる。 （もっと読む）

プロセスの間、基板の温度を制御するためのペデスタルアセンブリ及び方法が提供される。一実施形態において、プロセスの間、基板温度制御する方法は、真空処理チャンバ内に基板ペデスタルアセンブリの上に基板を載置し、前記基板ペデスタルアセンブリ内の放射状の流路を介して熱伝導液体を流すことにより、基板ペデスタルアセンブリの温度を制御し、放射状の流路は、内側方向に放射状部分、及び、外側方向に放射状部分を含み、温度制御された基板ペデスタルアセンブリの上で基板をプラズマ処理することを含む。他の実施形態において、プラズマ処理はプラズマトリートメント、化学的蒸着プロセス、物理的蒸着プロセス、イオンインプランテーション蒸着、若しくはエッチングプロセスなどの内の少なくとも１つであるかもしれない。
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【目的】基板と支持部材の貼り付きを抑制することが可能な気相成長装置および方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のエピタキシャル成長装置１００は、基板を支持するホルダ１１０と、ホルダを内部に配置し、基板にＳｉ含有膜を成膜するチャンバ１２０と、基板の裏面側からＨＣｌガスを基板に向けて供給する供給部１６０と、基板の加工面側から基板を加熱するウェハ加熱源１５０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、基板とホルダ１１０の貼り付きを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマにより半導体基板を加工する前に異常を検知して半導体基板を加工しないようにする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ５を発生させる前に、下部電極１１に半導体基板２を載置する第１ステップと、不活性ガス導入ライン２２が半導体基板２と下部電極１１との間に不活性ガスを導入する第２ステップと、ガス流量計２５が不活性ガス導入ライン２２の不活性ガスの流量を計測する第３ステップと、不活性ガスの流量が所定範囲内にないときに、ガス流量モニタリング部２７が高周波電源部１７に高周波電力を印加しないように指示する第４ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】膜の堆積を抑制することが可能な基板載置機構を提供すること。
【解決手段】被処理基板載置面２１ａを有し、被処理基板Ｗを、膜が堆積される成膜温度に加熱する加熱体２１ｂが埋設されたヒータープレート２１と、少なくともヒータープレート２１の被処理基板載置面２１ａ以外の表面を覆うように形成され、温度が成膜温度未満の非成膜温度とされる温調ジャケット２２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】真空引きにより蓋部を吸引固定することにより熱伸縮差を許容して、蓋部や外側載置台等に割れや破損等が発生することを防止することが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理装置３０の処理容器３２内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台構造６４において、容器状になされた内側容器６６Ａと内側容器に連通された中空状の内側支柱６６Ｂとが一体的に連結された内側載置台６６と、内側容器の周囲を覆う外側容器６８Ａと内側支柱の周囲を覆う外側支柱６８Ｂとが一体的に連結された外側載置台６８と、内側容器内に収容される内部収容物７０と、内側容器の開口と外側容器の開口とを覆い、被処理体を載置する蓋部７２と、内側載置台の内部を真空引きする真空引き手段７４と、内側載置台と外側載置台との間の隙間にパージガスを供給するパージガス供給手段７６とを備える。 （もっと読む）